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- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 21
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 12
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- -1 Indium halogen alkoxide Chemical class 0.000 claims description 8
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 7
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims description 7
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 125000004183 alkoxy alkyl group Chemical group 0.000 claims description 4
- 239000002612 dispersion medium Substances 0.000 claims description 4
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 4
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 3
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 3
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 claims description 2
- 229910021617 Indium monochloride Inorganic materials 0.000 claims 5
- APHGZSBLRQFRCA-UHFFFAOYSA-M indium(1+);chloride Chemical group [In]Cl APHGZSBLRQFRCA-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims 5
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical group OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 1-methoxypropan-2-ol Chemical compound COCC(C)O ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- DKGAVHZHDRPRBM-UHFFFAOYSA-N Tert-Butanol Chemical compound CC(C)(C)O DKGAVHZHDRPRBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 150000004703 alkoxides Chemical group 0.000 claims 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 2
- XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 2-METHOXYETHANOL Chemical compound COCCO XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N Butyl acetate Natural products CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000001089 [(2R)-oxolan-2-yl]methanol Substances 0.000 claims 1
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 claims 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000011260 aqueous acid Substances 0.000 claims 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims 1
- FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N hexanoic acid Chemical compound CCCCCC(O)=O FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 125000003253 isopropoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(O*)C([H])([H])[H] 0.000 claims 1
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 claims 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims 1
- 125000004213 tert-butoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C(O*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 claims 1
- BSYVTEYKTMYBMK-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofurfuryl alcohol Chemical compound OCC1CCCO1 BSYVTEYKTMYBMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000008199 coating composition Substances 0.000 description 1
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE102010043668A DE102010043668B4 (de) | 2010-11-10 | 2010-11-10 | Verfahren zur Herstellung von Indiumoxid-haltigen Schichten, nach dem Verfahren hergestellte Indiumoxid-haltige Schichten und ihre Verwendung |
| DE102010043668.2 | 2010-11-10 | ||
| PCT/EP2011/068736 WO2012062575A1 (de) | 2010-11-10 | 2011-10-26 | Verfahren zur herstellung von indiumoxid-haltigen schichten |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2016092583A Division JP6161764B2 (ja) | 2010-11-10 | 2016-05-02 | 酸化インジウム含有層の製造方法 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2013543931A JP2013543931A (ja) | 2013-12-09 |
| JP2013543931A5 true JP2013543931A5 (enExample) | 2014-07-03 |
| JP5933575B2 JP5933575B2 (ja) | 2016-06-15 |
Family
ID=44907841
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2013538122A Expired - Fee Related JP5933575B2 (ja) | 2010-11-10 | 2011-10-26 | 酸化インジウム含有層の製造方法 |
| JP2016092583A Expired - Fee Related JP6161764B2 (ja) | 2010-11-10 | 2016-05-02 | 酸化インジウム含有層の製造方法 |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2016092583A Expired - Fee Related JP6161764B2 (ja) | 2010-11-10 | 2016-05-02 | 酸化インジウム含有層の製造方法 |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8859332B2 (enExample) |
