JPH10270831A - セラミック配線板のめっき方法 - Google Patents
セラミック配線板のめっき方法Info
- Publication number
- JPH10270831A JPH10270831A JP7500697A JP7500697A JPH10270831A JP H10270831 A JPH10270831 A JP H10270831A JP 7500697 A JP7500697 A JP 7500697A JP 7500697 A JP7500697 A JP 7500697A JP H10270831 A JPH10270831 A JP H10270831A
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- Japan
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- plating
- film
- heat treatment
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- plated
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- Pending
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- Chemically Coating (AREA)
- Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】本発明は、セラミック配線板上の無電解Ｎｉ／
Ａｕめっき方法に係りＰｂを含有するＰｄ活性化膜を形
成した後のＮｉめっき膜上に、ムラなくかつ密着性良好
なＡｕめっき膜を形成することを目的とする。 【解決手段】セラミック配線板１のＷ焼結導体２上にＰ
ｄ活性化を行った後、Ｂを含有するＮｉめっき膜３を形
成した後、置換型Ａｕめっき膜（ｂ）８又はＰを含有す
るＮｉめっき膜（ｂ）９を施す。その後、６００〜８０
０℃の熱処理、次いで、Ｐを含有するＮｉめっき膜
（ａ）５及び置換型Ａｕめっき膜（ａ）６を形成し、最
後に３００〜４００℃での熱処理を施す。上記方法によ
りムラなく密着性良好で部品接続信頼性を確保できる置
換型Ａｕめっきを形成することができる。
Ａｕめっき方法に係りＰｂを含有するＰｄ活性化膜を形
成した後のＮｉめっき膜上に、ムラなくかつ密着性良好
なＡｕめっき膜を形成することを目的とする。 【解決手段】セラミック配線板１のＷ焼結導体２上にＰ
ｄ活性化を行った後、Ｂを含有するＮｉめっき膜３を形
成した後、置換型Ａｕめっき膜（ｂ）８又はＰを含有す
るＮｉめっき膜（ｂ）９を施す。その後、６００〜８０
０℃の熱処理、次いで、Ｐを含有するＮｉめっき膜
（ａ）５及び置換型Ａｕめっき膜（ａ）６を形成し、最
後に３００〜４００℃での熱処理を施す。上記方法によ
りムラなく密着性良好で部品接続信頼性を確保できる置
換型Ａｕめっきを形成することができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＬＳｉ等の部品を
搭載するセラミック配線板の無電解Ｎｉ／Ａｕめっき方
法に係わり、特に密着性よくかつむらのないＡｕめっき
膜を形成するめっき方法に関する。
搭載するセラミック配線板の無電解Ｎｉ／Ａｕめっき方
法に係わり、特に密着性よくかつむらのないＡｕめっき
膜を形成するめっき方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】セラミック配線板の入出力端子には、Ｌ
Ｓｉ等の部品を搭載、接続のためにめっき膜が形成され
る。このめっき膜形成で一般的なものが無電解Ｎｉ／Ａ
ｕめっきである。
Ｓｉ等の部品を搭載、接続のためにめっき膜が形成され
る。このめっき膜形成で一般的なものが無電解Ｎｉ／Ａ
ｕめっきである。
【０００３】従来の技術の無電解Ｎｉ／Ａｕめっきで
は、Ｗ又はＭｏ等の焼結導体上にＰｄ活性膜を形成し、
その後、Ｂを含有する還元型Ｎｉめっきを形成、その
後、下地とめっきの密着性確保のため６００〜８００℃
の熱処理を行う。次いで、Ｐを含有する還元型Ｎｉめっ
