JP2014002726A - 半導体装置およびその駆動方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】プロセッサコアの駆動電圧およびクロック周波数を含むステートを制御する第1の回路と、ステートの情報を記憶する第1の記憶回路および第2の記憶回路と、第1の回路と電気的に接続された、電源を生成する第2の回路およびクロックを生成する第3の回路と、第2の回路および第3の回路とスイッチを介して電気的に接続されたプロセッサコアを有し、プロセッサコアには、揮発性メモリと、該揮発性メモリとデータの授受を行う不揮発性メモリが含まれた構成とする。
【選択図】図1
Description
本実施の形態では、本発明の一態様における半導体装置の構成および駆動方法について説明する。
本実施の形態では、実施の形態1で説明した半導体装置に使用できる不揮発性メモリを有する記憶素子の一例に関して説明する。
本実施の形態では、実施の形態1および2で説明した不揮発性メモリに用いることができ、酸化物半導体を有するトランジスタを含む記憶装置の一例を、図面を用いて説明する。
本実施の形態では、実施の形態1、2および3で説明した不揮発性メモリに用いることのできる、オフ電流の著しく小さいトランジスタおよび該トランジスタを構成する材料について説明する。
本実施の形態では、実施の形態1で説明したプロセッサの一例として、CPUの構成について説明する。
本発明の一態様に係る半導体装置は、表示機器、パーソナルコンピュータ、記録媒体を備えた画像再生装置などに用いることができる。その他に、本発明の一態様に係る半導体装置を用いることができる電子機器として、携帯電話、携帯型を含むゲーム機、携帯情報端末、電子書籍、ビデオカメラ、デジタルスチルカメラ、ゴーグル型ディスプレイ(ヘッドマウントディスプレイ)、ナビゲーションシステム、音響再生装置(カーオーディオ、デジタルオーディオプレイヤー等)、複写機、ファクシミリ、プリンター、プリンター複合機、現金自動預け入れ払い機(ATM)、自動販売機などが挙げられる。これら電子機器の具体例を図12に示す。
110 ステート制御回路
111 第1の記憶装置
112 第2の記憶装置
120 電源生成回路
130 クロック生成回路
140 パワーゲーティング回路
151 プロセッサコア
152 プロセッサコア
153 プロセッサコア
160 キャッシュメモリ
170 スイッチ
180 バスライン
700 記憶素子
701 揮発性記憶回路
702 不揮発性記憶回路
703 スイッチ
704 スイッチ
706 論理素子
707 容量素子
708 容量素子
709 トランジスタ
710 トランジスタ
713 トランジスタ
714 トランジスタ
720 セレクタ回路
3000 基板
3100 素子分離絶縁層
3210 半導体材料
3220 絶縁層
3230 下地絶縁層
3240 ドレイン電極
3250 ゲート絶縁膜
3260 ゲート電極
3270 第2のゲート電極
3280 絶縁層
3290 ソース配線またはドレイン配線
5001 筐体
5002 筐体
5003 表示部
5004 表示部
5005 マイクロホン
5006 スピーカー
5007 操作キー
5008 スタイラス
5101 車体
5102 車輪
5103 ダッシュボード
5104 ライト
5301 筐体
5302 冷蔵室用扉
5303 冷凍室用扉
5401 筐体
5402 表示部
5403 キーボード
5404 ポインティングデバイス
5601 筐体
5602 筐体
5603 表示部
5604 表示部
5605 接続部
5606 操作キー
5801 筐体
5802 筐体
5803 表示部
5804 操作キー
5805 レンズ
5806 接続部
9900 基板
9901 ALU
9906 Register
9909 ROM
Claims (19)
- プロセッサコアの駆動電圧およびクロック周波数を含むステートを制御する第1の回路と、
ステートの情報を記憶する第1の記憶回路および第2の記憶回路と、
前記第1の回路と電気的に接続された、電源を生成する第2の回路およびクロックを生成する第3の回路と、
前記第2の回路および前記第3の回路とスイッチを介して電気的に接続された前記プロセッサコアを有し、
前記プロセッサコアには、第1のメモリと、該第1のメモリとデータの授受を行う第2のメモリが含まれていることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1において、前記第1の記憶回路には、前記プロセッサコアに供給されている駆動電圧およびクロック周波数を含むステート情報が格納されることを特徴とする半導体装置。
- 請求項1または2において、前記第2の記憶回路には、前記第1の回路がオフ動作要求を受ける前の前記プロセッサコアに供給されていた駆動電圧およびクロック周波数を含むステート情報が格納されることを特徴とする半導体装置。
