JP2014011383A5 - - Google Patents
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Description
［適用例２］
本発明のベース基板の製造方法では、前記シンター処理の後であって、前記第２金属層を形成する工程よりも前に、前記第１金属層上に、ニッケルおよびホウ素を含んで厚さが０．１μｍ以上０．５μｍ以下の範囲内にある第３金属層を形成する工程を含み、
第２金属層を形成する工程では、前記第３金属層の上に前記第２金属層が形成されることが好ましい。
これにより、接合層の厚さをより厚くすることができる。
本発明のベース基板の製造方法では、前記シンター処理の後であって、前記第２金属層を形成する工程よりも前に、前記第１金属層上に、ニッケルおよびホウ素を含んで厚さが０．１μｍ以上０．５μｍ以下の範囲内にある第３金属層を形成する工程を含み、
第２金属層を形成する工程では、前記第３金属層の上に前記第２金属層が形成されることが好ましい。
これにより、接合層の厚さをより厚くすることができる。
［適用例３］
本発明のベース基板の製造方法では、前記第２の膜中のホウ素の濃度は、０．１質量％以上３質量％以下の範囲内にあることが好ましい。
これにより、より確実に、接合層を介してベース基板と蓋部とを接合する際の接合層のクラックの発生を防止することができる。
本発明のベース基板の製造方法では、前記第２の膜中のホウ素の濃度は、０．１質量％以上３質量％以下の範囲内にあることが好ましい。
これにより、より確実に、接合層を介してベース基板と蓋部とを接合する際の接合層のクラックの発生を防止することができる。
Claims (8)
- 絶縁体基板を用意する工程と、
前記絶縁体基板上に、タングステンおよびモリブデンのうちの少なくとも１種を含む融点が１０００℃以上の金属を主成分とする第１の膜を形成する工程と、
前記第１の膜上に、ニッケルを主成分としてホウ素を含む第２の膜を形成する工程と、
前記第１の膜および前記第２の膜に対してシンター処理を行い、第１金属層を形成する工程と、
前記第１金属層上に、パラジウムを主成分とする第２金属層を形成する工程と、
を含むことを特徴とするベース基板の製造方法。 - 前記シンター処理の後であって、前記第２金属層を形成する工程よりも前に、前記第１金属層上に、ニッケルおよびホウ素を含んで厚さが０．１μｍ以上０．５μｍ以下の範囲内にある第３金属層を形成する工程を含み、
第２金属層を形成する工程では、前記第３金属層の上に前記第２金属層が形成される請求項１に記載のベース基板の製造方法。 - 前記第２の膜中のホウ素の濃度は、０．１質量％以上３質量％以下の範囲内にある請求項１または２に記載のベース基板の製造方法。
- 前記第２金属層上に、金を含む第４金属層を形成する工程を含む請求項１ないし３のいずれか一項に記載のベース基板の製造方法。
- 前記第２金属層中のパラジウム以外の成分の濃度は、５質量％以下である請求項１ないし４のいずれか一項に記載のベース基板の製造方法。
- 絶縁体基板を用意する工程と、
前記絶縁体基板上に、融点が１０００℃以上の金属を主成分とする第１の膜を形成する工程と、
前記第１の膜上に、ニッケルを主成分としてホウ素を含む第２の膜を形成する工程と、
前記第１の膜および前記第２の膜に対してシンター処理を行い、第１金属層を形成する工程と、
前記第１金属層上に、パラジウムを主成分とする第２金属層を形成し、ベース基板を得る工程と、
前記ベース基板上に、電子部品を設置する工程と、
前記第１金属層および前記第２金属層を介して前記ベース基板に蓋部を接合する工程と、
を含むことを特徴とする電子デバイスの製造方法。 - 請求項１ないし５のいずれかに記載のベース基板の製造方法により製造されたことを特徴とするベース基板。
- 請求項６に記載の製造方法により製造された電子デバイスを有することを特徴とする電子機器。
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