JP2014026764A - ベーク処理システム - Google Patents

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Abstract

【課題】大型の基板にインクジェット印刷法で印刷された有機材料膜をベーク処理する場合に、低コストで、かつ効率的な処理が可能なベーク処理システムを提供する。
【解決手段】ベーク処理システム１００は、外部のインクジェット印刷装置（ＩＪ）２００によって基板Ｓ上に形成された有機材料膜に対し、大気圧以下の圧力で焼成を行う真空ベーク装置（ＶＢ）１と、真空ベーク装置（ＶＢ）１に基板Ｓを搬送するための搬送装置１１と、真空ベーク装置１に隣接して設けられ、搬送装置１１を収容する真空引き可能な搬送室（ＴＲ）１０と、搬送室（ＴＲ）１０に隣接して設けられ、大気圧状態と真空状態とを切り替え可能に構成されたロードロック装置（ＬＬ）２０と、インクジェット印刷装置（ＩＪ）２００とロードロック装置（ＬＬ）２０との間の基板搬送経路に配備され、該基板搬送経路の少なくとも一部分において基板Ｓの受け渡しを行う搬送装置３１と、を備えている。
【選択図】図１

Description

本発明は、例えば有機ＥＬ素子の製造過程で、有機材料膜のベークを行うために利用可能なベーク処理システムに関する。
有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）素子は、電流を流すことで発生する有機化合物のルミネッセンスを利用する発光素子であり、一対の電極間に複数の有機機能膜の積層体（以下、この積層体を「ＥＬ層」と総称する）が挟まれた構造となっている。ここで、ＥＬ層は、例えば、陽極側から、［正孔輸送層／発光層／電子輸送層］、［正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層］、あるいは、［正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層］などの順に積層された構造を有している。
ＥＬ層の形成は、各層毎に、基板上に有機材料を蒸着、塗布したりすることにより行われる。高精度の微細パターンを形成する場合は、塗布方法として、インクジェット印刷法を利用することが有利であると考えられている。
インクジェット印刷法によって基板上に印刷された有機材料膜は、多量の溶媒を含むことから、その溶媒を除去するために乾燥工程が必要となる。また、有機材料膜中に残留する高沸点溶媒を除去するとともに、ＥＬ層を構成する有機機能膜へ変化させるために、低酸素雰囲気中、例えば１６０〜２５０℃程度の温度で１時間程度加熱するベーク処理が必要である。
インクジェット印刷法を利用してＥＬ層を形成するための製造装置として、生産性を向上させるために、正孔注入層塗布装置、正孔注入層乾燥装置、１以上の発光層塗布装置及び１以上の発光層乾燥装置を、搬送手段を介して連続的に配置した製造装置が提案されている（例えば、特許文献１）。
また、インクジェット印刷法を利用したＥＬ層の形成において、省スペース化を図る目的で、ＥＬ層を形成するためのすべての種類のインクを塗布できるマルチヘッド型インクジェット装置と乾燥・ベークを行う装置との間に、基板搬送装置を配備した製造装置も提案されている（例えば、特許文献２）。
特開２００３−１４２２６０号公報（図１、図２） 特開２００７−２６５７１５号公報（図１）
上記特許文献１、２に開示された製造装置では、ベーク処理において、装置内が低酸素雰囲気になるようにＮ２ガスを導入しながら基板上の有機材料膜を加熱している。ところが、ベーク処理には、およそ１時間程度の時間を要するため、多量のＮ２ガスを必要とし、有機ＥＬ製造プロセスのコストを増加させる一因になっている。特に、近年では、一辺の長さが２メートルを超えるほど基板が大型化しているため、ベーク装置の内容積が増加し、Ｎ２ガスの消費量が膨大になってしまうという問題がある。
従って、本発明は、大型の基板にインクジェット印刷法で印刷された有機材料膜をベーク処理する場合に、低コストで、かつ効率的な処理が可能なベーク処理システムを提供することを目的とする。
本発明のベーク処理システムは、インクジェット印刷装置によって基板上に形成された有機材料膜に対し、大気圧以下の圧力で焼成を行うベーク装置と、
前記ベーク装置に基板を搬送するための第１の搬送装置と、
前記ベーク装置に隣接して設けられ、前記第１の搬送装置を収容する真空引き可能な搬送室と、
前記搬送室に隣接して設けられ、大気圧状態と真空状態とを切り替え可能に構成されたロードロック装置と、
前記インクジェット印刷装置と前記ロードロック装置との間の基板搬送経路に配備され、該基板搬送経路の少なくとも一部分において基板の受け渡しを行う第２の搬送装置と、
を備えている。
本発明のベーク処理システムにおいて、前記ベーク装置は、
前記基板を加熱するホットプレートと、
前記ホットプレートの表面に対して突没可能に設けられ、基板を加熱している間は前記ホットプレートの表面から基板を離間させた状態で支持する複数の可動ピンと、
を有していてもよい。この場合、前記ホットプレートの表面と基板との間隔が、０．１ｍｍ以上１０ｍｍ以下の範囲内であることが好ましい。
本発明のベーク処理システムは、前記ベーク装置が排気装置に接続され、該ベーク装置内を１３３Ｐａ以上６６５００Ｐａ以下の圧力に調整して焼成を行うものであってもよい。この場合、前記ベーク装置内に不活性ガスを導入して焼成を行うことが好ましい。
本発明のベーク処理システムにおいて、前記ロードロック装置は、
その内部に収容した基板を冷却するクーリングプレートと、
前記クーリングプレートの表面に対して突没可能に設けられ、基板を冷却している間は前記クーリングプレートの表面から基板を離間させた状態で支持する複数の可動ピンと、
を有していてもよい。この場合、前記クーリングプレートの表面と基板との間隔が、０．１ｍｍ以上１０ｍｍ以下の範囲内であることが好ましい。
本発明のベーク処理システムは、前記ロードロック装置が排気装置に接続され、該ロードロック装置内を４００Ｐａ以上大気圧以下の圧力に調整して前記基板を冷却するものであってもよい。
