JP2014162120A - 配線構造体、配線構造体の製造方法、液滴吐出ヘッドおよび液滴吐出装置 - Google Patents

Abstract

【課題】複数の端子同士間のピッチを小さくしても、配線の形成を容易なものとすることができる配線構造体を提供すること。
【解決手段】液滴吐出ヘッド１は、第１、第２端子２７１、２７２を備える第１端子群２７’および第３、第４端子２７３、２７４を備える第２端子群２７”が形成された振動板２３と、第１、第２傾斜面２４７ａ、２４７ｂを備える第１配線形成部２４７および第３、第４傾斜面２４８ａ、２４８ｂを備える第２配線形成部２４８を備えるリザーバー形成基板２４と、第１傾斜面２４７ａに形成され、第１端子２７１に電気的に接続された第１配線２８１と、第２傾斜面２４７ｂに形成され、第２端子２７２に電気的に接続された第２配線２８２と、第３傾斜面２４８ａに形成され、第３端子２７３に電気的に接続された第３配線２８３と、第４傾斜面２４８ｂに形成され、第４端子２７４に電気的に接続された第４配線２８４とを有している。
【選択図】図２

Description

本発明は、配線構造体、配線構造体の製造方法、液滴吐出ヘッドおよび液滴吐出装置に関する。

液滴を吐出する液滴吐出ヘッドを備える液滴吐出装置は、例えば、画像の形成やマイクロデバイスの配線製造に用いられる。
例えば、圧電駆動方式の液滴吐出ヘッドは、インクを貯留するリザーバーと、リザーバーに連通する複数の圧力発生室と、複数の圧力発生室にそれぞれ連通する複数のノズルと、複数の圧力発生室内の圧力をそれぞれ変化させる複数の圧電素子と、複数の圧電素子を駆動するドライバーＩＣとを備える。

このような液滴吐出ヘッドでは、一般に、特許文献１に開示されているように、圧力発生室が形成された流路形成用基板（ベース基板）の一方の面に、圧電素子と、リザーバーが形成されたリザーバー形成用基板（配線基板）とがそれぞれ接合されている。そして、ドライバーＩＣは、リザーバー形成用基板の流路形成用基板とは反対側の面に接合され、リザーバー形成用基板に設けられた配線を介して、圧電素子に電気的に接続されている。

ここで、ドライバーＩＣと圧電素子との間には、リザーバー形成用基板の厚さに起因する段差が生じており、かかる段差を介して、ドライバーＩＣと圧電素子とを電気的に接続する必要がある。
そこで、特許文献１に記載の液滴吐出ヘッドでは、リザーバー形成用基板の側面を傾斜面とし、その傾斜面に、ドライバーＩＣと圧電素子とを電気的に接続する配線を形成している。

特開２００６−２８１７６３号公報

ところで、近年、より高精細な画像形成や配線製造を実現すべく、ノズル同士間のピッチを小さくすることや配線間のピッチを小さくすることが望まれている。ノズル同士間のピッチや配線間のピッチを小さくすると、それに伴って、圧電素子の端子や各種素子の端子同士のピッチも小さくなる。
しかし、特許文献１に記載の液滴吐出ヘッドでは、配線が形成される面がリザーバー形成用基板の１つの側面であるため、配線同士のピッチの最小部が圧電素子の端子同士のピッチと同程度となってしまう。そのため、圧電素子の端子同士のピッチを小さくすると、配線の形成が難しいという問題があった。

本発明の目的は、ベース基板に形成された複数の端子と、ベース基板に接合された配線基板に形成された複数の配線とを電気的に接続した配線構造体において、複数の端子同士間のピッチを小さくしても、配線の形成を容易なものとすることができる配線構造体およびかかる配線構造体の製造方法を提供すること、並びに、かかる配線構造体を備える液滴吐出ヘッドおよび液滴吐出装置を提供することにある。

このような目的は、下記の本発明により達成される。
本発明の配線構造体は、所定方向に並ぶ第１端子および第２端子を備える第１端子群と、前記第１端子群に並設され、前記所定方向に並ぶ第３端子および第４端子を備える第２端子群と、が形成されたベース基板と、
前記ベース基板に接合され、前記ベース基板に対してそれぞれ鋭角をなす第１傾斜面および第２傾斜面が形成された第１配線形成部と、前記ベース基板に対してそれぞれ鋭角をなす第３傾斜面および第４傾斜面が形成された第２配線形成部と、を備える配線基板と、
前記第１傾斜面に形成され、前記第１端子に電気的に接続された第１配線と、
前記第２傾斜面に形成され、前記第２端子に電気的に接続された第２配線と、
前記第３傾斜面に形成され、前記第３端子に電気的に接続された第３配線と、
前記第４傾斜面に形成され、前記第４端子に電気的に接続される第４配線と、を有することを特徴とする。

このような配線構造体によれば、第１配線と第２配線とを別々の傾斜面に形成するため、第１配線同士間のピッチ、および、第２配線同士間のピッチを、それぞれ、第１端子と第２端子との間のピッチよりも大きくすることができる。そのため、第１端子と第２端子との間のピッチを小さくしても、第１配線および第２配線をそれぞれ容易に形成することができる。同様に、第３配線と第４配線とを別々の傾斜面に形成するため、第３配線同士間のピッチ、および、第４配線同士間のピッチを、それぞれ、第３端子と第４端子との間のピッチよりも大きくすることができる。そのため、第３端子と第４端子との間のピッチを小さくしても、第３配線および第４配線をそれぞれ容易に形成することができる。

本発明の配線構造体では、前記第１配線形成部は、前記ベース基板とは反対側にて前記第１傾斜面および前記第２傾斜面を連結する第１連結面を有し、前記第１連結面には、前記第１配線に電気的に接続される第５端子と、前記第２配線に電気的に接続される第６端子とがそれぞれ形成されており、
前記第２配線形成部は、前記ベース基板とは反対側にて前記第３傾斜面および前記第４傾斜面を連結する第２連結面を有し、前記第２連結面には、前記第３配線に電気的に接続される第７端子と、前記第４配線に電気的に接続される第８端子とがそれぞれ形成されているのが好ましい。
これにより、配線基板上に配置した半導体素子またはＩＣパッケージと第５、第６、第７および第８端子とを容易に電気的に接続することができる。

本発明の配線構造体では、前記第１端子および前記第２端子は、交互に複数並んで配置され、
前記第３端子および前記第４端子は、交互に複数並んで形成されているのが好ましい。
これにより、第１配線同士間のピッチおよび第２配線同士間のピッチを大きくし、その結果、第１配線および第２配線の形成を容易なものとすることができる。同様に、第３配線同士間のピッチおよび第４配線同士間のピッチを大きくし、その結果、第３配線および第４配線の形成を容易なものとすることができる。

本発明の配線構造体では、前記第１配線の一端部は、前記第１端子と重なって形成され、
前記第２配線の一端部は、前記第２端子と重なって形成され、
前記第３配線の一端部は、前記第３端子と重なって形成され、
前記第４配線の一端部は、前記第４端子と重なって形成されているのが好ましい。
これにより、第１、第２、第３および第４配線と第１、第２、第３および第４端子との電気的な接続を簡単かつ確実に行うことができる。

本発明の配線構造体では、前記第１配線と前記第１端子、前記第２配線と前記第２端子、前記第３配線と前記第３端子、および、前記第４配線と前記第４端子は、それぞれ、導電性を有する接続部材を介して電気的に接続されているのが好ましい。
これにより、第１、第２、第３および第４配線と第１、第２、第３および第４端子との電気的な接続を簡単かつ確実に行うことができる。

