JPH01303789A - セラミック配線基板の部分厚付け金被覆膜形成方法 - Google Patents
セラミック配線基板の部分厚付け金被覆膜形成方法Info
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- JPH01303789A JPH01303789A JP13267088A JP13267088A JPH01303789A JP H01303789 A JPH01303789 A JP H01303789A JP 13267088 A JP13267088 A JP 13267088A JP 13267088 A JP13267088 A JP 13267088A JP H01303789 A JPH01303789 A JP H01303789A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
- H05K3/24—Reinforcing the conductive pattern
- H05K3/245—Reinforcing conductive patterns made by printing techniques or by other techniques for applying conductive pastes, inks or powders; Reinforcing other conductive patterns by such techniques
- H05K3/246—Reinforcing conductive paste, ink or powder patterns by other methods, e.g. by plating
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Chemically Coating (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明はセラミック配線基板の電気的に孤立した導体
パターンの一部に選択的に厚付は金被扱膜を形成する方
法に関するものである。
パターンの一部に選択的に厚付は金被扱膜を形成する方
法に関するものである。
セラミック配線基板においては、金線ボンディングの接
合強度を確保Tるため、金線ボンティングを行なうべき
導体パターンにのみ厚付は金被核膜を形成している。
合強度を確保Tるため、金線ボンティングを行なうべき
導体パターンにのみ厚付は金被核膜を形成している。
従来、セラミック配線基板の一気的に孤立した導体パタ
ーンの一部に選択的に厚付は金被覆膜を形成するには、
特開昭60−187090号公報に示されるように、導
電性ペーストを塗布することにより、厚付は金被覆@を
形成すべき導体パターンの導通処理を行ない、厚付は金
被覆膜を形成すべき導体パターン8残してめっきレジス
トヲ塗布したのち、厚付は金被葎膜を形成すべき導体パ
ターン上に電気金めつき法により一部めつき膜を形成し
ている。
ーンの一部に選択的に厚付は金被覆膜を形成するには、
特開昭60−187090号公報に示されるように、導
電性ペーストを塗布することにより、厚付は金被覆@を
形成すべき導体パターンの導通処理を行ない、厚付は金
被覆膜を形成すべき導体パターン8残してめっきレジス
トヲ塗布したのち、厚付は金被葎膜を形成すべき導体パ
ターン上に電気金めつき法により一部めつき膜を形成し
ている。
しかし、このようなセラミック配線基板の部分厚付は金
被覆膜形成方法においては、導電性ペーストを塗布する
ことにより、導通処理を行なう必要があるから、厚付は
金被!fI膜を形成する作業が面倒である。
被覆膜形成方法においては、導電性ペーストを塗布する
ことにより、導通処理を行なう必要があるから、厚付は
金被!fI膜を形成する作業が面倒である。
この発明は上述の課題を解決するためになされたもので
、容易に厚付は金被覆膜を形成することができるセラミ
ック配線基板の部分厚付は金被覆膜形成方法を提供する
ことを目的とする。
、容易に厚付は金被覆膜を形成することができるセラミ
ック配線基板の部分厚付は金被覆膜形成方法を提供する
ことを目的とする。
〔課題8解決するための手段〕
この目的8達成するため、この発明においては、セラミ
ック配線基板の電気的に孤立した導体ノ(ターンの一部
に選択的tこ厚付は金被覆膜を形成する方法4こおいて
、上記導体パターン上(こ無電解ニッケルめっき法ζこ
より無電解ニッケルめっき膜を形成する第1工程と、上
記無電解ニッケルめっき膜上に置換めっき法により置換
