TW201419467A - 烘烤處理系統 - Google Patents

烘烤處理系統 Download PDF

Info

Publication number
TW201419467A
TW201419467A TW102126466A TW102126466A TW201419467A TW 201419467 A TW201419467 A TW 201419467A TW 102126466 A TW102126466 A TW 102126466A TW 102126466 A TW102126466 A TW 102126466A TW 201419467 A TW201419467 A TW 201419467A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
baking
substrate
vacuum
processing system
treatment system
Prior art date
Application number
TW102126466A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI584426B (zh
Inventor
Masaki Narushima
Teruyuki Hayashi
Fumio Shimo
Kenjiro Koizumi
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Publication of TW201419467A publication Critical patent/TW201419467A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI584426B publication Critical patent/TWI584426B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67748—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber horizontal transfer of a single workpiece
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68742—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a lifting arrangement, e.g. lift pins
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/40—Thermal treatment, e.g. annealing in the presence of a solvent vapour

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

烘烤處理系統(100)係具備：真空烘烤裝置((VB)1)，藉由外部之噴墨印刷裝置((IJ)200)對形成於基板(S)上之有機材料膜，以大氣壓以下的壓力進行燒成；搬送裝置(11)，將基板(S)搬送至真空烘烤裝置((VB)1)；搬送室((TR)10)，可收容搬送裝置(11)而進行眞空拉製；承載裝置((LL)20)，構成可切換大氣壓狀態與真空狀態；搬送裝置(31)，被配備於噴墨印刷裝置((IJ)200)與承載裝置((LL)20)之間的基板搬送路經且收授基板(S)。