本発明の配線構造体では、前記配線基板は、前記ベース基板に対して、絶縁性の接着剤で接合されているのが好ましい。
これにより、優れた機械的強度を有する配線構造体となる。
本発明の配線構造体では、前記配線基板は、シリコンで構成され、
前記第１傾斜面、前記第２傾斜面、前記第３傾斜面および前記第４傾斜面は、それぞれ、シリコンの結晶面に沿って形成されているのが好ましい。
これにより、配線基板を簡単かつ精度よく形成することができる。

本発明の配線構造体の製造方法は、所定方向に並ぶ第１端子および第２端子を備える第１端子群と、前記第１端子群に並設され、前記所定方向に並ぶ第３端子および第４端子を備える第２端子群とが形成されたベース基板に、前記ベース基板に対してそれぞれ鋭角をなす第１傾斜面および第２傾斜面が形成された第１配線形成部と、前記ベース基板に対してそれぞれ鋭角をなす第３傾斜面および第４傾斜面が形成された第２配線形成部とを備える配線基板を接合し、前記第１端子が前記第１傾斜面から露出し、前記第２端子が前記第２傾斜面から露出し、前記第３端子が前記第３傾斜面から露出し、前記第４端子が前記第４傾斜面から露出した状態とする工程と、
前記第１傾斜面に前記第１端子と電気的に接続される第１配線を形成し、前記第２傾斜面に前記第２端子と電気的に接続される第２配線を形成し、前記第３傾斜面に前記第３端子と電気的に接続される第３配線を形成し、前記第４傾斜面に前記第４端子と電気的に接続される第４配線を形成する工程と、を有することを特徴とする。
このような配線構造体の製造方法によれば、断線や短絡を防止することができ、信頼性の高い配線構造体を製造することができる。

本発明の配線構造体の製造方法は、所定方向に並ぶ第１端子および第２端子を備える第１端子群と、前記第１端子群に並設され、前記所定方向に並ぶ第３端子および第４端子を備える第２端子群とが形成されたベース基板に、前記ベース基板に対してそれぞれ鋭角をなす第１傾斜面および第２傾斜面が形成された第１配線形成部と、前記ベース基板に対してそれぞれ鋭角をなす第３傾斜面および第４傾斜面が形成された第２配線形成部とを備え、前記第１傾斜面に第１配線が形成され、前記第２傾斜面に第２配線が形成され、前記第３傾斜面に第３配線が形成され、前記第４傾斜面に第４配線が形成された配線基板を接合し、前記第１端子が前記第１傾斜面から露出し、前記第２端子が前記第２傾斜面から露出し、前記第３端子が前記第３傾斜面から露出し、前記第４端子が前記第４傾斜面から露出した状態とする工程と、
前記第１配線と前記第１端子、前記第２配線と前記第２端子、前記第３配線と前記第３端子、および、前記第４配線と前記第４端子を、それぞれ、導電性を有する接続部材を介して電気的に接続する工程と、を有することを特徴とする。
このような配線構造体の製造方法によれば、断線や短絡を防止することができ、信頼性の高い配線構造体を製造することができる。

本発明の液滴吐出ヘッドは、本発明の配線構造体を備えることを特徴とする。
これにより、信頼性の高い液滴吐出ヘッドが得られる。
本発明の液滴吐出装置は、本発明の液滴吐出ヘッドを備えることを特徴とする。
これにより、信頼性の高い液滴吐出装置が得られる。

本発明の第１実施形態に係る液滴吐出ヘッド（配線構造体）を示す斜視図である。 図１中のＡ−Ａ線断面図である。 図１中のＢ−Ｂ線断面図である。 図１に示す液滴吐出ヘッドのベース基板および配線基板を説明するための断面図である。 図１に示す液滴吐出ヘッドの配線パターンを説明するための平面図である。 図１に示す液滴吐出ヘッドの製造方法を説明するための断面図である。 図１に示す液滴吐出ヘッドの製造方法を説明するための断面図である。 図１に示す液滴吐出ヘッドの製造方法を説明するための断面図である。 図１に示す液滴吐出ヘッドの製造方法を説明するための断面図である。 本発明の第２実施形態に係る液滴吐出ヘッドのベース基板および配線基板を説明するための断面図である。 本発明の第２実施形態に係る液滴吐出ヘッドのベース基板および配線基板を説明するための断面図である。 図１０に示す液滴吐出ヘッドの製造方法を説明するための断面図である。 図１０に示す液滴吐出ヘッドの製造方法を説明するための断面図である。 図１０に示す液滴吐出ヘッドの製造方法を説明するための断面図である。 本発明の液滴吐出装置の一例を示す斜視図である。

以下、本発明の配線構造体、配線構造体の製造方法、液滴吐出ヘッドおよび液滴吐出装置を添付図面に示す好適な実施形態に基づいて詳細に説明する。
＜第１実施形態＞
図１は、本発明の第１実施形態に係る液滴吐出ヘッド（配線構造体）を示す斜視図、図２は、図１中のＡ−Ａ線断面図、図３は、図１中のＢ−Ｂ線断面図、図４は、図１に示す液滴吐出ヘッドのベース基板および配線基板を説明するための断面図、図５は、図１に示す液滴吐出ヘッドの配線パターンを説明するための平面図、図６ないし図９は、それぞれ、図１に示す液滴吐出ヘッドの製造方法を説明するための断面図である。

なお、図１〜５では、説明の便宜上、互いに直交する３つの軸として、Ｘ軸、Ｙ軸およびＺ軸を図示しており、その図示された各矢印の先端側を「＋（プラス）」、基端側を「−（マイナス）」とする。また、以下の説明では、Ｘ軸に平行な方向を「Ｘ軸方向」、Ｙ軸に平行な方向を「Ｙ軸方向」、Ｚ軸に平行な方向を「Ｚ軸方向」という。また、＋Ｚ軸側を「上」、−Ｚ軸側を「下」ともいう。

図１、図２および図３に示す液滴吐出ヘッド（配線構造体）１は、例えば、後述するような液滴吐出装置（印刷装置）１００に搭載されて用いられる。液滴吐出ヘッド１は、ノズル基板２１と、流路形成基板２２と、振動板（ベース基板）２３と、リザーバー形成基板（配線基板）２４と、複数の圧電素子２５と、コンプライアンス基板２６と、ＩＣパッケージ３３とを有している。

ノズル基板２１、流路形成基板２２、振動板２３、リザーバー形成基板２４およびコンプライアンス基板２６は、図２中下側からこの順に積層されている。また、これらの基板は、隣り合う２つの基板同士が互いに例えば接着剤や熱溶着フィルム等を介して接合されている。
このような構成の液滴吐出ヘッド１は、圧電素子２５が振動板２３を振動させることにより、流路形成基板２２に形成された流路２２１の圧力発生室２２２内の圧力を変化させ、ノズル基板２１に形成された吐出口２１１からインク３００を液滴として吐出するように構成されている。

以下、液滴吐出ヘッド１の各部を順次詳細に説明する。
（ノズル基板）
図２および図３に示すように、ノズル基板２１には、その厚さ方向に貫通する複数の吐出口（ノズル）２１１が形成されている。本実施形態では、この複数の吐出口２１１は、行列状に配置されている。より具体的には、ノズル基板２１は、Ｙ軸方向を長手方向とする長尺状をなしており、複数の吐出口２１１は、ノズル基板２１の長手方向（Ｙ軸方向）にｎ行（ｎは１以上の整数）、幅方向（Ｘ軸方向）に２列に配置されている。