| EP (1) | EP2638183B1 (enExample) |
| JP (2) | JP5933575B2 (enExample) |
| KR (1) | KR101801431B1 (enExample) |
| CN (1) | CN103201409B (enExample) |
| DE (1) | DE102010043668B4 (enExample) |
| TW (1) | TWI567232B (enExample) |
| WO (1) | WO2012062575A1 (enExample) |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102009009338A1 (de) | 2009-02-17 | 2010-08-26 | Evonik Degussa Gmbh | Indiumalkoxid-haltige Zusammensetzungen, Verfahren zu ihrer Herstellung und ihre Verwendung |
| DE102010031895A1 (de) | 2010-07-21 | 2012-01-26 | Evonik Degussa Gmbh | Indiumoxoalkoxide für die Herstellung Indiumoxid-haltiger Schichten |
| DE102010031592A1 (de) | 2010-07-21 | 2012-01-26 | Evonik Degussa Gmbh | Indiumoxoalkoxide für die Herstellung Indiumoxid-haltiger Schichten |
| DE102011084145A1 (de) | 2011-10-07 | 2013-04-11 | Evonik Degussa Gmbh | Verfahren zur Herstellung von hochperformanten und elektrisch stabilen, halbleitenden Metalloxidschichten, nach dem Verfahren hergestellte Schichten und deren Verwendung |
| DE102012209918A1 (de) | 2012-06-13 | 2013-12-19 | Evonik Industries Ag | Verfahren zur Herstellung Indiumoxid-haltiger Schichten |
| DE102013212019A1 (de) | 2013-06-25 | 2015-01-08 | Evonik Industries Ag | Formulierungen zur Herstellung Indiumoxid-haltiger Schichten, Verfahren zu ihrer Herstellung und ihre Verwendung |
| DE102013212018A1 (de) | 2013-06-25 | 2015-01-08 | Evonik Industries Ag | Metalloxid-Prekursoren, sie enthaltende Beschichtungszusammensetzungen, und ihre Verwendung |
| DE102013212017A1 (de) | 2013-06-25 | 2015-01-08 | Evonik Industries Ag | Verfahren zur Herstellung von Indiumalkoxid-Verbindungen, die nach dem Verfahren herstellbaren Indiumalkoxid-Verbindungen und ihre Verwendung |
| DE102014202718A1 (de) | 2014-02-14 | 2015-08-20 | Evonik Degussa Gmbh | Beschichtungszusammensetzung, Verfahren zu ihrer Herstellung und ihre Verwendung |
| JP6828293B2 (ja) | 2015-09-15 | 2021-02-10 | 株式会社リコー | ｎ型酸化物半導体膜形成用塗布液、ｎ型酸化物半導体膜の製造方法、及び電界効果型トランジスタの製造方法 |
| FR3061210B1 (fr) * | 2016-12-22 | 2021-12-24 | Electricite De France | Procede sol-gel de fabrication d'un revetement anticorrosion sur substrat metallique |
| JP2019057698A (ja) * | 2017-09-22 | 2019-04-11 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 薄膜形成方法および薄膜形成装置 |
| DE112019002901T5 (de) * | 2018-06-08 | 2021-02-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Halbleitervorrichtung und Herstellungsverfahren der Halbleitervorrichtung |
Family Cites Families (35)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59198607A (ja) | 1983-04-27 | 1984-11-10 | 三菱マテリアル株式会社 | 保護膜を備えた透明導電膜 |
| JPS59198606A (ja) | 1983-04-27 | 1984-11-10 | 三菱マテリアル株式会社 | 透明導電膜形成用組成物 |
| US4681959A (en) | 1985-04-22 | 1987-07-21 | Stauffer Chemical Company | Preparation of insoluble metal alkoxides |
| JPS61295208A (ja) * | 1985-06-07 | 1986-12-26 | Sumitomo Chem Co Ltd | 薄片状金属酸化物の製造法 |
| JPH01115010A (ja) | 1987-10-28 | 1989-05-08 | Central Glass Co Ltd | 透明導電性膜用組成物およびその膜の形成方法 |
| JPH02113033A (ja) * | 1988-10-21 | 1990-04-25 | Central Glass Co Ltd | 静電防止処理を施された非金属材料およびこれらの処理方法 |
| JPH02145459A (ja) * | 1988-11-28 | 1990-06-04 | Central Glass Co Ltd | 複写機用ガラスおよびその製造法 |
| FR2659649B1 (fr) * | 1990-03-16 | 1992-06-12 | Kodak Pathe | Preparation d'alkoxydes d'indium solubles dans les solvants organiques. |
| JPH09157855A (ja) | 1995-12-06 | 1997-06-17 | Kansai Shin Gijutsu Kenkyusho:Kk | 金属酸化物薄膜の形成方法 |
| JP3901285B2 (ja) * | 1997-05-26 | 2007-04-04 | 株式会社Ｋｒｉ | Ｉｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２系薄膜の製造方法 |
| JPH11106935A (ja) | 1997-09-30 | 1999-04-20 | Fuji Photo Film Co Ltd | 金属酸化物薄膜の製造方法及び金属酸化物薄膜 |
| JP2000016812A (ja) | 1998-07-02 | 2000-01-18 | Kansai Shingijutsu Kenkyusho:Kk | 金属酸化物膜の製造方法 |
| JP2001172006A (ja) * | 1999-12-15 | 2001-06-26 | Fujitsu Ltd | 金属酸化物膜の形成方法 |
| JP4073146B2 (ja) | 2000-03-17 | 2008-04-09 | 株式会社高純度化学研究所 | ガリウムアルコキシドの精製方法 |
| JP2005272189A (ja) * | 2004-03-24 | 2005-10-06 | Japan Science & Technology Agency | 紫外光照射による酸化物半導体薄膜の作製法 |
| JP2008500151A (ja) * | 2004-05-28 | 2008-01-10 | 独立行政法人科学技術振興機構 | パターン膜形成方法、装置と材料および製品 |