Description

烘烤處理系統
本發明係關於在例如有機EL元件之製造過程中，可利用烘烤處理系統烘烤有機材料膜。
有機EL(Electro Luminescence)元件係利用流過電流所產生之有機化合物之發光現象的發光元件，而成為複數個有機功能膜之層積體(以下將該層積體總稱為「EL層」)夾在一組電極間的構造。在此，EL層係例如具有由陽極側，依[電洞輸送層/發光層/電子輸送層]、[電洞注入層/電洞輸送層/發光層/電子輸送層]、或[電洞注入層/電洞輸送層/發光層/電子輸送層/電子注入層]等順序進行層積的構造。
EL層之形成，係在每各個層中，藉由將有機材料蒸鍍、塗佈於基板上。形成高精度之微細圖案的情況下，利用噴墨印刷法作為塗佈方法，被認為是有利的。
由噴墨印刷法所印刷於基板上之有機材料膜係含有大量的溶媒，因此為了去除該溶媒，乾燥工程係必需的。又，為了去除殘留於有機材料膜中之高沸點溶媒且 使其變化為構成EL層之有機功能膜，因此在低氧環境中，以例如約160~250℃的溫度來進行約1小時加熱之烘烤處理係必要的。
作為用於利用噴墨印刷法形成EL層的製造裝置，為了提高生產性而提出一製造裝置，該製造裝置係經由搬送手段，連續配置電洞注入層塗佈裝置、電洞注入層乾燥裝置、1個以上的發光層塗佈裝置及1個以上的發光層乾燥裝置(例如專利文獻1：日本特開2003-142260號公報)。
又，在利用噴墨印刷法形成EL層中，為達成節省空間之目的，亦提出一製造裝置，該製造裝置係將基板搬送裝置配備於可塗佈用於形成EL層之所有種類之噴墨的多頭型噴墨裝置與進行乾燥．烘烤的裝置之間(例如專利文獻2：日本特開2007-265715號公報)。
在上述專利文獻1、2中所揭示之製造裝置中，於烘烤處理導入N2氣體並同時加熱基板上之有機材料膜，以使裝置內成為低氧環境。其中，在烘烤處理中，大約需要1小時的時間，因此需要大量的N2氣體，而這也是使有機EL製造程序成本增加的一個原因。特別是近年來，由於基板大型化以至其一邊的長度超過2公尺，因此會產生烘烤裝置之內部容積增加，而N2氣體之消耗量會大量增加的問題。
本發明係在大型基板中，對由噴墨印刷法所印刷之有機材料膜進行烘烤處理的情況下，提供以低成本且有效率地進行處理之烘烤處理系統。
本發明之烘烤處理系統係具備：烘烤裝置，對藉由噴墨印刷裝置，形成於基板上之有機材料膜，以大氣壓以下的壓力進行燒成；第1搬送裝置，用於將基板搬送至前述烘烤裝置；搬送室，設置為鄰接於前述烘烤裝置，可收容前述第1搬送裝置進行眞空拉製；承載裝置，設置為鄰接於前述搬送室，構成可切換大氣壓狀態與真空狀態；第2搬送裝置，配備於前述噴墨印刷裝置與前述承載裝置之間的基板搬送路徑，於該基板搬送路徑的至少一部份收授基板。
在本發明之烘烤處理系統中，前述烘烤裝置係亦可具有：加熱板，用於加熱前述基板；複數個可動銷，可對前述加熱板之表面突陷而設置，在加熱基板期間係使基板由前述加熱板的表面形成間隔的狀態下予以支持。在該情況下，前述加熱板之表面與基板的間隔係0.1mm以上10mm以下的範圍內為較佳。
本發明之烘烤處理系統係前述烘烤裝置連接於排氣裝置，亦可為將該烘烤裝置內調整為133Pa以上66500Pa以下之壓力而進行燒成者。該情況下，將惰性氣 體導入至前述烘烤裝置內且進行燒成為較佳。
在本發明之烘烤處理系統中，前述承載裝置係亦可具有：冷卻板，對收容於其內部之基板進行冷卻；複數個可動銷，可對前述冷卻板之表面突陷而設置，在冷卻基板期間係使基板由前述冷卻板的表面形成間隔的狀態下予以支持。在該情況下，前述冷卻板之表面與基板的間隔係0.1mm以上10mm以下的範圍內為較佳。
本發明之烘烤處理系統係前述承載裝置連接於排氣裝置，亦可為將該承載裝置內調整為400Pa以上大氣壓以下之壓力而冷卻前述基板者。
在本發明之烘烤處理系統中，前述承載裝置係亦可作為減壓乾燥裝置的功能為較佳，該減壓乾燥裝置係對形成於收容在其內部之基板上的有機材料膜進行減壓乾燥。
本發明之烘烤處理系統係亦可進一步具備使藉由噴墨印刷裝置所形成於基板上之有機材料膜進行乾燥之減壓乾燥裝置。
在本發明之烘烤處理系統中，前述烘烤裝置係亦可為同時收容複數片基板且進行處理者。
在本發明之烘烤處理系統中，前述承載裝置係亦可為同時收容複數片基板者。
在本發明之烘烤處理系統中，前述第1搬送裝置係亦可為在前述烘烤裝置與前述承載裝置之間，同時 搬送複數片基板者。
本發明之烘烤處理系統係亦可配備複數個鄰接前述搬送室之前述烘烤裝置。在該情況下，由3個前述烘烤裝置、前述搬送室、前述承載裝置構成1個單元，且前述第2搬送裝置係亦可為對複數個單元搬送前述基板者。
根據本發明之烘烤處理系統，在有機EL元件之製造程序中，能夠抑制N2氣體之消耗量的同時，連續而高生產率地進行用於形成EL層之乾燥處理與其後的烘烤處理。因此，能夠根據本發明提高有機EL元件之製造程序的生產性。
100‧‧‧烘烤處理系統
200‧‧‧噴墨印刷裝置(IJ)
S‧‧‧基板
1‧‧‧真空烘烤裝置(VB)
11‧‧‧搬送裝置
10‧‧‧搬送室(TR)
20‧‧‧承載裝置(LL)
GV1‧‧‧閘閥裝置
3‧‧‧加熱板
3a‧‧‧插通孔
5‧‧‧可動銷
13a‧‧‧夾盤
15‧‧‧支撐部
21‧‧‧冷卻板
101A‧‧‧單元
37‧‧‧導引軌
41‧‧‧緩衝平台
43‧‧‧支撐壁
50‧‧‧控制部
51‧‧‧控制器
GV2‧‧‧閘閥裝置
31‧‧‧搬送裝置
13b‧‧‧夾盤
21a‧‧‧插通孔
23‧‧‧可動銷
52‧‧‧使用者介面部
53‧‧‧記憶部
1b‧‧‧側壁
1a‧‧‧底壁
1c‧‧‧頂壁
GV3‧‧‧閘閥裝置
2a‧‧‧氣體導入部
2b‧‧‧排氣部
61‧‧‧惰性氣體源
63‧‧‧排氣裝置
2c‧‧‧開口部
101B‧‧‧單元
21d‧‧‧氣體滯留部
76‧‧‧背冷式氣體用之氣體源
67‧‧‧升降構件
69‧‧‧升降驅動部
68‧‧‧伸縮管
65‧‧‧電源
71‧‧‧惰性氣體源
20d‧‧‧氣體導入部
20e‧‧‧排氣部
73‧‧‧排氣裝置
41A‧‧‧緩衝平台
75‧‧‧冷媒源
21c‧‧‧冷媒流路
20a‧‧‧底壁
20b‧‧‧側壁
20c‧‧‧頂壁
101C‧‧‧單元
2g‧‧‧開口部
21b‧‧‧氣體吐出孔
77‧‧‧升降構件
79‧‧‧升降驅動部
20A‧‧‧承載裝置(LL)
201‧‧‧搬送裝置
33a‧‧‧夾盤
100A‧‧‧烘烤處理系統
210‧‧‧減壓乾燥裝置(VD)
225‧‧‧支撐部
227‧‧‧導引軌
2f‧‧‧開口部
33b‧‧‧夾盤
221‧‧‧搬送裝置
41B‧‧‧緩衝平台
101D‧‧‧單元
35‧‧‧支撐部
[圖1]表示關於本發明之第1實施形態之烘烤處理系統之概略的平面圖。
[圖2]表示圖1之主要部的水平剖面圖。
[圖3A]用於說明真空烘烤裝置的剖面圖。
[圖3B]用於說明真空烘烤裝置之其他狀態的剖面圖。
[圖3C]用於說明真空烘烤裝置之變形例的剖面圖。
[圖4A]用於說明承載裝置的剖面圖。
[圖4B]用於說明承載裝置之其他狀態的剖面圖。
[圖4C]用於說明承載裝置之變形例的剖面圖。
[圖5]表示有機EL元件之製造工程之概略的流程圖。
[圖6]表示本發明之第2實施形態之烘烤處理系統之概略的平面圖。
[實施形態]
以下，參閱圖面來說明本發明之實施形態。
[第1實施形態]