きを施した後、置換性Ａｕめっきを形成していた。関連
のある公知例としては、特公平６−８４５４６号公報が
ある。
は、Ｗ又はＭｏ等の焼結導体上にＰｄ活性膜を形成し、
その後、Ｂを含有する還元型Ｎｉめっきを形成、その
後、下地とめっきの密着性確保のため６００〜８００℃
の熱処理を行う。次いで、Ｐを含有する還元型Ｎｉめっ
きを施した後、置換性Ａｕめっきを形成していた。関連
のある公知例としては、特公平６−８４５４６号公報が
ある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来技術の場合、Ｂを
含有するＮｉめっき後の６００〜８００℃の熱処理によ
り、Ｐｄ／Ｐｂ化合物がＮｉめっき表面に偏析してく
る。このＰｄ／Ｐｂ化合物は、その上に形成するＰを含
有するＮｉめっきの触媒毒となり、その偏析した部分で
のＡｕめっきむら及び密着性の劣化となる問題があっ
た。
含有するＮｉめっき後の６００〜８００℃の熱処理によ
り、Ｐｄ／Ｐｂ化合物がＮｉめっき表面に偏析してく
る。このＰｄ／Ｐｂ化合物は、その上に形成するＰを含
有するＮｉめっきの触媒毒となり、その偏析した部分で
のＡｕめっきむら及び密着性の劣化となる問題があっ
た。
【０００５】本発明の目的は、前述した従来技術の問題
を解決し、セラミック配線板のＮｉめっき膜上での、Ａ
ｕムラのないかつ密着性の良好なＡｕめっき膜を形成す
るセラミック配線板のめっき方法を提供することにあ
る。
を解決し、セラミック配線板のＮｉめっき膜上での、Ａ
ｕムラのないかつ密着性の良好なＡｕめっき膜を形成す
るセラミック配線板のめっき方法を提供することにあ
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、前述の
目的を達成するために、Ｂを含有する還元型Ｎｉめっき
上に、予め、無電解Ａｕめっきを施してから６００〜８
００℃の熱処理を行うものである。このときのＡｕめっ
きの膜厚は、０．０１〜０．０５μｍとする。又、Ｂを
含有する還元型Ｎｉめっき上にＰを含有する還元型Ｎｉ
めっきを０．１〜０．５μｍ施し後、６００〜８００℃
の熱処理行う方法でも同様の効果が得られる。
目的を達成するために、Ｂを含有する還元型Ｎｉめっき
上に、予め、無電解Ａｕめっきを施してから６００〜８
００℃の熱処理を行うものである。このときのＡｕめっ
きの膜厚は、０．０１〜０．０５μｍとする。又、Ｂを
含有する還元型Ｎｉめっき上にＰを含有する還元型Ｎｉ
めっきを０．１〜０．５μｍ施し後、６００〜８００℃
の熱処理行う方法でも同様の効果が得られる。
【０００７】その後、Ｐを含有する還元型Ｎｉめっきを
０．５〜１μｍ形成した後、置換型Ａｕめっきを０．１
〜０．２μｍ形成させる。この後、３００〜４００℃の
熱処理を施す。
０．５〜１μｍ形成した後、置換型Ａｕめっきを０．１
〜０．２μｍ形成させる。この後、３００〜４００℃の
熱処理を施す。
【０００８】Ｂを含有する還元型Ｎｉめっき後に、置換
型Ａｕめっきあるいは、Ｐを含有する還元型Ｎｉめっき
を施してから、６００〜８００℃で熱処理を行うことに
より、Ｐｄ／Ｐｂの化合物の偏析を抑制することができ
る。さらには、次いで形成するＰを含有するＮｉめっき
に対してもＰｄ／Ｐｂが触媒毒とならず、粒界の小さい
Ｎｉめっき膜が形成することができる。これにより、置
換型Ａｕめっきを形成するのに、むらなく、かつ密着性
のよいＡｕめっき膜を形成することができる。
型Ａｕめっきあるいは、Ｐを含有する還元型Ｎｉめっき
を施してから、６００〜８００℃で熱処理を行うことに
より、Ｐｄ／Ｐｂの化合物の偏析を抑制することができ
る。さらには、次いで形成するＰを含有するＮｉめっき
に対してもＰｄ／Ｐｂが触媒毒とならず、粒界の小さい
Ｎｉめっき膜が形成することができる。これにより、置
換型Ａｕめっきを形成するのに、むらなく、かつ密着性
のよいＡｕめっき膜を形成することができる。
【０００９】また、Ａｕめっき後で３００〜４００℃の
熱処理を実施するが、Ａｕめっき膜自身が下地のＮｉと
熱拡散により密着性確保するのに必要な働きがある。一
方、６００〜８００℃の熱処理については、Ｎｉめっき
膜と下地メタライズ（Ｗ又はＭｏ）との密着性を向上さ
せる働きがあるため必要となる。