金めつき展を形成する第2工程と、一部の上記導体パタ
ーンの上記置換金めつき膜上に選択的にめつきレジスト
を塗布してめっきレジスト膜を形成する第6エ程と、上
記めっきレジスト膜が形成されない上記置換金めつき膜
上擾こ無電解金めつき法により無電解金めつき膜を形成
する第4工程と、上記めっきレジスト膜を除去する第5
工程とを行なう。
ック配線基板の電気的に孤立した導体ノ(ターンの一部
に選択的tこ厚付は金被覆膜を形成する方法4こおいて
、上記導体パターン上(こ無電解ニッケルめっき法ζこ
より無電解ニッケルめっき膜を形成する第1工程と、上
記無電解ニッケルめっき膜上に置換めっき法により置換
金めつき展を形成する第2工程と、一部の上記導体パタ
ーンの上記置換金めつき膜上に選択的にめつきレジスト
を塗布してめっきレジスト膜を形成する第6エ程と、上
記めっきレジスト膜が形成されない上記置換金めつき膜
上擾こ無電解金めつき法により無電解金めつき膜を形成
する第4工程と、上記めっきレジスト膜を除去する第5
工程とを行なう。
このセラミック配線基板の部分厚付は金被覆膜形成方法
4こおいては、電気金めつき法を行なわないから、導電
性ペーストの塗布による導通処理を行なう必歎かない。
4こおいては、電気金めつき法を行なわないから、導電
性ペーストの塗布による導通処理を行なう必歎かない。
第1図によりこの発明に係るセラミック配線基板の部分
厚付は金被覆膜形成方法を説明する。まず、第1図(a
)に示Tアルミナセラミック基板1の表面に電気的に孤
立して設けられたタングステンからなる導体パターン2
g、2b上に無電解ニッケルめっき膜を形成するための
前処理を行なう。
厚付は金被覆膜形成方法を説明する。まず、第1図(a
)に示Tアルミナセラミック基板1の表面に電気的に孤
立して設けられたタングステンからなる導体パターン2
g、2b上に無電解ニッケルめっき膜を形成するための
前処理を行なう。
すなわち、液温か80°Cの10wt%水散化す) I
Jウム水溶液に15分間浸漬し、純水で1分間水洗し、
液温60°Cのパラジウム活性液(日本カニゼン製、随
2液)に3分間浸漬し、純水で3分間水洗することによ
り、導体パターン2a、2b上にパラジウムのめつき核
を付着させる。つぎに、液温か60°Cの無電解ニッケ
ルめっき液(日本カニゼン製。
Jウム水溶液に15分間浸漬し、純水で1分間水洗し、
液温60°Cのパラジウム活性液(日本カニゼン製、随
2液)に3分間浸漬し、純水で3分間水洗することによ
り、導体パターン2a、2b上にパラジウムのめつき核
を付着させる。つぎに、液温か60°Cの無電解ニッケ
ルめっき液(日本カニゼン製。
5B−55−1)に15分間浸漬することにより、第1
図(b)に示すように、導体パターン2a、2b上に厚
さが2.5μmの無電解ニッケルめつき膜38珍成した
のち、水洗処理を行なう。つぎに、液温か90°Cで、
pHが3.5の置換金めつき液(日中貴金属製、レクト
ロレス・プレツブ)lこ20分間浸漬することにより、
第1図(e)に示すように、無電解ニッケルめつき膜3
上に厚さが0.1μmの置換金めつき膜4を形成し、純
水で1分間水洗したのち、エアブロ−乾燥を行なう。つ
ぎに、厚付は金被覆膜を形成しない導体パターン2bの
置換金めつき膜4上ζこスクリーン印刷法によりめっき
レジスト(英国のフロトコート社製、 #54 QC)
i印刷した(/Jち、80°Cの雰囲気中に20分間放
置して、めっきレジストヲ硬化することIこより、第1
図(d)に示すように、めっきレジスト膜5を形成する
。つぎに、液温か75°Cで、pHが8.5の無電解金
めつき液(組成はNaAuC1a ・2 Hs Oが1
o g / l 、 Na25zOs −5H10が5
0 g / l 、 Nat SOsが60 g /
l 、 (Nt(t ) t CSが5g/J)に2時
間浸漬することにより、第1図(e)に示すように、導
体パターン2aの置換金めつき膜4上(こ厚さが3μm
の無電解金めつき膜6を形成する。つぎに、80°Cの
クロロセン浴に&[することζこより、第1図(f)ζ
こ示すように、めっきレジスト膜5を剥離、除去する。
図(b)に示すように、導体パターン2a、2b上に厚
さが2.5μmの無電解ニッケルめつき膜38珍成した
のち、水洗処理を行なう。つぎに、液温か90°Cで、
pHが3.5の置換金めつき液(日中貴金属製、レクト
ロレス・プレツブ)lこ20分間浸漬することにより、
第1図(e)に示すように、無電解ニッケルめつき膜3
上に厚さが0.1μmの置換金めつき膜4を形成し、純
水で1分間水洗したのち、エアブロ−乾燥を行なう。つ
