JPS6131188B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS6131188B2 JPS6131188B2 JP730278A JP730278A JPS6131188B2 JP S6131188 B2 JPS6131188 B2 JP S6131188B2 JP 730278 A JP730278 A JP 730278A JP 730278 A JP730278 A JP 730278A JP S6131188 B2 JPS6131188 B2 JP S6131188B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- palladium
- nickel plating
- gold
- electroless nickel
- activated
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 52
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 42
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 29
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 26
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 21
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 15
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 7
- 239000000615 nonconductor Substances 0.000 claims description 4
- PIBWKRNGBLPSSY-UHFFFAOYSA-L palladium(II) chloride Chemical compound Cl[Pd]Cl PIBWKRNGBLPSSY-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 3
- XTFKWYDMKGAZKK-UHFFFAOYSA-N potassium;gold(1+);dicyanide Chemical compound [K+].[Au+].N#[C-].N#[C-] XTFKWYDMKGAZKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 12
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 6
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 4
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 3
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N Ammonia chloride Chemical compound [NH4+].[Cl-] NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010953 base metal Substances 0.000 description 2
- -1 gold ion Chemical class 0.000 description 2
- MUJIDPITZJWBSW-UHFFFAOYSA-N palladium(2+) Chemical compound [Pd+2] MUJIDPITZJWBSW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- 239000003109 Disodium ethylene diamine tetraacetate Substances 0.000 description 1
- KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N EDTA Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)CCN(CC(O)=O)CC(O)=O KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZGTMUACCHSMWAC-UHFFFAOYSA-L EDTA disodium salt (anhydrous) Chemical compound [Na+].[Na+].OC(=O)CN(CC([O-])=O)CCN(CC(O)=O)CC([O-])=O ZGTMUACCHSMWAC-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000019270 ammonium chloride Nutrition 0.000 description 1
- WUUZKBJEUBFVMV-UHFFFAOYSA-N copper molybdenum Chemical compound [Cu].[Mo] WUUZKBJEUBFVMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000019301 disodium ethylene diamine tetraacetate Nutrition 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000012776 electronic material Substances 0.000 description 1