熱処理を実施するが、Ａｕめっき膜自身が下地のＮｉと
熱拡散により密着性確保するのに必要な働きがある。一
方、６００〜８００℃の熱処理については、Ｎｉめっき
膜と下地メタライズ（Ｗ又はＭｏ）との密着性を向上さ
せる働きがあるため必要となる。
【００１０】
（実施例１）セラミック配線板１上にあるＷ焼結導体２
の表面にＢを含有する還元型Ｎｉめっき膜３を３〜４μ
ｍ形成する。めっきの前処理としては、９０℃，１０ω
ｔ％のＮａＯＨ溶液に３０分の浸漬、水洗後、Ｗ焼結導
体へＮｉめっきを形成するためのＰｂを含有するＰｄ活
性化処理（日本カニゼン製活性化Ｎｏ３液、６０℃、５
分浸漬）を行う。これは、Ｗ焼結導体上へは直接還元型
Ｎｉめっきの反応がスタートしないためである。又、Ｐ
ｂを含有する活性化液を選定したのは、Ｐｂ化合物がめ
っきすべきパターン以外へのＰｄの触媒活性をなくす働
きがあるものと考えられるためである。水洗後、Ｂを含
有するＮｉめっき液（日本カニゼン製、ＳＢ−５５−
１）にて、６０℃、約２５分間浸漬することにより、Ｗ
焼結導体上へＮｉめっき膜を形成する。これを図１に示
す。
の表面にＢを含有する還元型Ｎｉめっき膜３を３〜４μ
ｍ形成する。めっきの前処理としては、９０℃，１０ω
ｔ％のＮａＯＨ溶液に３０分の浸漬、水洗後、Ｗ焼結導
体へＮｉめっきを形成するためのＰｂを含有するＰｄ活
性化処理（日本カニゼン製活性化Ｎｏ３液、６０℃、５
分浸漬）を行う。これは、Ｗ焼結導体上へは直接還元型
Ｎｉめっきの反応がスタートしないためである。又、Ｐ
ｂを含有する活性化液を選定したのは、Ｐｂ化合物がめ
っきすべきパターン以外へのＰｄの触媒活性をなくす働
きがあるものと考えられるためである。水洗後、Ｂを含
有するＮｉめっき液（日本カニゼン製、ＳＢ−５５−
１）にて、６０℃、約２５分間浸漬することにより、Ｗ
焼結導体上へＮｉめっき膜を形成する。これを図１に示
す。
【００１１】さらに、７５０℃、１０分還元雰囲気にて
熱処理を行い、下地のＷとＮｉめっき膜とを相互拡散さ
せることで密着性を図る。ところが図２に示すようにＰ
ｄ活性化膜が熱処理によりＮｉ粒界を通して表面上へＰ
ｄ／Ｐｂ化合物４として偏析する。この後、Ｐを含有す
る還元型Ｎｉめっき（ａ）：日本カニゼン製シューマー
Ｓ６８０、２分、９０℃処理５約１μｍ及び置換型Ａｕ
めっき（ａ）：ＥＥＪＡ製レクトロレスプレップ、９０
℃、１０分処理６を約０．１μｍ形成したのち、Ａｕめ
っき膜を下地Ｎｉとの密着性を図るため３００〜４００
℃での熱処理還元雰囲気、３０分を施したときに前述の
偏析したＰｄ／Ｐｂ化合物が触媒毒となって図３に示す
ようなＡｕめっきのむら７を生じ、密着性劣化を引き起
こす。
熱処理を行い、下地のＷとＮｉめっき膜とを相互拡散さ
せることで密着性を図る。ところが図２に示すようにＰ
ｄ活性化膜が熱処理によりＮｉ粒界を通して表面上へＰ
ｄ／Ｐｂ化合物４として偏析する。この後、Ｐを含有す
る還元型Ｎｉめっき（ａ）：日本カニゼン製シューマー
Ｓ６８０、２分、９０℃処理５約１μｍ及び置換型Ａｕ
めっき（ａ）：ＥＥＪＡ製レクトロレスプレップ、９０
℃、１０分処理６を約０．１μｍ形成したのち、Ａｕめ
っき膜を下地Ｎｉとの密着性を図るため３００〜４００
℃での熱処理還元雰囲気、３０分を施したときに前述の
偏析したＰｄ／Ｐｂ化合物が触媒毒となって図３に示す
ようなＡｕめっきのむら７を生じ、密着性劣化を引き起
こす。
【００１２】そこで、本発明では、Ｂを含有する還元型
Ｎｉめっきの後、水洗をした後、置換型Ａｕめっき
（ｂ）８：ＥＥＪＡ製レクトロレスプレップ、９０℃、
約５分を０．０１〜０．０５μｍ形成してから、６００
〜８００℃での熱処理を行うことでＡｕがＮｉとの相互
拡散するため、表面上へのＰｄ／Ｐｂの偏析を抑制する
ことができる。これを図４に示す。この後Ｐを含有する
還元型Ｎｉめっき（ａ）及び置換型Ａｕめっき（ａ）を
形成した後、３００〜４００℃での熱処理を施しても、
前述のようなＡｕめっきのむら７が発生せず、又、密着
性を確保することが可能となる。図５に実施例１での最
終的なめっき膜構成を示す。
Ｎｉめっきの後、水洗をした後、置換型Ａｕめっき
（ｂ）８：ＥＥＪＡ製レクトロレスプレップ、９０℃、
約５分を０．０１〜０．０５μｍ形成してから、６００
