JP2014082467A - 絶縁材料、絶縁膜及びこれを用いたトランジスタ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 ポリシロキサンセグメント(a1)とビニル系重合体セグメント(a2)とが結合された複合樹脂(A)を含有する絶縁材料であって、該ポリシロキサンセグメント(a1)が、下記一般式(1)及び/又は下記一般式(2)で表される構造単位と、シラノール基及び/又は加水分解性シリル基と、を有するポリシロキサンセグメントであり、該ポリシロキサンセグメント(a1)と該ビニル系重合体セグメント(a2)とが、下記一般式(3)で表される結合により結合されている複合樹脂(A)を含有する絶縁材料とする。
【選択図】 図1
Description
このような材料として、特許文献1および特許文献2にはシルセスキオキサン系の硬化材料が開示されている。優れた電気絶縁性を有し、耐溶剤性にも優れた材料であるという。しかしながら、当該硬化材料は硬化時間が長いため、短時間に印刷成膜できず、生産コストの増大になる。
ポリシロキサンセグメント(a1)とビニル系重合体セグメント(a2)とが結合された複合樹脂(A)を含有する絶縁材料であって、
該ポリシロキサンセグメント(a1)が、下記一般式(1)及び/又は下記一般式(2)で表される構造単位と、シラノール基及び/又は加水分解性シリル基と、を有するポリシロキサンセグメントであり、
該ポリシロキサンセグメント(a1)と該ビニル系重合体セグメント(a2)とが、下記一般式(3)で表される結合により結合されている複合樹脂(A)を含有することを特徴とする絶縁材料。
(一般式(1)及び(2)中、R1、R2及びR3は、それぞれ独立して、−R4−CH=CH2、−R4−C(CH3)=CH2、−R4−O−CO−C(CH3)=CH2、及び−R4−O−CO−CH=CH2からなる群から選ばれる1つの重合性二重結合を有する基(但し、R4は単結合又は炭素原子数1〜6のアルキレン基を表す。)、炭素原子数が1〜6のアルキル基、炭素原子数が3〜8のシクロアルキル基、アリール基、または炭素原子数が7〜12のアラルキル基を表す。)
本発明で使用する複合樹脂(A)は、前記一般式(1)および/または前記一般式(2)で表される構造単位と、シラノール基および/または加水分解性シリル基とを有するポリシロキサンセグメント(a1)(以下単にポリシロキサンセグメント(a1)と称す)と、ビニル系重合体セグメント(a2)とが、前記一般式(3)で表される結合により結合された複合樹脂(A)である。前記一般式(3)で表される結合は、塗液の安定性、得られた塗膜の基材への塗布性、耐溶剤性にも優れ、好ましい。
複合樹脂(A)の形態は、例えば、前記ポリシロキサンセグメント(a1)が前記重合体セグメント(a2)の側鎖として化学的に結合したグラフト構造を有する複合樹脂や、前記重合体セグメント(a2)と前記ポリシロキサンセグメント(a1)とが化学的に結合したブロック構造を有する複合樹脂等が挙げられる。また、上記複合樹脂(A)は、シアノ基を有していてもよい。
本発明におけるポリシロキサンセグメント(a1)は、一般式(1)および/または一般式(2)で表される構造単位と、シラノール基および/または加水分解性シリル基とを有すセグメントである。
また、一般式(1)および/または一般式(2)で表される構造単位中には、重合性二重結合を有する基を有していてもよい。
また、本発明におけるポリシロキサンセグメント(a1)は、更にシアノ基を有していてもよい。
前記一般式(1)および/または前記一般式(2)で表される構造単位は、重合性二重結合を有する基を有していてもよい。
具体的には、前記一般式(1)及び(2)におけるR1、R2及びR3は、それぞれ独立して、−R4−CH=CH2、−R4−C(CH3)=CH2、−R4−O−CO−C(CH3)=CH2、及び−R4−O−CO−CH=CH2からなる群から選ばれる1つの重合性二重結合を有する基(但しR4は単結合又は炭素原子数1〜6のアルキレン基を表す)、炭素原子数が1〜6のアルキル基、炭素原子数が3〜8のシクロアルキル基、アリール基、または炭素原子数が7〜12のアラルキル基、または、−CN基を表す。
また、前記炭素原子数が3〜8のシクロアルキル基としては、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等が挙げられる。
また、前記アリール基としては、例えば、フェニル基、ナフチル基、2−メチルフェニル基、3−メチルフェニル基、4−メチルフェニル基、4−ビニルフェニル基、3−イソプロピルフェニル基等が挙げられる。
また、前記炭素原子数が7〜12のアラルキル基としては、例えば、ベンジル基、ジフェニルメチル基、ナフチルメチル基等が挙げられる。
なおここで重合性二重結合の含有率の計算は、−CH=CH2を有する基であれば分子量を27とし、−C(CH3)=CH2を有する基であれば分子量を41として計算した。
なおここで4−ビニルフェニル基の含有率は、C=C−C6H4−を有する基であれば分子量を103として計算した。
本発明においてシラノール基とは、珪素原子に直接結合した水酸基を有する珪素含有基である。該シラノール基は具体的には、前記一般式(1)および/または前記一般式(2)で表される構造単位の、結合手を有する酸素原子が水素原子と結合して生じたシラノール基であることが好ましい。