- IZLAVFWQHMDDGK-UHFFFAOYSA-N gold(1+);cyanide Chemical compound [Au+].N#[C-] IZLAVFWQHMDDGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- MGRWKWACZDFZJT-UHFFFAOYSA-N molybdenum tungsten Chemical compound [Mo].[W] MGRWKWACZDFZJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000001509 sodium citrate Substances 0.000 description 1
- NLJMYIDDQXHKNR-UHFFFAOYSA-K sodium citrate Chemical compound O.O.[Na+].[Na+].[Na+].[O-]C(=O)CC(O)(CC([O-])=O)C([O-])=O NLJMYIDDQXHKNR-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002195 synergetic effect Effects 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Chemically Coating (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は無電解ニツケルメツキの活性化に関
する。
する。
無電解ニツケルメツキの活性化には一般にほと
んどパラジウムを単独に用いて行われている。こ
のパラジウムによる活性化はパラジウムイオン溶
液中に被メツキ物を数分間入れることにより、め
つき下地金属とパラジウムを置換させて触媒性を
付与するものである。しかしながらパラジウムに
よる活性化は次の欠点を有する。第１にパラジウ
ムの活性はきわめて高いために目的以外の個所に
ニツケルが析出する。例えば半導体製品の場合、
第１図を参照しセラミツク基板１の上にタングス
テンモリブデン等の素材金属２を印刷、焼結して
所定の配線パターンを形成し、この上にニツケル
メツキ３する場合、パラジウム活性化は素材金属
上のみならず不導体であるセラミツク表面部分に
も生じて配線間のブリツジシヨート４を起し易
い。第２に素材金属２とニツケルメツキ３との間
に置換反応により析出した密着性の悪いパラジウ
ムが挾まるために無電解ニツケルメツキ後にニツ
ケルメツキの一部に剥れ５を生じることがある。
んどパラジウムを単独に用いて行われている。こ
のパラジウムによる活性化はパラジウムイオン溶
液中に被メツキ物を数分間入れることにより、め
つき下地金属とパラジウムを置換させて触媒性を
付与するものである。しかしながらパラジウムに
よる活性化は次の欠点を有する。第１にパラジウ
ムの活性はきわめて高いために目的以外の個所に
ニツケルが析出する。例えば半導体製品の場合、
第１図を参照しセラミツク基板１の上にタングス
テンモリブデン等の素材金属２を印刷、焼結して
所定の配線パターンを形成し、この上にニツケル
メツキ３する場合、パラジウム活性化は素材金属
上のみならず不導体であるセラミツク表面部分に
も生じて配線間のブリツジシヨート４を起し易
い。第２に素材金属２とニツケルメツキ３との間
に置換反応により析出した密着性の悪いパラジウ
ムが挾まるために無電解ニツケルメツキ後にニツ
ケルメツキの一部に剥れ５を生じることがある。
このようなパラジウム活性化の欠点を改善する
一つの手段として本出願人により金メツキで活性
化する方法（特願昭52−32196）が提案されてい
る。この方法は金イオン溶液中に被処理物を浸し
てメツキ下地金属と金とを直接に置換させるもの
であるが、金メツキ活性化によれば金とイオン化
傾向の差が小さい銅、アルカリ性で溶けにくいモ
リブデン等の金属には使えないという欠点があ
る。
一つの手段として本出願人により金メツキで活性
化する方法（特願昭52−32196）が提案されてい
る。この方法は金イオン溶液中に被処理物を浸し
てメツキ下地金属と金とを直接に置換させるもの
であるが、金メツキ活性化によれば金とイオン化
傾向の差が小さい銅、アルカリ性で溶けにくいモ
リブデン等の金属には使えないという欠点があ
る。
本願発明は上述したことにかんがみ、金とパラ
ジウムの両方で活性化することで、単独で活性化
する場合の欠点を補い、かつ両者の長所を生かす
ことに着目して成されたものである。したがつて
本発明の目的は被メツキ材に限定されることなく
密着性の良い無電解ニツケルメツキを得ることで
あり、又、微細パターンの配線への無電解ニツケ
ルメツキを可能にすることである。
ジウムの両方で活性化することで、単独で活性化
する場合の欠点を補い、かつ両者の長所を生かす
ことに着目して成されたものである。したがつて
本発明の目的は被メツキ材に限定されることなく
密着性の良い無電解ニツケルメツキを得ることで
あり、又、微細パターンの配線への無電解ニツケ
ルメツキを可能にすることである。
上記目的を達成するための本発明の要旨は、不
導体表面に選択的に形成された導体層を有する被
処理体を塩化パラジウムを成分とするパラジウム
溶液に浸し活性化し、次いで少くとも金シアン化
カリを成分とする金溶液に浸し、それらにより、
前記被処理体の導体層表面に活性化部分を形成
し、その後無電解ニツケルメツキにより前記活性
化された導体層上にニツケルメツキ層を形成する
ことを特徴とする無電解ニツケルメツキ法にあ
る。
導体表面に選択的に形成された導体層を有する被
処理体を塩化パラジウムを成分とするパラジウム
溶液に浸し活性化し、次いで少くとも金シアン化
カリを成分とする金溶液に浸し、それらにより、
前記被処理体の導体層表面に活性化部分を形成
し、その後無電解ニツケルメツキにより前記活性
化された導体層上にニツケルメツキ層を形成する
ことを特徴とする無電解ニツケルメツキ法にあ
る。
以下実施例にそつて具体的に述べる。