本発明のベーク処理システムにおいて、前記ロードロック装置は、その内部に収容した基板上に形成された有機材料膜を減圧乾燥させる減圧乾燥装置としても機能することが好ましい。
本発明のベーク処理システムは、インクジェット印刷装置によって基板上に形成された有機材料膜を乾燥させる減圧乾燥装置をさらに備えていてもよい。
本発明のベーク処理システムにおいて、前記ベーク装置は、同時に複数枚の基板を収容して処理するものであってもよい。
本発明のベーク処理システムにおいて、前記ロードロック装置は、同時に複数枚の基板を収容するものであってもよい。
本発明のベーク処理システムにおいて、前記第１の搬送装置は、前記ベーク装置と前記ロードロック装置との間で複数枚の基板を同時に搬送するものであってもよい。
本発明のベーク処理システムは、前記ベーク装置が、前記搬送室に隣接して複数配備されていてもよい。この場合、３つの前記ベーク装置と、前記搬送室と、前記ロードロック装置と、により１つのユニットが構成されるとともに、前記第２の搬送装置は、複数のユニットに対して前記基板の搬送を行うものであってもよい。
本発明のベーク処理システムによれば、有機ＥＬ素子の製造プロセスにおいて、ＥＬ層を形成するための乾燥処理と、それに引き続くベーク処理とを、Ｎ２ガスの消費量を抑制しながら連続的に高スループットで行うことができる。従って、本発明によれば、有機ＥＬ素子の製造プロセスの生産性を向上させることができる。
本発明の第１の実施の形態のベーク処理システムの概略を示す平面図である。 図１の要部を示す水平断面図である。 真空ベーク装置の説明に供する断面図である。 真空ベーク装置の別の状態の説明に供する断面図である。 真空ベーク装置の変形例の説明に供する断面図である。 ロードロック装置の説明に供する断面図である。 ロードロック装置の別の状態の説明に供する断面図である。 ロードロック装置の変形例の説明に供する断面図である。 有機ＥＬ素子の製造工程の概略を示すフローチャートである。 本発明の第２の実施の形態のベーク処理システムの概略を示す平面図である。
以下、図面を参照しながら、本発明の実施の形態について説明する。
［第１の実施の形態］
図１は、第１の実施の形態に係るベーク処理システム１００を概略的に示す平面図であり、図２は、図１の要部（１ユニット）の水平断面図である。ベーク処理システム１００は、有機ＥＬディスプレイの製造過程で、外部のインクジェット印刷装置（ＩＪ）２００によりインクジェット印刷された有機材料膜のベーク処理に好ましく用いることができる。ベーク処理システム１００は、外部のインクジェット印刷装置（ＩＪ）２００によって基板Ｓ上に形成された有機材料膜に対し、大気圧以下の圧力で焼成を行う真空ベーク装置（ＶＢ）１と、真空ベーク装置（ＶＢ）１に基板Ｓを搬送するための第１の搬送装置としての搬送装置１１（図２参照）と、真空ベーク装置１に隣接して設けられ、搬送装置１１を収容する真空引き可能な搬送室（ＴＲ）１０と、を備えている。さらに、ベーク処理システム１００は、搬送室（ＴＲ）１０に隣接して設けられ、大気圧状態と真空状態とを切り替え可能に構成されたロードロック装置（ＬＬ）２０と、インクジェット印刷装置（ＩＪ）２００とロードロック装置（ＬＬ）２０との間の基板搬送経路に配備され、該基板搬送経路の少なくとも一部分において基板Ｓの受け渡しを行う第２の搬送装置としての搬送装置３１と、を備えている。
＜１ユニットの構成＞
ベーク処理システム１００では、複数の大型装置が平面視十字形に連結されて１つのユニットを形成し、このユニットが複数集合してベーク処理システム１００を構成している。図１に例示するベーク処理システム１００には、４つのユニット１０１Ａ，１０１Ｂ，１０１Ｃ，１０１Ｄが含まれている。１つのユニットは、３つの真空ベーク装置（ＶＢ）１と、１つの搬送室（ＴＲ）１０と、１つのロードロック装置（ＬＬ）２０とを有するマルチチャンバ構造をしている。各ユニットの中央部には搬送室（ＴＲ）１０が配置され、その三方の側面に隣接して基板Ｓに対してベーク（焼成）処理を行なう３つの真空ベーク装置（ＶＢ）１が配設されている。また、搬送室（ＴＲ）１０の残りの一方の側面に隣接してロードロック装置（ＬＬ）２０が配設されている。
３つの真空ベーク装置（ＶＢ）１、搬送室（ＴＲ）１０およびロードロック装置（ＬＬ）２０は、いずれもその内部空間を所定の減圧雰囲気（真空状態）に維持できるように構成されている。
搬送室（ＴＲ）１０と各真空ベーク装置（ＶＢ）１との間には、開閉機能を有するゲートバルブ装置ＧＶ１がそれぞれ配設されている。また、搬送室（ＴＲ）１０とロードロック装置（ＬＬ）２０との間には、ゲートバルブ装置ＧＶ２が配設されている。ゲートバルブ装置ＧＶ１，ＧＶ２は、閉状態で各装置を気密にシールするとともに、開状態で装置間を連通させて基板Ｓの移送を可能にしている。また、ロードロック装置（ＬＬ）２０と大気雰囲気の搬送装置３１との間にもゲートバルブ装置ＧＶ３が配備されており、閉状態でロードロック装置（ＬＬ）２０を気密にシールするとともに開状態でロードロック装置（ＬＬ）２０内と大気雰囲気の搬送装置３１との間で基板Ｓの移送を可能にしている。
＜真空ベーク装置＞
３つの真空ベーク装置（ＶＢ）１は、いずれも同じ構成である。図２に示すように、各真空ベーク装置（ＶＢ）１は、基板Ｓを加熱するためのホットプレート３を有している。ホットプレート３には、複数の挿通孔３ａが形成されており、この挿通孔３ａに基板Ｓの裏面に当接してこれを支持する可動ピン５が挿入されている。真空ベーク装置（ＶＢ）１の詳細な構造については後述する。
＜搬送装置及び第１の搬送装置＞
搬送室（ＴＲ）１０には、第１の搬送装置としての搬送装置１１が配備されている。この搬送装置１１は、例えば上下２段に設けられたフォーク１３ａおよびフォーク１３ｂと、これらフォーク１３ａ，１３ｂを進出、退避および旋回可能に支持する支持部１５と、この支持部１５を駆動させる駆動機構（図示省略）とを備えている。搬送装置１１は、支持部１５の旋回及びフォーク１３ａ，１３ｂの進出と退避によって、３つの真空ベーク装置（ＶＢ）１並びにロードロック装置（ＬＬ）２０との間で基板Ｓの搬送が可能になっている。フォーク１３ａ，１３ｂは、それぞれ独立して基板Ｓの搬送を行うことが出来るように構成されている。