またアリール基としては、例えば、フェニル基、ナフチル基、2−メチルフェニル基、3−メチルフェニル基、4−メチルフェニル基、4−ビニルフェニル基、3−イソプロピルフェニル基等が挙げられる。
またアラルキル基としては、例えば、ベンジル基、ジフェニルメチル基、ナフチルメチル基等が挙げられる。
またアシロキシ基としては、例えば、ホルミルオキシ、アセトキシ、プロパノイルオキシ、ブタノイルオキシ、ピバロイルオキシ、ペンタノイルオキシ、フェニルアセトキシ、アセトアセトキシ、ベンゾイルオキシ、ナフトイルオキシ等が挙げられる。
またアリールオキシ基としては、例えば、フェニルオキシ、ナフチルオキシ等が挙げられる。
アルケニルオキシ基としては、例えば、ビニルオキシ基、アリルオキシ基、1−プロペニルオキシ基、イソプロペニルオキシ基、2−ブテニルオキシ基、3−ブテニルオキシ基、2−ペテニルオキシ基、3−メチル−3−ブテニルオキシ基、2−ヘキセニルオキシ基等が挙げられる。
また前記加水分解性シリル基は具体的には、前記一般式(1)および/または前記一般式(2)で表される構造単位の、結合手を有する酸素原子が前記加水分解性基と結合もしくは置換されている加水分解性シリル基であることが好ましい。
また、前記シラノール基や前記加水分解性シリル基を含むポリシロキサンセグメント(a1)と後述のビニル系重合体セグメント(a2)とを、前記一般式(3)で表される結合を介して結合させる際に使用する。
前記一般式(1)におけるR1が前記重合性二重結合を有する基である構造単位と、前記一般式(1)におけるR1がメチル等のアルキル基および/またはシアノエチル基等のシアノ基である構造単位とが共存したポリシロキサンセグメント(a1)であってもよいし、
前記一般式(1)におけるR1が前記重合性二重結合を有する基である構造単位と、前記一般式(1)におけるR1がメチル基等のアルキル基および/またはシアノエチル基等のシアノ基である構造単位と、前記一般式(2)におけるR2及びR3がメチル基等のアルキル基および/またはシアノエチル基等のシアノ基である構造単位とが共存したポリシロキサンセグメント(a1)であってもよいし、
前記一般式(1)におけるR1が前記重合性二重結合を有する基である構造単位と、前記一般式(2)におけるR2及びR3がメチル基等のアルキル基および/またはシアノエチル基等のシアノ基である構造単位とが共存したポリシロキサンセグメント(a1)であってもよいし、特に限定はない。
前記一般式(1)におけるR1がビニルフェニル基を有する基である構造単位と、前記一般式(1)におけるR1がメチル基等のアルキル基および/またはシアノエチル基等のシアノ基である構造単位と、前記一般式(2)におけるR2及びR3がメチル基等のアルキル基および/またはシアノエチル基等のシアノ基である構造単位とが共存したポリシロキサンセグメント(a1)であってもよいし、
前記一般式(1)におけるR1が前記ビニルフェニルを有する基である構造単位と、前記一般式(2)におけるR2及びR3がメチル基等のアルキル基および/またはシアノエチル基等のシアノ基である構造単位とが共存したポリシロキサンセグメント(a1)であってもよいし、特に限定はない。
本発明におけるビニル系重合体セグメント(a2)は、アクリル系重合体、フルオロオレフィン系重合体、ビニルエステル系重合体、芳香族系ビニル系重合体、ポリオレフィン系重合体等のビニル重合体セグメントである。これらは用途により適宜選択することが好ましい。
本発明において、ビニル系重合体セグメント(a2)中には、シアノ基含有モノマーを共重合できる。高い双極子モーメントを有する官能基を導入することで絶縁膜の誘電率を向上させることができるため、シアノ基を有することで、絶縁膜の高誘電率化という効果が得られるため好ましい。
ビニル系重合体セグメント(a2)にシアノ基含有モノマーを共重合させる場合、シアノ基を含有するラジカル重合性不飽和モノマーを用いることが好ましい。
例えば、下記一般式(1)で表されるモノマーが挙げられる。
炭素原子に直接結合したシラノール基および/または加水分解性シリル基を含有するビニル系モノマーとしては、例えば、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルメチルジメトキシシラン、ビニルトリ(2−メトキシエトキシ)シラン、ビニルトリアセトキシシラン、ビニルトリクロロシラン、2−トリメトキシシリルエチルビニルエーテル、3−(メタ)アクリロイルオキシプロピルトリメトキシシラン、3−(メタ)アクリロイルオキシプロピルトリエトキシシラン、3−(メタ)アクリロイルオキシプロピルメチルジメトキシシラン、3−(メタ)アクリロイルオキシプロピルトリクロロシラン等が挙げられる。中でも、加水分解反応を容易に進行でき、また反応後の副生成物を容易に除去することができることからビニルトリメトキシシラン、3−(メタ)アクリロイルオキシプロピルトリメトキシシランが好ましい。
中でも2−ヒドロキシエチル(メタ)アクリレートが、反応が容易であり好ましい。
本発明で用いる複合樹脂(A)は、具体的には下記(方法1)〜(方法3)に示す方法で製造する。
前記酸基を有する(メタ)アクリルモノマー、前記汎用の(メタ)アクリルモノマー等、及び、前記炭素結合に直接結合したシラノール基および/または加水分解性シリル基を含有するビニル系モノマーとを共重合させて炭素結合に直接結合したシラノール基および/または加水分解性シリル基を含有するビニル系重合体セグメント(a2)を得る。これに、シラノール基および/または加水分解性シリル基並びに重合性二重結合を併有するシラン化合物、必要に応じて汎用のシラン化合物とを混合し、加水分解縮合反応させる。