- 請求項1乃至3のいずれか一項において、前記第1の回路、前記スイッチ、および前記プロセッサコアがパワーゲーティング回路と電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
- 請求項1乃至4のいずれか一項において、前記プロセッサコア、前記第1の回路、前記第2の回路、および前記スイッチをそれぞれ複数有することを特徴とする半導体装置。
- 請求項1乃至5のいずれか一項において、前記第2のメモリは、チャネル形成領域が酸化物半導体で形成されたトランジスタを有することを特徴とする半導体装置。
- プロセッサコアを第1のステートで動作し、
オフ動作において、
前記第1のステートを維持、または第2のステートに変更し、
前記プロセッサコアが有する第1のメモリからデータを読み出し、
前記プロセッサコアが有する第2のメモリに前記データを書き込み、
前記プロセッサコアの電源をオフし、
オン動作において、
前記オフ動作におけるステートを維持、または第3のステートに変更し、
前記プロセッサコアの電源をオンし、
前記第2のメモリから前記データを読み出し、
前記第1のメモリに前記データを書き込み、
ステートを前記第1のステートに変更することを特徴とする半導体装置の駆動方法。 - 請求項7におけるオフ動作おいて、前記第1のステートを維持するか、前記第2のステートに変更するかの判断を行うことを特徴とする半導体装置の駆動方法。
- 請求項7または8におけるオン動作おいて、前記オフ動作におけるステートを維持するか、前記第3のステートに変更するかの判断を行うことを特徴とする半導体装置の駆動方法。
- 請求項7乃至9のいずれか一項において、前記第1のステートは、オフ動作要求を受ける前の前記プロセッサコアの動作時における駆動電圧およびクロック周波数の条件を含むことを特徴とする半導体装置の駆動方法。
- 請求項7乃至10のいずれか一項において、前記第2のステートは、前記プロセッサコアが有する第2のメモリに正常に前記データを書き込める駆動電圧およびクロック周波数の条件を含むことを特徴とする半導体装置の駆動方法。
- 請求項7乃至11のいずれか一項において、前記第3のステートは、前記プロセッサコアが有する第2のメモリから正常に前記データを読み出せる駆動電圧およびクロック周波数の条件を含むことを特徴とする半導体装置の駆動方法。
- プロセッサコアに供給されている駆動電圧およびクロック周波数を含む第1のステート情報を第1の記憶装置に格納し、
オフ動作において、
ステートを制御する第1の回路がオフ動作要求を受け取り、
前記第1のステート情報を第2の記憶装置に格納し、
前記第1の記憶装置に格納されている前記第1のステート情報を第2のステート情報に書き換え、
前記第2のステート情報に従って、前記プロセッサコアの駆動電圧およびクロック周波数を切り替え、
前記第1の回路がパワーゲーティング回路にオフ動作を要求し、
前記プロセッサコアが有する第1のメモリに格納されているデータを読み出し、
前記プロセッサコアが有する第2のメモリに前記データを書き込み、
電源を生成する第2の回路およびクロックを生成する第3の回路と前記プロセッサコアとの電気的接続を遮断し、
オン動作において、
前記第1の回路がオン動作要求を受け取り、
前記第1の記憶装置に格納されている前記第2のステート情報を第3のステート情報に書き換え、
前記第3のステート情報に従って、前記プロセッサコアの駆動電圧およびクロック周波数を切り替え、
前記第1の回路が前記パワーゲーティング回路にオン動作を要求し、
前記第2の回路および前記第3の回路と前記プロセッサコアとの電気的接続を復帰し、
前記第2のメモリに格納されている前記データを読み出し、
前記第1のメモリに前記データを書き込み、
前記第1の記憶装置に格納されている前記第3のステート情報を前記第2の記憶装置に格納されている前記第1のステート情報に書き換え、
前記第1のステート情報に従って、前記プロセッサコアの駆動電圧およびクロック周波数の切り替えることを特徴とする半導体装置の駆動方法。 - プロセッサコアに供給されている駆動電圧およびクロック周波数を含む第1のステート情報を第1の記憶装置に格納し、
オフ動作において、
ステートを制御する第1の回路がオフ動作要求を受け取り、
前記第1のステート情報を第2の記憶装置に格納し、
前記第1の回路が前記第1の記憶装置から前記第1のステート情報を読み出し、前記第1のステートで前記プロセッサコアが有する第2のメモリに、前記プロセッサコアが有する第1のメモリに格納されているデータを正常に書き込めるか否かを判断し、
前記第2のメモリに正常に前記データを書き込める場合は、
前記第1の回路がパワーゲーティング回路にオフ動作を要求し、
前記第1のメモリに格納されている前記データを読み出し、
前記第2のメモリに前記データを書き込み、
電源を生成する第2の回路およびクロックを生成する第3の回路と前記プロセッサコアとの電気的接続を遮断し、
前記第2のメモリに正常に前記データを書き込めない場合は、
