JP6189781B2 - 熱処理装置、熱処理方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体及び基板処理システム - Google Patents
熱処理装置、熱処理方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体及び基板処理システム Download PDFInfo
- Publication number
- JP6189781B2 JP6189781B2 JP2014075522A JP2014075522A JP6189781B2 JP 6189781 B2 JP6189781 B2 JP 6189781B2 JP 2014075522 A JP2014075522 A JP 2014075522A JP 2014075522 A JP2014075522 A JP 2014075522A JP 6189781 B2 JP6189781 B2 JP 6189781B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- atmosphere
- gas
- processing container
- substrate
- pipe
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims description 268
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 229
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 title claims description 46
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 37
- 238000003860 storage Methods 0.000 title claims description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 170
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 130
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 130
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 130
- 238000000746 purification Methods 0.000 claims description 89
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 76
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 50
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims description 34
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 21
- 230000008929 regeneration Effects 0.000 claims description 21
- 238000011069 regeneration method Methods 0.000 claims description 21
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 17
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims description 7
- 238000007670 refining Methods 0.000 claims description 6
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 5
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 92
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 92
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 63
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 56
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 22
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 18
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 18
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 17
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 13
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 11
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 9
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 8
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 8
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 7
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 6
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 6
- 238000001291 vacuum drying Methods 0.000 description 6
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 5
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 4
- 230000001172 regenerating effect Effects 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000004064 recycling Methods 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Description
