CN103524149A - 基底基板、电子器件及其制造方法以及电子设备 - Google Patents

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Abstract

基底基板、电子器件及其制造方法以及电子设备。本发明的基底基板的制造方法包括以下步骤：准备绝缘体基板；在所述绝缘体基板上形成以包含钨和钼中的至少一种的熔点为1000℃以上的金属为主成分的第1膜；在所述第1膜上形成以镍为主成分且包含硼的第2膜；对所述第1膜和所述第2膜进行烧结处理而形成第1金属层；以及在所述第1金属层上形成以钯为主成分的第2金属层。

Description

基底基板、电子器件及其制造方法以及电子设备
技术领域
本发明涉及基底基板的制造方法、电子器件的制造方法、基底基板以及电子设备。
背景技术
以往，例如公知有将振动元件等功能元件收纳在封装中而构成的电子器件。并且，公知封装成为隔着接合层（焊料）对具有凹部的基底基板和覆盖凹部开口的盖（盖部）进行接合的结构。
在这种电子器件中，为了对封装的内部空间进行气密密封，将盖气密接合在基底基板上，但是，作为该接合方法，例如使用激光熔接、缝熔接、基于低熔点玻璃的接合等。关于这种激光熔接等的接合，例如，在基底基板上形成接合层（金属化层），在该接合层上重合盖，在该状态下从盖侧照射激光而使接合层熔融，由此，隔着接合层而将盖接合在基底基板上（例如参照专利文献1）。
接合层形成由W、Mo、Ag或它们的合金形成的基底层，通过无电解镀而在该基底层上形成Ni或Ni-P的金属层，在该Ni或Ni-P的金属层上形成Pd或Pd-P的金属层，进而，在该Pd或Pd-P的金属层上形成Au的金属层。
但是，在这种接合层中，在激光熔接时，在接合层中产生裂缝，在接合层或接合层与基底基板之间产生间隙，产生难以确保凹部内的气密性的问题。
【专利文献1】日本特开2007-63042号公报
发明内容
本发明的目的在于，提供一种基底基板的制造方法、电子器件的制造方法、基底基板以及电子设备，能够防止在隔着接合层对基底基板和盖部进行接合时在接合层中产生裂缝，保持内部空间的气密性。
本发明正是为了解决上述课题中的至少一部分而完成的，能够作为以下的方式或应用例而实现。
[应用例1]
本发明的基底基板的制造方法的特征在于，该基底基板的制造方法包括以下步骤：准备绝缘体基板；在所述绝缘体基板上形成以包含钨和钼中的至少一种的熔点为1000℃以上的金属为主成分的第1膜；在所述第1膜上形成以镍为主成分且包含硼的第2膜；对所述第1膜和所述第2膜进行烧结处理而形成第1金属层；以及在所述第1金属层上形成以钯为主成分的第2金属层。
由此，能够得到如下的基底基板：通过抑制由于在激光熔接/缝熔接等熔接时产生的热影响而使来自接合层的镀层的排气/结晶性变化，能够抑制接合层的热变化，能够防止在隔着接合层对基底基板和盖部进行接合时接合层产生裂缝，能够保持内部空间的气密性。
并且，通过形成以钯为主成分的第2金属层，在隔着接合层对基底基板和盖部进行接合时，第2金属层作为阻挡层发挥功能，能够防止第2金属层的下层的镍移动到第2金属层的上层，由此，能够防止在接合层上形成镍的氧化物。由此，接合层上的焊料的浸润性不会丧失，能够保持内部空间的气密性。
[应用例2]
在本发明的基底基板的制造方法中，优选所述基底基板的制造方法在所述烧结处理之后形成所述第2金属层的步骤之前包括以下步骤：在所述第1金属层上形成包含镍和硼且厚度为0.5μm以下的第3金属层，在所述第3金属层上形成所述第2金属层。
由此，能够使接合层的厚度更厚。
[应用例3]
在本发明的基底基板的制造方法中，优选所述第2膜中的硼的浓度为3%质量百分比以下。
由此，能够更加可靠地防止在隔着接合层对基底基板和盖部进行接合时接合层产生裂缝。
[应用例4]
在本发明的基底基板的制造方法中，优选所述基底基板的制造方法包括以下步骤：在所述第2金属层上形成包含金的第4金属层。
由此，能够提高接合层的浸润性。
[应用例5]
在本发明的基底基板的制造方法中，优选所述第2金属层中的钯以外的成分的浓度为5%质量百分比以下。
由此，能够提高所述第2金属层的作为阻挡层的功能。
[应用例6]
本发明的电子器件的制造方法的特征在于，该电子器件的制造方法包括以下步骤：准备绝缘体基板；在所述绝缘体基板上形成以熔点为1000℃以上的金属为主成分的第1膜；在所述第1膜上形成以镍为主成分且包含硼的第2膜；对所述第1膜和所述第2膜进行烧结处理而形成第1金属层；在所述第1金属层上形成以钯为主成分的第2金属层而得到基底基板；在所述基底基板上设置电子部件；以及隔着所述第1金属层和所述第2金属层而在所述基底基板上接合盖部。