該方法においては、シラノール基および/または加水分解性シリル基並びに重合性二重結合を併有するシラン化合物のシラノール基あるいは加水分解性シリル基と、炭素結合に直接結合したシラノール基および/または加水分解性シリル基を含有するビニル系重合体セグメント(a2)が有するシラノール基および/または加水分解性シリル基とが加水分解縮合反応し、前記ポリシロキサンセグメント(a1)が形成されると共に、前記ポリシロキサンセグメント(a1)と、アルコール性水酸基を有するビニル系重合体セグメント(a2)とが前記一般式(3)で表される結合により複合化された複合樹脂(A)が得られる。
方法1と同様にして、炭素結合に直接結合したシラノール基および/または加水分解性シリル基を含有するビニル系重合体セグメント(a2)を得る。
一方、シラノール基および/または加水分解性シリル基並びに重合性二重結合を併有するシラン化合物、必要に応じて汎用のシラン化合物を加水分解縮合反応させ、ポリシロキサンセグメント(a1)を得る。そして、ビニル系重合体セグメント(a2)が有するシラノール基および/または加水分解性シリル基と、とポリシロキサンセグメント(a1)とが有するシラノール基および/または加水分解性シリル基とを加水分解縮合反応をさせる。
方法1と同様に、炭素結合に直接結合したシラノール基および/または加水分解性シリル基を含有するビニル系重合体セグメント(a2)を得る。一方、方法2と同様にして、ポリシロキサンセグメント(a1)を得る。更に、重合性二重結合を併有するシラン化合物を含有するシラン化合物と、必要に応じて汎用のシラン化合物とを混合し、加水分解縮合反応させる。
エポキシ基含有シラン化合物としては、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシエトキシシラン等が挙げられる。
これらの触媒及び水は、一括供給でも逐次供給であってもよく、触媒と水とを予め混合したものを供給しても良い。
本発明の絶縁材料は、複合樹脂(A)を含有する。該絶縁材料において、絶縁材料の全固形分中に対するポリシロキサンセグメント(a1)の含有量に特に制限はないが、10〜90重量%であることが好ましい。10%以上であれば、含有する重合性二重結合および含有するシラノール基および/または加水分解性シリル基の硬化により、耐溶剤性に優れるため好ましい。
光重合開始剤としては光硬化性樹脂組成物において公知のものを使用すればよく、例えば、アセトフェノン類、ベンジルケタール類、ベンゾフェノン類からなる群から選ばれる一種以上を好ましく用いることができる。前記アセトフェノン類としては、ジエトキシアセトフェノン、2−ヒドロキシ−2−メチル−1−フェニルプロパン−1−オン、1−(4−イソプロピルフェニル)−2−ヒドロキシ−2−メチルプロパン−1−オン、4−(2−ヒドロキシエトキシ)フェニル−(2−ヒドロキシ−2−プロピル)ケトン等が挙げられる。前記ベンジルケタール類としては、例えば、1−ヒドロキシシクロヘキシル−フェニルケトン、ベンジルジメチルケタール等が挙げられる。前記ベンゾフェノン類としては、例えば、ベンゾフェノン、o−ベンゾイル安息香酸メチル等が挙げられる。前記ベンゾイン類等としては、例えば、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル等が挙げられる。光重合開始剤は単独で使用しても良いし、2種以上を併用してもよい。
本発明における絶縁材料には、複合樹脂(A)のほかに反応性化合物を含有しても良い。
反応性化合物としては、複合樹脂(A)との硬化反応に直接寄与する反応性基を有するポリマーまたはモノマーを使用することができる。特に、ポリイソシアネート(B)や活性エネルギー線硬化性モノマーといった、反応性希釈剤が特に好ましい。
多官能(メタ)アクリレートは、前述の通り、ポリイソシアネート(B)と反応させることからアルコール性水酸基を有するものが好ましい。例えば、1,2−エタンジオールジアクリレート、1,2−プロパンジオールジアクリレート、1,4−ブタンジオールジアクリレート、1,6−ヘキサンジオールジアクリレート、ジプロピレングリコールジアクリレート、ネオペンチルグリコールジアクリレート、トリプロピレングリコールジアクリレート、トリメチロールプロパンジアクリレート、トリメチロールプロパントリアクリレート、トリス(2−アクリロイルオキシ)イソシアヌレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ジ(トリメチロールプロパン)テトラアクリレート、ジ(ペンタエリスリトール)ペンタアクリレート、ジ(ペンタエリスリトール)ヘキサアクリレート等の1分子中に2個以上の重合性2重結合を有する多官能(メタ)アクリレート等が挙げられる。また、ウレタンアクリレート、ポリエステルアクリレート、エポキシアクリレート等も多官能アクリレートとして例示することができる。これらは単独で使用しても良いし、2種以上併用しても良い。
中でも、ポリイソシアネート(B)と反応させる場合は、アルコール性水酸基を有するペンタエリスリトールトリアクリレート及びジペンタエリスリトールペンタアクリレートが好ましい。