ぎに、厚付は金被覆膜を形成しない導体パターン2bの
置換金めつき膜4上ζこスクリーン印刷法によりめっき
レジスト(英国のフロトコート社製、 #54 QC)
i印刷した(/Jち、80°Cの雰囲気中に20分間放
置して、めっきレジストヲ硬化することIこより、第1
図(d)に示すように、めっきレジスト膜5を形成する
。つぎに、液温か75°Cで、pHが8.5の無電解金
めつき液(組成はNaAuC1a ・2 Hs Oが1
o g / l 、 Na25zOs −5H10が5
0 g / l 、 Nat SOsが60 g /
l 、 (Nt(t ) t CSが5g/J)に2時
間浸漬することにより、第1図(e)に示すように、導
体パターン2aの置換金めつき膜4上(こ厚さが3μm
の無電解金めつき膜6を形成する。つぎに、80°Cの
クロロセン浴に&[することζこより、第1図(f)ζ
こ示すように、めっきレジスト膜5を剥離、除去する。
このセラミック配線基板の部分厚付は金被覆膜形成方法
においては、電気金めつき法を行なわないから、導電性
ペーストの塗布による導通処理を行なう必をがないので
、容易(こ厚付は金被覆膜を形成Tることができる。ま
た、導体パターン2a。
においては、電気金めつき法を行なわないから、導電性
ペーストの塗布による導通処理を行なう必をがないので
、容易(こ厚付は金被覆膜を形成Tることができる。ま
た、導体パターン2a。
2b上に無X鮮ニッケルめつき膜3を形成するから、導
体パターン2bとはんだ、銀ろう、金−ゲルマニウム等
のろう材との接合強度を確保することができる。さらに
、無電解ニッケルめつき[3上に置換金めつき膜4を形
成するから、導体パターン2b上の無電解ニッケルめっ
き膜3の酸化を防止することができ、はんだ接合時のは
んだ濡れ性を確保することができるとともに、導体パタ
ーン2a上に無電解金めつき膜68形成する際の無電解
めっき析出のための触媒核を形成することができる。し
かも、導体パターン2bへのはんだ接合時に、はんだ中
への金の拡散量が1 w t%以上になるさ、はんだの
機械的性質が低下するが、置換金めつき膜4の厚さを0
.1μmと薄くしたから、はんだ中への金の拡散′ji
t8少なくすることができるので、はんだの機械的性質
が低下することはない。
体パターン2bとはんだ、銀ろう、金−ゲルマニウム等
のろう材との接合強度を確保することができる。さらに
、無電解ニッケルめつき[3上に置換金めつき膜4を形
成するから、導体パターン2b上の無電解ニッケルめっ
き膜3の酸化を防止することができ、はんだ接合時のは
んだ濡れ性を確保することができるとともに、導体パタ
ーン2a上に無電解金めつき膜68形成する際の無電解
めっき析出のための触媒核を形成することができる。し
かも、導体パターン2bへのはんだ接合時に、はんだ中
への金の拡散量が1 w t%以上になるさ、はんだの
機械的性質が低下するが、置換金めつき膜4の厚さを0
.1μmと薄くしたから、はんだ中への金の拡散′ji
t8少なくすることができるので、はんだの機械的性質
が低下することはない。
また、市販の無電解金めつき液たとえば田中賃金属製、
レクトロレス・3Gを用いたときには、市販の無電解金
めつき液はシアン化金(I)カリウム。
レクトロレス・3Gを用いたときには、市販の無電解金
めつき液はシアン化金(I)カリウム。
シアン化カリウムおよび水酸化カリウムを主成分とする
ため、市販の無電解金めつき液のpHは13〜14と強
アルカリ性であり、しかも無電解金めつき液の液温88
0°C以上と高温にする必要があるから、めっきレジス
ト膜5が犯されるが、pHが8.5の無電解金めつき液
を用いたときには、めっきレジスト膜5が犯されること
はない。
ため、市販の無電解金めつき液のpHは13〜14と強
アルカリ性であり、しかも無電解金めつき液の液温88
0°C以上と高温にする必要があるから、めっきレジス
ト膜5が犯されるが、pHが8.5の無電解金めつき液
を用いたときには、めっきレジスト膜5が犯されること
はない。
なお、上述実施例においては、導体パターン2a、21
)がタングステンからなる場合について説明したが、導
体パターンがモリブデン等からなる場合にもこの発明を
適用することができる。また、上述実施例においては、
導体パターン2a。
)がタングステンからなる場合について説明したが、導
体パターンがモリブデン等からなる場合にもこの発明を
適用することができる。また、上述実施例においては、
導体パターン2a。
2b上に厚さが2.5μmの無電解ニッケルめっき膜3
8形成したが、ピンホールレスあるいは内部応力の観点
から、無電解ニッケルめつき膜3の厚さは1.5〜8μ