このようなノズル基板２１の構成材料としては、特に限定されないが、例えば、シリコン材料またはステンレス鋼であるのが好ましい。このような材料は、耐薬品性に優れることから、長時間にわたってインク３００に曝されたとしても、ノズル基板２１が変質・劣化するのを確実に防止することができる。また、これらの材料は、加工性に優れるため、寸法精度の高いノズル基板２１が得られる。このため、信頼性の高い液滴吐出ヘッド１が得られる。
また、このようなノズル基板２１は、例えば、上述したような材料で構成された基板にエッチング、レーザー加工等により吐出口２１１を形成することにより得ることができる。

（流路形成基板）
流路形成基板２２には、各吐出口２１１に向かってインク３００が通過する流路２２１が形成されている。図２に示すように、流路２２１は、複数の圧力発生室２２２と、中継室２２３（連通部）と、複数の圧力発生室２２２をそれぞれ中継室２２３と連通させる複数の連通路２２４（供給路）とを有する。

複数の圧力発生室２２２は、複数の吐出口２１１にそれぞれ対応して設けられている。本実施形態では、複数の圧力発生室２２２は、複数の吐出口２１１にそれぞれ対応して、Ｙ軸方向にｎ行（ｎは１以上の整数）、Ｘ軸方向に２列に配置されている。
中継室２２３は、圧力発生室２２２に対してインク３００の流通方向での上流側に設けられている。そして、圧力発生室２２２と中継室２２３との間に連通路２２４が設けられている。
このような流路形成基板２２の構成材料としては、特に限定されず、例えば、前述したノズル基板２１の構成材料と同じ材料を用いることができる。
また、このような流路形成基板２２は、例えば、上述したような材料で構成された基板にエッチングにより流路２２１を形成することにより得ることができる。

（振動板）
振動板２３は、その厚さ方向に振動可能に構成されている。また、振動板２３は、その一部が圧力発生室２２２に臨んでいる。すなわち、振動板２３の一部は、圧力発生室２２２を区画形成する壁部の一部を構成している。これにより、振動板２３が振動することにより、圧力発生室２２２内の圧力が変化して、当該圧力発生室２２２から吐出口２１１を介してインク３００を液滴として吐出することができる。

また、振動板２３は、流路形成基板２２側から順に弾性膜２３１と下電極膜２３２とを積層して構成されている。
弾性膜２３１は、例えば１〜２μｍ程度の厚さの酸化シリコン膜で構成されている。また、下電極膜２３２は、例えば０．２μｍ程度の厚さの金属膜で構成されている。この下電極膜２３２は、複数の圧電素子２５の共通電極としても機能する。

下電極膜２３２の構成としては、導電性を有していれば、特に限定されず、例えば、Ｎｉ、Ｃｒ、Ａｕ、Ｐｄ、Ｔｉ、Ｗ、Ｃｕ等の各種金属材料および合金を用いることができる。下電極膜２３２のより具体的な構成としては、例えば、Ｎｉ−Ｃｒ系合金で構成された下地層にＡｕ（またはＡｕ系合金）で構成された電極層を積層した構成や、Ｔｉ−Ｗ系合金で構成された下地層にＣｕ（またはＣｕ系合金）で構成された電極層を積層した構成が挙げられる。

（リザーバー形成基板）
図２および図４に示すように、リザーバー形成基板２４は、絶縁性の接着剤３６を介して振動板２３に接合されている。これにより、液滴吐出ヘッド１の機械的強度の向上を図ることができる。ここで、接着剤３６は、後述する貫通部２４６内にはみ出して設けられるのが好ましい。また、接着剤３６の厚みは、特に限定されないが、例えば、１μｍ程度であるのが好ましい。また、接着剤３６としては、リザーバー形成基板２４と振動板２３とを接着し得る接着性を有するものであれば、特に限定されず、例えば、樹脂材料（特に硬化性樹脂）を含む樹脂組成物を用いることができる。この樹脂組成物には、絶縁性のフィラーが含まれていてもよい。

リザーバー形成基板２４には、インク３００を一時的に貯留する複数のリザーバー２４１が、前述した流路形成基板２２の複数の流路２２１にそれぞれ連通して形成されている。図２に示すように、リザーバー２４１は、第１室（リザーバー部）２４２と、第２室（導入路）２４３と、第１室２４２と第２室２４３とを連通させる連通路２４４とを有している。

第１室２４２は、流路形成基板２２の流路２２１の中継室２２３に連通している。なお、振動板２３は、第１室２４２と中継室２２３との間にて欠損しており、これにより、第１室２４２と中継室２２３とが連通している。第２室２４３は、第１室２４２に対してインク３００の流通方向での上流側に設けられている。そして、第１室２４２と第２室２４３との間に、連通路２４４が設けられている。なお、液滴吐出ヘッド１では、中継室２２３がリザーバー２４１の一部を構成しているということもできる。

また、図２および図３に示すように、リザーバー形成基板２４には、３つの貫通部２４６ａ、２４６ｂ、２４６ｃがＸ軸方向に並んで形成されており、これにより、貫通部２４６ａ、２４６ｂの間に第１配線形成部２４７が形成され、貫通部２４６ｂ、２４６ｃの間に第２配線形成部２４８が形成されている。第１、第２配線形成部２４７、２４８には、それぞれ、下面に開放する凹部が形成されており、この凹部は、複数の圧電素子２５を収納する圧電素子収納室２４５として機能する。

また、第１配線形成部２４７は、Ｘ軸方向に並ぶ一対の第１、第２傾斜面２４７ａ、２４７ｂと、第１、第２傾斜面２４７ａ、２４７ｂの上端同士を連結する上面（連結面）２４７ｃと、を有している。第１、第２傾斜面２４７ａ、２４７ｂは、それぞれ、リザーバー形成基板２４の板面（ＸＹ平面）に対して傾斜し、振動板２３に対して鋭角をなしている。同様に、第２配線形成部２４８は、Ｘ軸方向に並ぶ一対の第３、第４傾斜面２４８ａ、２４８ｂと、第３、第４傾斜面２４８ａ、２４８ｂの上端同士を連結する上面（連結面）２４８ｃと、を有している。第３、第４傾斜面２４８ａ、２４８ｂは、それぞれ、リザーバー形成基板２４の板面（ＸＹ平面）に対して傾斜し、振動板２３に対して鋭角をなしている。

また、図４に示すように、第１、第２、第３、第４傾斜面２４７ａ、２４７ｂ、２４８ａ、２４８ｂの板面に対する角度θ１としては、特に限定されないが、それぞれ、５０〜６０°程度であるのが好ましく、５４〜５５°程度であるのがより好ましい。これにより、第１、第２配線形成部２４７、２４８の小型化（幅狭化）を図りつつ、後述する配線パターン２８の形成を正確かつ容易に行うことができる。なお、角度θ１が上記下限値未満であると、第１、第２配線形成部２４７、２４８の高さによっては、各傾斜面２４７ａ〜２４８ｂの幅（Ｘ軸方向の長さ）が広くなり過ぎ、液滴吐出ヘッド１の大型化を招くおそれがある。一方、角度θ１が上記上限値を超えると、各傾斜面２４７ａ〜２４８ｂの角度がきつくなり過ぎ、液滴吐出ヘッド１の製造方法等によっては、配線パターン２８の形成が困難になる場合がある。