圖1係概略地表示關於第1實施形態之烘烤處理系統100的平面圖，圖2係圖1之主要部(1單元)之水平剖面圖。烘烤處理系統100係在有機EL顯示器之製造過程中，最好能夠用於藉由外部之噴墨印刷裝置(IJ)200所噴墨印刷之有機材料膜的烘烤處理。烘烤處理系統100係具備：真空烘烤裝置(VB)1，對藉由外部之噴墨印刷裝置(IJ)200形成於基板S上之有機材料膜，以大氣壓以下的壓力進行燒成；搬送裝置11(參閱圖2)，作為用於將基板S搬送至真空烘烤裝置(VB)1之第1搬送裝置；搬送室(TR)10，設置為鄰接於真空烘烤裝置1，可收容搬送裝置11而進行眞空拉製。烘烤處理系統100係更具備：承載裝置(LL)20，設置為鄰接於搬送室(TR)10，構成可切換大氣壓狀態與真空狀態；搬送裝置31，被配備於噴墨印刷裝置(IJ)200與承載裝置(LL)20之間的基板搬送路徑，作為在該基板搬送路徑之至少一部份收授基板S之第2搬送裝置。
<1單元之構成>
在烘烤處理系統100中，於平面視圖十字形處連結有複數個大型裝置且形成1個單元，匯集複數個該單元且構成烘烤處理系統100。圖1所示之烘烤處理系統100係包含4個單元101A，101B，101C，101D。1個單元係設為具有3個真空烘烤裝置(VB)1、1個搬送室(TR)10、1個承載裝置(LL)20之多腔室構造。在各單元之中央部配置有搬送室(TR)10，並配設有鄰接其三方的側面且對基板S進行烘烤(燒成)處理之3個真空烘烤裝置(VB)1。又，鄰接於搬送室(TR)10之剩餘一方的側面配設有承載裝置(LL)20。
3個真空烘烤裝置(VB)1、搬送室(TR)10及承載裝置(LL)20係構成為能夠將其任一內部空間維持在預定之減壓環境(真空狀態)。
在搬送室(TR)10與各真空烘烤裝置(VB)1之間，各自配設有具有開關功能之閘閥裝置GV1。又，在搬送室(TR)10與承載裝置(LL)20之間，配設有閘閥裝置GV2。閘閥裝置GV1，GV2係在關閉狀態下氣密地密封各裝置，並可在開啟狀態下使裝置間連通且移送基板S。又，在承載裝置(LL)20與大氣環境之搬送裝置31之間，亦配備有閘閥裝置GV3，在關閉狀態下氣密地密封承載裝置(LL)20，且可在開啟狀態下，於承載裝置(LL)20內與大氣環境之搬送裝置31之間移送基板S。
<真空烘烤裝置>
3個真空烘烤裝置(VB)1皆為相同構成。如圖2所示，各真空烘烤裝置(VB)1係具有用於加熱基板S之加熱板3。在加熱板3中形成有複數個插通孔3a，於該插通孔3a與基板S的背面抵接，且插入支撐此之可動銷5。關於真空烘烤裝置(VB)1之詳細構造如後述。
<搬送裝置及第1搬送裝置>
在搬送室(TR)10中配備有作為第1搬送裝置之搬送裝置11。該搬送裝置11係具備例如：夾盤13a及夾盤13b，設置於上下2段；支撐部15，進出、退避及可旋轉地支撐該些夾盤13a，13b；驅動機構(省略圖示)，驅動該支撐部15。搬送裝置11係藉由支撐部15的旋轉及夾盤13a，13b的進出與退避，而可在3個真空烘烤裝置(VB)1與承載裝置(LL)20之間搬送基板S。夾盤13a，13b係構成為各自獨立且能夠搬送基板S。
<承載裝置>
承載裝置(LL)20係如圖2所示，具有用於加熱基板S之冷卻板21。在冷卻板21中形成有複數個插通孔21a，於該插通孔21a與基板S的背面抵接，且插入支撐此之可動銷23。又，在冷卻板21的上面設置有複數個氣體吐出孔21b。關於承載裝置(LL)20之詳細構造如後述。
<第2搬送裝置>
如圖1所示，於單元101A，101B與單元101C，101D之間，設置有用於對各承載裝置(LL)20搬送基板S之搬送裝置31。該搬送裝置31係例如具備：夾盤33a及夾盤33b，設置於上下2段；支撐部35，進出、退避及可旋轉地支撐該些夾盤33a，33b；驅動機構(省略圖示)，驅動該支撐部35；導引軌37。支撐部35係沿著導引軌37移動，可在4個單元101A，101B，101C，101D之間及緩衝平台41之間搬送基板S。
<緩衝平台>
圖1之烘烤處理系統100係在對搬送裝置31可收授基板S之位置上具備緩衝平台41。緩衝平台41係指在烘烤處理系統100與外部裝置例如噴墨印刷裝置200之間，收授基板S時的臨時放置處。在緩衝平台41中，架設有隔一間隔之多段保持複數個基板S的一組支撐壁43。一組支撐壁43係構成為可於該些空隙，插入搬送裝置31之梳齒狀的夾盤33a，33b。
<控制部>
如圖1及圖2所示，烘烤處理系統100之各構成部係連接於控制部50而進行控制之構成。控制部50係具備：控制器51，具備CPU；使用者介面部52；記憶部53。控制器51係具有電腦功能，於烘烤處理系統100總括例如 真空烘烤裝置(VB)1、承載裝置(LL)20、搬送裝置11、搬送裝置31等之各構成部進行控制。使用者介面部52係工程管理者為了管理烘烤處理系統100，因此由進行指令之輸入操作等的鍵盤或對烘烤處理系統100之運轉狀況進行可視化而顯示的顯示器等所構成。在記憶部53中，保存有控制程式(軟體)或記錄處理條件資料等之處理程式，該控制程式係用於透過控制器51的控制來實現在烘烤處理系統100所執行之各種處理。使用者介面部52及記憶部53係與控制器51連接。
且，因應所需，藉由來自使用者介面部52之指示等，由記憶部53呼叫任意的處理程式並於控制器51執行，藉此，在控制器51的控制下，進行烘烤處理系統100中所期望之處理。前述控制程式或處理條件資料等之處理程式係能夠利用儲存於電腦可讀取記憶媒體，例如CD-ROM、硬碟、軟碟片、快閃記憶體等之狀態者。或者，亦可由其他裝置例如經由專用回線來隨時傳送，透過線上加以傳送。
<真空烘烤裝置(VB)之構成與作用>
接下來，參閱圖3A、圖3B及圖3C，詳細說明真空烘烤裝置(VB)1之構成與作用。圖3A、圖3B係用於說明枚葉式之真空烘烤裝置的剖面圖。圖3A係表示使可動銷5上升且在與搬送裝置11之夾盤13a(或夾盤13b)之間收授基板S之狀態。圖3B係表示由圖3A之狀態使可動銷5 下降且藉由加熱板3加熱基板S之狀態。
真空烘烤裝置(VB)1係由可進行眞空拉製之耐壓容器來構成，具備底壁1a、4個側壁1b及4個頂壁1c。在側壁1b中設置有導入惰性氣體之氣體導入部2a及排氣部2b。氣體導入部2a係連接惰性氣體源61，例如構成為能夠將N2、Ar等惰性氣體導入至真空烘烤裝置(VB)1內。排氣部2b係連接排氣裝置63，亦可構成為藉由驅動該排氣裝置63使真空烘烤裝置(VB)1內進行減壓排氣至數Pa的壓力為止。又，在側壁1b中設有用於將基板S搬入．搬出裝置內之開口部2c。
如上述，在真空烘烤裝置(VB)1的內部配備有加熱板3。加熱板3係由未圖示之支柱來進行支撐，固定於底壁1a。省略細部，加熱板3係例如為電阻熱處理之加熱器、或冷卻器之熱處理，藉由開啟(ON)電源65進行加熱至預定的溫度。
在加熱板3中形成有複數個插通孔3a，於該插通孔3a插入有支撐基板S之可動銷5。各可動銷5係固定於1個升降構件67。升降構件67係例如可藉由具備滾珠螺桿機構等之升降驅動部69來進行上下移位並支撐。在升降構件67與底壁1a之間，配備有包圍各可動銷5之例如伸縮管68，以保持插通孔3a周圍的氣密性。藉由驅動升降驅動部69並使升降構件67及複數個可動銷5上下升降移位，能夠在圖3A所示之收授位置與圖3B所示之加熱位置之間調整基板S的高度位置。此外，使基板 S升降移位之機構並不限於圖示者。