前記第1の記憶装置に格納されている前記第1のステート情報を第2のステート情報に書き換え、
前記第2のステート情報に従って、前記プロセッサコアの駆動電圧およびクロック周波数を切り替え、
前記第1の回路が前記パワーゲーティング回路にオフ動作を要求し、
前記第1のメモリに格納されている前記データを読み出し、
前記第2のメモリに前記データを書き込み、
電源を生成する前記第2の回路およびクロックを生成する前記第3の回路と前記プロセッサコアとの電気的接続を遮断し、
オン動作において、
前記第1の回路がオン動作要求を受け取り、
前記第1の回路が前記第1の記憶装置に格納されている前記第1のステート情報または前記第2のステート情報を読み出し、当該ステートで前記プロセッサコアが有する第2のメモリから正常に前記データが読み込めるか否かを判断し、
前記第2のメモリから正常に前記データが読み込める場合には、
前記第1の回路が前記パワーゲーティング回路にオン動作を要求し、
前記第2の回路および前記第3の回路と前記プロセッサコアとの電気的接続を復帰し、
前記第2のメモリに格納されている前記データを読み出し、
前記第1のメモリに前記データを書き込み、
前記第1の記憶装置に格納されているステート情報を前記第2の記憶装置に格納されている第1のステート情報に書き換え、
前記第1のステート情報に従って、前記プロセッサコアの駆動電圧およびクロック周波数の切り替え、
前記第2のメモリから正常に前記データが読み込めない場合には、
前記第1の記憶装置に格納されている前記第1または前記第2のステート情報を第3のステート情報に書き換え、
前記第3のステート情報に従って、プロセッサコアの駆動電圧およびクロック周波数を切り替え、
前記第1の回路が前記パワーゲーティング回路にオン動作を要求し、
前記第2の回路および前記第3の回路と前記プロセッサコアとの電気的接続を復帰し、
前記第2のメモリに格納されている前記データを読み出し、
前記第1のメモリに前記データを書き込み、
前記第1の記憶装置に格納されているステート情報を前記第2の記憶装置に格納されている前記第1のステート情報に書き換え、
前記第1のステート情報に従って、前記プロセッサコアの駆動電圧およびクロック周波数の切り替えることを特徴とする半導体装置の駆動方法。 - 請求項13または14において、前記第3のステート情報は、前記プロセッサコアが有する第2のメモリから正常に前記データを読み出せる駆動電圧およびクロック周波数に関する情報を含むことを特徴とする半導体装置の駆動方法。
- プロセッサコアに供給されている駆動電圧およびクロック周波数を含む第1のステート情報を第1の記憶装置に格納し、
オフ動作において、
ステートを制御する第1の回路がオフ動作要求を受け取り、
前記第1のステート情報を第2の記憶装置に格納し、
前記第1の回路が前記第1の記憶装置から前記第1のステート情報を読み出し、前記第1のステートで前記プロセッサコアが有する第2のメモリに、前記プロセッサコアが有する第1のメモリに格納されているデータを正常に書き込めるか否かを判断し、
前記第2のメモリに正常に前記データを書き込める場合は、
前記第1の回路がパワーゲーティング回路にオフ動作を要求し、
前記第1のメモリに格納されている前記データを読み出し、
前記第2のメモリに前記データを書き込み、
電源を生成する第2の回路およびクロックを生成する第3の回路と前記プロセッサコアとの電気的接続を遮断し、
前記第2のメモリに正常に前記データを書き込めない場合は、
前記第1の記憶装置に格納されている前記第1のステート情報を第2のステート情報に書き換え、
前記第2のステート情報に従って、前記プロセッサコアの駆動電圧およびクロック周波数を切り替え、
前記第1の回路が前記パワーゲーティング回路にオフ動作を要求し、
前記第1のメモリに格納されている前記データを読み出し、
前記第2のメモリに前記データを書き込み、
電源を生成する前記第2の回路およびクロックを生成する前記第3の回路と前記プロセッサコアとの電気的接続を遮断し、
オン動作において、
前記第1の回路がオン動作要求を受け取り、
前記第1の回路が前記パワーゲーティング回路にオン動作を要求し、
前記第2の回路および前記第3の回路と前記プロセッサコアとの電気的接続を復帰し、
前記第2のメモリに格納されている前記データを読み出し、
前記第1のメモリに前記データを書き込み、
前記第1の記憶装置に格納されているステート情報を前記第2の記憶装置に格納されている前記第1のステート情報に書き換え、
前記第1のステート情報に従って、前記プロセッサコアの駆動電圧およびクロック周波数の切り替えることを特徴とする半導体装置の駆動方法。 - 請求項13乃至16のいずれか一項において、前記第1のステート情報は、オフ動作要求を受ける前の前記プロセッサコアの動作における駆動電圧およびクロック周波数に関する情報を含むことを特徴とする半導体装置の駆動方法。