m、より好ましくは2〜5μmが好適である。さらに、
無電解ニッケルめっき液としては、析出膜中にリンを含
有するリン系無電解ニッケルめっき液と析出膜中にボロ
ンを含有するボロン系無電解ニッケルめっき液とがあり
、いずれの無電解ニッケルめっき液をも用いることがで
きるが、好ましくはニッケル純度が高くかつ析出膜中に
高融点のボロンを含有するボロン系無電解ニッケルめっ
き液を用いるのが好適である。また、上述実施例ζこお
いては、置換金めつき液として日中貴金属製、レクトロ
レス・プレツブを用いたが、日本エンゲルハルト製、ア
トメツクスを用いてもよい。さらに、上述実施例におい
ては、置換金めつき膜4の厚さを0.1μmとしたが、
置換金めつき膜4の厚さは0.03〜0.2μmが好適
である。また、上述実施例においては、めっきレジスト
として英国のフロトコート社製、 #340Cを用いた
が、めっきレジストとしては溶剤等により除去可能な樹
脂系めっきレジストヲ適用することができ、耐アルカリ
性を有するものを用いるのが望ましい。さらに、上述実
施例−こおいては、無電解金めつき膜6の厚さを3μm
としたが、無電解金めつき膜6ω厚すは0.5〜5μm
1より好ましくは2〜3μmが好適である。また、上述
実施例においては、組成がNaAuC14−2H2Oが
10 g/ 1. Name、On 45H20が50
g/l、N町Sonが6Gg/1.(Na)、CSが5
g/l。
8形成したが、ピンホールレスあるいは内部応力の観点
から、無電解ニッケルめつき膜3の厚さは1.5〜8μ
m、より好ましくは2〜5μmが好適である。さらに、
無電解ニッケルめっき液としては、析出膜中にリンを含
有するリン系無電解ニッケルめっき液と析出膜中にボロ
ンを含有するボロン系無電解ニッケルめっき液とがあり
、いずれの無電解ニッケルめっき液をも用いることがで
きるが、好ましくはニッケル純度が高くかつ析出膜中に
高融点のボロンを含有するボロン系無電解ニッケルめっ
き液を用いるのが好適である。また、上述実施例ζこお
いては、置換金めつき液として日中貴金属製、レクトロ
レス・プレツブを用いたが、日本エンゲルハルト製、ア
トメツクスを用いてもよい。さらに、上述実施例におい
ては、置換金めつき膜4の厚さを0.1μmとしたが、
置換金めつき膜4の厚さは0.03〜0.2μmが好適
である。また、上述実施例においては、めっきレジスト
として英国のフロトコート社製、 #340Cを用いた
が、めっきレジストとしては溶剤等により除去可能な樹
脂系めっきレジストヲ適用することができ、耐アルカリ
性を有するものを用いるのが望ましい。さらに、上述実
施例−こおいては、無電解金めつき膜6の厚さを3μm
としたが、無電解金めつき膜6ω厚すは0.5〜5μm
1より好ましくは2〜3μmが好適である。また、上述
実施例においては、組成がNaAuC14−2H2Oが
10 g/ 1. Name、On 45H20が50
g/l、N町Sonが6Gg/1.(Na)、CSが5
g/l。
pHが8.5で、液温か75°Cの無電解金めつき液を
用いたが、組成はNaAuC14−2Hl Oが1〜2
0g/l、より好ましくは2〜10 g/l、 Nat
StOs H5&Oが10〜100g/1.より好まし
くは15〜50g/13゜Nap 803が20〜1o
og/J、より好ましくは30〜60g/ l 、 (
NH* )t CSが1〜10g/A!、より好ましく
は2〜5g/lが好適であり、またpHは7〜10゜よ
り好ましくは8.0〜9.0が好適であり、さらに液温
は50〜90°C9より好ましくは70〜80°Cが好
適である。
用いたが、組成はNaAuC14−2Hl Oが1〜2
0g/l、より好ましくは2〜10 g/l、 Nat
StOs H5&Oが10〜100g/1.より好まし
くは15〜50g/13゜Nap 803が20〜1o
og/J、より好ましくは30〜60g/ l 、 (
NH* )t CSが1〜10g/A!、より好ましく
は2〜5g/lが好適であり、またpHは7〜10゜よ
り好ましくは8.0〜9.0が好適であり、さらに液温
は50〜90°C9より好ましくは70〜80°Cが好
適である。
以上説明したように、この発明に係るセラミック配線基
板の部分厚付は金被覆膜形成方法においては、電気金め
つき法を行なわないから、導電性ペーストの塗布による
導通処理を行なう必要がないので、容易に厚付は金被覆
膜を形成することができる。このよう薯こ、この発明の
効果は顕著である。
板の部分厚付は金被覆膜形成方法においては、電気金め
つき法を行なわないから、導電性ペーストの塗布による