已知烘烤條件或烘烤環境係會對EL層之特性產生影響。例如烘烤時，若基板S之面內產生不均勻的溫度，則在基板S之面內中有機EL元件的特性上會產生誤差。又，在烘烤時，會由基板S上之有機材料膜大量揮發出溶媒、水份等。因此，若不迅速由真空烘烤裝置(VB)1內除去該些揮發成份，則恐怕會產生烘烤後之有機功能膜被氧化等的負面影響。特別是為了提升生產效率，對複數個基板S同時進行烘烤處理的情況下，為了不受到由其他基板S所揮發之成份的影響，因此迅速地對真空烘烤裝置VB)1內進行排氣為較佳。當該些烘烤條件或烘烤環境的管理不足，作為有機EL顯示器進行使用時，會引起顯示不均勻等的故障原因。
真空烘烤裝置(VB)1係如圖3B所示，在讓基板S下降的加熱位置，開啟(ON)電源65且對基板S進行加熱板3之加熱烘烤。此時，藉由驅動排氣裝置63使真空烘烤裝置(VB)1內減壓排氣至大氣壓以下，最好是減壓至133Pa(1Torr)以上66500Pa(500Torr)以下之範圍內的壓力。如此，能夠藉由將真空烘烤裝置(VB)1內設為真空狀態且進行烘烤處理，快速地將來自有機材料膜之揮發成份排出至裝置外，且即使不使用大量的惰性氣體亦可防止印刷於基板S表面之有機材料膜的氧化。
又，烘烤期間，基板S係不與加熱板3表面接觸，在藉由可動銷5進行支撐的狀態下，由加熱板3的 表面內形成例如0.1mm以上10mm以下的範圍的間隔為較佳。在烘烤處理中，作為加熱基板S的方式一般為熱風循環方式、加熱板方式、遠紅外線方式等。其中，由能夠有效率且均勻地加熱基板S的觀點來看，加熱板為較佳。但是，隨著基板S的大型化，因加熱所產生之基板S的彎曲亦會變大，因此，在一般加熱板的加熱中，維持基板S之面內的均勻性係困難的。在此，於本實施形態中，烘烤處理期間，不使基板S直接載置於加熱板3的表面而使形成間隔。藉此，即使對基板S進行加熱而產生彎曲，亦能夠在基板S之面內實現均勻的加熱處理。
又，在本實施形態中，烘烤的期間，亦可由惰性氣體源61例如將N2、Ar、He等惰性氣體導入至真空烘烤裝置(VB)1內。能夠藉由導入惰性氣體，提高真空條件中基板S的加熱效率。
圖3C係表示變形例之真空烘烤裝置(VB)1A的概略剖面。圖3C所示之真空烘烤裝置(VB)1A為批次方法，能夠同時收容2片基板S且進行烘烤處理。在圖3C中，與圖3A、圖3B相同的構成係標示相同符號，省略可動銷5之升降機構或加熱板3之電源的圖示。如圖3C所示，能夠藉由多段地配置複數基板S且一同進行烘烤處理，來提高烘烤處理系統100中的生產性，亦能夠節省裝置的設置空間。此外，同時進行烘烤處理之基板S的片數係不限於2片，亦可為3片以上。
又，例如亦可上下且多段地重疊配置圖3A、 圖3B所示之枚葉式的真空烘烤裝置(VB)1來取代批次方法。
<承載裝置(LL)之構成與作用>
接下來，參閱圖4A、圖4B及圖4C，詳細說明承載裝置(LL)20的構成與作用。圖4A、圖4B係用於說明枚葉式之承載裝置的剖面圖。本實施形態之承載裝置(LL)20係除了作為真空承載裝置的功能外，亦具備冷卻處理基板S的功能，更具有對形成於基板S之有機材料膜進行減壓乾燥處理的功能。圖4A係表示使可動銷23上升且在與夾盤13a(或夾盤13b)之間收授基板S之狀態。圖4B係表示由圖4A的狀態使可動銷23下降且藉由冷卻板21冷卻基板S之狀態或使基板S上之有機材料膜進行減壓乾燥的狀態。
承載裝置(LL)20係由可進行眞空拉製之耐壓容器而構成，具備底壁20a、4個側壁20b及頂壁20c。在頂壁20c中設置有導入惰性氣體之氣體導入部20d。在側壁20b中設置有排氣部20e。此外，排氣部亦可設置於底壁20a。氣體導入部20d係連接惰性氣體源71，例如構成為能夠將N2、Ar、He等惰性氣體導入承載裝置(LL)20內。又，排氣部20e係連接排氣裝置73，能夠藉由驅動該排氣裝置73構成為將承載裝置(LL)20內減壓排氣至約數十Pa或0.1Pa的壓力。又，在彼此相對之側壁20b中，設置有開口部2f、2g，該開口部2f、2g係用於在裝 置內搬入．搬出基板S。
如上述，在承載裝置(LL)20的內部配備有冷卻板21。冷卻板21係固定於底壁20a。冷卻板21係於內部具有冷媒流路21c。由冷媒源75供給任意的冷媒至該冷媒流路21c，藉由使其循環而構成為能夠冷卻冷卻板21全體。又，冷卻板21係具有使背冷式用之氣體滯留於內部之氣體滯留部21d。該氣體滯留部21d係與形成於冷卻板21之上面之複數個氣體吐出孔21b連通。又，氣體滯留部21d係與背冷式氣體用之氣體源76連接。
又，在冷卻板21中形成有複數個插通孔21a，於該插通孔21a插入支撐基板S之可動銷23。各可動銷23係固定於1個升降構件77。升降構件77係例如可藉由具備滾珠螺桿機構等之升降驅動部79來進行上下移位並支撐。在升降構件77與底壁20a之間，配備有包圍各可動銷23之例如伸縮管78，以保持插通孔21a周圍的氣密性。藉由驅動升降驅動部79，使升降構件77及複數個可動銷23上下升降移位，能夠在圖4A所示之收授位置與圖4B所示之下降位置之間調整基板S的高度位置。此外，使基板S升降移位之機構並不限於圖示者。
在圖4B所示之下降位置中，由冷媒源75供給冷媒，對基板S進行冷卻板21之冷卻。此時，藉由驅動排氣裝置73，使承載裝置(LL)20內減壓排氣至大氣壓以下，最好是減壓至400Pa(3Torr)以上大氣壓以下之範圍內的壓力。如此，能夠藉由將承載裝置(LL)20內設為真空 狀態且進行冷卻，來防止印刷於基板S表面之有機材料膜的氧化。
又，冷卻期間，基板S係不與冷卻板21表面接觸，在藉由可動銷23進行支撐的狀態下，由冷卻板21的表面形成例如0.1mm以上10mm以下之範圍內的間隔為較佳。該狀態下，在由冷卻板21之表面所形成間隔之基板S的背面側，由複數個氣體吐出孔21b供給例如He等的背冷式氣體為最佳。如此，在本實施形態之承載裝置(LL)20中，冷卻處理期間，不讓基板S直接載置於冷卻板21的表面，可藉由供給背冷式氣體進行冷卻。因此，提高基板S之冷卻效率，而可在基板S之面內均勻且快速的進行冷卻。
如上述，在本實施形態中，亦能夠將承載裝置(LL)20用於有機材料膜之乾燥處理。以承載裝置(LL)20進行乾燥處理的情況，藉由可動銷23支撐基板S的狀態下，由冷卻板21的表面形成例如0.1mm以上10mm以下的範圍內的間隔且予以保持。且，由惰性氣體源71向承載裝置(LL)20供給預定量的惰性氣體，並同時藉由驅動排氣裝置73使承載裝置(LL)20內減壓排氣至預定真空度例如減壓至0.1Pa以下的壓力。因此，在除去基板S上之有機材料膜中的溶媒之減壓乾燥處理中，能夠利用承載裝置(LL)20。
如上述，在本實施形態之烘烤處理系統100中，除了具有作為對承載裝置(LL)20進行切換大氣壓狀態 與真空狀態之預抽腔(Load-lock chamber)的功能，更能夠使其作為真空冷卻裝置、減壓乾燥裝置的功能。因此，能夠提高連續進行切換大氣壓狀態與真空狀態、冷卻處理及乾燥處理時的生產率，並同時簡化系統之裝置構成，亦可節省裝置的設置空間。