第２図ａ〜ｄは本発明による無電解ニツケルメ
ツキ法の一実施例を工程順に示すものである。
ツキ法の一実施例を工程順に示すものである。
(a) 不導体基板１としてアルミナ系セラミツク板
又は合成樹脂板等の上にタングステン、モリブ
デン、銅等の素材金属ペーストを印刷して所要
とする配線パターン２を形成したものを用意す
る。タングステン、モリブデンの場合セラミツ
クと共に焼結しメタライズ化したものとする。
又は合成樹脂板等の上にタングステン、モリブ
デン、銅等の素材金属ペーストを印刷して所要
とする配線パターン２を形成したものを用意す
る。タングステン、モリブデンの場合セラミツ
クと共に焼結しメタライズ化したものとする。
(b) まずパラジウム活性化を短時間行う。すなわ
ち、塩化パラジウム、塩酸及び若干のEDTA
（エチレンジアミン４酢酸２ナトリウム）を成
分とするパラジウムイオン溶液中に前記被処理
物を30秒乃至１分程度浸す。これにより素材金
属表面に極く微細のパラジウム活性化部分６が
形成される。
ち、塩化パラジウム、塩酸及び若干のEDTA
（エチレンジアミン４酢酸２ナトリウム）を成
分とするパラジウムイオン溶液中に前記被処理
物を30秒乃至１分程度浸す。これにより素材金
属表面に極く微細のパラジウム活性化部分６が
形成される。
(c) 次いで金活性化を行う。すなわち、金シアン
化カリ、塩化アンモニウム及びクエン酸ナトリ
ウムを成分とする金イオン溶液中に前記パラジ
ウム活性化した被処理物を30秒乃至３分浸す。
これにより素材表面にパラジウム及び金による
活性化部分７が形成される。
化カリ、塩化アンモニウム及びクエン酸ナトリ
ウムを成分とする金イオン溶液中に前記パラジ
ウム活性化した被処理物を30秒乃至３分浸す。
これにより素材表面にパラジウム及び金による
活性化部分７が形成される。
(d) この後、公知の無電解ニツケルメツキ技術に
よりパラジウム・金活性化された素材金属上に
ニツケルメツキ３を形成する。
よりパラジウム・金活性化された素材金属上に
ニツケルメツキ３を形成する。
以上実施例で述べた構成によれば下記の理由で
前記した発明の目的が達成できる。
前記した発明の目的が達成できる。
(1) 触媒性の大きいパラジウム活性化を短時間行
うことと、触媒性の小さい金活性化を行うこと
とを併用する相乗効果により、無電解ニツケル
メツキの段階でブリツジが起きることがなくな
つた。
うことと、触媒性の小さい金活性化を行うこと
とを併用する相乗効果により、無電解ニツケル
メツキの段階でブリツジが起きることがなくな
つた。
(2) 被処理物としてイオン化傾向の比較的大きい
金属、例えば鉄のみならず、イオン化傾向が小
さい金属や、アルカリ性に溶けにくい金属、例
えば銅、モリブデンに対して、最初に酸性でパ
ラジウム活性化をかるく行うことによりその後
の金活性化が可能となり、したがつて密着性の
良い無電解ニツケルメツキが得られる。
金属、例えば鉄のみならず、イオン化傾向が小
さい金属や、アルカリ性に溶けにくい金属、例
えば銅、モリブデンに対して、最初に酸性でパ
ラジウム活性化をかるく行うことによりその後
の金活性化が可能となり、したがつて密着性の
良い無電解ニツケルメツキが得られる。
上記(1)(2)により無電解ニツケルメツキの適用範
囲が下記のように拡大される。
囲が下記のように拡大される。
例えばIC，LSI等の微細パターン配線基板への
無電解ニツケルメツキ、電子材料部品の銅モリブ
デン金属板への無電解ニツケルメツキが可能とな
つた。又セラミツクパツケージ、テープキヤリア
パツケージ、ウエハメツキ等への無電解ニツケル
メツキの適用も可能となつた。さらに従来の単独
にパラジウム活性化を行なつていたものに本発明
を適用することができる。
無電解ニツケルメツキ、電子材料部品の銅モリブ
デン金属板への無電解ニツケルメツキが可能とな
つた。又セラミツクパツケージ、テープキヤリア
パツケージ、ウエハメツキ等への無電解ニツケル
メツキの適用も可能となつた。さらに従来の単独
にパラジウム活性化を行なつていたものに本発明
を適用することができる。
第１図は従来の無電解ニツケルメツキによる態
様を説明するための断面図、第２図ａ〜ｄは本発
明の一実施例を工程順に示す断面図である。 １……不導体基板（セラミツク）、２……導体
（金属配線）、３……ニツケルメツキ、４……ブリ
ツジ、５……剥れ、６……パラジウム活性部分、
７……パラジウム・金活性部分。
様を説明するための断面図、第２図ａ〜ｄは本発
明の一実施例を工程順に示す断面図である。 １……不導体基板（セラミツク）、２……導体
（金属配線）、３……ニツケルメツキ、４……ブリ
ツジ、５……剥れ、６……パラジウム活性部分、
７……パラジウム・金活性部分。
Claims (1)
- １ 不導体表面に選択的に形成された導体層を有
する被処理体を塩化パラジウムを成分とするパラ
ジウム溶液に浸し活性化し、次いで少くとも金シ
アン化カリを成分とする金溶液に浸し、それらに
より、前記被処理体の導体層表面に活性化部分を
形成し、その後無電解ニツケルメツキにより前記
活性化された導体層上にニツケルメツキ層を形成
することを特徴とする無電解ニツケルメツキ法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP730278A JPS54100931A (en) | 1978-01-27 | 1978-01-27 | Electroless nickel plating |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP730278A JPS54100931A (en) | 1978-01-27 | 1978-01-27 | Electroless nickel plating |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS54100931A JPS54100931A (en) | 1979-08-09 |