由此，通过抑制由于在激光熔接/缝熔接等熔接时产生的热影响而使来自接合层的镀层的排气/结晶性变化，能够抑制接合层的热变化，能够防止在隔着接合层对基底基板和盖部进行接合时接合层产生裂缝，能够保持内部空间的气密性，能够得到高可靠性的电子器件。
并且，通过形成以钯为主成分的第2金属层，在隔着接合层对基底基板和盖部进行接合时，第2金属层作为阻挡层发挥功能，能够防止第2金属层的下层的镍移动到第2金属层的上层，由此，能够防止在接合层上形成镍的氧化物。由此，接合层上的焊料的浸润性不会丧失，能够保持内部空间的气密性。
[应用例7]
本发明的基底基板是通过本发明的基底基板的制造方法而制造出的，其特征在于，该基底基板具有：绝缘基板；熔点为1000℃以上的金属和以镍为主成分且包含硼的金属在所述绝缘基板上相互扩散而成为合金的第1金属层；以及在所述第1金属层上以钯为主成分的第2金属层。
由此，能够防止在隔着接合层对基底基板和盖部进行接合时接合层产生裂缝，并且，能够防止在接合层上形成镍的氧化物，能够保持内部空间的气密性。
[应用例8]
本发明的电子器件的特征在于，该电子器件具有：应用例7的基底基板；配置在所述基底基板上的电子部件；以及隔着所述第1金属层和所述第2金属层而固定在所述基底基板上的盖部。
由此，能够得到高可靠性的电子器件。
[应用例9]
本发明的电子设备的特征在于，该电子设备具有应用例8的电子器件。
由此，能够得到高可靠性的电子设备。
附图说明
图1是本发明的第1实施方式的电子器件的俯视图。
图2是图1所示的电子器件的剖视图。
图3是图1所示的电子器件具有的振动元件的俯视图。
图4是图1所示的电子器件的局部放大剖视图。
图5是示出图1所示的电子器件的其它结构例的局部放大剖视图。
图6是用于说明图1所示的电子器件的制造方法的图。
图7是用于说明图1所示的电子器件的制造方法的图。
图8是用于说明图1所示的电子器件的制造方法的图。
图9是本发明的第2实施方式的电子器件的剖视图。
图10是示出应用具有本发明的电子器件的电子设备的移动型（或笔记本型）个人计算机的结构的立体图。
图11是示出应用具有本发明的电子器件的电子设备的便携电话机（包含PHS）的结构的立体图。
图12是示出应用具有本发明的电子器件的电子设备的数字静态照相机的结构的立体图。
图13是示出应用具有本发明的电子器件的电子设备的汽车的结构的立体图。
标号说明
100、100A：电子器件；200、200A：封装；21、21A：绝缘体基板；210、210A：基底基板；211A：凹部；230、230A：盖；231：主体；233：凸缘；235：焊料；250：接合层；251、252、253、254、351：金属层；271、272：连接电极；291、292：导电性粘接剂；300：振动元件；310：压电基板；320：激励电极；321：电极部；322：焊盘；323：布线；330：激励电极；331：电极部；332：焊盘；333：布线；400：催化液；510：皮膜；520、530、540：电镀皮膜；2000：显示部；1100：个人计算机；1102：键盘；1104：主体部；1106：显示单元；1200：便携电话机；1202：操作按钮；1204：受话口；1206：送话口；1300：数字静态照相机；1302：壳体；1304：受光单元；1306：快门按钮；1308：存储器；1312：视频信号输出端子；1314：输入输出端子；1430：电视监视器；1440：个人计算机；1500：汽车；1502：车体；1504：车轮；1506：车体姿势控制装置；1508：陀螺仪传感器；S：收纳空间。
具体实施方式
下面，根据附图所示的优选实施方式对本发明的基底基板的制造方法、电子器件的制造方法、基底基板以及电子设备进行详细说明。
<第1实施方式>
图1是本发明的第1实施方式的电子器件的俯视图。图2是图1所示的电子器件的剖视图。图3是图1所示的电子器件具有的振动元件的俯视图。图4是图1所示的电子器件的局部放大剖视图。图5是示出图1所示的电子器件的其它结构例的局部放大剖视图。图6、图7和图8是用于说明图1所示的电子器件的制造方法的图。另外，下面为了便于说明，设图2、图4～图8中的上侧为“上”、下侧为“下”进行说明。
1.电子器件
首先，对本发明的电子器件进行说明。
如图1所示，电子器件100具有封装200和收纳在封装200内的作为电子部件的振动元件（压电元件）300。
-振动元件-
图3的（a）是从上方观察振动元件300的俯视图，图3的（b）是从上方观察振动元件300的透视图（俯视图）。
如图3的（a）、（b）所示，振动元件300具有平面视形状为长方形（矩形）的板状的压电基板310、以及形成在压电基板310的表面上的一对激励电极320、330。