另一方面，圖4C係表示變形例之承載裝置(LL)20A的概略剖面。圖4C所示之承載裝置(LL)20A為批次方法，能夠同時收容2片基板S且進行冷卻處理或減壓乾燥處理。在圖4C中，與圖4A、圖4B相同之構成係標示相同的符號，省略可動銷23之升降機構或冷媒源、背冷式氣體的導入機構等圖示。如圖4C所示，多段地配置且一同收容複數個基板S，切換大氣壓狀態與真空狀態，更能夠藉由進行冷卻處理或減壓乾燥處理，提高烘烤處理系統100中的生產性，亦能夠大幅節省裝置之設置空間。此外，同時進行烘烤處理之基板S的片數係不限於2片，亦可為3片以上。
又，亦可上下且多段地重疊配置例如圖4A、圖4B所示之枚葉式之承載裝置(LL)20來取代批次方法。
接下來，說明如上述所構成之烘烤處理系統100的動作。首先，作為第一步驟，以外部的噴墨印刷裝置(IJ)200，於基板S上以預定圖案印刷有機材料膜。印刷有有機材料膜之基板S係由附屬於外部之噴墨印刷裝置(IJ)200之搬送裝置201來進行搬出，且載置於緩衝平台41之支撐壁43上。進退驅動搬送裝置31之夾盤33a(或 夾盤33b)並接收該緩衝平台41上的基板S。接下來，在開放大氣側之閘閥GV3的狀態下，將基板S由搬送裝置31收授至承載裝置(LL)20的可動銷23。
使夾盤33a(或夾盤33b)退避後，使可動銷23上的基板S下降，並同時關閉閘閥GV3。然後，對承載裝置(LL)20內進行排氣，將內部減壓至預定真空度。此時，能夠藉由對承載裝置(LL)20內進行排氣的同時調節壓力，來實施除去包含於有機材料膜中之溶媒的乾燥處理。該乾燥處理工程中，亦可將惰性氣體導入至承載裝置(LL)20。
接下來，使可動銷23上之基板S上升至收授位置為止，並同時開放搬送室(TR)10與承載裝置(LL)20之間的閘閥GV2。且，藉由搬送裝置11之夾盤13a(或夾盤13b)接收收容於承載裝置(LL)20之基板S。
接下來，藉由搬送裝置11之夾盤13a(或夾盤13b)，在開放閘閥GV1的狀態下，將基板S搬入3個真空烘烤裝置(VB)1的任一個，收授至使上升到收授位置為止的可動銷5。接下來，關閉閘閥GV1使可動銷5下降，並調節與加熱板3表面的間隔，在真空烘烤裝置(VB)1內以預定條件對基板S執行烘烤處理。用於使有機材料膜變化為使用於有機EL之有機功能膜的烘烤溫度係例如250℃以上300℃以下的範圍內為較佳，而烘烤時間係例如約1小時為較佳。烘烤處理期間，將真空烘烤裝置(VB)1內減壓至大氣壓以下為較佳。又，將惰性氣體供給至真空烘烤裝置(VB)1內並同時進行烘烤處理為較佳。若結束烘 烤處理後，開放閘閥GV1，使可動銷5上升且將基板S由可動銷5收授至搬送裝置11之夾盤13a(或夾盤13b)，由真空烘烤裝置(VB)1進行搬出。
且，以與前述相反之路徑，將基板S搬入承載裝置(LL)20。由於烘烤處理後的基板S為被加熱的狀態下，因此能夠在承載裝置(LL)20內進行冷卻處理。冷卻處理係使承載裝置(LL)20之可動銷23下降且調整與冷卻板21之間隔並保持預定時間。冷卻處理期間，於基板S的背面，透過由冷卻板21之氣體吐出孔21b供給背冷式氣體，提高冷卻效率，可在基板S面內進行均勻的冷卻處理。結束冷卻後，使承載裝置(LL)20內的壓力上升至大氣壓。且，開放閘閥GV3並再次使可動銷23上之基板S上升至收授位置，經由搬送裝置31，將基板S返回例如緩衝平台41。為了進行噴墨印刷裝置(IJ)200之下個有機材料膜的形成工程或外部之其他工程，因此將基板S由烘烤處理系統100搬出。
在上述之工程中，可一同搬送複數個基板S且同時進行處理。例如，以搬送裝置31及搬送裝置11同時搬送複數枚例如2片基板S，並同時藉由將承載裝置(LL)20及真空烘烤裝置(VB)1設為例如如圖3C、圖4C所示之批次方法或多段地進行構成，來提高生產效率。
[有機EL元件之製造程序的適用例]
有機EL元件之製造係在陽極與陰極之間，形成複數 個有機功能膜作為EL層。本實施形態之烘烤處理系統100係亦可適用於任何層積構造之有機EL元件的製造。在此，作為EL層，以製造具有[電洞注入層/電洞輸送層/發光層/電子輸送層/電子注入層]之有機EL元件的情況作為例子，來說明烘烤處理系統100中具體的處理步驟。
在圖5表示有機EL元件之製造工程的概略。在本例中，有機EL元件係藉由STEP1~STEP8的工程來製造。在STEP1中，於基板S上例如藉由蒸鍍法等以預定圖案形成陽極(畫素電極)。接下來，在STEP2中，於陽極之間形成絕緣物之隔板(間隔壁)。能夠使用例如感光性聚醯亞胺樹脂等之高分子材料作為用於形成隔板的絕緣材料。
接下來，在STEP3中，於由STEP1所形成之陽極上形成電洞注入層。首先，使用噴墨印刷裝置(IJ)200，於由各隔板所區隔之陽極上印刷成為電洞注入層之材料的有機材料。接下來，對該所印刷之有機材料膜，使用烘烤處理系統100，依序進行用於除去溶媒之減壓乾燥處理及大氣中的烘烤處理，藉此形成電洞注入層。
接下來，在STEP4中，於由STEP3所形成之電洞注入層上形成電洞輸送層。首先，使用噴墨印刷裝置(IJ)200，於電洞注入層上印刷成為電洞輸送層之材料的有機材料。對該所印刷之有機材料膜，以烘烤處理系統100，依序進行用於除去溶媒之減壓乾燥處理及真空烘烤處理，藉此形成電洞輸送層。
接下來，在STEP5中，於由STEP4所形成之電洞輸送層上形成發光層。首先，使用噴墨印刷裝置(IJ)200，於電洞輸送層上印刷成為發光層之材料的有機材料。對該所印刷之有機材料膜，以烘烤處理系統100，依序進行用於除去溶媒之減壓乾燥處理及真空烘烤處理，藉此形成發光層。此外，當發光層係由複數層所構成的情況下，重覆上述處理。
接下來，於發光層上，例如透過蒸鍍法，依序形成電子輸送層(STEP6)、電子注入層(STEP7)及陰極(STEP8)，藉此得到有機EL元件。
在該有機EL元件之製造程序中，烘烤處理系統100係最好能夠適用於STEP3(電洞注入層形成)、STEP4(電洞輸送層形成)及STEP5(發光層形成)。即，使用噴墨印刷裝置(IJ)200，印刷作為各層之第一步驟的有機材料膜後，在承載裝置(LL)20進行減壓乾燥處理，接下來，於真空烘烤裝置(VB)1，STEP3(電洞注入層形成)係能夠透過大氣壓，而STEP4(電洞輸送層形成)及STEP5(發光層形成)係能夠透過真空條件，各別進行烘烤處理。
如上述，藉由使用烘烤處理系統100，能夠在有機EL元件之製造程序中，高生產率且高效率的連續進行用於形成EL層的減壓乾燥處理與烘烤處理。特別是在上述STEP4(電洞輸送層形成)、STEP5(發光層形成)中，為了避免有機材料的氧化，而必須進行低氧化環境中的烘烤處理，因此，使用烘烤處理系統100進行真空烘烤處理 為較佳。該情況下，在烘烤處理系統100中，於真空烘烤裝置(VB)1與承載裝置(LL)20，能夠維持真空環境而連續地執行真空烘烤處理與其第一步驟之減壓乾燥處理，進而提高生產效率。又，在烘烤處理系統100中，於承載裝置(LL)20，除了能夠切換真空/大氣壓之外，亦可進行減壓乾燥處理及冷卻處理，因此亦能夠節省裝置之設置空間。
[第2實施形態]
接下來，參閱圖6說明關於本發明之第2實施形態之烘烤處理系統。圖6係概略的表示關於第2實施形態之烘烤處理系統100A的平面圖。在第1實施形態之烘烤處理系統100中，構成為於承載裝置(LL)20內進行減壓乾燥處理。對此，在本實施形態之烘烤處理系統100A中，承載裝置(LL)20係另外設置進行減壓乾燥處理之專用的減壓乾燥裝置(VD)210。以下，以第1實施形態之烘烤處理系統100之不同點為中心來進行說明，於本實施形態之烘烤處理系統100A中，與第1實施形態相同之構成係標示相同符號，因此省略說明。
如圖6所示，烘烤處理系統100A係具備：真空烘烤裝置(VB)1，對藉由外部之噴墨印刷裝置(IJ)200形成於基板S上之有機材料膜，以大氣壓以下的壓力進行燒成；搬送裝置11(參閱圖2)，作為用於將基板S搬送至真空烘烤裝置(VB)1之第1搬送裝置；搬送室(TR)10，設置為鄰接於真空烘烤裝置1，可收容搬送裝置11而進行眞 空拉製；承載裝置(LL)20，設置為鄰接於搬送室(TR)10，構成可切換大氣壓狀態與真空狀態。又，烘烤處理系統100A係被配備於噴墨印刷裝置(IJ)200與承載裝置(LL)20之間的基板搬送路徑，具備：第2搬送裝置31，於該基板搬送路徑的至少一部份，收授基板S；複數個減壓乾燥裝置(VD)210，被設於噴墨印刷裝置(IJ)200與第2搬送裝置31之間。
<減壓乾燥裝置>
減壓乾燥裝置(VD)210為已知之構成，因此省略詳細說明，例如具備：可眞空拉製之處理容器；平台，在該處理容器內載置基板S；排氣裝置，對該處理容器內進行排氣；開口部，將基板S搬入．搬出該處理容器內；閘閥，對該開口部進行開關。在本實施形態中，2個減壓乾燥裝置(VD)210為1組，設置有合計4個減壓乾燥裝置(VD)210。
<搬送裝置>
如圖6所示，在減壓乾燥裝置(VD)210之間，對各減壓乾燥裝置(VD)210設置有用於搬送基板S之第3搬送裝置221。該搬送裝置221係例如具備：夾盤223a及夾盤223b，設為上下2段；支撐部225，進出、退避及可旋轉地支撐該些夾盤223a，223b；驅動機構(省略圖示)，驅動該支撐部225；導引軌227。支撐部225係沿著導引軌 227移動，可在4個減壓乾燥裝置(VD)210之間及與緩衝平台41A、41B之間搬送基板S。
<緩衝平台>
圖6之烘烤處理系統100A係對搬送裝置221，於可收授基板S之位置上具備2個緩衝平台41A、41B。一個緩衝平台41A係在烘烤處理系統100與外部之裝置例如噴墨印刷裝置200之間，收授基板S時的臨時放置處。另一個緩衝平台41B係在烘烤處理系統100內的搬送裝置221與搬送裝置31之間，收授基板S時的臨時放置處。緩衝平台41A、41B的構成係與第1實施形態相同。
接下來，說明如上述所構成之烘烤處理系統100A的動作。首先，作為第一步驟，以外部的噴墨印刷裝置(IJ)200，於基板S上以預定圖案印刷有機材料膜。印刷有有機材料膜之基板S係由附屬於外部之噴墨印刷裝置(IJ)200之搬送裝置201進行搬出，並載置於緩衝平台41A的支撐壁43上。進退驅動搬送裝置221之夾盤223a(或夾盤223b)且接收該緩衝平台41A上的基板S。接下來，在開放閘閥的狀態下，將基板S由搬送裝置221收授至減壓乾燥裝置(VD)210的平台(省略圖示)。
接下來，關閉減壓乾燥裝置(VD)210的閘閥，對減壓乾燥裝置(VD)210內進行排氣且將內部減壓至預定真空度，藉此能夠實施除去包含於有機材料膜中之溶媒的乾燥處理。此外，該乾燥處理工程中，亦可將惰性氣體導 入減壓乾燥裝置(VD)210。
結束乾燥處理後，開放減壓乾燥裝置(VD)210的閘閥，藉由搬送裝置221將基板S移載至緩衝平台41B的支撐壁43上。進退驅動搬送裝置31之夾盤33a(或夾盤33b)且接收該緩衝平台41B上的基板S。接下來，在開放大氣側之閘閥GV3的狀態下，將基板S由搬送裝置31收授至承載裝置(LL)20的可動銷23。
使夾盤33a(或夾盤33b)退避後，使可動銷23上的基板S下降，並同時關閉閘閥GV3。然後，對承載裝置(LL)20內進行排氣，將內部減壓至預定真空度。
接下來，使可動銷23上之基板S上升至收授位置為止，並同時開放搬送室(TR)10與承載裝置(LL)20之間的閘閥GV2。且，藉由搬送裝置11之夾盤13a(或夾盤13b)接收收容於承載裝置(LL)20之基板S。
接下來，藉由搬送裝置11之夾盤13a(或夾盤13b)，在開放閘閥GV1的狀態下，將基板S搬入3個真空烘烤裝置(VB)1的任一個，收授至使上升到收授位置為止的可動銷5。接下來，關閉閘閥GV1使可動銷5下降且調節與加熱板3表面之間隔，在真空烘烤裝置(VB)1內以預定條件對基板S執行烘烤處理。用於使有機材料膜變化為使用於有機EL之有機功能膜的烘烤溫度係例如250℃以上300℃以下的範圍內為較佳，而烘烤時間係例如約1小時為較佳。烘烤處理期間，將真空烘烤裝置(VB)1內減壓至大氣壓以下為較佳。又，將惰性氣體供給至真空烘烤 裝置(VB)1內並同時進行烘烤處理為較佳。若結束烘烤處理後，開放閘閥GV1，使可動銷5上升且將基板S由可動銷5收授至搬送裝置11之夾盤13a(或夾盤13b)，由真空烘烤裝置(VB)1進行搬出。
且，以與前述相反之路徑，基板S被搬入承載裝置(LL)20。由於烘烤處理後的基板S為被加熱過的狀態下，因此能夠在承載裝置(LL)20內進行冷卻處理。冷卻處理係使承載裝置(LL)20之可動銷23下降且調整與冷卻板21之間隔並保持預定時間。冷卻處理期間，於基板S的背面，透過由冷卻板21之氣體吐出孔21b供給背冷式氣體，提高冷卻效率，可在基板S面內進行均勻的冷卻處理。結束冷卻處理後，使承載裝置(LL)20的壓力上升至大氣壓。且，開放閘閥GV3並同時使可動銷23上之基板S再次上升至收授位置，經由搬送裝置31，將基板S返回例如緩衝平台41B。且，使用搬送裝置221，將基板S移載至緩衝平台41A。為了進行噴墨印刷裝置(IJ)200之下個有機材料膜的形成工程或外部之其他工程，因此將基板S由烘烤處理系統100A搬出。
在上述之工程中，可一同搬送複數個基板S且同時進行處理。例如，以搬送裝置221、搬送裝置31及搬送裝置11同時搬送複數枚例如2片基板S，並同時藉由將減壓乾燥裝置(VD)210、承載裝置(LL)20及真空烘烤裝置(VB)1設為例如如圖3C、圖4C所示之批次方法或多段地進行構成，來提高生產效率。
本實施形態中之其他構成及效果係與第1實施形態相同。
以上，透過舉例詳細說明本發明之實施形態，本發明並不限於上述實施形態，亦可進行各種變形。例如，有機EL元件之製造工程係不限於圖5所舉例者，例如EL層即使為具有由陽極側依照[電洞輸送層/發光層/電子輸送層]、[電洞注入層/電洞輸送層/発光層/電子輸送層]等順序層積之構造的情況下，相同地亦能夠適用本發明之烘烤處理系統100、100A。
又，如圖1、圖6所示之烘烤處理系統100、100A之構成或佈線始終只是例子，真空烘烤裝置(VB)1、減壓乾燥裝置(VD)210等之配置或個數等係可進行適當變更。
本國際申請係根據2012年7月25日所申請之日本專利申請號2012-164541來主張優先權，該申請之所有內容皆引用於此。
1‧‧‧真空烘烤裝置(VB)
10‧‧‧搬送室(TR)
20‧‧‧承載裝置(LL)
200‧‧‧噴墨印刷裝置(IJ)
31‧‧‧搬送裝置
33a‧‧‧夾盤
33b‧‧‧夾盤
35‧‧‧支撐部
37‧‧‧導引軌
41‧‧‧緩衝平台
43‧‧‧支撐壁
50‧‧‧控制部
100‧‧‧烘烤處理系統
101A‧‧‧單元
101B‧‧‧單元
101C‧‧‧單元
101D‧‧‧單元
201‧‧‧搬送裝置

Claims (15)

  1. 一種烘烤處理系統，其特徵係，具備：烘烤裝置，對藉由噴墨印刷裝置形成於基板上之有機材料膜，以大氣壓以下的壓力進行燒成；第1搬送裝置，用於將前述基板搬送至前述烘烤裝置；搬送室，設置為鄰接於前述烘烤裝置，可收容前述第1搬送裝置進行眞空拉製；承載裝置，設置為鄰接於前述搬送室，構成可切換大氣壓狀態與真空狀態；第2搬送裝置，配備於前述噴墨印刷裝置與前述承載裝置之間的基板搬送路經，於該基板搬送路經的至少一部份收授前述基板。
  2. 如請求項1之烘烤處理系統，其中，前述烘烤裝置係具有：加熱板，用於加熱前述基板；複數個可動銷，可對前述加熱板之表面突陷而設置，在加熱前述基板之期間係使前述基板由前述加熱板的表面形成間隔的狀態下予以支撐。
  3. 如請求項2之烘烤處理系統，其中，前述加熱板之表面與前述基板之間的間隔係0.1mm以上10mm以下的範圍內。
  4. 如請求項2之烘烤處理系統，其中，前述烘烤裝置係與排氣裝置連接，將該烘烤裝置內調 整為133Pa以上66500Pa以下的壓力。
  5. 如請求項4之烘烤處理系統，其中，將惰性氣體導入至前述烘烤裝置內且進行燒成。
  6. 如請求項1之烘烤處理系統，其中，前述承載裝置係具有：冷卻板，用於冷卻收容於其內部之前述基板；複數個可動銷，可對前述冷卻板之表面突陷而設置，在冷卻前述基板期間係使前述基板由前述冷卻板的表面形成間隔的狀態下予以支撐。
  7. 如請求項6之烘烤處理系統，其中，前述冷卻板之表面與前述基板之間的間隔係0.1mm以上10mm以下的範圍內。
  8. 如請求項6之烘烤處理系統，其中，前述承載裝置係與排氣裝置連接，將該承載裝置內調整為400Pa以上大氣壓以下的壓力並冷卻前述基板。
  9. 如請求項1之烘烤處理系統，其中，前述承載裝置係亦可作為減壓乾燥裝置之功能，而該減壓乾燥裝置係對收容於其內部之前述基板上所形成之前述有機材料膜進行減壓乾燥。
  10. 如請求項1之烘烤處理系統，其中，更具備：減壓乾燥裝置，藉由前述噴墨印刷裝置對前述基板上所形成之前述有機材料膜進行乾燥。
  11. 如請求項1之烘烤處理系統，其中，前述烘烤裝置係同時收容複數片前述基板且進行處 理。
  12. 如請求項11之烘烤處理系統，其中，前述承載裝置係同時收容複數片前述基板。
  13. 如請求項12之烘烤處理系統，其中，前述第1搬送裝置係在前述烘烤裝置與前述承載裝置之間，同時搬送複數片前述基板。
  14. 如請求項1之烘烤處理系統，其中，前述烘烤裝置係鄰接前述搬送室且配備有複數個。
  15. 如請求項14之烘烤處理系統，其中，藉由3個前述烘烤裝置、前述搬送室、前述承載裝置構成1個單元，且前述第2搬送裝置係對複數個前述單元搬送前述基板者。
TW102126466A 2012-07-25 2013-07-24 A baking treatment system, and an organic EL film of an organic EL element TWI584426B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012164541A JP6181358B2 (ja) 2012-07-25 2012-07-25 ベーク処理システム及び有機ｅｌ素子の有機機能膜の積層体の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201419467A true TW201419467A (zh) 2014-05-16
TWI584426B TWI584426B (zh) 2017-05-21