導通処理を行なう必要がないので、容易に厚付は金被覆
膜を形成することができる。このよう薯こ、この発明の
効果は顕著である。
第1図はこの発明に係るセラミック配縁基板の部分厚付
は金被榎膜形成方法を説明するための図である。 1・・・アルミナセラミック基板 2a、2b・・・導体パターン 3・・・無電解ニッケルめっき膜 4・・・置換金めつき膜 5・・・めっきレジスト膜 6・・・無電解金めつき膜
は金被榎膜形成方法を説明するための図である。 1・・・アルミナセラミック基板 2a、2b・・・導体パターン 3・・・無電解ニッケルめっき膜 4・・・置換金めつき膜 5・・・めっきレジスト膜 6・・・無電解金めつき膜
Claims (2)
- 1.セラミック配線基板の電気的に孤立した導体パター
ンの一部に選択的に厚付け金被覆膜を形成する方法にお
いて、上記導体パターン上に無電解ニツケルめつき法に
より無電解ニツケルめつき膜を形成する第1工程と、上
記無電解ニツケルめつき膜上に置換めつき法により置換
金めつき膜を形成する第2工程と、一部の上記導体パタ
ーンの上記置換金めつき膜上に選択的にめつきレジスト
を塗布してめつきレジスト膜を形成する第3工程と、上
記めつきレジスト膜が形成されない上記置換金めつき膜
上に無電解金めつき法により無電解金めつき膜を形成す
る第4工程と、上記めつきレジスト膜を除去する第5工
程とを有することを特徴とするセラミック配線基板の部
分厚付け金被覆膜形成方法。 - 2.上記無電解金めつき法に使用する無電解金めつき液
の金塩が塩化金酸(III)ナトリウムであり、錯化剤が
チオ硫酸ナトリウムおよび亜硫酸ナトリウムであり、還
元剤がチオ尿素であり、pHが7〜10であることを特
徴とする請求項1記載のセラミック配線基板の部分厚付
け金被覆膜形成方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13267088A JPH01303789A (ja) | 1988-06-01 | 1988-06-01 | セラミック配線基板の部分厚付け金被覆膜形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13267088A JPH01303789A (ja) | 1988-06-01 | 1988-06-01 | セラミック配線基板の部分厚付け金被覆膜形成方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01303789A true JPH01303789A (ja) | 1989-12-07 |
Family
ID=15086752
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP13267088A Pending JPH01303789A (ja) | 1988-06-01 | 1988-06-01 | セラミック配線基板の部分厚付け金被覆膜形成方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01303789A (ja) |
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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JP2005150642A (ja) * | 2003-11-19 | 2005-06-09 | Seiko Epson Corp | 可撓性配線基板、可撓性配線基板の製造方法、電子デバイスおよび電子機器 |
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CN109699125A (zh) * | 2017-10-20 | 2019-04-30 | 庆鼎精密电子(淮安)有限公司 | 电路板及其制作方法 |
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-
1988
- 1988-06-01 JP JP13267088A patent/JPH01303789A/ja active Pending
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JP2022027927A (ja) * | 2019-12-10 | 2022-02-14 | 日東電工株式会社 | 配線回路基板の製造方法 |
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