〜８００℃での熱処理を行うことでＡｕがＮｉとの相互
拡散するため、表面上へのＰｄ／Ｐｂの偏析を抑制する
ことができる。これを図４に示す。この後Ｐを含有する
還元型Ｎｉめっき（ａ）及び置換型Ａｕめっき（ａ）を
形成した後、３００〜４００℃での熱処理を施しても、
前述のようなＡｕめっきのむら７が発生せず、又、密着
性を確保することが可能となる。図５に実施例１での最
終的なめっき膜構成を示す。
【００１３】（実施例２）実施例１では、Ｂを含有した
還元型Ｎｉめっき膜３を形成後、置換型Ａｕめっき膜
（ｂ）８を形成したが、Ｐを含有する還元型Ｎｉめっき
（ｂ）９：日本カニゼン製、シューマーＳ６８０，９０
℃を０．１〜０．５μｍ施した後、６００〜８００℃で
の熱処理を行う。ここでは、Ｎｉ−ＰのめっきがＮｉ−
Ｂのめっきと相互拡散する際に、Ｐｄ／Ｐｂの表面上へ
の偏析を抑制することができる。この図を図６に示す。
この後、再度Ｐを含有するＮｉめっき膜（ａ）を０．５
μｍ、及び置換型Ａｕめっき膜（ａ）を形成した後、密
着性を図るため３００〜４００℃での熱処理を行った場
合、前述のようなＡｕめっきむら７が発生せず、密着性
良好なＡｕめっき膜を得ることができる。図７には、実
施例２でのめっき膜の構成を示した。
還元型Ｎｉめっき膜３を形成後、置換型Ａｕめっき膜
（ｂ）８を形成したが、Ｐを含有する還元型Ｎｉめっき
（ｂ）９：日本カニゼン製、シューマーＳ６８０，９０
℃を０．１〜０．５μｍ施した後、６００〜８００℃で
の熱処理を行う。ここでは、Ｎｉ−ＰのめっきがＮｉ−
Ｂのめっきと相互拡散する際に、Ｐｄ／Ｐｂの表面上へ
の偏析を抑制することができる。この図を図６に示す。
この後、再度Ｐを含有するＮｉめっき膜（ａ）を０．５
μｍ、及び置換型Ａｕめっき膜（ａ）を形成した後、密
着性を図るため３００〜４００℃での熱処理を行った場
合、前述のようなＡｕめっきむら７が発生せず、密着性
良好なＡｕめっき膜を得ることができる。図７には、実
施例２でのめっき膜の構成を示した。
【００１４】
【発明の効果】本発明により、セラミック配線板上の無
電解Ｎｉ／Ａｕめっき方法において、Ｐｂを含有するＰ
ｄ活性化膜上に形成したＮｉめっき上のＡｕめっきの形
成において、部品接続信頼性を確保できるＡｕめっき膜
をむらなく析出することができる。
電解Ｎｉ／Ａｕめっき方法において、Ｐｂを含有するＰ
ｄ活性化膜上に形成したＮｉめっき上のＡｕめっきの形
成において、部品接続信頼性を確保できるＡｕめっき膜
をむらなく析出することができる。
【図１】セラミック配線板へのＮｉめっき膜形成後断面
図である。
図である。
【図２】熱処理後のセラミック配線板の断面図（従来）
である。
である。
【図３】Ａｕめっき及び熱処理後のセラミック配線板の
断面図（従来）である。
断面図（従来）である。
【図４】置換Ａｕめっき（ｂ）を採用したセラミック配
線板の熱処理後の断面図（本発明による工法）である。
線板の熱処理後の断面図（本発明による工法）である。
【図５】実施例１による最終的なめっき膜構成断面図で
ある。
ある。
【図６】還元型Ｎｉ−Ｐめっき（ｂ）を採用したセラミ
ック配線板の熱処理後の断面図（本発明による工法）で
ある。
ック配線板の熱処理後の断面図（本発明による工法）で
ある。
【図７】実施例２による最終的なめっき膜構成断面図で
ある。
ある。
１…セラミック配線板、 ２…Ｗ焼結導
体、３…Ｂを含有するＮｉめっき膜、 ４…Ｐｄ
／Ｐｂ化合物、５…Ｐを含有するＮｉめっき膜（ａ）、
６…置換型Ａｕめっき膜（ａ）、７…Ａｕめっきム
ラ、 ８…置換型Ａｕめっき膜
（ｂ）、９…Ｐを含有する還元型Ｎｉめっき膜（ｂ）。
体、３…Ｂを含有するＮｉめっき膜、 ４…Ｐｄ
／Ｐｂ化合物、５…Ｐを含有するＮｉめっき膜（ａ）、
６…置換型Ａｕめっき膜（ａ）、７…Ａｕめっきム
ラ、 ８…置換型Ａｕめっき膜
（ｂ）、９…Ｐを含有する還元型Ｎｉめっき膜（ｂ）。
Claims (2)
- 【請求項１】Ｗ又はＭｏの焼結導体を有するセラミック
配線板において、Ｐｂを含有するＰｄ活性化液で活性化
した後、Ｂを含有する還元型Ｎｉめっきを形成、置換型
Ａｕめっきを形成し、６００〜８００℃の熱処理を行
い、Ｐを含有する還元型Ｎｉめっきを形成し、次いで置
換型Ａｕめっきを形成し、３００〜４００℃での熱処理
を施すことを特徴とするＮｉ／Ａｕめっき方法。 - 【請求項２】上記配線板のＢを含有する還元型Ｎｉめっ
き後、あらかじめＰを含有する還元型Ｎｉめっきを形成
した後、６００〜８００℃の熱処理を行い、再度Ｐを含
有するＮｉめっきを形成し、次いで置換型Ａｕめっきを
形成し、３００〜４００℃での熱処理を施すことを特徴
とするＮｉ／Ａｕめっき方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7500697A JPH10270831A (ja) | 1997-03-27 | 1997-03-27 | セラミック配線板のめっき方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7500697A JPH10270831A (ja) | 1997-03-27 | 1997-03-27 | セラミック配線板のめっき方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10270831A true JPH10270831A (ja) | 1998-10-09 |
Family
ID=13563691
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7500697A Pending JPH10270831A (ja) | 1997-03-27 | 1997-03-27 | セラミック配線板のめっき方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10270831A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2844917A1 (fr) * | 2002-09-20 | 2004-03-26 | Bosch Gmbh Robert | Procede pour fabriquer un revetement conducteur sur un substrat isolant et substrat obtenu |
| CN103524149A (zh) * | 2012-07-02 | 2014-01-22 | 精工爱普生株式会社 | 基底基板、电子器件及其制造方法以及电子设备 |
-
1997
- 1997-03-27 JP JP7500697A patent/JPH10270831A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2844917A1 (fr) * | 2002-09-20 | 2004-03-26 | Bosch Gmbh Robert | Procede pour fabriquer un revetement conducteur sur un substrat isolant et substrat obtenu |
| US7976892B2 (en) | 2002-09-20 | 2011-07-12 | Robert Bosch Gmbh | Method for producing a conductive coating on an insulating substrate |
| CN103524149A (zh) * | 2012-07-02 | 2014-01-22 | 精工爱普生株式会社 | 基底基板、电子器件及其制造方法以及电子设备 |
| CN103524149B (zh) * | 2012-07-02 | 2016-12-28 | 精工爱普生株式会社 | 基底基板、电子器件及其制造方法以及电子设备 |
| US9549481B2 (en) | 2012-07-02 | 2017-01-17 | Seiko Epson Corporation | Method for producing base substrate, method for producing electronic device, base substrate, and electronic apparatus |
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