リザーバー形成基板２４は、シリコンで構成され、各傾斜面２４７ａ〜２４８ｂは、それぞれ、シリコンの結晶面に沿って形成されていることが好ましい。これにより、各傾斜面２４７ａ〜２４８ｂを高い寸法精度で形成することができる。例えば、面方位（１００）のシリコン基板をＫＯＨ、硝酸等のエッチング液を用いてウエットエッチング（異方性エッチング）することにより、リザーバー形成基板２４の各傾斜面２４７ａ〜２４８ｂを形成した場合、各傾斜面２４７ａ〜２４８ｂをそれぞれシリコンの（１１１）面で構成することができ、角度θ１を約５４．７°とすることができる。ただし、リザーバー形成基板２４は、シリコンで構成されていなくてもよく、例えば、ガラス材料等の絶縁性材料で構成されていてもよい。
以上のような構成のリザーバー形成基板２４の表面には、図示しない絶縁膜が形成されている。例えば、リザーバー形成基板２４がシリコンで構成されている場合、熱酸化によりシリコン酸化膜を絶縁膜として形成することができる。このような絶縁膜が形成されていることにより、配線２８１（図５参照）間の短絡を防止することができる。

（圧電素子）
図２および図３に示すように、複数の圧電素子２５は、それぞれ、前述した流路形成基板２２とリザーバー形成基板２４との間（圧電素子収納室２４５）に配されている。また、複数の圧電素子２５は、前述した複数の吐出口２１１および複数の圧力発生室２２２にそれぞれ対応して設けられている。

各圧電素子２５は、下電極膜２３２側から順に圧電体膜２５１と、上電極膜２５２とを積層して構成されている。なお、前述したように、下電極膜２３２が複数の圧電素子２５の共通電極としても機能することから、複数の圧電素子２５は、下電極膜２３２と複数の圧電体膜２５１と複数の上電極膜２５２とで構成されているということもできる。このような各圧電素子２５では、上電極膜２５２と下電極膜２３２との間に電圧を印加することにより、圧電体膜２５１が圧電効果により変形する。この変形により、振動板２３をその厚さ方向に振動させることができる。

また、各上電極膜２５２には、端子２７が電気的に接続されている。端子２７は、上電極膜２５２上から圧電体膜２５１の側面上を経由して振動板２３の弾性膜２３１上に延びている。そして、端子２７の上電極膜２５２とは反対側の端部は、リザーバー形成基板２４が有する貫通部２４６ａ、２４６ｂ、２４６ｃのうちのいずれか１つの内側に臨んでいる。

詳細に説明すると、第１配線形成部２４７の圧電素子収納室２４５に配置された圧電素子２５に接続されている複数の端子２７（第１端子群２７’）は、Ｙ軸方向に交互に等ピッチで配置された複数の第１端子２７１および複数の第２端子２７２を有している。各第１端子２７１は、第１傾斜面２４７ａの下方から貫通部２４６ａ内に臨むように形成され、反対に、各第２端子２７２は、第２傾斜面２４７ｂの下方から貫通部２４６ｂ内に臨むように形成されている。

一方、第２配線形成部２４８の圧電素子収納室２４５に配置された圧電素子２５に接続されている複数の端子２７（第２端子群２７”）は、第１端子群２７’に並設されており、Ｙ軸方向に交互に等ピッチで配置された複数の第３端子２７３および複数の第４端子２７４を有している。各第３端子２７３は、第３傾斜面２４８ａの下方から貫通部２４６ｂ内に臨むように形成され、反対に、各第４端子２７４は、第４傾斜面２４８ｂの下方から貫通部２４６ｃ内に臨むように形成されている。

上電極膜２５２および端子２７の構成としては、導電性を有していれば、特に限定されず、Ｎｉ、Ｃｒ、Ａｕ、Ｐｄ、Ｔｉ、Ｗ、Ｃｕ等の各種金属材料および合金を用いることができる。上電極膜２５２および端子２７のより具体的な構成としては、例えば、Ｎｉ−Ｃｒ系合金で構成された下地層にＡｕ（またはＡｕ系合金）で構成された電極層を積層した構成や、Ｔｉ−Ｗ系合金で構成された下地層にＣｕ（またはＣｕ系合金）で構成された電極層を積層した構成が挙げられる。

（配線パターン）
図５に示すように、第１配線形成部２４７の上面２４７ｃには、第５端子２９１および第６端子２９２がＹ軸方向に交互に並んで、且つ、等ピッチで形成されている。同様に、第２配線形成部２４８の上面２４８ｃには、第７端子２９３および第８端子２９４がＹ軸方向に交互に並んで、且つ、等ピッチで形成されている。これら第５〜第８端子２９１〜２９４は、それぞれ、ＩＣパッケージ３３と電気的に接続されている。このように、リザーバー形成基板２４の上面に各端子２９１、２９２、９２３、２９４を設けることによって、ＩＣパッケージ３３との電気的接続を容易に行うことができる。

また、第１傾斜面２４７ａには、第１傾斜面２４７ａを跨ぐようにして、第１配線２８１が形成されている。第１配線２８１は、その上端部にて第５端子２９１に電気的に接続され、下端にて第１端子２７１に電気的に接続されている。すなわち、第１配線２８１によって、第１、第５端子２７１、２９１が電気的に接続されている。ここで、第１配線２８１の下端部が、第１端子２７１上に重なって形成されているため、第１配線２８１と第１端子２７１との接続を確実かつ容易に行うことができる。

同様に、第２傾斜面２４７ｂには、第２傾斜面２４７ｂを跨ぐようにして、第２配線２８２が形成されている。第２配線２８２は、その上端部にて第６端子２９２に電気的に接続され、下端にて第２端子２７２に電気的に接続されている。すなわち、第２配線２８２によって、第２、第６端子２７２、２９２が電気的に接続されている。ここで、第２配線２８２の下端部が、第２端子２７２上に重なって形成されているため、第２配線２８２と第２端子２７２との接続を確実かつ容易に行うことができる。

図５に示すように、第１、第２端子２７１、２７２のピッチｐ１は、第５、第６端子２９１、２９２のピッチｐ２よりも広く設計されている。そのため、複数の第１配線２８１は、第１端子２７１側から第５端子２９１側に向けて、ピッチ（隣り合う第１配線２８１の離間距離）が漸減し、中央に集中するように形成されている。同様に、複数の第２配線２８２は、第２端子２７２側から第６端子２９２側に向けて、ピッチが漸減し、中央に集中するように形成されている。なお、ピッチｐ１、ｐ２の関係は、ｐ１＞ｐ２なる関係に限定されず、ｐ１＜ｐ２なる関係であってもよいし、ｐ１＝ｐ２なる関係であってもよい。

また、第３傾斜面２４８ａには、第３傾斜面２４８ａを跨ぐようにして、第３配線２８３が形成されている。第３配線２８３は、その上端部にて第７端子２９３に電気的に接続され、下端にて第３端子２７３に電気的に接続されている。すなわち、第３配線２８３によって、第３、第７端子２７３、２９３が電気的に接続されている。ここで、第３配線２８３の下端部が、第３端子２７３上に重なって形成されているため、第３配線２８３と第３端子２７３との接続を確実かつ容易に行うことができる。

同様に、第４傾斜面２４８ｂには、第４傾斜面２４８ｂを跨ぐようにして、第４配線２８４が形成されている。第４配線２８４は、その上端部にて第８端子２９４に電気的に接続され、下端にて第４端子２７４に電気的に接続されている。すなわち、第４配線２８４によって、第４、第８端子２７４、２９４が電気的に接続されている。ここで、第４配線２８４の下端部が、第４端子２７４上に重なって形成されているため、第４配線２８４と第４端子２７４との接続を確実かつ容易に行うことができる。

図５に示すように、第３、第４端子２７３、２７４のピッチｐ３（＝ｐ１）が、第７、第８端子２９３、２９４のピッチｐ４（＝ｐ２）よりも広く設計されている。そのため、複数の第３配線２８３は、第３端子２７３側から第７端子２９３側に向けて、ピッチが漸減し、中央に集中するように形成されている。同様に、複数の第４配線２８４は、第４端子２７４側から第８端子２９４側に向けて、ピッチが漸減し、中央に集中するように形成されている。なお、ピッチｐ３、ｐ４の関係は、ｐ３＞ｐ４なる関係に限定されず、ｐ３＜ｐ４なる関係であってもよいし、ｐ３＝ｐ４なる関係であってもよい。また、ｐ３≠ｐ１であってもよいし、ｐ２≠ｐ４であってもよい。