| JP4767616B2 (ja) | 2005-07-29 | 2011-09-07 | 富士フイルム株式会社 | 半導体デバイスの製造方法及び半導体デバイス |
| BRPI0721301A2 (pt) | 2006-12-29 | 2014-03-25 | 3M Innovative Properties Co | Método para cura de filmes contendo alcóxido metálico |
| KR100819062B1 (ko) * | 2007-03-19 | 2008-04-03 | 한국전자통신연구원 | 인듐 틴 산화물 전자빔 레지스트의 합성 방법 및 이를이용한 인듐 틴 산화물 패턴 형성 방법 |
| DE102007013181B4 (de) * | 2007-03-20 | 2017-11-09 | Evonik Degussa Gmbh | Transparente, elektrisch leitfähige Schicht |
| DE102007018431A1 (de) | 2007-04-19 | 2008-10-30 | Evonik Degussa Gmbh | Pyrogenes Zinkoxid enthaltender Verbund von Schichten und diesen Verbund aufweisender Feldeffekttransistor |
| GB2454019B (en) * | 2007-10-27 | 2011-11-09 | Multivalent Ltd | Improvements in or relating to synthesis of gallium and indium alkoxides |
| DE102008041276A1 (de) | 2008-08-15 | 2010-02-18 | Evonik Degussa Gmbh | Reichweiten- und Material-optimiertes Antennendesign für eine UHF-RFID-Antenne mit an den Chip angepasster Impedanz |
| DE102008058040A1 (de) | 2008-11-18 | 2010-05-27 | Evonik Degussa Gmbh | Formulierungen enthaltend ein Gemisch von ZnO-Cubanen und sie einsetzendes Verfahren zur Herstellung halbleitender ZnO-Schichten |
| DE102009009337A1 (de) | 2009-02-17 | 2010-08-19 | Evonik Degussa Gmbh | Verfahren zur Herstellung halbleitender Indiumoxid-Schichten, nach dem Verfahren hergestellte Indiumoxid-Schichten und deren Verwendung |
| DE102009009338A1 (de) | 2009-02-17 | 2010-08-26 | Evonik Degussa Gmbh | Indiumalkoxid-haltige Zusammensetzungen, Verfahren zu ihrer Herstellung und ihre Verwendung |
| DE102009001221A1 (de) | 2009-02-27 | 2010-09-02 | Evonik Degussa Gmbh | Druckverfahren zur Herstellung individualisierter elektrischer und/oder elektronischer Strukturen |
| DE102009028802B3 (de) * | 2009-08-21 | 2011-03-24 | Evonik Degussa Gmbh | Verfahren zur Herstellung Metalloxid-haltiger Schichten, nach dem Verfahren herstellbare Metalloxid-haltige Schicht und deren Verwendung |
| DE102009028801B3 (de) * | 2009-08-21 | 2011-04-14 | Evonik Degussa Gmbh | Verfahren zur Herstellung Indiumoxid-haltiger Schichten, nach dem Verfahren herstellbare Indiumoxid-haltige Schicht und deren Verwendung |
| DE102009050703B3 (de) | 2009-10-26 | 2011-04-21 | Evonik Goldschmidt Gmbh | Verfahren zur Selbstassemblierung elektrischer, elektronischer oder mikromechanischer Bauelemente auf einem Substrat und damit hergestelltes Erzeugnis |
| DE102009053943A1 (de) | 2009-11-19 | 2011-05-26 | Evonik Degussa Gmbh | Verfahren zur Erzeugung silberhaltiger Strukturen, die silberhaltigen Strukturen aufweisende Erzeugnisse und ihre Verwendung |
| DE102009054997B3 (de) | 2009-12-18 | 2011-06-01 | Evonik Degussa Gmbh | Verfahren zur Herstellung von Indiumoxid-haltigen Schichten, nach dem Verfahren hergestellte Indiumoxid-haltige Schichten und ihre Verwendung |
| DE102009054998A1 (de) * | 2009-12-18 | 2011-06-22 | Evonik Degussa GmbH, 45128 | Verfahren zur Herstellung von Indiumchlordialkoxiden |
| DE102010031895A1 (de) | 2010-07-21 | 2012-01-26 | Evonik Degussa Gmbh | Indiumoxoalkoxide für die Herstellung Indiumoxid-haltiger Schichten |
| DE102010031592A1 (de) | 2010-07-21 | 2012-01-26 | Evonik Degussa Gmbh | Indiumoxoalkoxide für die Herstellung Indiumoxid-haltiger Schichten |
-
2010
- 2010-11-10 DE DE102010043668A patent/DE102010043668B4/de not_active Expired - Fee Related
-
2011
- 2011-10-26 EP EP11779137.6A patent/EP2638183B1/de not_active Not-in-force
- 2011-10-26 KR KR1020137011988A patent/KR101801431B1/ko not_active Expired - Fee Related
- 2011-10-26 JP JP2013538122A patent/JP5933575B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2011-10-26 WO PCT/EP2011/068736 patent/WO2012062575A1/de not_active Ceased
- 2011-10-26 CN CN201180054427.4A patent/CN103201409B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2011-10-26 US US13/884,495 patent/US8859332B2/en active Active
- 2011-11-08 TW TW100140719A patent/TWI567232B/zh not_active IP Right Cessation
-
2016
- 2016-05-02 JP JP2016092583A patent/JP6161764B2/ja not_active Expired - Fee Related
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