- 請求項13乃至17のいずれか一項において、前記第2のステート情報は、前記プロセッサコアが有する第2のメモリに正常に前記データを書き込める駆動電圧およびクロック周波数に関する情報を含むことを特徴とする半導体装置の駆動方法。
- 請求項13乃至18のいずれか一項におけるオフ動作またはオン動作において、プロセッサコアを選択する動作が含まれることを特徴とする半導体装置の駆動方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013106687A JP6050721B2 (ja) | 2012-05-25 | 2013-05-21 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012119314 | 2012-05-25 | ||
JP2012119314 | 2012-05-25 | ||
JP2013106687A JP6050721B2 (ja) | 2012-05-25 | 2013-05-21 | 半導体装置 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016228537A Division JP6275232B2 (ja) | 2012-05-25 | 2016-11-25 | 半導体装置 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014002726A true JP2014002726A (ja) | 2014-01-09 |
JP2014002726A5 JP2014002726A5 (ja) | 2016-03-31 |
JP6050721B2 JP6050721B2 (ja) | 2016-12-21 |
Family
ID=49621505
Family Applications (4)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013106687A Expired - Fee Related JP6050721B2 (ja) | 2012-05-25 | 2013-05-21 | 半導体装置 |
JP2016228537A Expired - Fee Related JP6275232B2 (ja) | 2012-05-25 | 2016-11-25 | 半導体装置 |
JP2018001011A Active JP6563530B2 (ja) | 2012-05-25 | 2018-01-09 | 半導体装置 |
JP2019135826A Active JP6815446B2 (ja) | 2012-05-25 | 2019-07-24 | 半導体装置 |
Family Applications After (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016228537A Expired - Fee Related JP6275232B2 (ja) | 2012-05-25 | 2016-11-25 | 半導体装置 |
JP2018001011A Active JP6563530B2 (ja) | 2012-05-25 | 2018-01-09 | 半導体装置 |
JP2019135826A Active JP6815446B2 (ja) | 2012-05-25 | 2019-07-24 | 半導体装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9129667B2 (ja) |
JP (4) | JP6050721B2 (ja) |
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US11793422B2 (en) | 2017-09-01 | 2023-10-24 | 3M Innovative Properties Company | Sensing system for respirator |
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2018085163A (ja) | 2018-05-31 |
JP6275232B2 (ja) | 2018-02-07 |
JP2020004473A (ja) | 2020-01-09 |
JP6050721B2 (ja) | 2016-12-21 |
US20130315011A1 (en) | 2013-11-28 |
JP6815446B2 (ja) | 2021-01-20 |
US9129667B2 (en) | 2015-09-08 |
JP2017045479A (ja) | 2017-03-02 |
JP6563530B2 (ja) | 2019-08-21 |
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