先ず、有機発光ダイオードを製造する方法について説明する。図1は、有機発光ダイオードの製造方法の主な処理フローを示している。
次に、本実施の形態にかかる基板処理システム100について説明する。図4は、基板処理システム100の構成の概略を示す説明図である。なお、基板処理システム100で処理されるガラス基板G上には予め陽極10、隔壁20及び正孔注入層30が形成されており、当該基板処理システム100では正孔輸送層31が形成される。
次に、ロードロック装置125の下流側の装置、すなわち低酸素低露点雰囲気が要求される装置における雰囲気制御について説明する。かかる雰囲気制御を説明するにあたり、先ず、低酸素低露点雰囲気が要求される焼成装置132の構成について説明する。
10 陽極
30 正孔注入層
31 正孔輸送層
32 発光層
33 電子輸送層
34 電子注入層
40 陰極
100 基板処理システム
101 搬入出ステーション
102 処理ステーション
120 第1基板搬送装置
121 第2基板搬送装置
122 第3基板搬送装置
130 塗布装置
131 減圧乾燥装置
132 焼成装置
134 温度調節装置
140 制御部
200、300、310 処理容器
230 第1空気供給部
240 第1ガス供給部
250 第1排気部
260 第1ガス循環システム
261 冷却機
262 フィルタ
263、351 精製機
264、353、354、355、356、357 配管
267 精製筒
268、360 ガス供給部
271、362 排気部
280、281、370、371 酸素濃度計
282、372 露点温度計
290、380 ドア
320 第2空気供給部
330 第2ガス供給部
340 第2排気部
350 第2ガス循環システム
352 温度調節機
G ガラス基板
Claims (19)
- 有機発光ダイオードの有機層を基板上に塗布した後、当該基板を熱処理する熱処理装置であって、
基板を収容する処理容器と、
前記処理容器内に不活性ガスを供給するガス供給部と、
前記処理容器内を排気する排気部と、
前記処理容器内の雰囲気中の酸素と水分を除去する精製筒を有する精製機と、前記処理容器と前記精製機を接続する第1配管とを備え、当該精製機で精製された雰囲気を前記処理容器内に戻すガス循環システムと、
前記処理容器内と前記第1配管内の雰囲気を制御する制御部と、を有し、
前記第1配管には、前記ガス供給部が接続され、
前記第1配管は、前記精製機の内部において、前記精製筒が設けられる第2配管と、前記精製筒が設けられない第3配管に分岐し、
前記制御部は、
前記ガス供給部から前記処理容器内に不活性ガスを供給すると共に、前記排気部によって前記処理容器内を排気し、当該処理容器内の雰囲気を不活性ガスに置換して、大気よりも酸素濃度が低く、且つ大気よりも露点温度が低い雰囲気にする第1工程と、
前記ガス供給部からの不活性ガスの供給を停止し、前記ガス循環システムを用いて、前記精製機で精製された雰囲気を前記処理容器内に戻し、前記処理容器内の雰囲気を所定の酸素濃度且つ所定の露点温度に維持する第2工程と、
を行うように、前記ガス供給部、前記排気部及び前記ガス循環システムを制御し、
前記制御部は、前記第1工程において、前記ガス供給部から供給される不活性ガスによって、前記第1配管内及び前記第3配管内の雰囲気を不活性ガスに置換し、大気よりも酸素濃度が低く、且つ大気よりも露点温度が低い雰囲気に制御し、
前記制御部は、前記第1工程において、前記処理容器内の雰囲気が前記第2配管及び前記精製筒を通らないように制御することを特徴とする、熱処理装置。 - 前記精製機は、
複数の前記精製筒と、
前記精製筒に水素ガスを含む再生ガスを供給する他のガス供給部と、
前記精製筒内を排気する他の排気部と、を有し、
前記制御部は、前記第2工程において、一の精製筒で前記処理容器内の雰囲気を精製しつつ、他の精製筒に対して前記他のガス供給部から再生ガスを供給すると共に、前記他の排気部によって前記精製筒内を排気して、当該他の精製筒を再生するように、他のガス供給部と前記他の排気部を制御することを特徴とする、請求項1に記載の熱処理装置。 - 前記熱処理は、前記有機層を焼成する焼成処理であって、
前記ガス循環システムは、
前記精製機で精製される前の雰囲気を冷却する冷却機と、
前記冷却機で冷却された後であって前記精製機で精製される前の雰囲気中の異物を除去するフィルタと、をさらに有することを特徴とする、請求項1又は2に記載の熱処理装置。 - 前記熱処理は、基板の温度を調節する温度調節処理であって、
前記ガス循環システムは、前記処理容器内の雰囲気の温度を調節する温度調節機をさらに有することを特徴とする、請求項1又は2に記載の熱処理装置。 - 前記処理容器内の雰囲気の酸素濃度を計測する酸素濃度計と、
前記処理容器内の雰囲気の露点温度を計測する露点温度計と、をさらに有し、
前記制御部は、前記酸素濃度計の計測結果と前記露点温度計の計測結果に基づいて、前記処理容器内の雰囲気を制御することを特徴とする、請求項1〜4のいずれか一項に記載の熱処理装置。 - 前記処理容器の内部を外部に対して開閉するためのドアをさらに有し、
前記制御部は、前記酸素濃度計の計測結果に基づいて、前記ドアの開閉を制御することを特徴とする、請求項5に記載の熱処理装置。 - 有機発光ダイオードの有機層を基板上に塗布した後、当該基板を熱処理する熱処理方法であって、
ガス供給部から処理容器内に不活性ガスを供給すると共に、排気部によって前記処理容器内を排気し、当該処理容器内の雰囲気を不活性ガスに置換して、大気よりも酸素濃度が低く、且つ大気よりも露点温度が低い雰囲気にする第1工程と、
前記ガス供給部からの不活性ガスの供給を停止し、前記処理容器内の雰囲気中の酸素と水分を除去する精製機を備えたガス循環システムを用いて、当該精製機で精製された雰囲気を前記処理容器内に戻し、前記処理容器内の雰囲気を所定の酸素濃度且つ所定の露点温度に維持する第2工程と、を有し、
前記第2工程において前記処理容器内の雰囲気が所定の酸素濃度且つ所定の露点温度に維持された状態で、当該処理容器内において基板の熱処理が行われ、
前記精製機は、前記処理容器内の雰囲気中の酸素と水分を除去する精製筒を有し、
前記ガス循環システムは、前記処理容器と前記精製機を接続する第1配管をさらに有し、
前記第1配管には、前記ガス供給部が接続され、
前記第1配管は、前記精製機の内部において、前記精製筒が設けられる第2配管と、前記精製筒が設けられない第3配管に分岐し、
前記第1工程において、前記ガス供給部から供給される不活性ガスによって、前記第1配管内及び前記第3配管内の雰囲気を不活性ガスに置換し、大気よりも酸素濃度が低く、且つ大気よりも露点温度が低い雰囲気に制御し、
前記第1工程において、前記処理容器内の雰囲気は前記第2配管及び前記精製筒を通らないことを特徴とする、熱処理方法。 - 前記精製機は、複数の前記精製筒と、前記精製筒に水素ガスを含む再生ガスを供給する他のガス供給部と、前記精製筒内を排気する他の排気部と、を有し、
