JP2016011862A - 半導体試験装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体デバイス1は裏面が冷却板2の表面に接する態様で冷却板2の表面上に載置され、半導体デバイス1の表面上に複数の金属箔の積層によりなる積層金属箔20が設けられる。加圧用シャフト4、加圧板保持板10等の加圧機構による加圧処理の実行時に、加圧板3の裏面である加圧面が積層金属箔20を介して半導体デバイス1を表面から押圧し、通電部8より冷却板2,加圧板3間に直流電流が供給される。
【選択図】図1
Description
図1はこの発明の実施の形態1である通電評価装置の構成を示す説明図である。同図に示すように、半導体試験装置である通電評価装置101は、冷却板2、加圧板3、加圧用シャフト4、通電部8、加圧板保持板10、シャフト11、位置決め板13及び積層金属箔20から構成される。
図3はこの発明の実施の形態2である通電評価装置102の構成を示す説明図である。同図に示すように、通電評価装置102における加圧部となる加圧板3Aは、半導体デバイス1の表面電極に含まれる一部領域(電極内部領域)に平面視対応する領域が、他の領域より半導体デバイス1に突出した加圧用テラス構造40を有し、この加圧用テラス構造40の突出面(下面)が加圧面となる。他の構成は、図1で示した実施の形態1の通電評価装置101と同様である。
図16はこの発明の実施の形態3である通電評価装置103の構成を示す説明図である。同図に示すように、通電評価装置103における冷却板2Aは、半導体デバイス1の裏面(他方主面)に平面視対応する領域が他の領域より上方(半導体デバイス1側)に突出した冷却用テラス構造50を有している。そして、冷却用テラス構造50が形成されていない冷却板2Aの表面上に冷却板2Aとは異なる金属層5が設けられ、金属層5は、その表面高さが冷却用テラス構造50の表面高さと一致するように設けられる。
図20はこの発明の実施の形態4である通電評価装置104の構成を示す説明図である。同図に示すように、実施の形態4では、加圧板3(加圧板3A)に替えて、加圧部3Bを設けたことを特徴としている。
Claims (8)
- 一方主面及び他方主面上に一方電極及び他方電極を有する半導体デバイスにおける一方電極,他方電極間に電流を流して前記半導体デバイスを試験する半導体試験装置であって、
前記半導体デバイスの他方電極に電気的に接続しつつ前記半導体デバイスを載置し、導電性及び冷却機能を有する冷却板と、
前記半導体デバイスの一方電極上に設けられた複数の金属箔と、
前記半導体デバイスの一方主面の上方に配置され、一方主面と対向する加圧面を有し、導電性を具備する加圧部と、
動作時において、前記半導体デバイスの一方主面に向かう第1の方向に前記加圧部を加圧する加圧処理を実行する加圧機構と、
前記冷却板と前記加圧部との間に直流電流を流す電流供給部とを備え、
前記加圧処理の実行時に、前記加圧部の加圧面は、前記複数の金属箔を介して前記半導体デバイスの一方電極と電気的に接続され、かつ、一方主面側から前記半導体デバイスを押圧することを特徴とする、
半導体試験装置。 - 請求項1記載の半導体試験装置であって、
前記複数の金属箔それぞれの材質は、アルミあるいは銅であることを特徴とする、
半導体試験装置。 - 請求項2記載の半導体試験装置であって、
前記複数の金属箔は、前記加圧処理の実行時に前記半導体デバイスの一方電極に接触するデバイス接触金属箔と、前記デバイス接触金属箔以外の少なくとも一つの金属箔とを含み、
前記デバイス接触金属箔の厚さは50μmm以下、前記少なくとも一つの金属箔それぞれの厚さが100μm以上に設定されることを特徴とする、
半導体試験装置。 - 請求項1から請求項3のうち、いずれか1項に記載の半導体試験装置であって、
前記冷却板は前記半導体デバイスの他方主面に平面視対応する領域が他の領域より前記半導体デバイス側に突出した冷却用テラス構造を有することを特徴とする、
半導体試験装置。 - 請求項1から請求項4のうち、いずれか1項に記載の半導体試験装置であって、
前記加圧部は、前記半導体デバイスの一方電極に含まれる電極内部領域に平面視対応する領域が、他の領域より前記半導体デバイス側に突出した加圧用テラス構造を有し、前記加圧用テラス構造の突出面が前記加圧部の前記加圧面となる、
半導体試験装置。 - 請求項1から請求項4のうち、いずれか1項に記載の半導体試験装置であって、
前記加圧部は、
前記半導体デバイス側に取付面を有する加圧基体と、
前記加圧基体の取付面から、前記半導体デバイスに向かう方向に延びて形成され、各々が先端部を有する複数の加圧ピンと、
前記複数の加圧ピンより前記半導体デバイス側に設けられ、前記複数の加圧ピンの先端部と対向する一方主面と前記加圧面となる他方主面とを有する接触板とを備え、
前記接触板は、前記半導体デバイスの一方電極に含まれる電極内部領域に平面視対応する領域に設けられ、前記加圧処理時に前記複数の加圧ピンの先端部により前記接触板の一方主面を押圧することを特徴とする、
半導体試験装置。 - 請求項5または請求項6に記載の半導体試験装置であって、
前記加圧部の前記加圧面は表面粗さが5μm以下になるように形成される、
半導体試験装置。 - 請求項5から請求項7のうち、いずれか1項に記載の半導体試験装置であって、
前記加圧部の前記加圧面は半径20μm以上、かつ半径100μm以下で端部が丸められた丸め端部を有することを特徴とする、
半導体試験装置。
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