多官能(メタ)アクリレートとしては、1,2−エタンジオールジ(メタ)アクリレート、1,2−プロパンジオールジ(メタ)アクリレート、1,4−ブタンジオールジ(メタ)アクリレート、1,6−ヘキサンジオールジ(メタ)アクリレート、ジプロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、ネオペンチルグリコールジ(メタ)アクリレート、トリプロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパンジ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、トリス(2−(メタ)アクリロイルオキシ)イソシアヌレート、ペンタエリスリトールトリ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ(メタ)アクリレート、ジ(トリメチロールプロパン)テトラ(メタ)アクリレート、ジ(ペンタエリスリトール)ペンタ(メタ)アクリレート、ジ(ペンタエリスリトール)ヘキサ(メタ)アクリレート、トリシクロデカンジメタノールジ(メタ)アクリレート、エチレンオキサイド付加ビスフェノールAジ(メタ)アクリレート、エチレンオキサイド付加ビスフェノールFジ(メタ)アクリレート、プロピレンオキサイド付加ビスフェノールAジ(メタ)アクリレート、プロピレンオキサイド付加ビスフェノールFジ(メタ)アクリレート、9、9ビスフェニルフルオレン骨格を有するジ(メタ)アクリレート、等の1分子中に2個以上の重合性2重結合を有する多官能(メタ)アクリレート等が挙げられる。
本発明の複合樹脂(A)は、無機酸化物粒子の添加が無くても絶縁材料として好適に使用できるが、添加してもかまわない。
また、発明の効果を損ねない範囲であれば、他の配合材料を添加してもよく、有機フィラー、無機フィラー、顔料、酸化防止剤、重合禁止剤、界面活性剤、離型剤等を適時使用してかまわない。
本発明の絶縁材料は、上記複合樹脂(A)を含有し、その他成分も含有していてかまわない。本発明の絶縁材料は、低粘度から高粘度に至る広い範囲で調整することができ、塗布法や印刷法に好適に使用が可能な、絶縁インキとすることができる。
本発明の絶縁材料や絶縁インキを硬化することで、絶縁膜とすることができる。例えば、本発明の絶縁材料を基板上に展開し、硬化させることで、絶縁膜を得ることができる。絶縁膜を形成するには、形成したい基板上に直接本発明の絶縁材料を塗布、塗工、印刷等の方法で展開し、硬化させて得ることができる。また、別の基板上や型へと展開し、硬化させてから、絶縁膜として各種電子部材へと使用してもよく、絶縁材料を押し出し成形等の公知の成形方法でフィルム上に製膜したうえで、硬化させて得られる絶縁膜であってもかまわない。
本発明の絶縁材料を、基板上へと展開する方法は、公知慣用の方法を用いればよく、例えば塗布方法としては、スプレー法、スピンコート法、ディップ法、ロールコート法、ブレードコート法、ドクターロール法、ドクターブレード法、カーテンコート法、スリットコート法、スクリーン印刷法、反転印刷法、等を挙げることができる。
絶縁材料を基板上で形成する場合、本発明の絶縁材料が展開できれば特に材質に制限はないが、例えば、石英、サファイア、ガラス、光学フィルム、セラミック材料、蒸着膜、磁性膜、反射膜、Al、Ni、Cu、Cr、Fe、ステンレス等の金属基材、スクリーンメッシュ、紙、木材、シリコン等の合成樹脂、SOG(Spin On Glass)、ポリエステルフイルム、ポリカーボネートフィルム、ポリイミドフィルム等のポリマー基材、TFTアレイ基材、サファイアやGaN等の発光ダイオード(LED)基材、ガラスや透明プラスチック基材、インジウム錫オキサイド(ITO)や金属等の導電性基材、絶縁性基材、シリコン、窒化シリコン、ポリシリコン、酸化シリコン、アモルファスシリコン等の半導体作製基材等が挙げられる。これらのものは光透過性でも非光透過性であってもよい。
基板上へと絶縁膜を展開した後、公知慣用の方法で硬化させることで、絶縁膜を得ることができる。硬化の方法は、硬化の方法は、光硬化でも、熱硬化でもかまわないが、硬化スピードの観点から、光硬化するほうが好ましい。光照射に用いる光としては、光重合開始剤が反応する光であればよく、中でも、光重合開始剤が容易に反応し、より低温で硬化させることができる面から、450nm以下の波長の光(紫外線、X線、γ線等の活性エネルギー線)が好ましい。操作性の面から200から450nmの波長の光が特に好ましい。
絶縁膜の形成は、目的とする電子部材上の基板で直接行ってもよいし、別の基板上で形成したのち、目的の電子部材に導入してもかまわない。
本発明の絶縁膜は、各種電子部材に使用することができる。特に薄膜トランジスタ用途としては好適に使用できる。本発明の薄膜トランジスタは、前出の絶縁膜を用いたものであればその構成は特に制限されない。一例として、図1乃至図2に本発明のゲート絶縁膜を用いた薄膜トランジスタの構成例を示す。
図1の例では、ゲート絶縁膜3の上にソース電極4とドレイン電極4とが設置されており、これらを覆うように半導体層5が形成されている。
一方、図2の例では、ゲート絶縁膜3の上に半導体層5が形成され、その上にソース電極4とドレイン電極4とが設置されている。
また、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、2−ピロリドン、N−メチル−2−ピロリドン、n−エチル−2−ピロリドン、n−ビニル−2−ピロリドン、N−メチルカプロラクム、ジメチルスルホキシド、テトラメチル尿素などの極性溶媒も電極材料の溶解性に優れる観点から好ましいが、これらは、本発明のゲート絶縁膜へのダメージが少ない範囲において使用することが好ましい。