前記第2工程において、一の精製筒で前記処理容器内の雰囲気を精製しつつ、他の精製筒に対して前記他のガス供給部から再生ガスを供給すると共に、前記他の排気部によって前記精製筒内を排気して、当該他の精製筒を再生することを特徴とする、請求項7のいずれか一項に記載の熱処理方法。 - 前記熱処理は、前記有機層を焼成する焼成処理であって、
前記ガス循環システムでは、冷却機で前記処理容器内の雰囲気を冷却し、さらに冷却された雰囲気中の異物をフィルタで除去した後、前記精製機で雰囲気を精製することを特徴とする、請求項7又は8に記載の熱処理方法。 - 前記熱処理は、基板の温度を調節する温度調節処理であって、
前記ガス循環システムでは、温度調節機で前記処理容器内の雰囲気の温度を調節することを特徴とする、請求項7又は8に記載の熱処理方法。 - 前記第1工程と前記第2工程において、前記処理容器内の雰囲気の酸素濃度を計測する酸素濃度計の計測結果と、前記処理容器内の雰囲気の露点温度を計測する露点温度計の計測結果とに基づいて、前記処理容器内の雰囲気が制御されることを特徴とする、請求項7〜10のいずれか一項に記載の熱処理方法。
- 前記酸素濃度計の計測結果に基づいて、前記処理容器の内部を外部に対して開閉するためのドアの開閉が制御されることを特徴とする、請求項11に記載の熱処理方法。
- 請求項7〜12のいずれか一項に記載の熱処理方法を熱処理装置によって実行させるように、当該熱処理装置を制御する制御部のコンピュータ上で動作するプログラム。
- 請求項13に記載のプログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体。
- 有機発光ダイオードの有機層を基板上に形成する基板処理システムであって、
前記有機層を基板上に塗布し、さらに当該有機層を乾燥させた後、前記有機層を焼成する焼成装置と、
前記焼成装置で前記有機層を焼成後、基板の温度を調節する温度調節装置と、
前記焼成装置と前記温度調節装置に基板を搬送する基板搬送装置と、
前記焼成装置内の雰囲気を制御する制御部と、を有し、
前記焼成装置には、
前記焼成装置内に不活性ガスを供給する第1ガス供給部と、
前記焼成装置内を排気する第1排気部と、
前記焼成装置内の雰囲気中の酸素と水分を除去する精製筒を有する精製機をと、前記焼成装置と前記精製機を接続する第1配管と備え、当該精製機で精製された雰囲気を前記焼成装置内に戻す第1ガス循環システムと、が設けられて、
前記第1配管には、前記第1ガス供給部が接続され、
前記第1配管は、前記精製機の内部において、前記精製筒が設けられる第2配管と、前記精製筒が設けられない第3配管に分岐し、
前記制御部は、
前記第1ガス供給部から前記焼成装置内に不活性ガスを供給すると共に、前記第1排気部によって前記焼成装置内を排気し、当該焼成装置内の雰囲気を不活性ガスに置換して、大気よりも酸素濃度が低く、且つ大気よりも露点温度が低い雰囲気にする第1工程と、
前記第1ガス供給部からの不活性ガスの供給を停止し、前記第1ガス循環システムを用いて、前記精製機で精製された雰囲気を前記焼成装置内に戻し、前記焼成装置内の雰囲気を所定の酸素濃度且つ所定の露点温度に維持する第2工程と、
を行うように、前記第1ガス供給部、前記第1排気部及び前記第1ガス循環システムを制御し、
前記制御部は、前記第1工程において、前記第1ガス供給部から供給される不活性ガスによって、前記第1配管内及び前記第3配管内の雰囲気を不活性ガスに置換し、大気よりも酸素濃度が低く、且つ大気よりも露点温度が低い雰囲気に制御し、
前記制御部は、前記第1工程において、前記焼成装置内の雰囲気が前記第2配管及び前記精製筒を通らないように制御し、
前記温度調節装置と前記基板搬送装置には、
前記温度調節装置内と前記基板搬送装置内に不活性ガスを供給する第2ガス供給部と、
前記温度調節装置内と前記基板搬送装置内を排気する第2排気部と、
前記温度調節装置内と前記基板搬送装置内の雰囲気中の酸素と水分を除去する精製機を備え、当該精製機で精製された雰囲気を前記温度調節装置内と前記基板搬送装置内に戻す第2ガス循環システムと、が設けられて、
前記温度調節装置内の雰囲気と前記基板搬送装置内の雰囲気は共通し、大気よりも低い所定の酸素濃度、且つ大気よりも低い所定の露点温度の雰囲気に維持されることを特徴とする、基板処理システム。 - 前記焼成装置内の圧力は、前記温度調節装置内と前記基板搬送装置内の圧力より陰圧であることを特徴とする、請求項15に記載の基板処理システム。
- 前記焼成装置内の圧力の調節は、前記焼成装置内を排気して行われることを特徴とする、請求項16に記載の基板処理システム。
- 前記焼成装置内の圧力の調節は、前記第1ガス循環システムを流れる雰囲気を、前記温度調節装置内と前記基板搬送装置内に供給して行われることを特徴とする、請求項16に記載の基板処理システム。
- 前記制御部は、
前記第2ガス供給部から前記温度調節装置内と前記基板搬送装置内に不活性ガスを供給すると共に、前記第2排気部によって前記温度調節装置内と前記基板搬送装置内を排気し、当該温度調節装置内と基板搬送装置内の雰囲気を不活性ガスに置換して、大気よりも酸素濃度が低く、且つ大気よりも露点温度が低い雰囲気にする第3工程と、
前記第2ガス供給部からの不活性ガスの供給を停止し、前記第2ガス循環システムを用いて、前記精製機で精製された雰囲気を前記温度調節装置内と前記基板搬送装置内に戻し、前記温度調節装置内と前記基板搬送装置内の雰囲気を所定の酸素濃度且つ所定の露点温度に維持する第4工程と、
を行うように、前記第2ガス供給部、前記第2排気部及び前記第2ガス循環システムを制御することを特徴とする、請求項15〜18のいずれか一項に記載の基板処理システム。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014075522A JP6189781B2 (ja) | 2014-04-01 | 2014-04-01 | 熱処理装置、熱処理方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体及び基板処理システム |
KR1020150042450A KR102377850B1 (ko) | 2014-04-01 | 2015-03-26 | 열처리 장치, 열처리 방법, 컴퓨터 기억 매체 및 기판 처리 시스템 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014075522A JP6189781B2 (ja) | 2014-04-01 | 2014-04-01 | 熱処理装置、熱処理方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体及び基板処理システム |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015198013A JP2015198013A (ja) | 2015-11-09 |
JP6189781B2 true JP6189781B2 (ja) | 2017-08-30 |
Family
ID=54347118