压电基板310是主要进行厚度剪切振动的石英板。在本实施方式中，作为压电基板310，使用以被称为AT切的切角切出的石英板。另外，AT切是指以具有如下主面（包含X轴和Z’轴的主面）的方式进行切出，所述主面是使包含作为石英晶轴的X轴和Z轴的平面（Y面）绕X轴从Z轴向逆时针方向旋转大约35度15分左右而得到的。
这种结构的压电基板310的长度方向与作为石英晶轴的X轴一致。
激励电极320具有形成在压电基板310的上表面上的电极部321、形成在压电基板310的下表面上的焊盘322以及使电极部321和焊盘322电连接的布线323。
另一方面，激励电极330具有形成在压电基板310的下表面上的电极部331、形成在压电基板310的下表面上的焊盘332以及使电极部331和焊盘332电连接的布线333。
电极部321、331隔着压电基板310而相对设置，彼此呈大致相同的形状。即，在压电基板310的平面视中，电极部321、331位于相互重合的位置，形成为轮廓一致。并且，焊盘322、332分开形成在压电基板310的下表面的图3B中右侧的端部。
例如，在压电基板310上通过蒸镀或溅射而形成镍（Ni）或铬（Cr）的基底层后，在基底层上通过蒸镀或溅射而形成金（Au）的电极层，然后，使用光刻和各种蚀刻技术构图成期望的形状，由此，能够形成这种激励电极320、330。通过形成基底层，压电基板310与所述电极层的粘接性提高，能够得到高可靠性的振动元件300。
另外，激励电极320、330的结构不限于上述结构，例如可以省略基底层，也可以使其构成材料为其它具有导电性的材料（例如银（Ag）、铜（Cu）、钨（W）、钼（Mo）等各种金属材料）。
这种振动元件300隔着一对导电性粘接剂291、292而固定在封装200上。
-具有基底基板（本发明的基底基板）的封装-
如图1和图2所示，封装200具有板状的绝缘体基板21、下侧具有开放凹部的帽状的盖（盖部）230以及介于绝缘体基板21与盖230之间并对它们进行接合的接合层250。在这种封装200中，凹部的开口由绝缘体基板21堵住，由此形成收纳所述振动元件300的收纳空间S。另外，通过绝缘体基板21和设置在绝缘体基板21上的接合层250等构成基底基板210的主要部分。
绝缘体基板21和盖230的平面视形状均呈大致长方形（矩形）。
盖230具有有底筒状的主体231以及形成在主体231的下端（即主体231的开口的周围）的凸缘233。并且，在凸缘233的下表面，以覆盖开口的周围的方式设有膜状（层状）的焊料235。焊料235例如能够通过丝网印刷法等而形成在凸缘233的下表面上。
通过对焊料235和接合层250进行熔接，这种盖230隔着接合层250而接合在绝缘体基板21上。焊料235没有特别限定，可以使用金焊料、银焊料等，但是，优选使用银焊料。并且，焊料235的熔点没有特别限定，但是，优选为800℃以上1000℃以下的程度。通过具有这种熔点，成为适于激光密封的封装200。
这种绝缘体基板21的构成材料具有绝缘性即可，没有特别限定，例如可以使用氧化物陶瓷、氮化物陶瓷、碳化物陶瓷等各种陶瓷等。并且，盖230的构成材料没有特别限定，只要是线膨胀系数与绝缘体基板21的构成材料近似的部件即可。例如，在设绝缘体基板21的构成材料为所述陶瓷的情况下，优选盖230的构成材料为可伐合金等合金。
如图1所示，在绝缘体基板21的上表面（面对收纳空间S的表面）上形成有一对连接电极271、272。并且，在绝缘体基板21的下表面形成有用于将连接电极271、272引出到封装200外侧的一对外部安装电极（未图示）。连接电极271与一个外部安装电极以及连接电极272与另一个外部安装电极分别经由在厚度方向上贯通绝缘体基板21的未图示的通路而电连接。
在收纳空间S中收纳有振动元件300。收纳在收纳空间S中的振动元件300隔着一对导电性粘接剂291、292而单臂支承在绝缘体基板21上。导电性粘接剂291设置成与连接电极271和焊盘322接触，由此，隔着导电性粘接剂291而使连接电极271和焊盘322电连接。另一个导电性粘接剂292设置成与连接电极272和焊盘332接触，由此，隔着导电性粘接剂292而使连接电极272和焊盘332电连接。
如图1所示，接合层250沿着绝缘体基板21的上表面的缘部而设置成框状。并且，接合层250设置在绝缘体基板21的缘部与盖230的凸缘233之间，利用该部分对绝缘体基板21和盖230进行接合。由此，能够对位于接合层250内侧的收纳空间S进行气密密封。
如图4所示，接合层250由从绝缘体基板21侧起按顺序层叠3个金属层（第1金属层）251、金属层（第2金属层）252、金属层（第4金属层）254而得到的层叠体构成。该接合层250通过后述结构，能够抑制接合层250的热变化，残留应力较小，由此，在隔着接合层250对基底基板210和盖230进行接合时，能够防止接合层250产生裂缝。由此，能够可靠地维持收纳空间S的气密性。
通过对以包含钨和钼中的至少一种的熔点为1000℃以上的金属为主成分的第1膜和在第1膜上形成的以镍（Ni）为主成分且包含硼（B）的第2膜进行烧结处理（热处理），形成金属层251。第1膜和第2膜的形成方法分别没有特别限定，但是，关于第2膜，优选为电镀，特别优选为无电解镀。并且，关于第1膜，优选使用印刷法。由此，能够简单地形成第1膜和第2膜。另外，烧结处理将在后面详细叙述。
所述第1膜的主成分的金属包含钨和钼中的任意一方或双方。另外，第1膜的主成分的金属的熔点为1000℃以上，优选为1200℃以上4000℃以下的程度，更加优选为1300℃以上3500℃以下的程度。
另外，当所述熔点小于1000℃时，可能无法有效地防止接合层250产生裂缝。
并且，第1膜的厚度没有特别限定，但是，优选为1μm以上50μm以下的程度，更加优选为10μm以上30μm以下的程度。
并且，第2膜中的硼的浓度优选为3%质量百分比以下，更加优选为0.1%质量百分比以上2%质量百分比以下。当第2膜中的硼的浓度超过3%质量百分比时，由于其它条件，可能无法有效地防止接合层250产生裂缝。
并且，第2膜的厚度没有特别限定，但是，优选为0.1μm以上5μm以下的程度，更加优选为0.5μm以上2μm以下的程度。
另外，第2膜以镍为主成分，除了硼以外，例如也可以含有钴（Co）、钨（W）、钼（Mo）这样的其它金属材料。
这里，通过对所述第1膜和第2膜进行烧结处理，第1膜中的金属扩散到第2膜中，并且，第2膜中的镍扩散到第1膜中，分别成为合金，形成金属层251。该情况下，由于第1膜的厚度比第2膜的厚度厚，因此，第2膜的全体成为合金，第1膜的从第1膜与第2膜的边界面起的规定厚度成为合金。由此，释放出硼并且释放出被膜中的H2、H2O等气体。与此相伴，能够减小残留应力。并且，在残留应力较大的情况下，在隔着接合层250对基底基板210和盖230进行接合时，金属层251也难以产生裂缝，由此，能够防止接合层250产生裂缝。
并且，金属层252是以钯（Pd）为主成分的层。通过设置该金属层252，在隔着接合层250对基底基板210和盖230进行接合时，金属层252作为阻挡层发挥功能，能够防止金属层252的下层的镍移动到金属层252的上层，由此，能够防止在接合层250上形成镍的氧化物。由此，能够可靠地维持收纳空间S的气密性。该金属层252的形成方法没有特别限定，但是，优选为电镀，特别优选为无电解镀。由此，能够简单地形成金属层252。
并且，优选金属层252中的钯以外的成分的浓度为5%质量百分比以下（包含0%质量百分比），更加优选为0%质量百分比。由此，能够提高所述金属层252的作为阻挡层的功能。另外，在金属层252中的钯以外的成分的浓度为0%质量百分比的情况下，即使金属层252的厚度更薄，金属层252也能够作为阻挡层发挥功能。
并且，金属层252中的钯以外的成分没有特别限定，但是，例如在通过无电解镀而形成金属层252的情况下，该成分为磷（P）。
并且，金属层252的厚度没有特别限定，但是，优选为0.05μm以上1μm以下的程度，更加优选为0.1μm以上0.5μm以下的程度。
并且，金属层254是以金为主成分的层，构成接合层250的最外层。由此，能够提高接合层250的浸润性。该金属层254的形成方法没有特别限定，但是，优选为电镀，特别优选为无电解镀。由此，能够简单地形成金属层254。
并且，金属层254的厚度没有特别限定，但是，优选为0.05μm以下的程度，更加优选为0.01μm以上0.05μm以下的程度。
另外，也可以省略金属层254。该情况下，能够降低成本。
如图5所示，其它结构的接合层250由从绝缘体基板21侧起按顺序层叠4个金属层（第1金属层）251、金属层（第3金属层）253、金属层（第2金属层）252、金属层（第4金属层）254而得到的层叠体构成。由于该接合层250的金属层251、252、254与所述图4所示的接合层250相同，因此，省略其说明，下面对金属层253进行说明。
金属层253是由以镍为主成分而包含硼的合金构成的层。通过设置该金属层253，能够使接合层250的厚度较厚。该金属层253的形成方法没有特别限定，但是，优选为电镀，特别优选为无电解镀。由此，能够简单地形成金属层253。
并且，金属层253中的硼的浓度优选为3%质量百分比以下，更加优选为0.1%质量百分比以上2%质量百分比以下。当金属层253中的硼的浓度超过3%质量百分比时，由于其它条件，可能无法有效地防止接合层250产生裂缝。
并且，金属层253的厚度没有特别限定，但是，优选为0.5μm以下的程度，更加优选为0.1μm以上0.3μm以下的程度。
另外，金属层253以镍为主成分，除了硼以外，例如也可以含有钴（Co）、钨（W）、钼（Mo）这样的其它金属材料。
另外，也可以省略金属层254。该情况下，能够降低成本。
2.电子器件的制造方法（本发明的基底基板的制造方法）
接着，对电子器件100的制造方法进行说明。电子器件100的制造方法包括以下步骤：准备绝缘体基板21；在绝缘体基板21上（主面）形成以熔点为1000℃以上的金属为主成分的第1膜；在第1膜上形成由以镍为主成分而包含硼的合金构成的第2膜；对第1膜和第2膜进行烧结处理（热处理）而形成第1金属层251；在第1金属层251上形成以钯为主成分的第2金属层252而得到基底基板210；在基底基板210上设置电子部件；隔着接合层250（例如第1金属层251和第2金属层252）而在绝缘体基板21上配置盖230；以及隔着接合层250而在基底基板210上接合盖（盖部）230。
下面进行详细说明，但是，下面为了便于说明，作为接合层250，以在图4所示的结构中使用钨作为熔点为1000℃以上的金属的情况为代表进行说明。
首先，如图6的（a）所示，准备板状的绝缘体基板21。通过刮刀（Doctor blade）法等将具有陶瓷或玻璃的原料粉末、有机溶剂以及粘合剂的混合物形成为片状而得到陶瓷生片，对得到的陶瓷生片进行烧结，然后，在必要部位形成贯通孔（形成通路的部位），由此得到绝缘体基板21。此时，也可以使用层叠多张陶瓷生片而得到的部件。
接着，如图6的（b）所示，在应该形成接合层250、连接电极271、272和所述外部安装电极的区域中，通过印刷法对钨（W）、钼（Mo）等的膏进行构图并将其填充在贯通孔（形成通路的部位）中，与绝缘体基板21一起进行烧结，在绝缘体基板21上形成皮膜（第1膜）510。皮膜510的厚度如上所述。
接着，如图6的（c）所示，通过无电解镀镍-硼合金进行镀镍-硼合金，在皮膜510上形成电镀皮膜（第2膜）520。电镀皮膜520的厚度如上所述。
接着，在规定氛围气下对皮膜510和电镀皮膜520进行烧结处理（热处理）。由此，如图7的（a）所示，皮膜510中的钨扩散到电镀皮膜520中，并且，电镀皮膜520中的镍扩散到皮膜510中，分别成为合金，形成金属层251、351。该情况下，电镀皮膜520的全体成为合金，皮膜510的从皮膜510与电镀皮膜520的边界面起的规定厚度成为合金。
这里，皮膜510和电镀皮膜520中的形成在与接合层250对应的区域中的部分为金属层251，形成在与连接电极271、272对应的区域中的部分为金属层351。
其烧结处理的条件没有特别限定，根据皮膜510和电镀皮膜520中的金属材料的熔点等的各条件而适当设定，但是，优选加热温度为850℃以上，更加优选为950℃以上，进一步优选为900℃以上1000℃以下。
另外，这里，作为代表，对使用钨作为熔点为1000℃以上的金属的情况进行说明，因此，加热温度的上限优选值为所述温度，但是，例如在使用钼的情况下，优选加热温度为1000℃以下。
接着，如图7的（b）所示，通过无电解镀纯钯进行镀纯钯，在金属层251、351上形成电镀皮膜530。电镀皮膜530的厚度如上所述。
这里，电镀皮膜530中的形成在与接合层250对应的区域中的部分为金属层252。
接着，如图7的（c）所示，通过无电解镀金进行镀金，在电镀皮膜530上形成电镀皮膜540。电镀皮膜540的厚度如上所述。
这里，电镀皮膜540中的形成在与接合层250对应的区域中的部分为金属层254。由此，得到由金属层251、252、254构成的接合层250以及结构与该接合层250相同的连接电极271、272，得到基底基板210。
接着，如图7的（d）所示，隔着导电性粘接剂291、292而将振动元件300搭载在绝缘体基板21即基底基板210上。由此，焊盘322和连接电极271通过导电性粘接剂291电连接，焊盘332和连接电极272通过导电性粘接剂292电连接。另外，在图7的（d）中，省略焊盘332、连接电极272和导电性粘接剂292的图示。
接着，如图8的（a）所示，准备盖230。在盖230的凸缘233的下表面设有膜状的焊料（银焊料）235。焊料235的熔点没有特别限定，但是，优选为800℃以上1000℃以下的程度。然后，在基底基板210上配置盖230。
接着，如图8的（b）所示，从盖230的上方对凸缘233照射激光，对照射的部分进行局部加热。由此，使被激光照射的部分的焊料235和接合层250的盖侧的区域（换言之，至少为金属层252）熔融，对焊料235和接合层250进行接合。另外，此时，金属层254向焊料235或金属层252扩散，实质上消灭。通过在凸缘233的整周进行这种激光照射，在凸缘的整周对焊料235和接合层250进行接合，对盖230和基底基板210进行气密密封。
由此制造出电子器件100。
另外，在使用图5所示的结构作为接合层250的情况下，电子器件100的制造方法还在所述烧结处理之后包括以下步骤：在金属层251上形成包含镍和硼的金属层253。
如以上说明的那样，根据这种制造方法，该接合层250的残留应力较小，由此，在隔着接合层250对基底基板210和盖230进行接合时，能够防止接合层250产生裂缝。由此，能够可靠地维持收纳空间S的气密性。
特别地，通过进行烧结处理，能够减小残留应力，并且，在残留应力较大的情况下，在隔着接合层250对基底基板210和盖230进行接合时，金属层251也难以产生裂缝，由此，能够更加可靠地防止接合层250产生裂缝。
并且，通过设置该金属层252，在隔着接合层250对基底基板210和盖230进行接合时，金属层252作为阻挡层发挥功能，能够防止金属层252的下层的镍移动到金属层252的上层，由此，能够防止在接合层250上形成镍的氧化物。由此，能够更加可靠地维持收纳空间S的气密性。
另外，基底基板210与盖230的接合方法不限于所述激光熔接，除此之外，例如还可以举出缝熔接、基于低熔点玻璃的接合等。
<第2实施方式>
接着，对本发明的电子器件的第2实施方式进行说明。
图9是本发明的第2实施方式的电子器件的剖视图。
下面，关于第2实施方式的电子器件，以与所述实施方式的不同之处为中心进行说明，省略相同事项的说明。
除了封装的结构不同以外，本发明的第2实施方式的电子器件与所述第1实施方式相同。另外，对与所述第1实施方式相同的结构标注相同标号。
在图9所示的电子器件100A中，封装200A具有上表面具有开放凹部211A的绝缘体基板21A、设置成覆盖凹部211A的开口的板状的盖230A以及对绝缘体基板21A和盖230A进行接合的接合层250。接合层250以包围凹部211A的周围的方式在绝缘体基板21A的上表面设置成环状。并且，在盖230A的下表面的周围设有焊料235。另外，通过绝缘体基板21A和设置在绝缘体基板21A上的接合层250等构成基底基板210A的主要部分。
在这种封装200A中，在凹部211A内收纳有振动元件300。
根据这种第2实施方式，也能够发挥与所述第1实施方式相同的效果。
（电子设备）
接着，根据图10～图13，对应用本发明的电子器件的电子设备（本发明的电子设备）进行详细说明。
图10是示出应用具有本发明的电子器件的电子设备的移动型（或笔记本型）的个人计算机的结构的立体图。在图10中，个人计算机1100由具有键盘1102的主体部1104和具有显示部2000的显示单元1106构成，显示单元1106经由铰链构造部以能够转动的方式支承在主体部1104上。在这种个人计算机1100中内置有作为滤波器、谐振器、标准时钟等发挥功能的电子器件100。
图11是示出应用具有本发明的电子器件的电子设备的便携电话机（包含PHS）的结构的立体图。在图11中，便携电话机1200具有多个操作按钮1202、受话口1204和送话口1206，在操作按钮1202与受话口1204之间配置有显示部2000。在这种便携电话机1200中内置有作为滤波器、谐振器等发挥功能的电子器件100。
图12是示出应用具有本发明的电子器件的电子设备的数字静态照相机的结构的立体图。另外，在图12中，还简单示出与外部设备之间的连接。这里，通常的照相机通过被摄体的光像使银盐胶片感光，与此相对，数字静态照相机1300通过CCD（Charge Coupled Device）等摄像元件对被摄体的光像进行光电转换，生成摄像信号（图像信号）。
在数字静态照相机1300的壳体（机身）1302的背面设有显示部，成为根据CCD的摄像信号进行显示的结构，显示部作为将被摄体显示为电子图像的取景器发挥功能。并且，在壳体1302的正面侧（图中背面侧）设有包含光学镜头（摄像光学系统）和CCD等的受光单元1304。
当摄影者确认显示部中显示的被摄体像并按下快门按钮1306时，该时点的CCD的摄像信号被转送/存储在存储器1308中。并且，在该数字静态照相机1300中，在壳体1302的侧面设有视频信号输出端子1312和数据通信用的输入输出端子1314。而且，如图所示，根据需要，在视频信号输出端子1312上连接电视监视器1430，在数据通信用的输入输出端子1314上连接个人计算机1440。进而，成为通过规定操作将存储器1308中存储的摄像信号输出到电视监视器1430或个人计算机1440的结构。在这种数字静态照相机1300中内置有作为过滤器、谐振器等发挥功能的电子器件100。
图13是示出应用具有本发明的电子器件的电子设备的汽车的结构的立体图。在汽车（移动体）1500中组入作为电子器件100的陀螺仪传感器1508。陀螺仪传感器1508检测车体1502的姿势。该陀螺仪传感器1508的检测信号被供给到车体姿势控制装置1506。车体姿势控制装置1506根据所述检测信号，例如根据车体1502的姿势对悬挂的软硬进行控制，并对各个车轮1504的制动进行控制。
另外，除了图10的个人计算机（移动型个人计算机）、图11的便携电话机、图12的数字静态照相机、图13的汽车以外，例如具有本发明的电子器件的电子设备还可以应用于喷墨式喷出装置（例如喷墨打印机）、膝上型个人计算机、电视机、摄像机、录像机、汽车导航装置、寻呼机、电子记事本（包含带通信功能的电子记事本）、电子辞典、计算器、电子游戏设备、文字处理器、工作站、可视电话、防盗用电视监视器、电子望远镜、POS终端、医疗设备（例如电子体温计、血压计、血糖计、心电图计测装置、超声波诊断装置、电子内窥镜）、鱼群探测器、各种测定设备、计量仪器类（例如车辆、飞机、船舶的计量仪器类）、飞行模拟器、双足步行机器人、遥控直升机等。
【实施例】
接着，对本发明的具体的实施例进行说明。
（实施例1）
基于如下所述的条件，制造出图4所示的基底基板。
金属层251
第1膜：钨
厚度：10μm
第2膜：镍-硼合金（第2膜中的硼的浓度：1%质量百分比）
厚度：2μm
金属层252：钯
厚度：0.2μm
金属层254：金
厚度：0.05μm
首先，在绝缘体基板表面上形成的作为第1膜的钨上，通过无电解镀镍-硼合金进行镀镍-硼合金，在第1膜上形成第2膜。
接着，在规定氛围气下对第1膜和第2膜进行烧结处理，形成金属层251。烧结处理的加热温度设为950℃。
接着，通过无电解镀纯钯进行镀纯钯，在金属层251上形成金属层252。
接着，通过无电解镀金进行镀金，在金属层252上形成金属层254。
如上所述得到基底基板。
（实施例2）
除了如下所述变更条件以外，与所述实施例1同样制造出基底基板。
金属层251
第1膜：钨
厚度：10μm
第2膜：镍-硼合金（第2膜中的硼的浓度：1%质量百分比）
厚度：2μm
金属层253：镍-硼合金（金属层253中的硼的浓度：1%质量百分比）
厚度：0.5μm
金属层252：钯
厚度：0.2μm
金属层254：金
厚度：0.05μm
（实施例3）
除了如下所述变更条件，在形成金属层253之后实施烧结处理（相同条件950℃）以外，与所述实施例1同样制造出基底基板。
金属层251
第1膜：钨
厚度：10μm
第2膜：镍-硼合金（第2膜中的硼的浓度：1%质量百分比）
厚度：2μm
金属层253：镍-硼合金（金属层253中的硼的浓度：1%质量百分比）
厚度：2μm
金属层252：钯
厚度：0.2μm
（实施例4）
除了如下所述变更条件以外，与所述实施例1同样制造出基底基板。
金属层251
第1膜：钼
厚度：10μm
第2膜：镍-硼合金（第2膜中的硼的浓度：1%质量百分比）
厚度：2μm
金属层252：钯
厚度：0.2μm
金属层254：金
厚度：0.05μm
（实施例5）
除了如下所述变更条件，在形成金属层253之后实施烧结处理（相同条件950℃）以外，与所述实施例1同样制造出基底基板。
金属层251
第1膜：钼
厚度：10μm
第2膜：镍-硼合金（第2膜中的硼的浓度：1%质量百分比）
厚度：2μm
金属层253：镍-硼合金（金属层253中的硼的浓度：1%质量百分比）
厚度：2μm
金属层252：钯
厚度：0.2μm
金属层254：金
厚度：0.05μm
（实施例6）
除了如下所述变更条件以外，与所述实施例1同样制造出基底基板。
金属层251
第1膜：钼
厚度：10μm
第2膜：镍-硼合金（第2膜中的硼的浓度：3%质量百分比）
厚度：2μm
金属层253：镍-硼合金（金属层253中的硼的浓度：3%质量百分比）
厚度：0.5μm
金属层252：钯
厚度：0.2μm
（实施例7）
除了如下所述变更条件以外，与所述实施例1同样制造出基底基板。
烧结处理的加热温度：900℃
（实施例8）
除了如下所述变更条件以外，与所述实施例1同样制造出基底基板。
烧结处理的加热温度：850℃
（比较例1）
除了如下所述变更条件以外，与所述实施例1同样制造出基底基板。
金属层251
第1膜：钼
厚度：10μm
第2膜：镍-硼合金（第2膜中的硼的浓度：3%质量百分比）
厚度：2μm
与金属层253对应的层：镍-磷合金（金属层中的磷的浓度：8～10%质量百分比）
厚度：5μm
金属层252：钯
厚度：0.2μm
金属层254：金
厚度：0.05μm
首先，在形成于绝缘体基板上的第1膜上，通过无电解镀镍-硼合金进行镀镍-硼合金，在第1膜上形成第2膜。
接着，在规定氛围气下对第1膜和第2膜进行烧结处理，形成金属层251。烧结处理的加热温度设为950℃。
接着，在形成金属层251后形成镍-磷合金，形成金属层253。
接着，通过无电解镀纯钯进行镀纯钯，在金属层253上形成金属层252。
接着，通过无电解镀金进行镀金，在金属层252上形成金属层254。
（比较例2）
除了如下所述变更条件且不进行烧结处理以外，与所述实施例1同样制造出基底基板。
绝缘体基板侧的金属层：镍-磷合金（金属层中的磷的浓度：8%质量百分比）
厚度：5μm
中间的金属层：钯-磷合金（金属层中的磷的浓度：3%质量百分比）
厚度：0.2μm
最上部的金属层：金
厚度：0.05μm
首先，通过无电解镀镍-磷合金进行镀镍-磷合金，在绝缘体基板上形成金属层。
接着，通过无电解镀钯-磷合金进行镀钯-磷合金，在所述金属层上形成金属层。
接着，通过无电解镀金进行镀金，在所述金属层上形成金属层。
如上所述得到基底基板。
[评价]
针对实施例1～8和比较例1、2的基底基板，分别隔着接合层和银焊料而接合盖。通过激光熔接来进行基底基板与盖的接合。然后，分别对实施例1～8和比较例1、2进行下述各评价。
（评价1：裂缝的产生）
针对10个样本，对接合面进行研磨，进行截面的SEM观察。评价基准如下所述。
○：产生0个裂缝
△：产生1个以上4个以下的裂缝
×：产生5个以上的裂缝
（评价2：浸渍试验）
针对10个样本，对由基底基板和盖包围的内部空间进行液体的加压浸渍，测定泄漏。评价基准如下所述。
○：产生0个液体泄漏
△：产生1个以上4个以下的液体泄漏
×：产生5个以上的液体泄漏
【表1】
            评价1      评价2
实施例1      ○        ○
实施例2      △        △
实施例3      ○        ○
实施例4      ○        ○
实施例5      ○        ○
实施例6      △        △
实施例7      ○        ○
实施例8      △        △
比较例1      ×        ×
比较例2      ×        ×
根据上述表1可知，在实施例1～8中得到良好的结果。
与此相对，在比较例1、2中没有得到满意的结果。
以上根据图示的实施方式对本发明的基底基板的制造方法、电子器件的制造方法、基底基板以及电子设备进行了说明，但是，本发明不限于此，各部的结构可以置换成具有同样功能的任意结构。并且，也可以对本发明附加其它任意的结构物或步骤。并且，也可以适当组合各实施方式。

Claims (9)

1.一种基底基板的制造方法，其特征在于，该基底基板的制造方法包括以下步骤：
准备绝缘体基板；
在所述绝缘体基板上形成以包含钨和钼中的至少一种的熔点为1000℃以上的金属为主成分的第1膜；
在所述第1膜上形成以镍为主成分且包含硼的第2膜；
对所述第1膜和所述第2膜进行烧结处理而形成第1金属层；以及
在所述第1金属层上形成以钯为主成分的第2金属层。
2.根据权利要求1所述的基底基板的制造方法，其中，
所述基底基板的制造方法在所述烧结处理之后形成所述第2金属层的步骤之前包括以下步骤：在所述第1金属层上形成包含镍和硼且厚度为0.5μm以下的第3金属层，
在所述第3金属层上形成所述第2金属层。
3.根据权利要求1或2所述的基底基板的制造方法，其中，
所述第2膜中的硼的浓度为3%质量百分比以下。
4.根据权利要求1或2所述的基底基板的制造方法，其中，
所述基底基板的制造方法包括以下步骤：在所述第2金属层上形成包含金的第4金属层。
5.根据权利要求1或2所述的基底基板的制造方法，其中，
所述第2金属层中的钯以外的成分的浓度为5%质量百分比以下。
6.一种电子器件的制造方法，其特征在于，该电子器件的制造方法包括以下步骤：
准备绝缘体基板；
在所述绝缘体基板上形成以熔点为1000℃以上的金属为主成分的第1膜；
在所述第1膜上形成以镍为主成分且包含硼的第2膜；
对所述第1膜和所述第2膜进行烧结处理而形成第1金属层；
在所述第1金属层上形成以钯为主成分的第2金属层而得到基底基板；
在所述基底基板上设置电子部件；以及
隔着所述第1金属层和所述第2金属层而在所述基底基板上接合盖部。
7.一种基底基板，该基底基板具有：
绝缘基板；
熔点为1000℃以上的金属和以镍为主成分且包含硼的金属在所述绝缘基板上相互扩散而成为合金的第1金属层；以及
在所述第1金属层上以钯为主成分的第2金属层。
8.一种电子器件，该电子器件具有：
权利要求7所述的基底基板；
配置在所述基底基板上的电子部件；以及
隔着所述第1金属层和所述第2金属层而固定在所述基底基板上的盖部。
9.一种电子设备，该电子设备具有权利要求8所述的电子器件。
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