(ポリシロキサン1の調製例))
攪拌機、温度計、滴下ロート、冷却管及び窒素ガス導入口を備えた反応容器に、メチルトリメトキシシラン(MTMS) 415部、3−メタクリロイルオキシプロピルトリメトキシシラン(MPTS)756部を仕込んで、窒素ガスの通気下、攪拌しながら、60℃まで昇温した。
次いで、「Phoslex A−4」〔堺化学(株)製のiso−ブチルアシッドホスフェート〕 0.1部と脱イオン水 121部からなる混合物を5分間で滴下した。滴下終了後、反応容器中を80℃まで昇温し、4時間攪拌することにより加水分解縮合反応を行い、反応生成物を得た。
得られた反応生成物中に含まれるメタノールおよび水を、1〜30キロパスカル(kPa)の減圧下、40〜60℃の条件で除去することにより、数平均分子量が1000で、有効成分が75.0%であるポリシロキサン(a1−1) 1000部を得た。
尚、「有効成分」とは、使用したシランモノマーのメトキシ基が全て加水分解縮合反応した場合の理論収量(重量部)を、加水分解縮合反応後の実収量(重量部)で除した値、即ち、〔シランモノマーのメトキシ基が全て加水分解縮合反応した場合の理論収量(重量部)/加水分解縮合反応後の実収量(重量部)〕の式により算出したものである。
(複合樹脂1の調製例)
合成例1と同様の反応容器に、フェニルトリメトキシシラン(PTMS) 20.1部、ジメチルジメトキシシラン(DMDMS) 24.4部、酢酸n−ブチル 106.4部を仕込んで、窒素ガスの通気下、攪拌しながら、95℃まで昇温した。
次いで、メチルメタクリレート(MMA) 15部、n− ブチルメタクリレート(BMA) 45部、2−エチルヘキシルメタクリレート(EHMA) 39部、n−ブチルアクリレート(BA) 1.5部、アクリル酸(AA) 1.5部、MPTS 4.5部、2−ヒドロキシエチルメタクリレート(HEMA) 45部、酢酸n−ブチル 15部、tert−ブチルパーオキシ−2−エチルヘキサノエート(TBPEH) 15部を含有する混合物を、同温度で、窒素ガスの通気下、攪拌しながら、前記反応容器中へ4時間で滴下した。
さらに同温度で2時間撹拌したのち、前記反応容器中に、「Phoslex A−4」0.05部と脱イオン水 12.8部の混合物を、5分間をかけて滴下し、同温度で4時間攪拌することにより、PTMS、DMDMS、MPTSの加水分解縮合反応を進行させた。
反応生成物を、1H−NMRで分析したところ、前記反応容器中のシランモノマーが有するトリメトキシシリル基のほぼ100%が加水分解していた。
次いで、同温度にて10時間攪拌することにより、TBPEHの残存量が0.1%以下の反応生成物が得られた。尚、TBPEHの残存量は、ヨウ素滴定法により測定した。
次いで、前記反応生成物に、合成例1で得られたポリシロキサン(a1−1) 162.5部を添加して、5分間攪拌したのち、脱イオン水 27.5部を加え、80℃で4時間攪拌を行い、前記反応生成物とポリシロキサンの加水分解縮合反応を行った。
得られた反応生成物を、10〜300kPaの減圧下で、40〜60℃の条件で2時間蒸留することにより、生成したメタノール及び水を除去し、次いで、メチルエチルケトン(MEK) 150部、酢酸n−ブチル 27.3部を添加し、不揮発分が55.0%であるポリシロキサンセグメントとビニル重合体セグメントからなる複合樹脂(A−1) 600部を得た。
複合樹脂(A−1)は、ポリシロキサンセグメント(a1)とビニル重合体セグメント(a2)の比が50/50で、ポリシロキサンセグメント(a1)中の重合性二重結合の含有量が14%であった。
(ポリシロキサン2の調製例)
合成例1の添加量をMTMS425部、MPTS588部、シアノエチルトリエトキシシラン238部へ変更した以外は、同様の合成方法を行うことで、有効成分が75.0%であるポリシロキサン(a1−2)1000部を得た。
(複合樹脂2の調製例)
合成例3と同様の反応容器に、フェニルトリメトキシシラン(PTMS) 20.1部、ジメチルジメトキシシラン(DMDMS) 24.4部、酢酸n−ブチル 106.4部を仕込んで、窒素ガスの通気下、攪拌しながら、95℃まで昇温した。
次いで、メチルメタクリレート(MMA) 15部、n− ブチルメタクリレート(BMA) 45部、2−エチルヘキシルメタクリレート(EHMA) 39部、n−ブチルアクリレート(BA) 1.5部、アクリル酸(AA) 1.5部、MPTS 4.5部、2−ヒドロキシエチルメタクリレート(HEMA) 45部、酢酸n−ブチル 15部、tert−ブチルパーオキシ−2−エチルヘキサノエート(TBPEH) 15部を含有する混合物を、同温度で、窒素ガスの通気下、攪拌しながら、前記反応容器中へ4時間で滴下した。
さらに同温度で2時間撹拌したのち、前記反応容器中に、「Phoslex A−4」0.05部と脱イオン水 12.8部の混合物を、5分間をかけて滴下し、同温度で4時間攪拌することにより、PTMS、DMDMS、MPTSの加水分解縮合反応を進行させた。
反応生成物を、1H−NMRで分析したところ、前記反応容器中のシランモノマーが有するトリメトキシシリル基のほぼ100%が加水分解していた。
次いで、同温度にて10時間攪拌することにより、TBPEHの残存量が0.1%以下の反応生成物が得られた。尚、TBPEHの残存量は、ヨウ素滴定法により測定した。
次いで、前記反応生成物に、合成例3で得られたポリシロキサン(a1−2) 162.5部を添加して、5分間攪拌したのち、脱イオン水 27.5部を加え、80℃で4時間攪拌を行い、前記反応生成物とポリシロキサンの加水分解縮合反応を行った。
得られた反応生成物を、10〜300kPaの減圧下で、40〜60℃の条件で2時間蒸留することにより、生成したメタノール及び水を除去し、次いで、メチルエチルケトン(MEK) 150部、酢酸n−ブチル 27.3部を添加し、不揮発分が55.0%であるポリシロキサンセグメントとビニル重合体セグメントからなる複合樹脂(A−2) 600部を得た。
複合樹脂(A−2)は、ポリシロキサンセグメント(a1)とビニル重合体セグメント(a2)の比が50/50で、ポリシロキサンセグメント(a1)中の重合性二重結合の含有量が11%であった。
(塗料の調製)
合成例2で得られた複合樹脂(A−1)を固形分濃度が20wt%になるようシクロヘキサノンで希釈し、開始剤としてイルガキュア(登録商標)907(チバ・スペシャルティ・ケミカルズ株式会社製)を固形分に対して2部添加し、塗料Aを得た。
塗料Aをガラス基板(5cm角、厚み0.7mm)に、0.2μm孔フィルタを付けたシリンジで滴下し、スピンコート法により塗布した。
その後オーブンで、80℃、10分間加熱処理し、有機溶媒を揮発させた後、窒素雰囲気下で500mJ/cm2の条件となるように1分間UV照射を行って硬化し、膜厚約700nmの樹脂付きガラス基板を得た。
得られた樹脂つきガラス基板に、o−ジクロロベンゼンをスポイドで数滴たらし、大気中室温で30分放置し、その後、オーブンで80℃30分熱処理した。
そして、得られた樹脂つきガラス基板を目視により耐溶剤性を評価した。
結果を表1に示す。
塗料Aをクロム付きガラス基板(2.5cm角、厚み1mm)に、0.2μm孔フィルタを付けたシリンジで滴下し、スピンコート法により塗布した。
その後オーブンで、80℃、10分間加熱処理し、有機溶媒を揮発させた後、窒素雰囲気下で500mJ/cm2の条件となるように1分間UV照射を行って硬化し、厚み約700nmの樹脂塗布ガラス基板を得た。
次に、表面を金蒸着することで、ガラス/クロム/樹脂/金で構成された積層板を得た。
そして、得られた基板の電流―電圧測定を行った。
結果を表1に示す。
塗料Aをゲート電極としてクロムを用いたパターン処理ガラス基板(5cm角、厚み0.7mm)に、0.2μm孔フィルタを付けたシリンジで滴下し、スピンコート法により塗布した。その後オーブンで、80℃、10分間加熱処理し、有機溶媒を揮発させた後、窒素雰囲気下で500mJ/cm2の条件となるように1分間UV照射を行って硬化し、厚さ約700nmのゲート絶縁膜を得た。
さらに、ポリ(3−ヘキシル)チオフェン(メルク社製、重量平均分子量約5万、以下、P3HTと称す)を0.5質量%の濃度でo―ジクロロベンゼンに溶解し、P3HTの塗布溶液を調製し、該塗布液を前述のゲート絶縁膜およびソースドレイン電極上にディスペンサーにより塗布した。
その後、溶媒および水分を完全に揮発させるため、オーブンで窒素雰囲気か150℃、15分間加熱処理し、半導体層とし、有機トランジスタを完成させた。
なお、図2に示した有機薄膜トランジスタの断面図は、実施例1の有機トランジスタに相当する。
の特性を評価した。
詳細には、ソース・ドレイン電圧(VD)を−40Vとして、ゲート電圧(VG)を+40Vから−80Vまで、2Vステップで変化させ、電流が十分安定するまで1秒間電圧を保持した後の値をドレイン電流の測定値として記録した。
なお、測定には、半導体パラメータアナライザー Keithley社製、製品名SCS4200を用いた。
ID=WCμ(VG−VT)2/2L
合成例4で得られた複合樹脂(A−2)とジペンタエリスリトールヘキサアクリレート(東亞合成(株)製 アロニックス(登録商標)M−402)を複合樹脂100部に対して5部添加し、固形分濃度が20wt%になるようシクロヘキサノンで希釈し、開始剤としてイルガキュア(登録商標)907(チバ・スペシャルティ・ケミカルズ株式会社製)を固形分に対して2部添加し、塗料Bを得た。
実施例1同様、トランジスタ評価においてヒステリシスは見られなかった。
結果は、表1、2に示す。
(ポリシロキサン3の調製例)
攪拌機、温度計、滴下ロート、冷却管及び窒素ガス導入口を備えた反応容器に、メチルトリメトキシシラン(MTMS) 415部、3−メタクリロイルオキシプロピルトリメトキシシラン(MPTS)756部を仕込んで、窒素ガスの通気下、攪拌しながら、60℃まで昇温した。
次いで、「Phoslex A−4」〔堺化学(株)製のiso−ブチルアシッドホスフェート〕 0.1部と脱イオン水 121部からなる混合物を5分間で滴下した。滴下終了後、反応容器中を80℃まで昇温し、4時間攪拌することにより加水分解縮合反応を行い、反応生成物を得た。
得られた反応生成物中に含まれるメタノールおよび水を、1〜30キロパスカル(kPa)の減圧下、40〜60℃の条件で除去することにより、数平均分子量が1000で、有効成分が75.0%であるポリシロキサン(a1−3) 1000部を得た。
合成例5で得られたポリシロキサン(a1−3)を固形分濃度が15wt%になるようシクロヘキサノンで希釈し、開始剤としてチバ・スペシャリティ・ケミカルズ株式会社製のイルガキュア(登録商標)907を固形分に対して2部添加し、塗料Cを得た。
結果は、表3に示す。
アクリル樹脂 (DIC(株)製 アクリディック(登録商標)198)を固形分13wt%になるようトルエンで希釈し、塗料Dを得た。
塗料Dを用いて、塗膜の作成条件を80℃、60分間加熱処理し、有機溶媒を揮発させた以外は、実施例1と同様に、耐溶剤性試験、絶縁性評価を行った。
結果は、表3に示す。
塗料Dをクロム付きガラス基板(2.5cm角、厚み1mm)に、0.2μm孔フィルタを付けたシリンジで滴下し、スピンコート法により塗布した。その後オーブンで、80℃、60分間加熱処理し、有機溶媒を揮発させた厚み約700nmの樹脂塗布ガラス基板を得た。
次に、表面を金蒸着することで、ガラス/クロム/樹脂/金で構成された積層板を得た。
そして、得られた基板の電流―電圧測定を行った。
結果を表3に示す。
(ポリシロキサン4の調製例)
合成例1の添加量をMTMS 413部、PTMS 517部、p−スチリルトリメトキシシラン 303部へ変更した以外は、同様の合成方法を行うことで、有効成分が75.0%であるポリシロキサン(a1−4) 1000部を得た。
(複合樹脂3の調製例)
合成例3と同様の反応容器に、PTMS 22.1部、シクロヘキサノン 118.5部を仕込んで、窒素ガスの通気下、攪拌しながら、95℃まで昇温した。次いで、スチレン(St) 148.5部、MPTS 16.5部、シクロヘキサノン 16.5部、tert−ブチルパーオキシ−2−エチルヘキサノエート(TBPEH) 9.9部を含有する混合物を、同温度で、窒素ガスの通気下、攪拌しながら、前記反応容器中へ4時間で滴下した。
さらに同温度で2時間撹拌したのち、前記反応容器中に、「Phoslex A−4」0.02部と脱イオン水 6.0部の混合物を、5分間をかけて滴下し、同温度で4時間攪拌することにより、PTMS、MPTSの加水分解縮合反応を進行させた。
反応生成物を、1H−NMRで分析したところ、前記反応容器中のシランモノマーが有するトリメトキシシリル基のほぼ100%が加水分解していた。
次いで、同温度にて10時間攪拌することにより、TBPEHの残存量が0.1%以下の反応生成物が得られた。尚、TBPEHの残存量は、ヨウ素滴定法により測定した。
次いで、前記反応生成物に、合成例6で得られたポリシロキサン(a1−4) 162.4部を添加して、5分間攪拌したのち、脱イオン水 38.8部を加え、80℃で4時間攪拌を行い、前記反応生成物とポリシロキサンの加水分解縮合反応を行った。
得られた反応生成物を、10〜300kPaの減圧下で、40〜60℃の条件で2時間蒸留することにより、生成したメタノール及び水を除去し、次いで、シクロヘキサノン 188.3部を添加し、不揮発分が55.0%であるポリシロキサンセグメントとビニル重合体セグメントからなる複合樹脂(A−3) 600部を得た。
複合樹脂(A−3)は、ポリシロキサンセグメント(a1)とビニル重合体セグメント(a2)の比が50/50で、ポリシロキサンセグメント(a1)中の4−ビニルフェニル基の含有量が15%であった。
(ポリシロキサン5の調製例)
合成例1の添加量をMTMS 413部、PTMS 517部、MPTS 290部へ変更した以外は、同様の合成方法を行うことで、有効成分が75.0%であるポリシロキサン(a1−5) 1000部を得た。
(複合樹脂4の調製例)
合成例3と同様の反応容器に、PTMS 22.1部、シクロヘキサノン 118.5部を仕込んで、窒素ガスの通気下、攪拌しながら、95℃まで昇温した。次いで、スチレン(St) 148.5部、MPTS 16.5部、シクロヘキサノン 16.5部、tert−ブチルパーオキシ−2−エチルヘキサノエート(TBPEH) 9.9部を含有する混合物を、同温度で、窒素ガスの通気下、攪拌しながら、前記反応容器中へ4時間で滴下した。
さらに同温度で2時間撹拌したのち、前記反応容器中に、「Phoslex A−4」0.02部と脱イオン水 6.0部の混合物を、5分間をかけて滴下し、同温度で4時間攪拌することにより、PTMS、MPTSの加水分解縮合反応を進行させた。
反応生成物を、1H−NMRで分析したところ、前記反応容器中のシランモノマーが有するトリメトキシシリル基のほぼ100%が加水分解していた。次いで、同温度にて10時間攪拌することにより、TBPEHの残存量が0.1%以下の反応生成物が得られた。尚、TBPEHの残存量は、ヨウ素滴定法により測定した。
次いで、前記反応生成物に、合成例8で得られたポリシロキサン(a1−5) 162.4部を添加して、5分間攪拌したのち、脱イオン水 37.8部を加え、80℃で4時間攪拌を行い、前記反応生成物とポリシロキサンの加水分解縮合反応を行った。
得られた反応生成物を、10〜300kPaの減圧下で、40〜60℃の条件で2時間蒸留することにより、生成したメタノール及び水を除去し、次いで、シクロヘキサノン 186.5部を添加し、不揮発分が55.0%であるポリシロキサンセグメントとビニル重合体セグメントからなる複合樹脂(A−4) 600部を得た。
複合樹脂(A−4)は、ポリシロキサンセグメント(a1)とビニル重合体セグメント(a2)の比が50/50で、ポリシロキサンセグメント(a1)中の重合性二重結合の含有量が5%であった。
(インキの調整)
合成例7で得られた複合樹脂(A−3)とジペンタエリスリトールヘキサアクリレート(東亞合成(株)製 アロニックスM−402)を複合樹脂に対して20部添加し、固形分濃度が15wt%になるようプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートで希釈し、開始剤としてイルガキュア907を固形分に対して2部添加し絶縁インキAを得た。絶縁インキAの粘度は、25℃で20mPa・sであった。
結果は、表4、5に示す。
合成例9で得られた複合樹脂(A−4)とジペンタエリスリトールヘキサアクリレート(東亞合成(株)製 アロニックス(登録商標)M−402)を複合樹脂(A−4)100部に対して20部添加し、固形分濃度が12wt%になるようプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートで希釈し、開始剤としてイルガキュア907を固形分に対して2部添加し絶縁インキBを得た。
絶縁インキBの粘度は、25℃で15mPa・sであった。
得られた絶縁インキBを用いて、実施例1と同様に、耐溶剤性試験、絶縁性評価、トランジスタ評価を行った。
実施例1同様、トランジスタ評価においてヒステリシスは見られなかった。
結果は、表4、5に示す。
合成例2で得られた複合樹脂(A−1)とポリイソシアネート(DIC(株)製 バーノック(登録商標)DN−902Sを複合樹脂(A−1)100部に対して16部、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート(東亞合成(株)製 アロニックス(登録商標)M−402)を10部添加し、固形分濃度が10wt%になるようシクロヘキサノンで希釈し、開始剤としてイルガキュア907を固形分に対して2部添加し、絶縁インキCを得た。
絶縁インキCの粘度は、25℃で20mPa・sであった。
得られた絶縁インキCを用いて、実施例1のUV照射後に、60℃オーブンでアニールを行う以外は同様に、耐溶剤性試験、絶縁性評価、トランジスタ評価を行った。
実施例1同様、トランジスタ評価においてヒステリシスは見られなかった。
結果は、表4、5に示す。
1 支持体(基板)
2 ゲート電極
3 絶縁層(ゲート絶縁膜)
4 ソース、ドレイン電極
5 有機半導体膜(層)
Claims (11)
- ポリシロキサンセグメント(a1)とビニル系重合体セグメント(a2)とが結合された複合樹脂(A)を含有する絶縁材料であって、
該ポリシロキサンセグメント(a1)が、下記一般式(1)及び/又は下記一般式(2)で表される構造単位と、シラノール基及び/又は加水分解性シリル基と、を有するポリシロキサンセグメントであり、
該ポリシロキサンセグメント(a1)と該ビニル系重合体セグメント(a2)とが、下記一般式(3)で表される結合により結合されている複合樹脂(A)を含有することを特徴とする絶縁材料。
(一般式(1)及び(2)中、R1、R2及びR3は、それぞれ独立して、−R4−CH=CH2、−R4−C(CH3)=CH2、−R4−O−CO−C(CH3)=CH2、及び−R4−O−CO−CH=CH2からなる群から選ばれる1つの重合性二重結合を有する基(但し、R4は単結合又は炭素原子数1〜6のアルキレン基を表す。)、炭素原子数が1〜6のアルキル基、炭素原子数が3〜8のシクロアルキル基、アリール基、または炭素原子数が7〜12のアラルキル基を表す。)
(一般式(3)中、炭素原子は前記ビニル系重合体セグメント(a2)の一部分を構成し、酸素原子のみに結合したケイ素原子は、該ポリシロキサンセグメント(a1)の一部分を構成するものとする。) - 前記一般式(1)及び(2)中、R1、R2及びR3のうち、少なくとも一つが重合性二重結合を有する基である請求項1に記載の絶縁材料。
- 前記ビニル系重合体セグメント(a2)が、アルコール性水酸基を有する請求項1又は2に記載の絶縁材料。
- さらに、ポリイソシアネート(B)を有する請求項3に記載の絶縁材料。
- 請求項1〜4のいずれか一項に記載の絶縁材料を含有することを特徴とする絶縁インキ。
- 請求項1〜4のいずれか一項に記載の絶縁材料を硬化して形成したことを特徴とする絶縁膜。
- 請求項6に記載の絶縁膜を有することを特徴とするトランジスタ。
- ポリシロキサンセグメント(a1)とビニル系重合体セグメント(a2)とが結合された複合樹脂(A)であって、
該複合樹脂(A)がシアノ基を有し、
該ポリシロキサンセグメント(a1)が、下記一般式(1)及び/又は下記一般式(2)で表される構造単位と、シラノール基及び/又は加水分解性シリル基と、を有するポリシロキサンセグメントであり、
該ポリシロキサンセグメント(a1)と該ビニル系重合体セグメント(a2)とが、下記一般式(3)で表される結合により結合されていることを特徴とする複合樹脂(A)。
(一般式(1)及び(2)中、R1、R2及びR3は、それぞれ独立して、−R4−CH=CH2、−R4−C(CH3)=CH2、−R4−O−CO−C(CH3)=CH2、及び−R4−O−CO−CH=CH2からなる群から選ばれる1つの重合性二重結合を有する基(但し、R4は単結合又は炭素原子数1〜6のアルキレン基を表す。)、炭素原子数が1〜6のアルキル基、炭素原子数が3〜8のシクロアルキル基、アリール基、または炭素原子数が7〜12のアラルキル基を表す。)
(一般式(3)中、炭素原子は前記ビニル系重合体セグメント(a2)の一部分を構成し、酸素原子のみに結合したケイ素原子は、該ポリシロキサンセグメント(a1)の一部分を構成するものとする。) - 前記ポリシロキサンセグメント(a1)がシアノ基を有する請求項8に記載の複合樹脂(A)。
- 前記ビニル重合系セグメント(a2)がシアノ基を有する請求項8又は9に記載の複合樹脂(A)。
- 請求項8〜10のいずれか一項に記載の複合樹脂(A)を含有することを特徴とするインキ組成物。
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