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014075522A Expired - Fee Related JP6189781B2 (ja) | 2014-04-01 | 2014-04-01 | 熱処理装置、熱処理方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体及び基板処理システム |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6189781B2 (ja) |
KR (1) | KR102377850B1 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10233475B2 (en) | 2000-10-06 | 2019-03-19 | Kyowa Hakko Kirin Co., Ltd | Antibody composition-producing cell |
US10233247B2 (en) | 1999-04-09 | 2019-03-19 | Kyowa Hakko Kirin Co., Ltd | Method of modulating the activity of functional immune molecules |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4543617B2 (ja) * | 2002-04-22 | 2010-09-15 | セイコーエプソン株式会社 | アクティブマトリクス基板の製造方法、電気光学装置の製造方法、電子機器の製造方法、アクティブマトリクス基板の製造装置、電気光学装置の製造装置、及び電気機器の製造装置 |
JP2008282780A (ja) * | 2007-05-14 | 2008-11-20 | Shibaura Mechatronics Corp | 気体置換装置及び気体置換方法 |
JP2011255253A (ja) * | 2010-06-04 | 2011-12-22 | Ckd Corp | 循環精製装置 |
JP2013140721A (ja) * | 2012-01-05 | 2013-07-18 | Toppan Printing Co Ltd | 有機elディスプレイ製造装置 |
JP6181358B2 (ja) * | 2012-07-25 | 2017-08-16 | 東京エレクトロン株式会社 | ベーク処理システム及び有機el素子の有機機能膜の積層体の製造方法 |
-
2014
- 2014-04-01 JP JP2014075522A patent/JP6189781B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2015
- 2015-03-26 KR KR1020150042450A patent/KR102377850B1/ko active IP Right Grant
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10233247B2 (en) | 1999-04-09 | 2019-03-19 | Kyowa Hakko Kirin Co., Ltd | Method of modulating the activity of functional immune molecules |
US10233475B2 (en) | 2000-10-06 | 2019-03-19 | Kyowa Hakko Kirin Co., Ltd | Antibody composition-producing cell |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2015198013A (ja) | 2015-11-09 |
KR102377850B1 (ko) | 2022-03-22 |
KR20150114410A (ko) | 2015-10-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US11338319B2 (en) | Gas cushion apparatus and techniques for substrate coating | |
TWI584514B (zh) | 用於電子裝置之熱處理的設備與技術 | |
JP2011065967A (ja) | 有機el用加熱乾燥装置 | |
JP6639175B2 (ja) | 乾燥装置及び乾燥処理方法 | |
JP6189780B2 (ja) | 基板処理システム | |
JP6189781B2 (ja) | 熱処理装置、熱処理方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体及び基板処理システム | |
JP7355615B2 (ja) | 基板洗浄装置及び基板洗浄方法 | |
JP2014135393A (ja) | 有機材料塗布装置およびその装置を用いた有機材料塗布方法 | |
JP2009181969A (ja) | 基板処置装置 | |
KR20180131400A (ko) | 감압 건조 장치 | |
JP2010043795A (ja) | 連続雰囲気炉 | |
KR102266925B1 (ko) | 결함 검사 장치, 결함 검사 방법 및 기판 처리 시스템 | |
US20080299301A1 (en) | Pretreatment method of substrate of organic EL element and manufacturing method for organic EL element | |
KR102206766B1 (ko) | 감압 건조 장치 | |
JP2008282780A (ja) | 気体置換装置及び気体置換方法 | |
JP2022172691A (ja) | 減圧乾燥装置、減圧乾燥処理方法、減圧乾燥処理の所要時間の短縮方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20160707 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20170119 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20170124 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170323 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20170711 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20170803 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6189781 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |