JP2014022508A - Led装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】金属部2を有する基板1と、基板上に実装されたLEDチップ3と、基板の金属部を被覆し、かつ平板状粒子を含むバリア層6と、LEDチップを被覆し、かつ透明樹脂及び蛍光体粒子を含む波長変換層7とを有する、LED装置100とする。
【選択図】図1
Description
[1]金属部を有する基板と、前記基板上に実装されたLEDチップと、前記基板の金属部を被覆し、かつ平板状粒子を含むバリア層と、前記LEDチップを被覆し、かつ透明樹脂及び蛍光体粒子を含む波長変換層とを有する、LED装置。
[2]前記バリア層が、前記LEDチップを被覆する、[1]に記載のLED装置。
[3]前記平板状粒子が、層状粘土鉱物である、[1]または[2]に記載のLED装置。
[4]前記バリア層が、金属酸化物微粒子をさらに含む、[1]〜[3]のいずれかに記載のLED装置。
[5]前記バリア層が、バインダをさらに含む、[1]〜[4]のいずれかに記載のLED装置。
[6]金属部を有する基板を準備する工程と、前記基板上にLEDチップを固定する工程と、前記金属部を被覆するように、平板状粒子を含むバリア層用組成物を塗布し、バリア層を形成する工程と、前記LEDチップを被覆するように、透明樹脂及び蛍光体粒子を含む波長変換層用組成物を塗布し、波長変換層を形成する工程とを有するLED装置の製造方法。
図1は、本発明のLED装置100の一例を示す断面図である。本発明のLED装置100は、金属部2を有する基板1と、基板1に実装されたLEDチップ3と、基板1の金属部2及びLEDチップ3を覆うように形成されたバリア層6と、バリア層6上に形成された波長変換層7とを有する。
本発明のLED装置100における基板1は、金属部(金属配線)2を有する。金属部2は、銀等の金属からなり、電極(不図示)とLEDチップ3とを電気的に接続する役割を果たす部材でありうる。また、金属部2は、LEDチップ3からの光を、LED装置の光取り出し面側に反射する役割を果たす部材でもありうる。金属部2の形状は特に制限されず、金属部2の機能に応じて、適宜選択される。
LEDチップ3は、基板1の金属部2と接続される。LEDチップ3は、配線4を介して金属部2と接続されていてもよい。また、例えば図2に示すように、LEDチップ3は、突起電極5を介して金属部2と接続されてもよい。LEDチップ3が配線4を介して金属部2と接続される態様をワイヤボンディング型といい、LEDチップ3が突起電極5を介して金属部2と接続される態様を、フリップチップ型という。
バリア層6は、基板1の金属部2を、空気中の硫化水素ガス等から保護する層である。バリア層6は、少なくとも金属部2を被覆していればよいが、図1または図2に示すように、金属部2だけでなく、LEDチップ3を覆っていることが好ましい。この場合、硫化水後ガス等から、LEDチップ3も保護することができる。
バリア層6に含まれる平板状粒子は、平板状構造を有する粒子であれば、その種類は特に制限されないが、ガスバリア性等の観点から、層状粘土鉱物であることが好ましい。層状粘土鉱物はモンモリロナイト、バイデライト、ヘクトライト、サポナイト、ノントロナイト、スチーブンサイト等のスメクタイト系鉱物;バーミキュライト;ベントナイト;カネマイト、ケニアナイト、マカナイト等の層状ケイ酸ナトリウム;Na型テトラシリシックフッ素雲母、Li型テトラシリシックフッ素雲母、Na型フッ素テニオライト、Li型フッ素テニオライト等の雲母族粘土鉱物等が挙げられる。このような層状粘土鉱物は、天然の鉱物から得られたものであってもよく、化学的に合成されたものであってもよい。さらに、層状粘土鉱物は、表面がアンモニウム塩等で修飾(表面処理)されたものであってもよい。
バリア層6には、バインダが含まれていてもよい。バリア層6にバインダが含まれると、バリア層6の強度が高まる。バリア層6に含まれるバインダの種類は、特に制限されないが、LEDチップ3からの光や熱等により変色や劣化しないものであることが好ましい。また、波長350nm以上の波長域において、光透過性が高いことが好ましい。
バリア層6には、金属酸化物微粒子が含まれていてもよい。バリア層6に金属酸化物微粒子が含まれると、平板状粒子同士の隙間や、平板状粒子とバインダとの隙間が埋まり、バリア層6にクラックが生じ難くなったり、バリア層6の強度が高まったりする。
バリア層6には、バインダの有無、もしくはバインダの種類によって、以下の3つの態様がある。
(i)バリア層が平板状粒子のみからなる場合
(ii)バリア層に、透光性セラミックバインダが含まれる場合
(iii)バリア層に、有機樹脂バインダが含まれる場合
それぞれの態様における、バリア層6の好ましい厚みや、バリア層に含まれる平板状粒子量等は、以下の通りである。
波長変換層7は、蛍光体粒子を透明樹脂に分散させた層であり、LEDチップが出射する光(励起光)を受けて、蛍光を発する層である。励起光と蛍光とが混ざることで、LED装置100からの光の色が、所望の色となる。例えば、LEDチップ3が発する光が青色であり、波長変換層7に含まれる蛍光体が黄色の蛍光を発すると、LED装置100からの光が白色となる。
前述のLED装置の製造方法には、以下の4つの工程が含まれる。
1)金属部を有する基板を準備する工程
2)基板上にLEDチップを固定する工程
3)金属部を被覆するように、平板状粒子を含むバリア層用組成物を塗布し、バリア層を形成する工程
4)LEDチップを被覆するように、透明樹脂及び蛍光体粒子を含む波長変換層用組成物を塗布し、波長変換層を形成する工程
金属部を有する基板を準備し、この基板上にLEDチップを固定する。このとき、基板の金属部(配線)とLEDチップとを電気的に接続する。金属部とLEDチップとの接続方法は、特に制限されず、前述のように、配線を介して接続してもよく、突起電極を介して接続してもよい。
基板に形成された金属部を覆うように、バリア層用組成物を塗布する。このとき、LED素子も覆うようにバリア層用組成物を塗布してもよい。バリア層用組成物には、前述の平板状粒子が含まれればよく、必要に応じて前述のバインダまたはその前駆体、前述の金属酸化物微粒子、溶媒が含まれる。
バインダ前駆体である有機ポリシロキサン化合物は、アルコキシシラン化合物、またはアリールオキシシラン化合物を重合して得られる。アルコキシシラン化合物またはアリールオキシシラン化合物は、例えば以下の一般式(III)で表される。
Si(OR)nY4−n (III)
4官能のシラン化合物の例には、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトラプロポキシシラン、テトラブトキシシラン、テトラペンチルオキシシラン、テトラフェニルオキシシラン、トリメトキシモノエトキシシラン、ジメトキシジエトキシシラン、トリエトキシモノメトキシシラン、トリメトキシモノプロポキシシラン、モノメトキシトリブトキシシラン、モノメトキシトリペンチルオキシシラン、モノメトキシトリフェニルオキシシラン、ジメトキシジプロポキシシラン、トリプロポキシモノメトキシシラン、トリメトキシモノブトキシシラン、ジメトキシジブトキシシラン、トリエトキシモノプロポキシシラン、ジエトキシジプロポキシシラン、トリブトキシモノプロポキシシラン、ジメトキシモノエトキシモノブトキシシラン、ジエトキシモノメトキシモノブトキシシラン、ジエトキシモノプロポキシモノブトキシシラン、ジプロポキシモノメトキシモノエトキシシラン、ジプロポキシモノメトキシモノブトキシシラン、ジプロポキシモノエトキシモノブトキシシラン、ジブトキシモノメトキシモノエトキシシラン、ジブトキシモノエトキシモノプロポキシシラン、モノメトキシモノエトキシモノプロポキシモノブトキシシランなどのテトラアルコキシシラン、テトラアリールオキシシラン等が含まれる。これらの中でもテトラメトキシシラン、テトラエトキシシランが好ましい。
R8−SO3H …(IV)
上記一般式(IV)において、R8で表される炭化水素基は、直鎖状、分岐鎖状、環状の飽和もしくは不飽和の炭素数1〜20の炭化水素基である。環状の炭化水素基の例には、フェニル基、ナフチル基、またはアントリル基等の芳香族炭化水素基が含まれ、好ましくはフェニル基である。また、一般式(IV)においてR8で表される炭化水素基は、置換基を有してもよい。置換基の例には、直鎖状、分岐鎖状、または環状の、炭素数1〜20の飽和若しくは不飽和の炭化水素基;フッ素原子等のハロゲン原子;スルホン酸基;カルボキシル基;水酸基;アミノ基;シアノ基等が含まれる。