Family

ID=49997011

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW102126466A TWI584426B (zh) 2012-07-25 2013-07-24 A baking treatment system, and an organic EL film of an organic EL element

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JP6181358B2 (zh)
KR (1) KR101663005B1 (zh)
CN (2) CN104488358B (zh)
TW (1) TWI584426B (zh)
WO (1) WO2014017194A1 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI755659B (zh) * 2019-12-09 2022-02-21 天虹科技股份有限公司 降低氮化鋁的表面氧化物生成的方法與設備

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11975546B2 (en) 2008-06-13 2024-05-07 Kateeva, Inc. Gas enclosure assembly and system
US12018857B2 (en) 2008-06-13 2024-06-25 Kateeva, Inc. Gas enclosure assembly and system
US10434804B2 (en) 2008-06-13 2019-10-08 Kateeva, Inc. Low particle gas enclosure systems and methods
KR101878084B1 (ko) 2013-12-26 2018-07-12 카티바, 인크. 전자 장치의 열 처리를 위한 장치 및 기술
KR102458181B1 (ko) 2014-01-21 2022-10-21 카티바, 인크. 전자 장치 인캡슐레이션을 위한 기기 및 기술
JP6189781B2 (ja) * 2014-04-01 2017-08-30 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置、熱処理方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体及び基板処理システム
JP6189780B2 (ja) * 2014-04-01 2017-08-30 東京エレクトロン株式会社 基板処理システム
JPWO2015162892A1 (ja) * 2014-04-22 2017-04-13 株式会社Ｊｏｌｅｄ 有機ｅｌ表示パネルの製造方法および有機ｅｌ表示パネルの製造システム
EP3138123B1 (en) 2014-04-30 2021-06-02 Kateeva, Inc. Gas cushion apparatus and techniques for substrate coating
JP6639175B2 (ja) * 2015-09-29 2020-02-05 東京エレクトロン株式会社 乾燥装置及び乾燥処理方法
US10115900B2 (en) * 2015-11-16 2018-10-30 Kateeva, Inc. Systems and methods for thermal processing of a substrate
KR102525361B1 (ko) 2016-04-27 2023-04-25 삼성디스플레이 주식회사 감압 건조 장치 및 이를 이용한 막 제조 방법
JP6675931B2 (ja) * 2016-05-23 2020-04-08 東京エレクトロン株式会社 基板処理システム、基板処理方法及び正孔注入層形成装置
JP6918461B2 (ja) * 2016-09-23 2021-08-11 東京エレクトロン株式会社 減圧乾燥システム、および減圧乾燥方法
US10861731B2 (en) * 2017-01-19 2020-12-08 Axcelis Technologies, Inc. Radiant heating presoak
KR102041318B1 (ko) * 2017-10-17 2019-11-06 세메스 주식회사 기판 처리 방법 및 장치
US10720348B2 (en) * 2018-05-18 2020-07-21 Applied Materials, Inc. Dual load lock chamber
CN109166966A (zh) * 2018-08-10 2019-01-08 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示器件的制备方法及有机发光显示器件
CN111384310A (zh) * 2018-12-29 2020-07-07 广东聚华印刷显示技术有限公司 有机薄膜的成膜方法及其应用
JP6878557B2 (ja) * 2019-12-24 2021-05-26 東京エレクトロン株式会社 乾燥装置及び乾燥処理方法

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3779393B2 (ja) * 1996-09-06 2006-05-24 東京エレクトロン株式会社 処理システム
US5944857A (en) * 1997-05-08 1999-08-31 Tokyo Electron Limited Multiple single-wafer loadlock wafer processing apparatus and loading and unloading method therefor
KR100401959B1 (ko) * 2001-06-02 2003-10-17 주식회사 태평양 토코페롤 유도체를 사용하여 레시틴을 안정화하는 방법
US6737826B2 (en) * 2001-07-13 2004-05-18 Brooks Automation, Inc. Substrate transport apparatus with multiple independent end effectors
JP2003142260A (ja) 2001-10-31 2003-05-16 Seiko Epson Corp 有機ｅｌ素子の製造方法及び製造装置
JP2002334783A (ja) * 2002-03-14 2002-11-22 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造装置
US20040040504A1 (en) * 2002-08-01 2004-03-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing apparatus
JP3687666B2 (ja) * 2002-11-18 2005-08-24 セイコーエプソン株式会社 乾燥装置及びこれを備えるワーク処理装置
JP2004171862A (ja) * 2002-11-19 2004-06-17 Seiko Epson Corp 有機ｅｌ装置の製造装置、有機ｅｌ装置の製造方法、有機ｅｌ装置、並びに電子機器
JP4453251B2 (ja) * 2002-12-26 2010-04-21 セイコーエプソン株式会社 描画作業ライン
JP4493926B2 (ja) * 2003-04-25 2010-06-30 株式会社半導体エネルギー研究所 製造装置
KR20050040512A (ko) * 2003-10-29 2005-05-03 삼성전자주식회사 베이크 장치
JP4342327B2 (ja) * 2004-01-26 2009-10-14 住友化学株式会社 枚葉塗膜形成方法
KR100571841B1 (ko) * 2004-06-21 2006-04-17 삼성전자주식회사 베이크 시스템
KR20060007847A (ko) * 2004-07-22 2006-01-26 삼성전자주식회사 반도체 웨이퍼 베이크 장치
KR100666349B1 (ko) * 2005-03-04 2007-01-11 세메스 주식회사 증착 장치 및 상기 장치에서 마스크를 회수하는 방법.
JP4301219B2 (ja) * 2005-08-01 2009-07-22 セイコーエプソン株式会社 減圧乾燥方法、機能膜の製造方法および電気光学装置の製造方法、電気光学装置、液晶表示装置、有機ｅｌ表示装置、並びに電子機器
JP2007265715A (ja) 2006-03-28 2007-10-11 Hioki Ee Corp 有機ｅｌ素子製造装置
JP4987539B2 (ja) * 2007-03-29 2012-07-25 株式会社九州日昌 加熱装置
TW200930135A (en) * 2007-08-31 2009-07-01 Tokyo Electron Ltd Organic electronic device, organic electronic device manufacturing method, organic electronic device manufacturing apparatus, substrate processing system, protection film structure and storage medium with control program stored therein
JP4850811B2 (ja) * 2007-11-06 2012-01-11 東京エレクトロン株式会社 載置台、処理装置および処理システム
JP2009187681A (ja) * 2008-02-01 2009-08-20 Tokyo Electron Ltd 有機薄膜の形成方法及び有機デバイス
JP5108557B2 (ja) * 2008-02-27 2012-12-26 東京エレクトロン株式会社 ロードロック装置および基板冷却方法
JP5478280B2 (ja) * 2010-01-27 2014-04-23 東京エレクトロン株式会社 基板加熱装置および基板加熱方法、ならびに基板処理システム

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI755659B (zh) * 2019-12-09 2022-02-21 天虹科技股份有限公司 降低氮化鋁的表面氧化物生成的方法與設備

Also Published As

Publication number Publication date
WO2014017194A1 (ja) 2014-01-30
KR101663005B1 (ko) 2016-10-06
KR20150038252A (ko) 2015-04-08
JP6181358B2 (ja) 2017-08-16
CN104488358B (zh) 2016-08-17
CN104488358A (zh) 2015-04-01
JP2014026764A (ja) 2014-02-06
CN106206378B (zh) 2020-12-01
TWI584426B (zh) 2017-05-21
CN106206378A (zh) 2016-12-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI584426B (zh) A baking treatment system, and an organic EL film of an organic EL element
JP2014026764A5 (zh)
CN106972114B (zh) 干燥装置和干燥处理方法
TW201441568A (zh) 乾燥裝置及乾燥處理方法（一）
KR100718555B1 (ko) 잉크젯 프린팅과 저분자 유기증착 방법을 겸용하는 대면적 유기 박막 증착장치
JP5084236B2 (ja) デバイス製造装置およびデバイス製造方法
JP6476215B2 (ja) 減圧乾燥装置、減圧乾燥方法及びベーク処理システム
JP2011065967A (ja) 有機ｅｌ用加熱乾燥装置
JP5529220B2 (ja) デバイス製造方法
KR101110076B1 (ko) 기판 처리 시스템
JP2011064400A (ja) 減圧乾燥装置及び減圧乾燥方法
JP2003013215A (ja) スパッタリング装置
US10052657B2 (en) Vacuum drying apparatus and method of manufacturing film using the same
TWI461646B (zh) 減壓乾燥裝置及減壓乾燥方法
JP4447536B2 (ja) 基板の処理方法及び基板の処理装置
JP2010218812A (ja) 加熱乾燥装置、加熱乾燥方法、及び有機ｅｌ素子の製造方法
JP6878557B2 (ja) 乾燥装置及び乾燥処理方法
JP3782329B2 (ja) 熱的処理装置
KR101392491B1 (ko) 기판 처리 장치
KR101218972B1 (ko) 기판처리시스템
KR20200100483A (ko) 감압 건조 장치
JP2005045075A (ja) 基板処理方法