＜ロードロック装置＞
ロードロック装置（ＬＬ）２０は、図２に示すように、基板Ｓを加熱するためのクーリングプレート２１を有している。クーリングプレート２１には、複数の挿通孔２１ａが形成されており、この挿通孔２１ａに基板Ｓの裏面に当接してこれを支持する可動ピン２３が挿入されている。また、クーリングプレート２１の上面には、複数のガス吐出孔２１ｂが設けられている。ロードロック装置（ＬＬ）２０の詳細な構造については後述する。
＜第２の搬送装置＞
ユニット１０１Ａ，１０１Ｂとユニット１０１Ｃ，１０１Ｄとの間には、各ロードロック装置（ＬＬ）２０に対して基板Ｓを搬送するための搬送装置３１が設けられている。この搬送装置３１は、例えば上下２段に設けられたフォーク３３ａおよびフォーク３３ｂと、これらフォーク３３ａ，３３ｂを進出、退避および旋回可能に支持する支持部３５と、この支持部３５を駆動させる駆動機構（図示省略）と、ガイドレール３７とを備えている。支持部３５は、ガイドレール３７に沿って移動し、４つのユニット１０１Ａ，１０１Ｂ，１０１Ｃ，１０１Ｄの間、及びバッファステージ４１との間で基板Ｓの搬送を可能にしている。
＜バッファステージ＞
図１のベーク処理システム１００は、搬送装置３１に対して基板Ｓの受け渡しが可能な位置に、バッファステージ４１を備えている。バッファステージ４１は、ベーク処理システム１００と外部の装置、例えばインクジェット印刷装置２００との間で基板Ｓを受け渡す際の仮置き場である。バッファステージ４１には、複数の基板Ｓを多段に保持する一対の支持壁４３が間隔を開けて立設されている。一対の支持壁４３は、それらの隙間に、搬送装置３１の櫛歯状のフォーク３３ａ，３３ｂを挿入できるように構成されている。
＜制御部＞
図１及び図２に示したように、ベーク処理システム１００の各構成部は、制御部５０に接続されて制御される構成となっている。制御部５０は、ＣＰＵを備えたコントローラ５１と、ユーザーインターフェース５２と記憶部５３とを備えている。コントローラ５１は、コンピュータ機能を有しており、ベーク処理システム１００において、例えば真空ベーク装置（ＶＢ）１、ロードロック装置（ＬＬ）２０、搬送装置１１、搬送装置３１などの各構成部を統括して制御する。ユーザーインターフェース５２は、工程管理者がベーク処理システム１００を管理するためにコマンドの入力操作等を行うキーボードや、ベーク処理システム１００の稼働状況を可視化して表示するディスプレイ等から構成される。記憶部５３には、ベーク処理システム１００で実行される各種処理をコントローラ５１の制御にて実現するための制御プログラム（ソフトウエア）や処理条件データ等が記録されたレシピが保存されている。ユーザーインターフェース５２および記憶部５３は、コントローラ５１に接続されている。
そして、必要に応じて、ユーザーインターフェース５２からの指示等にて任意のレシピを記憶部５３から呼び出してコントローラ５１に実行させることで、コントローラ５１の制御下で、ベーク処理システム１００での所望の処理が行われる。前記制御プログラムや処理条件データ等のレシピは、コンピュータ読み取り可能な記憶媒体、例えばＣＤ−ＲＯＭ、ハードディスク、フレキシブルディスク、フラッシュメモリなどに格納された状態のものを利用できる。あるいは、他の装置から、例えば専用回線を介して随時伝送させてオンラインで利用したりすることも可能である。
＜真空ベーク装置（ＶＢ）の構成と作用＞
次に、図３Ａ、図３Ｂ及び図３Ｃを参照しながら、真空ベーク装置（ＶＢ）１の構成と作用について詳細に説明する。図３Ａ，図３Ｂは、枚葉式の真空ベーク装置の説明に供する断面図である。図３Ａは可動ピン５を上昇させて、搬送装置１１のフォーク１３ａ（又はフォーク１３ｂ）との間で基板Ｓの受け渡しを行っている状態を示している。図３Ｂは、図３Ａの状態から可動ピン５を下降させて基板Ｓをホットプレート３によって加熱している状態を示している。
真空ベーク装置（ＶＢ）１は、真空引き可能な耐圧容器によって構成されており、底壁１ａ、４つの側壁１ｂ及び天壁１ｃを備えている。側壁１ｂには、不活性ガスを導入するガス導入部２ａ及び排気部２ｂが設けられている。ガス導入部２ａは、不活性ガス源６１に接続されており、例えばＮ２、Ａｒ等の不活性ガスを真空ベーク装置（ＶＢ）１内に導入できるように構成されている。排気部２ｂは、排気装置６３に接続されており、この排気装置６３を駆動させることによって、真空ベーク装置（ＶＢ）１内を数Ｐａの圧力まで減圧排気できるように構成されていても良い。また、側壁１ｂには、装置内に基板Ｓを搬入、搬出するための開口部２ｃが設けられている。
上記のとおり、真空ベーク装置（ＶＢ）１の内部には、ホットプレート３が配備されている。ホットプレート３は、図示しない支柱によって支持され、底壁１ａに固定されている。細部は省略するが、ホットプレート３は、例えば抵抗加熱方式のヒーター、またはチラーによる加熱方式であり、電源６５を入（ＯＮ）にすることによって、所定の温度まで加熱される。
ホットプレート３には、複数の挿通孔３ａが形成され、この挿通孔３ａに基板Ｓを支持する可動ピン５が挿入されている。各可動ピン５は、１つの昇降部材６７に固定されている。昇降部材６７は、例えばボールねじ機構などを備えた昇降駆動部６９によって上下に変位可能に支持されている。昇降部材６７と底壁１ａとの間は、各可動ピン５を囲むように例えばベローズ６８が配備され、挿通孔３ａ周囲の気密性が保たれている。昇降駆動部６９を駆動させ、昇降部材６７及び複数の可動ピン５を上下に昇降変位させることによって、図３Ａに示した受け渡し位置と、図３Ｂに示した加熱位置との間で基板Ｓの高さ位置を調整することができる。なお、基板Ｓを昇降変位させる機構は、図示のものに限らない。
ベーク条件やベーク環境は、ＥＬ層の特性に影響を及ぼすことが知られている。例えば、ベーク時に、基板Ｓの面内で温度の不均一が生じると、基板Ｓの面内での有機ＥＬ素子の特性にばらつきが生じることがある。また、ベーク時には、基板Ｓ上の有機材料膜から、溶媒、水分などが多量に揮発する。そのため、真空ベーク装置（ＶＢ）１内からこれらの揮発成分を速やかに除去しないと、ベーク後の有機機能膜が酸化されるなどの悪影響が生じるおそれがある。特に、生産効率を上げるために、複数の基板Ｓに対して同時にベーク処理を行う場合には、他の基板Ｓから揮発した成分の影響を受けないように、真空ベーク装置（ＶＢ）１内の排気を速やかに行うことが好ましい。これらのベーク条件やベーク環境の管理が不十分であると、有機ＥＬディスプレイとして使用したときに、表示ムラなどの不具合を引き起こす原因となる。
真空ベーク装置（ＶＢ）１は、図３Ｂに示したように、基板Ｓを下降させた加熱位置では、電源６５を入（ＯＮ）にして基板Ｓに対してホットプレート３による加熱ベークを行う。このとき、排気装置６３を駆動させることによって、真空ベーク装置（ＶＢ）１内を大気圧以下、好ましくは１３３Ｐａ（１Ｔｏｒｒ）以上６６５００Ｐａ（５００Ｔｏｒｒ）以下の範囲内の圧力まで減圧排気する。このように、真空ベーク装置（ＶＢ）１内を真空状態にしてベーク処理を行うことで、有機材料膜からの揮発成分を速やかに装置外へ排出できるとともに、多量の不活性ガスを使用しなくても基板Ｓの表面に印刷された有機材料膜の酸化を防止できる。
また、ベークの間、基板Ｓはホットプレート３の表面に接触させず、可動ピン５によって支持した状態で、例えば０．１ｍｍ以上１０ｍｍ以下の範囲内の間隔でホットプレート３の表面から離間させておくことが好ましい。ベーク処理において基板Ｓを加熱する方式としては、熱風循環方式、ホットプレート方式、遠赤外線方式等が一般的である。この中でも、基板Ｓを効率良く均一に加熱できる、という観点から、ホットプレートが好ましい。しかし、基板Ｓの大型化に伴い、加熱によって生じる基板Ｓの反りも大きくなるため、通常のホットプレートによる加熱では、基板Ｓの面内での均一性を維持することが困難である。そこで、本実施の形態では、ベーク処理の間、基板Ｓをホットプレート３の表面に直接載置させずに離間させている。これにより、基板Ｓに加熱による反りが生じても、基板Ｓの面内で均一な加熱処理が実現できる。
また、本実施の形態では、ベークの間、不活性ガス源６１から、例えばＮ２、Ａｒ、Ｈｅ等の不活性ガスを真空ベーク装置（ＶＢ）１内に導入してもよい。不活性ガスを導入することで、真空条件での基板Ｓの加熱効率を高めることができる。
一方、図３Ｃは、変形例の真空ベーク装置（ＶＢ）１Ａの概略断面を示している。図３Ｃに示す真空ベーク装置（ＶＢ）１Ａは、バッチ方式であり、２枚の基板Ｓを同時に収容してベーク処理を行うことができる。図３Ｃにおいて、図３Ａ，図３Ｂと同じ構成には同一の符号を付しており、可動ピン５の昇降機構やホットプレート３の電源は図示を省略している。図３Ｃに示すように、複数の基板Ｓを多段に配置して一括でベーク処理を行うことにより、ベーク処理システム１００における生産性を高めることができ、装置の設置スペースも節約できる。なお、同時にベーク処理を行う基板Ｓの枚数は、２枚に限るものではなく、３枚以上でもよい。
また、バッチ方式の代わりに、例えば図３Ａ，図３Ｂに示した枚葉式の真空ベーク装置（ＶＢ）１を上下に多段に重ねて配置してもよい。
＜ロードロック装置（ＬＬ）の構成と作用＞
次に、図４Ａ、図４Ｂ及び図４Ｃを参照しながら、ロードロック装置（ＬＬ）２０の構成と作用について詳細に説明する。図４Ａ，図４Ｂは、枚葉式のロードロック装置の説明に供する断面図である。本実施の形態のロードロック装置（ＬＬ）２０は、真空ロードロック装置としての機能に加え、基板Ｓを冷却処理する機能を備えており、さらに基板Ｓに形成された有機材料膜の減圧乾燥処理を行う機能も有している。図４Ａは可動ピン２３を上昇させて、フォーク１３ａ（又はフォーク１３ｂ）との間で基板Ｓの受け渡しを行っている状態を示している。図４Ｂは、図４Ａの状態から可動ピン２３を下降させて基板Ｓをクーリングプレート２１によって冷却している状態もしくは基板Ｓ上の有機材料膜を減圧乾燥させている状態を示している。
ロードロック装置（ＬＬ）２０は、真空引き可能な耐圧容器によって構成されており、底壁２０ａ、４つの側壁２０ｂ及び天壁２０ｃを備えている。天壁２０ｃには、不活性ガスを導入するガス導入部２０ｄが設けられている。側壁２０ｂには、排気部２０ｅが設けられている。なお、排気部は底壁２０ａに設けてもよい。ガス導入部２０ｄは、不活性ガス源７１に接続されており、例えばＮ２、Ａｒ、Ｈｅ等の不活性ガスをロードロック装置（ＬＬ）２０内に導入できるように構成されている。また、排気部２０ｅは、排気装置７３に接続されており、この排気装置７３を駆動させることによって、ロードロック装置（ＬＬ）２０内を数十Ｐａ、もしくは０．１Ｐａ程度の圧力まで減圧排気できるように構成されている。また、互いに対向する側壁２０ｂには、装置内に基板Ｓを搬入、搬出するための開口部２ｆ，２ｇが設けられている。
上記のとおり、ロードロック装置（ＬＬ）２０の内部には、クーリングプレート２１が配備されている。クーリングプレート２１は、底壁２０ａに固定されている。クーリングプレート２１は、内部に冷媒流路２１ｃを有している。この冷媒流路２１ｃに、冷媒源７５から任意の冷媒を供給し、循環させることにより、クーリングプレート２１全体を冷却できるように構成されている。また、クーリングプレート２１は、内部にバッククーリング用のガスを滞留させるガス滞留部２１ｄを有している。このガス滞留部２１ｄは、クーリングプレート２１の上面に形成された複数のガス吐出孔２１ｂに連通している。また、ガス滞留部２１ｄは、バッククーリングガス用のガス源７６に接続されている。
また、クーリングプレート２１には、複数の挿通孔２１ａが形成され、この挿通孔２１ａに基板Ｓを支持する可動ピン２３が挿入されている。各可動ピン２３は、１つの昇降部材７７に固定されている。昇降部材７７は、例えばボールねじ機構などを備えた昇降駆動部７９によって上下に変位可能に支持されている。昇降部材７７と底壁２０ａとの間は、各可動ピン２３を囲むように例えばベローズ７８が配備され、挿通孔２１ａ周囲の気密性が保たれている。昇降駆動部７９を駆動させ、昇降部材７７及び複数の可動ピン２３を上下に昇降変位させることによって、図４Ａに示した受け渡し位置と、図４Ｂに示した下降位置との間で基板Ｓの高さ位置を調整することができる。なお、基板Ｓを昇降変位させる機構は、図示のものに限らない。
図４Ｂに示した下降位置では、冷媒供給源７５から冷媒の供給を行い、基板Ｓに対してクーリングプレート２１による冷却を行う。このとき、排気装置７３を駆動させることによって、ロードロック装置（ＬＬ）２０内を大気圧以下、好ましくは４００Ｐａ（３Ｔｏｒｒ）以上大気圧以下の範囲内の圧力まで減圧排気する。このように、ロードロック装置（ＬＬ）２０内を真空状態にして冷却を行うことで、基板Ｓの表面に印刷された有機材料膜の酸化を防止できる。
また、冷却の間、基板Ｓはクーリングプレート２１の表面に接触させず、可動ピン２３によって支持した状態で、例えば０．１ｍｍ以上１０ｍｍ以下の範囲内の間隔でクーリングプレート２１の表面から離間させておくことが好ましい。この場合、クーリングプレート２１の表面から離間した基板Ｓの裏面側に、複数のガス吐出孔２１ｂから例えばＨｅなどのバッククーリングガスを供給することがより好ましい。このように、本実施の形態のロードロック装置（ＬＬ）２０では、冷却処理の間、基板Ｓをクーリングプレート２１の表面に直接載置させず、バッククーリングガスの供給が可能であるため、基板Ｓの冷却効率を高め、基板Ｓの面内で均一、かつ速やかな冷却が可能になる。
上記のとおり、本実施の形態では、ロードロック装置（ＬＬ）２０を有機材料膜の乾燥処理に用いることもできる。ロードロック装置（ＬＬ）２０で乾燥処理を行う場合は、基板Ｓを可動ピン２３によって支持した状態で、クーリングプレート２１の表面から例えば０．１ｍｍ以上１０ｍｍ以下の範囲内の間隔で離間させて保持する。そして、不活性ガス源７１からロードロック装置（ＬＬ）２０へ所定量の不活性ガスを供給しながら、排気装置７３を駆動させることによって、ロードロック装置（ＬＬ）２０内を所定の真空度、例えば０．１Ｐａ以下の圧力まで減圧排気させる。このようにして、基板Ｓ上の有機材料膜中の溶媒を除去する減圧乾燥処理にロードロック装置（ＬＬ）２０を利用することができる。
以上のように、本実施の形態の焼成システム１００では、ロードロック装置（ＬＬ）２０を、大気圧状態と真空状態の切り替えを行う真空予備室としての機能に加え、真空冷却装置として、さらには減圧乾燥装置としても機能させることによって、これらの処理を連続的に行う際のスループットを向上させるとともに、システムの装置構成が簡素化されており、さらに装置の設置スペースも節約されている。
一方、図４Ｃは、変形例のロードロック装置（ＬＬ）２０Ａの概略断面を示している。図４Ｃに示すロードロック装置（ＬＬ）２０Ａは、バッチ方式であり、２枚の基板Ｓを同時に収容して冷却処理や減圧乾燥処理を行うことができる。図４Ｃにおいて、図４Ａ，図４Ｂと同じ構成には同一の符号を付しており、可動ピン２３の昇降機構や冷媒源、バッククーリングガスの導入機構などは図示を省略している。図４Ｃに示すように、複数の基板Ｓを多段に配置して一括で収容し、大気圧状態と真空状態の切り替えを行い、さらに冷却処理や減圧乾燥処理を行うことにより、ベーク処理システム１００における生産性をさらに高めることができ、装置の設置スペースも大幅に節約できる。なお、同時にベーク処理を行う基板Ｓの枚数は、２枚に限るものではなく、３枚以上でもよい。
また、バッチ方式の代わりに、例えば図４Ａ，図４Ｂに示した枚葉式のロードロック装置（ＬＬ）２０を上下に多段に重ねて配置してもよい。
次に、以上のように構成されたベーク処理システム１００の動作について説明する。まず、前段階として、外部のインクジェット印刷装置（ＩＪ）２００で基板Ｓ上に有機材料膜を所定のパターンで印刷する。有機材料膜が印刷された基板Ｓは、外部のインクジェット印刷装置（ＩＪ）２００に付属する搬送装置２０１で搬出され、バッファステージ４１の支持壁４３上に載置される。このバッファステージ４１上の基板Ｓを搬送装置３１のフォーク３３ａ（又はフォーク３３ｂ）を進退駆動させて受け取る。次に、大気側のゲートバルブＧＶ３を開放した状態で、基板Ｓを搬送装置３１からロードロック装置（ＬＬ）２０の可動ピン２３へ受け渡す。
フォーク３３ａ（又はフォーク３３ｂ）を退避させた後、可動ピン２３上の基板Ｓを下降させるとともに、ゲートバルブＧＶ３を閉じる。その後、ロードロック装置（ＬＬ）２０内を排気して、内部を所定の真空度まで減圧する。このとき、ロードロック装置（ＬＬ）２０内を排気しながら圧力を調節することによって、有機材料膜中に含まれる溶媒を除去する乾燥処理を実施することができる。この乾燥処理工程では、ロードロック装置（ＬＬ）２０に不活性ガスを導入してもよい。
次に、可動ピン２３上の基板Ｓを受け渡し位置まで上昇させるとともに、搬送室（ＴＲ）１０とロードロック装置（ＬＬ）２０との間のゲートバルブＧＶ２を開放する。そして、搬送装置１１のフォーク１３ａ（又はフォーク１３ｂ）により、ロードロック装置（ＬＬ）２０に収容された基板Ｓを受け取る。
次に、搬送装置１１のフォーク１３ａ（フォーク１３ｂ）により、ゲートバルブＧＶ１を開放した状態で、３つの真空ベーク装置（ＶＢ）１のいずれかに基板Ｓを搬入し、受け渡し位置まで上昇させた可動ピン５に受け渡す。次に、ゲートバルブＧＶ１を閉じ、可動ピン５を下降させてホットプレート３の表面との間隔を調節し、真空ベーク装置（ＶＢ）１内で基板Ｓに対して所定条件でベーク処理を施す。有機材料膜を有機ＥＬに使用する有機機能膜へ変化させるためのベーク温度は、例えば２５０℃以上３００℃以下の範囲内が好ましく、ベーク時間は例えば１時間程度が好ましい。ベーク処理の間は、真空ベーク装置（ＶＢ）１内を大気圧以下に減圧することが好ましい。また、真空ベーク装置（ＶＢ）１内に不活性ガスを供給しながらベーク処理を行うことが好ましい。ベーク処理が終了したら、ゲートバルブＧＶ１を開放し、可動ピン５を上昇させて、基板Ｓを可動ピン５から搬送装置１１のフォーク１３ａ（又はフォーク１３ｂ）に受け渡し、真空ベーク装置（ＶＢ）１から搬出する。
そして、基板Ｓを、前記とは逆の経路でロードロック装置（ＬＬ）２０へ搬入する。ベーク処理後の基板Ｓは、加熱された状態であるため、ロードロック装置（ＬＬ）２０内で冷却処理を行うことができる。冷却処理は、ロードロック装置（ＬＬ）２０の可動ピン２３を下降させてクーリングプレート２１との間隔を調整し、所定時間保持する。冷却処理の間、基板Ｓの裏面に、クーリングプレート２１のガス吐出孔２１ｂからバッククーリングガスを供給することによって冷却効率を高め、基板Ｓの面内で均一な冷却処理が可能になる。冷却が終了したら、ロードロック装置（ＬＬ）２０内の圧力を大気圧まで上昇させる。そして、ゲートバルブＧＶ３を開放するともに、可動ピン２３上の基板Ｓを再び受け渡し位置まで上昇させ、搬送装置３１を介して、基板Ｓを例えばバッファステージ４１に戻す。基板Ｓは、インクジェット印刷装置（ＩＪ）２００による次の有機材料膜の形成工程や、外部の他の工程を行うためにベーク処理システム１００から搬出される。
以上の工程では、複数の基板Ｓを一括で搬送し、かつ同時に処理することも可能である。例えば、搬送装置３１及び搬送装置１１で複数枚例えば２枚の基板Ｓを同時搬送するとともに、ロードロック装置（ＬＬ）２０及び真空ベーク装置（ＶＢ）１を、例えば図３Ｃ、図４Ｃに示したようにバッチ方式としたり、多段に構成したりすることによって生産効率を向上させることができる。
［有機ＥＬ素子の製造プロセスへの適用例］
有機ＥＬ素子の製造は、陽極と陰極との間に、ＥＬ層として、複数の有機機能膜を形成する。本実施の形態のベーク処理システム１００は、どのような積層構造の有機ＥＬ素子の製造にも適用できる。ここでは、ＥＬ層として、［正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層］を有する有機ＥＬ素子を製造する場合を例に挙げて、ベーク処理システム１００における具体的な処理手順を説明する。
図５に、有機ＥＬ素子の製造工程の概略を示した。本例において、有機ＥＬ素子は、ＳＴＥＰ１〜ＳＴＥＰ８の工程によって製造される。ＳＴＥＰ１では、基板Ｓ上に、例えば蒸着法などによって所定のパターンで陽極（画素電極）を形成する。次にＳＴＥＰ２では、陽極の間に、絶縁物による隔壁（バンク）を形成する。隔壁を形成するための絶縁材料としては、例えば感光性ポリイミド樹脂などの高分子材料を用いることができる。
次に、ＳＴＥＰ３では、ＳＴＥＰ１で形成された陽極の上に、正孔注入層を形成する。まず、インクジェット印刷装置（ＩＪ）２００を用いて、各隔壁によって区画された陽極の上に、正孔注入層の材料となる有機材料を印刷する。次に、このように印刷された有機材料膜に対し、ベーク処理システム１００を用い、溶媒除去のための減圧乾燥処理、及び大気中でのベーク処理を順次行うことにより、正孔注入層を形成する。
次に、ＳＴＥＰ４では、ＳＴＥＰ３で形成された正孔注入層の上に、正孔輸送層を形成する。まず、インクジェット印刷装置（ＩＪ）２００を用いて、正孔注入層の上に、正孔輸送層の材料となる有機材料を印刷する。このように印刷された有機材料膜に対し、ベーク処理システム１００で、溶媒除去のための減圧乾燥処理、及び真空ベーク処理を順次行うことにより、正孔輸送層を形成する。
次に、ＳＴＥＰ５では、ＳＴＥＰ４で形成された正孔輸送層の上に、発光層を形成する。まず、インクジェット印刷装置（ＩＪ）２００を用いて、正孔輸送層の上に、発光層の材料となる有機材料を印刷する。このように印刷された有機材料膜に対し、ベーク処理システム１００で、溶媒除去のための減圧乾燥処理、及び真空ベーク処理を順次行うことにより、発光層を形成する。なお、発光層が複数層からなる場合、上記処理が繰り返される。
次に、発光層の上に、例えば蒸着法によって、電子輸送層（ＳＴＥＰ６）、電子注入層（ＳＴＥＰ７）及び陰極（ＳＴＥＰ８）を順次形成することによって、有機ＥＬ素子が得られる。
このような有機ＥＬ素子の製造プロセスにおいて、ベーク処理システム１００は、ＳＴＥＰ３（正孔注入層形成）、ＳＴＥＰ４（正孔輸送層形成）及びＳＴＥＰ５（発光層形成）に好ましく適用できる。すなわち、インクジェット印刷装置（ＩＪ）２００を用いて、各層の前段階である有機材料膜を印刷した後、ロードロック装置（ＬＬ）２０で減圧乾燥処理を行い、次に、真空ベーク装置（ＶＢ）１において、ＳＴＥＰ３（正孔注入層形成）は大気圧で、ＳＴＥＰ４（正孔輸送層形成）及びＳＴＥＰ５（発光層形成）は真空条件で、それぞれベーク処理を行うことができる。
以上のように、ベーク処理システム１００を用いることによって、有機ＥＬ素子の製造プロセスにおいて、ＥＬ層を形成するための減圧乾燥処理とベーク処理を、連続的に高スループットで効率良く行うことができる。特に、上記ＳＴＥＰ４（正孔輸送層形成）、ＳＴＥＰ５（発光層形成）では、有機材料の酸化を回避するために低酸素雰囲気でのベーク処理が必要であるため、ベーク処理システム１００を用いて真空ベーク処理を行うことが好ましい。この場合、ベーク処理システム１００では、真空ベーク処理と、その前段階の減圧乾燥処理とを、真空ベーク装置（ＶＢ）１とロードロック装置（ＬＬ）２０において、真空雰囲気を維持したまま連続的に実施できるため、生産効率の向上を図ることができる。また、ベーク処理システム１００では、ロードロック装置（ＬＬ）２０において、真空／大気圧の切り替え以外に、減圧乾燥処理及び冷却処理を行うようにしたので、装置の設置スペースも節約できる。
［第２の実施の形態］
次に、図６を参照しながら、本発明の第２の実施の形態のベーク処理システムについて説明する。図６は、第２の実施の形態に係るベーク処理システム１００Ａを概略的に示す平面図である。第１の実施の形態のベーク処理システム１００では、ロードロック装置（ＬＬ）２０内で減圧乾燥処理を行うように構成した。これに対し、本実施の形態のベーク処理システム１００Ｂでは、ロードロック装置（ＬＬ）２０とは別に、減圧乾燥処理を行う専用の減圧乾燥装置（ＶＤ）２１０を設けた。以下、第１の実施の形態のベーク処理システム１００との相違点を中心に説明し、本実施の形態のベーク処理システム１００Ａにおいて、第１の実施の形態と同じ構成には同一の符号を付して説明を省略する。
図６に示したように、ベーク処理システム１００Ａは、外部のインクジェット印刷装置（ＩＪ）２００によって基板Ｓ上に形成された有機材料膜に対し、大気圧以下の圧力で焼成を行う真空ベーク装置（ＶＢ）１と、真空ベーク装置（ＶＢ）１に基板Ｓを搬送するための第１の搬送装置としての搬送装置１１（図２参照）と、真空ベーク装置１に隣接して設けられ、搬送装置１１を収容する真空引き可能な搬送室（ＴＲ）１０と、搬送室（ＴＲ）１０に隣接して設けられ、大気圧状態と真空状態とを切り替え可能に構成されたロードロック装置（ＬＬ）２０と、を備えている。また、ベーク処理システム１００Ａは、インクジェット印刷装置（ＩＪ）２００とロードロック装置（ＬＬ）２０との間の基板搬送経路に配備され、該基板搬送経路の少なくとも一部分において基板Ｓの受け渡しを行う第２の搬送装置３１と、インクジェット印刷装置（ＩＪ）２００と第２の搬送装置３１との間に設けられた複数の減圧乾燥装置（ＶＤ）２１０を備えている。
＜減圧乾燥装置＞
減圧乾燥装置（ＶＤ）２１０は、既知の構成であるため詳細な説明を省略するが、例えば真空引き可能な処理容器と、該処理容器内で基板Ｓを載置するステージと、該処理容器内を排気する排気装置と、該処理容器内に基板Ｓを搬入・搬出する開口部と、該開口部を開閉するゲートバルブと、を備えている。本実施の形態では、２つの減圧乾燥装置（ＶＤ）２１０が対になり、合計４つの減圧乾燥装置（ＶＤ）２１０が設けられている。
＜搬送装置＞
図６に示したように、減圧乾燥装置（ＶＤ）２１０の間には、各減圧乾燥装置（ＶＤ）２１０に対して基板Ｓを搬送するための第３の搬送装置２２１が設けられている。この搬送装置２２１は、例えば上下２段に設けられたフォーク２２３ａおよびフォーク２２３ｂと、これらフォーク２２３ａ，２２３ｂを進出、退避および旋回可能に支持する支持部２２５と、この支持部２２５を駆動させる駆動機構（図示省略）と、ガイドレール２２７とを備えている。支持部２２５は、ガイドレール２２７に沿って移動し、４つの減圧乾燥装置（ＶＤ）２１０の間、及びバッファステージ４１Ａ，４１Ｂとの間で基板Ｓの搬送を可能にしている。
＜バッファステージ＞
図６のベーク処理システム１００Ａは、搬送装置２２１に対して基板Ｓの受け渡しが可能な位置に、２つのバッファステージ４１Ａ，４１Ｂを備えている。一方のバッファステージ４１Ａは、ベーク処理システム１００と外部の装置、例えばインクジェット印刷装置２００との間で基板Ｓを受け渡す際の仮置き場である。他方のバッファステージ４１Ｂは、ベーク処理システム１００内の搬送装置２２１と搬送装置３１との間で基板Ｓを受け渡す際の仮置き場である。バッファステージ４１Ａ，４１Ｂの構成は、第１の実施の形態と同様である。
次に、以上のように構成されたベーク処理システム１００Ａの動作について説明する。まず、前段階として、外部のインクジェット印刷装置（ＩＪ）２００で基板Ｓ上に有機材料膜を所定のパターンで印刷する。有機材料膜が印刷された基板Ｓは、外部のインクジェット印刷装置（ＩＪ）２００に付属する搬送装置２０１で搬出され、バッファステージ４１Ａの支持壁４３上に載置される。このバッファステージ４１Ａ上の基板Ｓを搬送装置２２１のフォーク２２３ａ（又はフォーク２２３ｂ）を進退駆動させて受け取る。次に、ゲートバルブを開放した状態で、基板Ｓを搬送装置２２１から減圧乾燥装置（ＶＤ）２１０のステージ（図示省略）へ受け渡す。
次に、減圧乾燥装置（ＶＤ）２１０のゲートバルブを閉じ、減圧乾燥装置（ＶＤ）２１０内を排気して、内部を所定の真空度まで減圧することにより、有機材料膜中に含まれる溶媒を除去する乾燥処理を実施することができる。なお、乾燥処理工程では、減圧乾燥装置（ＶＤ）２１０に不活性ガスを導入してもよい。
乾燥処理が終了した後、減圧乾燥装置（ＶＤ）２１０のゲートバルブを開放し、基板Ｓを搬送装置２２１によってバッファステージ４１Ｂの支持壁４３上に移載する。このバッファステージ４１Ｂ上の基板Ｓを搬送装置３１のフォーク３３ａ（又はフォーク３３ｂ）を進退駆動させて受け取る。次に、大気側のゲートバルブＧＶ３を開放した状態で、基板Ｓを搬送装置３１からロードロック装置（ＬＬ）２０の可動ピン２３へ受け渡す。
フォーク３３ａ（又はフォーク３３ｂ）を退避させた後、可動ピン２３上の基板Ｓを下降させるとともに、ゲートバルブＧＶ３を閉じる。その後、ロードロック装置（ＬＬ）２０内を排気して、内部を所定の真空度まで減圧する。
次に、可動ピン２３上の基板Ｓを受け渡し位置まで上昇させるとともに、搬送室（ＴＲ）１０とロードロック装置（ＬＬ）２０との間のゲートバルブＧＶ２を開放する。そして、搬送装置１１のフォーク１３ａ（又はフォーク１３ｂ）により、ロードロック装置（ＬＬ）２０に収容された基板Ｓを受け取る。
次に、搬送装置１１のフォーク１３ａ（フォーク１３ｂ）により、ゲートバルブＧＶ１を開放した状態で、３つの真空ベーク装置（ＶＢ）１のいずれかに基板Ｓを搬入し、受け渡し位置まで上昇させた可動ピン５に受け渡す。次に、ゲートバルブＧＶ１を閉じ、可動ピン５を下降させてホットプレート３の表面との間隔を調節し、真空ベーク装置（ＶＢ）１内で基板Ｓに対して所定条件でベーク処理を施す。有機材料膜を有機ＥＬに使用する有機機能膜へ変化させるためのベーク温度は、例えば２５０℃以上３００℃以下の範囲内が好ましく、ベーク時間は例えば１時間程度が好ましい。ベーク処理の間は、真空ベーク装置（ＶＢ）１内を大気圧以下に減圧することが好ましい。また、真空ベーク装置（ＶＢ）１内に不活性ガスを供給しながらベーク処理を行うことが好ましい。ベーク処理が終了したら、ゲートバルブＧＶ１を開放し、可動ピン５を上昇させて、基板Ｓを可動ピン５から搬送装置１１のフォーク１３ａ（又はフォーク１３ｂ）に受け渡し、真空ベーク装置（ＶＢ）１から搬出する。