少なくともLEDチップ3を覆うように、波長変換層7を形成する。LEDチップ3がバリア層で被覆されている場合、バリア層上に波長変換層を形成する。波長変換層7は、透明樹脂もしくはその前駆体と、蛍光体粒子とを含有する波長変換層形成用組成物を調製し、これをLEDチップ3及び金属部2を被覆するように塗布し、硬化させることで得られる。
本願の実施例及び比較例に添加した蛍光体粒子は、以下のように調製した。
Y2O3 7.41g、Gd2O3 4.01g、CeO2 0.63g、及びAl2O3 7.77gを十分に混合した。この混合物に、フラックスとしてフッ化アンモニウムを適量混合し、アルミニウム製の坩堝に充填した。充填物を、水素含有窒素ガスを流通させた還元雰囲気中において、1350〜1450℃の温度範囲で、2〜5時間焼成した。得られた焼成品((Y0.72Gd0.24)3Al5O12:Ce0.04)を粉砕、洗浄、分離、乾燥して、体積平均粒径が10μm程度の黄色蛍光体粒子を得た。黄色蛍光体粒子について、波長465nmの励起光における発光波長を測定したところ、おおよそ波長570nmにピーク波長を有していた。
金属配線が形成された円形パッケージ(基板)(開口径3mm、底面直径2mm、壁面角度60°)の収容部の中央に、1つの青色LEDチップ(直方体状;200μm×300μm×100μm)をフリップチップ実装したLED素子を準備した。
平板状粒子である合成雲母(MK−100、コープケミカル社製)0.5gと、溶媒であるプロピレングリコール15gとを混合してバリア層用組成物を調製した。スプレー塗布装置の移動台上に前記LED素子を配置した。このLED素子の金属配線及びLEDチップを覆うように、バリア層用組成物を塗布した。このときのスプレー圧は0.2MPaとし、移動台とスプレーノズルとの移動速度を100mm/sとした。その後、バリア層用組成物を塗布したLED素子を、150℃で1時間加熱・乾燥させて、LED層用組成物を硬化させた。得られたバリア層の厚みは、1.0μmであった。
さらに、メチルシリコーン(信越化学工業社製;KER−2500)9gと、前述の蛍光体粒子1gとを脱泡しながら混合し、波長変換層用組成物を得た。この波長変換層用組成物を、バリア層上にディスペンサで塗布し、150℃で1時間加熱した。得られた波長変換層層の厚みは、1.0mmであった。
バリア層用組成物を、合成雲母(MK−100)0.5gと、プロピレングリコール15gと、3官能モノメチルシラン化合物および4官能シラン化合物を重合させた有機ポリシロキサン化合物の分散液(有機ポリシロキサン化合物14質量%、イソプロピルアルコール86質量%)10gとを混合して調製した以外は、実施例1と同様にLED装置を得た。得られたバリア層の厚みは、1.2μmであった。
バリア層用組成物を、平板状粒子であるスメクタイト(ルーセンタイトSWN、コープケミカル社製)0.5gと、プロピレングリコール15gと、実施例2と同様の有機ポリシロキサン化合物の分散液(有機ポリシロキサン化合物14質量%、イソプロピルアルコール86質量%)10gを混合して調製した以外は、実施例1と同様にLED装置を得た。得られたバリア層の厚みは、1.5μmであった。
バリア層用組成物を、平板状粒子である合成雲母(ME−100、コープケミカル社製)0.5gと、溶媒である水15gとを混合してバリア層用組成物を調製した以外は、実施例1と同様にLED装置を得た。得られたバリア層の厚みは、2μmであった。
バリア層用組成物を、合成雲母(ME−100、コープケミカル社製)0.5gと、プロピレングリコール15gと、実施例2と同様の有機ポリシロキサン化合物の分散液(有機ポリシロキサン化合物14質量%、イソプロピルアルコール86質量%)10gとZrO2粒子(TECNAN社製、TECNADIS−Zr−210)5gとを混合して調製した以外は、実施例1と同様にLED装置を得た。得られたバリア層の厚みは、1.5μmであった。
バリア層用組成物を、スメクタイト(ルーセンタイトSWN、コープケミカル社製)0.5gと、水15gと、10%ポリビニルアルコール水溶液(PVA−103 クラレ株式会社製)5gと、TiO2粒子(TECNAN社製、TECNADIS−TI−210)5gとを混合して調製した以外は、実施例1と同様にLED装置を得た。得られたバリア層の厚みは、13μmであった。
メチルシリコーン(信越化学工業株式会社;KER−2500)9gと前述の蛍光体1gとを脱泡しながら混合し、波長変換層用組成物と得た。これを、前述のLED素子の凹部にディスペンサで塗布し、150℃で1時間加熱してLED装置を得た。
バリア層用組成物を、針状酸化チタン(石原産業社製、FTL−100)0.5gと、水15gと、10%ポリビニルアルコール水溶液(PVA−103 クラレ株式会社製)5gと、とを混合して調製した以外は、実施例1と同様にバリア層を形成した。得られたバリア層の厚みは、10μmであった。
さらに、メチルシリコーン(信越化学工業社製;KER−2500)9gと、前述の蛍光体粒子1gとを脱泡しながら混合し、波長変換層用組成物を得た。この波長変換層用組成物を、バリア層上にディスペンサで塗布し、150℃で1時間加熱した。得られた波長変換層層の厚みは、1.0mmであった。
バリア層用組成物を、針状酸化チタン(石原産業社製、FTL−100)0.5gと、実施例2と同様の有機ポリシロキサン化合物の分散液(有機ポリシロキサン化合物14質量%、イソプロピルアルコール86質量%)10gとを混合して調製した以外は、実施例1と同様にバリア層を形成した。得られたバリア層の厚みは、0.9μmであった。
さらに、メチルシリコーン(信越化学工業社製;KER−2500)9gと、前述の蛍光体粒子1gとを脱泡しながら混合し、波長変換層用組成物を得た。この波長変換層用組成物を、バリア層上にディスペンサで塗布し、150℃で1時間加熱した。得られた波長変換層層の厚みは、1.0mmであった。
各実施例および比較例で作製したLED装置について、発光効率及び硫化耐性を以下のように評価した。
各実施例および比較例で作製したLED装置の全光束を、分光放射輝度計(CS−2000;コニカミノルタセンシング社製)で測定した。比較例1のLED装置の全光束を基準とし、当該LED装置からの発光効率の上昇率または低下率で評価した。
各実施例及び比較例で作製したLED装置を、硫化水素濃度10〜15体積ppm、温度25℃、湿度75%Rhの環境下で、48時間静置した。各LED装置について、上記環境下に静置する前後の発光効率を測定した。静置前の発光効率からの変化率で評価した。変化率の絶対値が小さい方が、硫化耐性が高い。
これに対し、平板状粒子と有機樹脂バインダと、金属酸化物粒子からなるバリア層を形成した場合(実施例6)には、針状酸化チタンを含む比較例2と比較して、非常に硫化耐性が高まった。バリア層に平板状粒子が含まれることで、硫化水素ガスがバリア層を透過し難くなり、さらに金属配線が腐食され難くなったと推察される。
2 金属部
3 LEDチップ
4 配線
5 突起電極
6 バリア層
7 波長変換層
100 LED装置
Claims (6)
- 金属部を有する基板と、
前記基板上に実装されたLEDチップと、
前記基板の金属部を被覆し、かつ平板状粒子を含むバリア層と、
前記LEDチップを被覆し、かつ透明樹脂及び蛍光体粒子を含む波長変換層と
を有する、LED装置。 - 前記バリア層が、前記LEDチップを被覆する、請求項1に記載のLED装置。
- 前記平板状粒子が、層状粘土鉱物である、請求項1または2に記載のLED装置。
- 前記バリア層が、金属酸化物微粒子をさらに含む、請求項1〜3のいずれか一項に記載のLED装置。
- 前記バリア層が、バインダをさらに含む、請求項1〜4のいずれか一項に記載のLED装置。
- 金属部を有する基板を準備する工程と、
前記基板上にLEDチップを固定する工程と、
前記金属部を被覆するように、平板状粒子を含むバリア層用組成物を塗布し、バリア層を形成する工程と、
前記LEDチップを被覆するように、透明樹脂及び蛍光体粒子を含む波長変換層用組成物を塗布し、波長変換層を形成する工程と
を有するLED装置の製造方法。
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