各傾斜面２４７ａ、２４７ｂ、２４８ａ、２４８ｂは、それぞれ、リザーバー形成基板２４の上面側を向いているため、各配線２８１、２８２、２８３、２８４および各端子２９１、２９２、２９３、２９４は、それぞれ、リザーバー形成基板２４の上側を向く面に設けられることとなる。そのため、各配線２８１、２８２、２８３、２８４および各端子２９１、２９２、２９３、２９４は、後述する製造方法でも説明するように、当該面側から気相成膜を用いて容易に形成することができる。

各配線２８１、２８２、２８３、２８４および各端子２９１、２９２、２９３、２９４の構成としては、導電性を有していれば、特に限定されず、例えば、Ｎｉ、Ｃｒ、Ａｕ、Ｐｄ、Ｔｉ、Ｗ、Ｃｕ等の各種金属材料および合金を用いることができる。また、各配線２８１、２８２、２８３、２８４および各端子２９１、２９２、２９３、２９４の具体的な構成としては、例えば、Ｎｉ−Ｃｒ系合金で構成された下地層にＡｕ（またはＡｕ系合金）で構成された電極層を積層した構成や、Ｔｉ−Ｗ系合金で構成された下地層にＣｕ（またはＣｕ系合金）で構成された電極層を積層した構成が挙げられる。

また、各配線２８１、２８２、２８３、２８４および各端子２９１、２９２、２９３、２９４の形成方法としては、特に限定されず、例えば、公知の各種成膜法を用いることができる。例えば、第１配線２８１が下地層と電極層との積層構造を有する場合、下地層および電極層を共にスパッタリング等の気相成膜法で形成してもよいし、下地層をスパッタリング等の気相成膜法で形成し、電極層を無電解メッキにより形成してもよい。他の配線２８２、２８３、２８４および端子２９１、２９２、２９３、２９４についても同様である。

（コンプライアンス基板）
コンプライアンス基板２６は、リザーバー形成基板２４側から順に封止膜２６１と固定板２６２とを積層して構成されている。
封止膜２６１は、可撓性を有する材料（例えば、厚さ６μｍ程度のポリフェニレンスルフィドフィルム）で構成されている。この封止膜２６１の一部は、リザーバー２４１に臨んでいる。また、固定板２６２は、金属材料等のような比較的硬質の材料（例えば、厚さ３０μｍ程度のステンレス鋼）で構成されている。この固定板２６２には、封止膜２６１のリザーバー２４１に臨む部分に対応する領域が欠損した欠損部２６３が形成されている。
また、コンプライアンス基板２６には、封止膜２６１と固定板２６２とを一括して貫通する導入口２６４が形成されている。導入口２６４は、リザーバー２４１に連通しており、当該リザーバー２４１にインク３００を導入する部分である。

（ＩＣパッケージ）
ＩＣパッケージ３３は、複数の圧電素子２５を駆動する機能を有している。ＩＣパッケージ３３は、電子回路（半導体素子）３３１と、電子回路３３１を収納するケーシング（パッケージ）３３２と、ケーシング３３２から突出し、電子回路３３１と電気的に接続された複数の端子３３３とを有している。なお、ＩＣパッケージ３３には、ＩＣチップ（接続バンプ付きＩＣチップ）等も含まれる。

電子回路３３１は、例えば、半導体で構成され、圧電素子２５を駆動するための駆動回路が含まれている。また、ケーシング３３２は、小片状または板状をなし、その内部に電子回路３３１を収納している。ケーシング３３２の構成材料としては、特に限定されず、例えば、各種樹脂材料、各種金属材料またはセラミックス等が挙げられる。複数の端子３３３は、各配線２８１、２８２、２８３、２８４を介して、前述した各端子２７１、２７２、２７３、２７４に電気的に接続されている。

ここで、複数の端子３３３は、前述した複数の第５、第６、第７、第８端子２９１、２９２、２９３、２９４にそれぞれ対応して設けられている。そして、各端子３３３は、対応する端子（第５、第６、第７、第８端子２９１、２９２、２９３、２９４のうちの１つ）に接触している。これにより、電子回路３３１は、各端子３３３を介して、複数の端子２９１、２９２、２９３、２９４と電気的に接続される。
この各端子３３３の構成材料としては、特に限定されず、例えば、金や銅等のような電気抵抗が比較的小さい金属材料を用いることができる。

本実施形態では、ＩＣパッケージ３３は、リザーバー形成基板２４の上面側に設けられている。また、ＩＣパッケージ３３とリザーバー形成基板２４との間には、接着剤（充填剤）３０が充填されている。これにより、ＩＣパッケージ３３をリザーバー形成基板２４に対して固定するとともに、各配線２８１、２８２、２８３、２８４および各端子２９１、２９２、２９３、２９４を外部から遮断して保護することができる。その結果、配線パターンの腐食や劣化等を効果的に防止することができる。

以上説明した液滴吐出ヘッド１によれば、複数の第１配線２８１と複数の第２配線２８２とを別々の傾斜面に形成するため、複数の第１配線２８１同士間のピッチ、および、複数の第２配線２８２同士間のピッチを、それぞれ、第１、第２端子２７１、２７２のピッチ（第５、第６端子２９１、２９２のピッチ）よりも大きくすることができる。そのため、第１、第２端子２７１、２７２（第５、第６端子２９１、２９２のピッチ）のピッチを小さくしても、複数の第１配線２８１および複数の第２配線２８２をそれぞれ容易に形成することができる。同様に、複数の第３配線２８３と複数の第４配線２８４とを別々の傾斜面に形成するため、複数の第３配線２８３同士間のピッチ、および、複数の第４配線２８４同士間のピッチを、それぞれ、第３、第４端子２７３、２７４のピッチ（第７、第８端子２９３、２９４のピッチ）よりも大きくすることができる。そのため、第１、第２端子２７１、２７２のピッチ（第７、第８端子２９３、２９４のピッチ）を小さくしても、複数の第３配線２８３および複数の第４配線２８４をそれぞれ容易に形成することができる。

次に、上述した液滴吐出ヘッド１の製造方法について、図６ないし図９に基づいて説明する。
液滴吐出ヘッド１の製造方法は、少なくとも、第１端子群２７’および第２端子群２７”が形成された振動板（ベース基板）２３に、第１配線形成部２４７および第２配線形成部２４８を備えるリザーバー形成基板２４を接合する工程と、第１傾斜面２４７ａに第１端子２７１と電気的に接続される第１配線２８１を形成し、第２傾斜面２４７ｂに第２端子２７２と電気的に接続される第２配線２８２を形成し、第３傾斜面２４８ａに第３端子２７３と電気的に接続される第３配線２８３を形成し、第４傾斜面２４８ｂに第４端子２７４と電気的に接続される第４配線２８４を形成する工程とを有している。以下、この製造方法について詳細に説明する。

まず、図６（ａ）に示すように、弾性膜２３１０と下電極膜２３２０との積層体として構成され、後に振動板２３となる基板２３００と、後に流路形成基板２２となる基板２２００との積層体を用意する。次に、図６（ｂ）に示すように、例えば、フォトリソグラフィー技法およびエッチング技法を用いて、下電極膜２３２０をパターニングして下電極膜２３２を形成するとともに、基板２３００上に圧電素子２５および端子２７（第１、第２、第３、第４端子２７１、２７２、２７３、２７４）を形成する。次に、図６（ｃ）に示すように、リザーバー形成基板２４を用意し、絶縁性の接着剤３６を介して、基板２３００の上面に接合する。この際、接着剤３６は、各貫通部２４６ａ、２４６ｂ、２４６ｃ内にはみ出すように設ける。

この状態では、第１端子２７１が第１傾斜面２４７ａの下側を通過して貫通部２４６ａ内に臨んでおり、第２端子２７２が第２傾斜面２４７ｂの下側を通過して貫通部２４６ｂ内に臨んでおり、第３端子２７３が第３傾斜面２４８ａの下側を通過して貫通部２４６ｂ内に臨んでおり、第４端子２７４が第４傾斜面２４８ｂの下側を通過して貫通部２４６ｃ内に臨んでいる。

なお、リザーバー形成基板２４は、例えば、次のようにして製造することができる。まず、図７（ａ）に示すように、面方位（１００）のシリコン基板２４００を用意する。次に、図７（ｂ）に示すように、シリコン基板２４００の表面を熱酸化して、シリコン基板２４００の表面にＳｉＯ_２膜２４０１を形成し、さらに、フォトリソグラフィー技法およびエッチング技法を用いて、ＳｉＯ_２膜２４０１の一部（貫通部２４６ａ、２４６ｂ、２４６ｃに対応する部分）を除去する。次に、図７（ｃ）に示すように、ＳｉＯ_２膜２４０１をマスクとして用いて、シリコン基板２４００を例えばＫＯＨでウエットエッチングし、貫通部２４６ａ、２４６ｂ、２４６ｃを形成する。

次に、図７（ｄ）に示すように、例えば、上述の貫通部２４６ａ、２４６ｂ、２４６ｃの形成と同様にして、リザーバー２４１（図示せず）および圧電素子収納室２４５を形成する。その後、再び、シリコン基板２４００の表面を熱酸化し、シリコン基板２４００の表面にＳｉＯ_２膜２４０１を形成ことによって、図７（ｅ）に示すように、リザーバー形成基板２４が得られる。このような方法によれば、第１、第２、第３、第４傾斜面２４７ａ、２４７ｂ、２４８ａ、２４８ｂは、それぞれ、シリコンの（１１１）面で構成されるため、板面に対する傾きが約５４．７°となる。

次に、図８（ａ）に示すように、例えば、スパッタ等によって、第１、第２配線形成部２４７、２４８の表面および貫通部２４６ａ、２４６ｂ、２４６ｃ内に露出している弾性膜２３１０の部分に、後に、第１、第２、第３、第４配線２８１、２８２、２８３、２８４および第５、第６、第７、第８端子２９１、２９２、２９３、２９４となる金属膜２８００を形成する。この際、前述したように、接着剤３６が貫通部２４６ａ、２４６ｂ、２４６ｃ内にはみ出していることによって、接着剤３６の表面にも金属膜２８００を成膜することができる。そのため、各傾斜面２４７ａ、２４７ｂ、２４８ａ、２４８ｂと振動板２３の境界部にも確実に金属膜２８００を成膜することができる。その結果、前記境界部での各配線２８１、２８２、２８３、２８４の断線を効果的に防止することができる。金属膜２８００の構成は、特に限定されず、例えば、Ｎｉ−Ｃｒ合金層とＡｕ層の積層体とすることができる。次に、図８（ｂ）に示すように、フォトリソグラフィー技法およびエッチング技法を用いて、金属膜２８００をパターニングし、第１、第２、第３、第４配線２８１、２８２、２８３、２８４および第５、第６、第７、第８端子２９１、２９２、２９３、２９４を形成する。

次に、図８（ｃ）に示すように、フォトリソグラフィー技法およびエッチング技法を用いて、基板２２００と弾性膜２３１０とを順にパターニングし、振動板２３および流路形成基板２２を得る。次に、流路形成基板２２の下面にノズル基板２１を接合するとともに、リザーバー形成基板２４の上面にコンプライアンス基板２６を接合する。これら接合は、例えば、接着剤を用いて行うことができる。次に、ＩＣパッケージ３３を用意し、図９（ａ）に示すように、端子３３３を介して、ＩＣパッケージ３３をリザーバー形成基板２４に接合する。最後に、図９（ｂ）に示すように、貫通部２４６ａ、２４６ｂ、２４６ｃ内に接着剤３０を充填することによって、液滴吐出ヘッド１が得られる。
このような液滴吐出ヘッド１の製造方法によれば、信頼性の高い液滴吐出ヘッド１を形成することができる。

＜第２実施形態＞
次に、本発明の液滴吐出ヘッドの第２実施形態について説明する。
図１０および図１１は、それぞれ、本発明の第２実施形態に係る液滴吐出ヘッドのベース基板および配線基板を説明するための断面図、図１２ないし図１４は、それぞれ、図１０に示す液滴吐出ヘッドの製造方法を説明するための断面図である。

以下、第２実施形態の液滴吐出ヘッドについて、前述した第１実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
本発明の第２実施形態にかかる液滴吐出ヘッドは、端子と配線との接続方法が異なる以外は、前述した第１実施形態と同様である。なお、前述した第１実施形態と同様の構成には、同一符号を付してある。

図１０に示すように、本実施形態の液滴吐出ヘッド１では、第１配線２８１は、第１傾斜面２４７ａの下端部までしか形成されておらず、第１端子２７１と直接に接触していない。そして、第１配線２８１および第１端子２７１を跨ぐようにして、導電性の接続部材３７１が形成されており、この接続部材３７１によって、第１端子２７１と第１配線２８１とが電気的に接続されている。

また、図１１に示すように、第２配線２８２は、第２傾斜面２４７ｂの下端部までしか形成されておらず、第２端子２７２と直接に接触していない。そして、第２配線２８２および第２端子２７２を跨ぐようにして、導電性の接続部材３７２が形成されており、この接続部材３７２によって、第２端子２７２と第２配線２８２とが電気的に接続されている。

また、図１１に示すように、第３配線２８３は、第３傾斜面２４８ａの下端部までしか形成されておらず、第３端子２７３と直接に接触していない。そして、第３配線２８３および第３端子２７３を跨ぐようにして、導電性の接続部材３７３が形成されており、この接続部材３７３によって、第３端子２７３と第３配線２８３とが電気的に接続されている。
また、図１０に示すように、第４配線２８４は、第４傾斜面２４８ｂの下端部までしか形成されておらず、第４端子２７４と直接に接触していない。そして、第４配線２８４および第４端子２７４を跨ぐようにして、導電性の接続部材３７４が形成されており、この接続部材３７４によって、第４端子２７４と第４配線２８４とが電気的に接続されている。

このような構成によっても、第１端子２７１と第１配線２８１、第２端子２７２と第２配線２８２、第３端子２７３と第３配線２８３、第４端子２７４と第４配線２８４の接続を確実かつ容易に行うことができる。なお、接続部材３７１、３７２、３７３、３７４の構成材料としては、導電性を有していれば、特に限定されず、例えば、Ｎｉ、Ｃｒ、Ａｕ、Ｐｄ、Ｔｉ、Ｗ、Ｃｕ等の各種金属材料を用いることができる。また、接続部材３７１、３７２、３７３、３７４の製造方法としては、特に限定されないが、例えば、無電解めっき法を用いるのが好ましい。これにより、接続部材３７１、３７２、３７３、３７４を容易に形成することができる。