そして、基板Ｓは、前記とは逆の経路でロードロック装置（ＬＬ）２０へ搬入する。ベーク処理後の基板Ｓは、加熱された状態であるため、ロードロック装置（ＬＬ）２０内で冷却処理を行うことができる。冷却処理は、ロードロック装置（ＬＬ）２０の可動ピン２３を下降させてクーリングプレート２１との間隔を調整し、所定時間保持する。冷却処理の間、基板Ｓの裏面に、クーリングプレート２１のガス吐出孔２１ｂからバッククーリングガスを供給することによって冷却効率を高め、基板Ｓの面内で均一な冷却処理が可能になる。冷却処理が終了したら、ロードロック装置（ＬＬ）２０の圧力を大気圧まで上昇させる。そして、ゲートバルブＧＶ３を開放するともに、可動ピン２３上の基板Ｓを再び受け渡し位置まで上昇させ、搬送装置３１を介して、基板Ｓを例えばバッファステージ４１Ｂに戻す。さらに、搬送装置２２１を用いてバッファステージ４１Ａへ基板Ｓを移載する。基板Ｓは、インクジェット印刷装置（ＩＪ）２００による次の有機材料膜の形成工程や、外部の他の工程を行うためにベーク処理システム１００Ａから搬出される。
以上の工程では、複数の基板Ｓを一括で搬送し、かつ同時に処理することも可能である。例えば、搬送装置２２１、搬送装置３１及び搬送装置１１で複数枚例えば２枚の基板Ｓを同時搬送するとともに、減圧乾燥装置（ＶＤ）２１０、ロードロック装置（ＬＬ）２０及び真空ベーク装置（ＶＢ）１を、例えば図３Ｃ、図４Ｃに示したようにバッチ方式としたり、多段に構成したりすることによって生産効率を向上させることができる。
本実施の形態における他の構成及び効果は、第１の実施の形態と同様である。
以上、本発明の実施の形態を例示の目的で詳細に説明したが、本発明は上記実施の形態に制約されることはなく、種々の変形が可能である。例えば、有機ＥＬ素子の製造工程は、図５に例示したものに限らず、例えばＥＬ層が、陽極側から、［正孔輸送層／発光層／電子輸送層］、［正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層］などの順に積層された構造を有している場合であっても、同様に本発明のベーク処理システム１００，１００Ａを適用できる。
また、図１、図６に示したベーク処理システム１００，１００Ａの構成やレイアウトは、あくまでも例示であり、真空ベーク装置（ＶＢ）１、減圧乾燥装置（ＶＤ）２１０等の配置や個数などは、適宜変更可能である。
１…真空ベーク装置（ＶＢ）、１０…搬送室（ＴＲ）、１１…搬送装置、２０…ロードロック装置（ＬＬ）、３１…搬送装置、４１…バッファステージ、５０…制御部、２００…インクジェット印刷装置（ＩＪ）、２０１…搬送装置

Claims (15)

  1. インクジェット印刷装置によって基板上に形成された有機材料膜に対し、大気圧以下の圧力で焼成を行うベーク装置と、
    前記ベーク装置に基板を搬送するための第１の搬送装置と、
    前記ベーク装置に隣接して設けられ、前記第１の搬送装置を収容する真空引き可能な搬送室と、
    前記搬送室に隣接して設けられ、大気圧状態と真空状態とを切り替え可能に構成されたロードロック装置と、
    前記インクジェット印刷装置と前記ロードロック装置との間の基板搬送経路に配備され、該基板搬送経路の少なくとも一部分において基板の受け渡しを行う第２の搬送装置と、
    を備えたベーク処理システム。
  2. 前記ベーク装置は、
    前記基板を加熱するホットプレートと、
    前記ホットプレートの表面に対して突没可能に設けられ、基板を加熱している間は前記ホットプレートの表面から基板を離間させた状態で支持する複数の可動ピンと、
    を有する請求項１に記載のベーク処理システム。
  3. 前記ホットプレートの表面と基板との間隔が、０．１ｍｍ以上１０ｍｍ以下の範囲内である請求項２に記載のベーク処理システム。
  4. 前記ベーク装置は排気装置に接続され、該ベーク装置内を１３３Ｐａ以上６６５００Ｐａ以下の圧力に調整して焼成を行う請求項２又は３に記載のベーク処理システム。
  5. 前記ベーク装置内に不活性ガスを導入して焼成を行う請求項４に記載のベーク処理システム。
  6. 前記ロードロック装置は、
    その内部に収容した基板を冷却するクーリングプレートと、
    前記クーリングプレートの表面に対して突没可能に設けられ、基板を冷却している間は前記クーリングプレートの表面から基板を離間させた状態で支持する複数の可動ピンと、
    を有する請求項１から５のいずれか１項に記載のベーク処理システム。
  7. 前記クーリングプレートの表面と基板との間隔が、０．１ｍｍ以上１０ｍｍ以下の範囲内である請求項６に記載のベーク処理システム。
  8. 前記ロードロック装置は排気装置に接続され、該ロードロック装置内を４００Ｐａ以上大気圧以下の圧力に調整して前記基板を冷却する請求項６又は７に記載のベーク処理システム。
  9. 前記ロードロック装置は、その内部に収容した基板上に形成された有機材料膜を減圧乾燥させる減圧乾燥装置としても機能する請求項１から８のいずれか１項に記載のベーク処理システム。
  10. インクジェット印刷装置によって基板上に形成された有機材料膜を乾燥させる減圧乾燥装置をさらに備えている請求項１から８のいずれか１項に記載のベーク処理システム。
  11. 前記ベーク装置は、同時に複数枚の基板を収容して処理する請求項１から１０のいずれか１項に記載のベーク処理システム。
  12. 前記ロードロック装置は、同時に複数枚の基板を収容する請求項１から１１のいずれか１項に記載のベーク処理システム。
  13. 前記第１の搬送装置は、前記ベーク装置と前記ロードロック装置との間で複数枚の基板を同時に搬送する請求項１１又は１２に記載のベーク処理システム。
  14. 前記ベーク装置が、前記搬送室に隣接して複数配備されている請求項１から１３のいずれか１項に記載のベーク処理システム。
  15. ３つの前記ベーク装置と、前記搬送室と、前記ロードロック装置と、により１つのユニットが構成されるとともに、前記第２の搬送装置は、複数のユニットに対して前記基板の搬送を行うものである請求項１４に記載のベーク処理システム。
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