| JPS6131188B2 true JPS6131188B2 (ja) | 1986-07-18 |
Family
ID=11662218
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP730278A Granted JPS54100931A (en) | 1978-01-27 | 1978-01-27 | Electroless nickel plating |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS54100931A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007291448A (ja) * | 2006-04-25 | 2007-11-08 | Hitachi Chem Co Ltd | 銅箔の表面処理方法及び銅箔 |
| JP2008088542A (ja) * | 2006-09-06 | 2008-04-17 | Hitachi Chem Co Ltd | 銅の表面処理方法 |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0765180B2 (ja) * | 1986-06-19 | 1995-07-12 | 新光電気工業株式会社 | 無解電ニツケルめつき用活性化液 |
| JPS63252446A (ja) * | 1987-04-09 | 1988-10-19 | Toshiba Corp | はんだバンプの形成方法 |
| JPS63305532A (ja) * | 1987-06-05 | 1988-12-13 | Toshiba Corp | バンプの形成方法 |
| EP2524976B1 (en) * | 2011-05-17 | 2016-06-29 | ATOTECH Deutschland GmbH | Pretreatment for electroless plating |
-
1978
- 1978-01-27 JP JP730278A patent/JPS54100931A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007291448A (ja) * | 2006-04-25 | 2007-11-08 | Hitachi Chem Co Ltd | 銅箔の表面処理方法及び銅箔 |
| JP2008088542A (ja) * | 2006-09-06 | 2008-04-17 | Hitachi Chem Co Ltd | 銅の表面処理方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS54100931A (en) | 1979-08-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5235139A (en) | Method for fabricating printed circuits | |
| US3628999A (en) | Plated through hole printed circuit boards | |
| US4152477A (en) | Printed circuit board and method for making the same | |
| FR2569725B1 (fr) | Procede de metallisation selective de substrats isolants de plaquettes a circuits | |
| US6336962B1 (en) | Method and solution for producing gold coating | |
| JPS6131188B2 (ja) | ||
| JPH10287994A (ja) | ボンディング部のメッキ構造 | |
| JP2003013249A (ja) | 置換金メッキ液 | |
| JP5843249B2 (ja) | 無電解パラジウムめっき又は無電解パラジウム合金めっきの前処理用活性化液 | |
| JPH01303789A (ja) | セラミック配線基板の部分厚付け金被覆膜形成方法 | |
| US5922517A (en) | Method of preparing a substrate surface for conformal plating | |
| JPH0828561B2 (ja) | プリント配線板の製造法 | |
| JP2529294B2 (ja) | 多層めつき方法 | |
| JPS6056073A (ja) | セラミツク基板への部分厚付け金被覆方法 | |
| KR20060006536A (ko) | 반도체 패키지용 인쇄회로기판의 도금층 형성방법 및이로부터 제조된 인쇄회로기판 | |
| JP5990789B2 (ja) | 無電解パラジウムめっき又は無電解パラジウム合金めっきの前処理用活性化液 | |
| JP3801334B2 (ja) | 半導体素子搭載用基板とその製造方法 | |
| JPH10242205A (ja) | ワイヤボンディング端子とその形成方法 | |
| US5198264A (en) | Method for adhering polyimide to a substrate | |
| JP2000226672A (ja) | 無電解金めっき方法 | |
| JPH03188694A (ja) | 回路基板の防錆処理方法 | |
| JPS6182493A (ja) | セラミツク配線基板の製造方法 | |
| JPH05306470A (ja) | 選択的無電解めっき用触媒液 | |
| JPH04365876A (ja) | 銅系素材上への選択的無電解めっき方法 | |
| JPH0669635A (ja) | プリント配線板の製造方法 |