次に、本実施形態の液滴吐出ヘッド１の製造方法について説明する。
液滴吐出ヘッド１の製造方法は、少なくとも、第１端子群２７’および第２端子群２７”が形成された振動板（ベース基板）２３に、第１配線形成部２４７および第２配線形成部２４８が形成され、第１傾斜面２４７ａに第１配線２８１が形成され、第２傾斜面２４７ｂに第２配線２８２が形成され、第３傾斜面２４８ａに第３配線２８３が形成され、第４傾斜面２４８ｂに第４配線２８４が形成されたリザーバー形成基板２４を接合する工程と、第１配線２８１と第１端子２７１、第２配線２８２と第２端子２７２、第３配線２８３と第３端子２７３、および、第４配線２８４と第４端子２７４を、導電性を有する接続部材３７１、３７２、３７３、３７４を介して電気的に接続する工程とを有している。以下、このような液滴吐出ヘッド１の製造方法について詳細に説明する。

まず、図１２（ａ）に示すように、弾性膜２３１０と下電極膜２３２０との積層体として構成され、後に振動板２３となる基板２３００と、後に流路形成基板２２となる基板２２００との積層体を用意する。次に、図１２（ｂ）に示すように、例えば、フォトリソグラフィー技法およびエッチング技法を用いて、下電極膜２３２０をパターニングして下電極膜２３２を形成するとともに、基板２３００上に圧電素子２５および第１、第２、第３、第４端子２７１、２７２、２７３、２７４を形成する。

次に、図１２（ｃ）に示すように、リザーバー形成基板２４を用意し、第１配線形成部２４７上に第１、第２配線２８１、２８２および第５、第６端子２９１、２９２を形成するとともに、第２配線形成部２４８上に第３、第４配線２８３、２８４および第７、第８端子２９３、２９４を形成する。なお、リザーバー形成基板２４の形成および各配線２８１、２８２、２８３、２８４および各端子２９１、２９２、２９３、２９４の形成は、前述した第１実施形態と同様の方法を用いることができる。次に、図１３（ａ）に示すように、絶縁性の接着剤３６を介して、リザーバー形成基板２４を基板２３００の上面に接合する。この際、接着剤３６は、各貫通部２４６ａ、２４６ｂ、２４６ｃ内にはみ出すように設けるのが好ましい。
この状態では、第１配線２８１は、第１端子２７１に接触しておらず、第２配線２８２は、第２端子２７２に接触しておらず、第３配線２８３は、第３端子２７３に接触しておらず、第４配線２８４は、第４端子２９４に接触していない。

次に、前述の工程によって得られた積層体を無電解めっき液に浸漬し、図１３（ｂ）に示すように、第１端子２７１および第１配線２８１上に金属膜を析出させることによって接続部材３７１を形成し、第２端子２７２および第２配線２８２上に金属膜を析出させることによって接続部材３７２を形成し、第３端子２７３および第３配線２８３上に金属膜を析出させることによって接続部材３７３を形成し、第４端子２７４および第４配線２８４上に金属膜を析出させることによって接続部材３７４を形成する。

ここで、前述したように、第１端子２７１と第１配線２８１とは、接着剤３６の厚み分だけ離間しているが、接続部材３７１が第１端子２７１と第１配線２８１とに跨って形成されるため（具体的には、第１端子２７１上に析出した接続部材３７１と、第１配線２８１上に析出した接続部材３７１とが繋がるため）、接続部材３７１を介して第１端子２７１と第１配線２８１とが電気的に接続される。接続部材３７２、３７３、３７４についても同様である。なお、接続部材３７１、３７２、３７３、３７４の構成としては、特に限定されないが、例えば、Ｎｉ層、Ｐｄ層、Ａｕ層を順に積層した積層構造とすることができる。

次に、フォトリソグラフィー技法およびエッチング技法を用いて、基板２２００と弾性膜２３１０とを順にパターニングし、図１３（ｃ）に示すように、振動板２３および流路形成基板２２を得る。次に、図１４（ａ）に示すように、流路形成基板２２の下面にノズル基板２１を接合するとともに、リザーバー形成基板２４の上面にコンプライアンス基板２６を接合する。次に、ＩＣパッケージ３３を用意し、端子３３３を介して、ＩＣパッケージ３３をリザーバー形成基板２４に接合する。最後に、図１４（ｂ）に示すように、貫通部２４６ａ、２４６ｂ、２４６ｃ内に接着剤（充填剤）３０を充填することにより、液滴吐出ヘッド１が得られる。
このような液滴吐出ヘッド１の製造方法によれば、信頼性の高い液滴吐出ヘッド１を形成することができる。

次に、本発明の液滴吐出装置の一例として、前述した液滴吐出ヘッド１を備えた液滴吐出装置１００について説明する。
図１５は、本発明の液滴吐出装置の一例を示す斜視図である。
図１５に示す液滴吐出装置１００（印刷装置）は、記録媒体２００にインクジェット方式で印刷する印刷装置である。この液滴吐出装置１００は、装置本体５０と、液滴吐出ヘッド１が搭載された記録ヘッドユニット２０Ａおよび２０Ｂと、インク３００を供給するインクカートリッジ３０Ａおよび３０Ｂと、記録ヘッドユニット２０Ａおよび２０Ｂを搬送するキャリッジ４０と、キャリッジ４０を移動させる移動機構７０と、キャリッジ４０を移動可能に支持する（案内する）キャリッジ軸６０とを備えている。

インクカートリッジ３０Ａは、記録ヘッドユニット２０Ａに着脱自在に装着され、その装着状態で記録ヘッドユニット２０Ａにインク３００（ブラックインク組成物）を供給することができる。
インクカートリッジ３０Ｂも、記録ヘッドユニット２０Ｂに着脱自在に装着され、その装着状態で記録ヘッドユニット２０Ｂにインク３００（カラーインク組成物）を供給することができる。

移動機構７０は、駆動モーター７０１と、駆動モーター７０１に連結されたタイミングベルト７０２とを有している。そして、駆動モーター７０１の駆動力（回転力）がタイミングベルト７０２を介してキャリッジ４０に伝達されることにより、キャリッジ４０を記録ヘッドユニット２０Ａおよび２０Ｂごとキャリッジ軸６０方向に沿って移動させることができる。
また、装置本体５０には、キャリッジ軸６０の下側にその軸方向に沿ってプラテン８０が設けられている。図示しない給紙ローラーなどにより給紙された記録媒体２００がプラテン８０上に搬送されるようになっている。そして、プラテン８０上で記録媒体２００に対してインク３００が吐出されて印刷が施される。

以上、本発明の配線構造体、配線構造体の製造方法、液滴吐出ヘッドおよび液滴吐出装置を図示の実施形態について説明したが、本発明は、これに限定されるものではなく、配線構造体、液滴吐出ヘッドおよび液滴吐出装置を構成する各部は、同様の機能を発揮し得る任意の構成のものと置換することができる。また、任意の構成物が付加されていてもよい。
また、前述した実施形態では、本発明の配線構造体を液滴吐出ヘッドに適用した例を説明したが、本発明の配線構造体は、これに限定されず、ベース基板に形成された複数の端子と、ベース基板に接合された配線基板の側面に形成された複数の配線とを電気的に接続したものであれば、各種配線構造体に適用可能である。

また、前述した実施形態では、液滴吐出蔵置が印刷用紙等のような記録媒体にインクを液滴として吐出して印刷を施すよう構成された場合を例に説明したが、本発明の液滴吐出装置は、これに限定されず、例えば、液晶表示デバイス形成用材料を液滴として吐出して液晶表示デバイス（液晶表示装置）を製造したり、有機ＥＬ形成用材料を液滴として吐出して有機ＥＬ表示デバイス（有機ＥＬ装置）を製造したり、配線パターン形成用材料を液滴として吐出して電子回路の配線パターンを形成して回路基板を製造することもできる。

１……液滴吐出ヘッド ２１……ノズル基板 ２１１……吐出口 ２２……流路形成基板 ２２１……流路 ２２２……圧力発生室 ２２３……中継室（連通部） ２２４……連通路（供給路） ２３……振動板 ２３１……弾性膜 ２３２……下電極膜 ２４……リザーバー形成基板（配線基板） ２４１……リザーバー ２４２……第１室 ２４３……第２室 ２４４……連通路 ２４５……圧電素子収納室 ２４６、２４６ａ、２４６ｂ、２４６ｃ……貫通部 ２４７……第１配線形成部 ２４７ａ……第１傾斜面 ２４７ｂ……第２傾斜面 ２４７ｃ……上面 ２４８……第２配線形成部 ２４８ａ……第３傾斜面 ２４８ｂ……第４傾斜面 ２４８ｃ……上面 ２５……圧電素子 ２５１……圧電体膜 ２５２……上電極膜 ２６……コンプライアンス基板 ２６１……封止膜 ２６２……固定板 ２６３……欠損部 ２６４……導入口 ２７……端子 ２７’……第１端子群 ２７”……第２端子群 ２７１……第１端子 ２７２……第２端子 ２７３……第３端子 ２７４……第４端子 ２８……配線パターン ２８１……第１配線 ２８２……第２配線 ２８３……第３配線 ２８４……第４配線 ２９１……第５端子 ２９２……第６端子 ２９３……第７端子 ２９４……第８端子 ３０……接着剤 ３３……ＩＣパッケージ ３３１……電子回路 ３３２……ケーシング ３３３……端子 ３６……接着剤 ３７１、３７２、３７３、３７４……接続部材 ３００……インク ２２００……基板 ２３００……基板 ２３１０……弾性膜 ２３２０……下電極膜 ２４００……シリコン基板 ２４０１……ＳｉＯ２膜 ２８００……金属膜 ｐ１、ｐ２、ｐ３、ｐ４……ピッチ θ１……角度 １００…液滴吐出装置 ２００…記録媒体 ２０Ａ…記録ヘッドユニット ２０Ｂ…記録ヘッドユニット ３０Ａ…インクカートリッジ ３０Ｂ…インクカートリッジ ４０…キャリッジ ５０…装置本体 ６０…キャリッジ軸 ７０…移動機構 ７０１…駆動モーター ７０２…タイミングベルト ８０…プラテン ｐ１、ｐ２、ｐ３、ｐ４…ピッチ

Claims (11)

1. 所定方向に並ぶ第１端子および第２端子を備える第１端子群と、前記第１端子群に並設され、前記所定方向に並ぶ第３端子および第４端子を備える第２端子群と、が形成されたベース基板と、
   前記ベース基板に接合され、前記ベース基板に対してそれぞれ鋭角をなす第１傾斜面および第２傾斜面が形成された第１配線形成部と、前記ベース基板に対してそれぞれ鋭角をなす第３傾斜面および第４傾斜面が形成された第２配線形成部と、を備える配線基板と、
   前記第１傾斜面に形成され、前記第１端子に電気的に接続された第１配線と、
   前記第２傾斜面に形成され、前記第２端子に電気的に接続された第２配線と、
   前記第３傾斜面に形成され、前記第３端子に電気的に接続された第３配線と、
   前記第４傾斜面に形成され、前記第４端子に電気的に接続される第４配線と、を有することを特徴とする配線構造体。
2. 前記第１配線形成部は、前記ベース基板とは反対側にて前記第１傾斜面および前記第２傾斜面を連結する第１連結面を有し、前記第１連結面には、前記第１配線に電気的に接続される第５端子と、前記第２配線に電気的に接続される第６端子とがそれぞれ形成されており、
   前記第２配線形成部は、前記ベース基板とは反対側にて前記第３傾斜面および前記第４傾斜面を連結する第２連結面を有し、前記第２連結面には、前記第３配線に電気的に接続される第７端子と、前記第４配線に電気的に接続される第８端子とがそれぞれ形成されている請求項１に記載の配線構造体。
3. 前記第１端子および前記第２端子は、交互に複数並んで配置され、
   前記第３端子および前記第４端子は、交互に複数並んで形成されている請求項１または２に記載の配線構造体。
4. 前記第１配線の一端部は、前記第１端子と重なって形成され、
   前記第２配線の一端部は、前記第２端子と重なって形成され、
   前記第３配線の一端部は、前記第３端子と重なって形成され、
   前記第４配線の一端部は、前記第４端子と重なって形成されている請求項１ないし３のいずれか１項に記載の配線構造体。
5. 前記第１配線と前記第１端子、前記第２配線と前記第２端子、前記第３配線と前記第３端子、および、前記第４配線と前記第４端子は、それぞれ、導電性を有する接続部材を介して電気的に接続されている請求項１ないし３のいずれか１項に記載の配線構造体。
6. 前記配線基板は、前記ベース基板に対して、絶縁性の接着剤で接合されている請求項１ないし５のいずれか１項に記載の配線構造体。
7. 前記配線基板は、シリコンで構成され、
   前記第１傾斜面、前記第２傾斜面、前記第３傾斜面および前記第４傾斜面は、それぞれ、シリコンの結晶面に沿って形成されている請求項１ないし６のいずれか１項に記載の配線構造体。
8. 所定方向に並ぶ第１端子および第２端子を備える第１端子群と、前記第１端子群に並設され、前記所定方向に並ぶ第３端子および第４端子を備える第２端子群とが形成されたベース基板に、前記ベース基板に対してそれぞれ鋭角をなす第１傾斜面および第２傾斜面が形成された第１配線形成部と、前記ベース基板に対してそれぞれ鋭角をなす第３傾斜面および第４傾斜面が形成された第２配線形成部とを備える配線基板を接合し、前記第１端子が前記第１傾斜面から露出し、前記第２端子が前記第２傾斜面から露出し、前記第３端子が前記第３傾斜面から露出し、前記第４端子が前記第４傾斜面から露出した状態とする工程と、
   前記第１傾斜面に前記第１端子と電気的に接続される第１配線を形成し、前記第２傾斜面に前記第２端子と電気的に接続される第２配線を形成し、前記第３傾斜面に前記第３端子と電気的に接続される第３配線を形成し、前記第４傾斜面に前記第４端子と電気的に接続される第４配線を形成する工程と、を有することを特徴とする配線構造体の製造方法。
9. 所定方向に並ぶ第１端子および第２端子を備える第１端子群と、前記第１端子群に並設され、前記所定方向に並ぶ第３端子および第４端子を備える第２端子群とが形成されたベース基板に、前記ベース基板に対してそれぞれ鋭角をなす第１傾斜面および第２傾斜面が形成された第１配線形成部と、前記ベース基板に対してそれぞれ鋭角をなす第３傾斜面および第４傾斜面が形成された第２配線形成部とを備え、前記第１傾斜面に第１配線が形成され、前記第２傾斜面に第２配線が形成され、前記第３傾斜面に第３配線が形成され、前記第４傾斜面に第４配線が形成された配線基板を接合し、前記第１端子が前記第１傾斜面から露出し、前記第２端子が前記第２傾斜面から露出し、前記第３端子が前記第３傾斜面から露出し、前記第４端子が前記第４傾斜面から露出した状態とする工程と、
   前記第１配線と前記第１端子、前記第２配線と前記第２端子、前記第３配線と前記第３端子、および、前記第４配線と前記第４端子を、それぞれ、導電性を有する接続部材を介して電気的に接続する工程と、を有することを特徴とする配線構造体の製造方法。
10. 請求項１ないし７のいずれか１項に記載の配線構造体を備えることを特徴とする液滴吐出ヘッド。
11. 請求項１０に記載の液滴吐出ヘッドを備えることを特徴とする液滴吐出装置。

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