JP2013543931A5

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Publication number: JP2013543931A5
Application number: JP2013538122A
Authority: JP
Filing date: 2011-10-26
Publication date: 2014-07-03
Anticipated expiration: 2031-10-26

Description

本発明によれば、この課題は、請求項１に記載の酸化インジウム含有層を製造するための液相法であって、少なくとも１つの酸化インジウム前駆体と、少なくとも１つの溶剤もしくは分散媒体とを含有する混合物から製造可能な被覆組成物を、以下のａ）〜ｄ）の順で、
ａ）基板上に塗布し、
ｂ）該基板上に塗布された組成物を電磁波で照射し、
ｃ）随意に乾燥させ、且つ
ｄ）酸化インジウム含有層へと熱により変換し、
ここで、
・酸化インジウム前駆体が、一般式ＩｎＸ（ＯＲ）₂
［式中、Ｒ＝アルキル基および／またはアルコキシアルキル基であり且つＸ＝Ｆ、Ｃｌ、ＢｒまたはＩである］
のインジウムハロゲンアルコキシドであり、且つ、
・１７０〜２１０ｎｍの範囲および２５０〜２５８ｎｍの範囲の光線を有意な割合で有する電磁波での照射を実施する、
前記方法によって解決される。

Claims

酸化インジウム含有層を製造するための液相法であって、少なくとも１つの酸化インジウム前駆体と、少なくとも１つの溶剤もしくは分散媒体とを含有する混合物から製造可能な被覆組成物を、以下のａ）〜ｄ）の順で、
ａ）基板上に塗布し、
ｂ）該基板上に塗布された組成物を電磁波で照射し、
ｃ）随意に乾燥させ、且つ、
ｄ）酸化インジウム含有層へと熱により変換する、
前記方法であって、
・酸化インジウム前駆体が、一般式ＩｎＸ（ＯＲ）₂
［式中、Ｒ＝アルキル基および／またはアルコキシアルキル基であり且つＸ＝Ｆ、Ｃｌ、ＢｒまたはＩである］
のインジウムハロゲンアルコキシドであり、且つ、
・１７０〜２１０ｎｍの範囲および２５０〜２５８ｎｍの範囲の光線を有意な割合で有する電磁波での照射を実施することを特徴とする前記方法。
前記照射を、１８３〜１８７ｎｍの範囲および２５０〜２５８ｎｍの範囲の光線を有意な割合で有する電磁波を用いて実施することを特徴とする、請求項１に記載の方法。
前記照射を、低圧水銀放電ランプを使用して行うことを特徴とする、請求項１または２に記載の方法。
少なくとも１つのインジウムハロゲンアルコキシドのアルキル基もしくはアルコキシアルキル基が、Ｃ₁〜Ｃ₁₅−アルコキシ基またはアルキルオキシアルキル基であることを特徴とする、請求項１から３までのいずれか１項に記載の方法。
前記インジウムハロゲンアルコキシドが、ＩｎＣｌ（ＯＭｅ）₂、ＩｎＣｌ（ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₃）₂、ＩｎＣｌ（ＯＥｔ）₂、ＩｎＣｌ（ＯｉＰｒ）₂またはＩｎＣｌ（ＯｔＢｕ）₂であることを特徴とする、請求項１から４までのいずれか１項に記載の方法。
組成物の合計質量に対して０．１〜１０質量％の割合のインジウムハロゲンアルコキシドＩｎＸ（ＯＲ）₂を用いることを特徴とする、請求項１から５までのいずれか１項に記載の方法。
前記組成物が、インジウムハロゲンアルコキシドの他に、さらに、他の前駆体を、溶解または分散して有することを特徴とする、請求項１から６までのいずれか１項に記載の方法。
前記他の前駆体が、他の元素のアルコキシドまたはハロゲンアルコキシドであることを特徴とする、請求項７に記載の方法。
前記他の前駆体が、Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｐ、Ｈｆ、ＺｎおよびＳｂのアルコキシドまたはハロゲンアルコキシドであることを特徴とする、請求項７に記載の方法。
前記少なくとも１つの溶剤または分散媒体が、メタノール、エタノール、イソプロパノール、テトラヒドロフルフリルアルコール、ｔｅｒｔ−ブタノール、酢酸ブチル、メトキシエタノール、１−メトキシ−２−プロパノールまたはトルエンであることを特徴とする、請求項１から９までのいずれか１項に記載の方法。
前記少なくとも１つの溶剤または分散媒体が、組成物の合計質量に対して９０〜９９．９質量％の割合で存在することを特徴とする、請求項１から１０までのいずれか１項に記載の方法。
段階ｂ）における照射を、酸素（Ｏ₂）の存在下で実施することを特徴とする、請求項１から１１までのいずれか１項に記載の方法。
構造化された酸化インジウム含有層を製造するための請求項１２に記載の方法であって、段階ｂ）における照射を、相応の構造が予め備えられたマスクを通じて行うことを特徴とする、前記方法。
段階ｅ）における熱処理の後、照射されていない領域を、水性酸を使用して除去することを特徴とする、請求項１３に記載の方法。
変換を、５００℃未満且つ１２０℃より高い温度で熱により行うことを特徴とする、請求項１から１４までのいずれか１項に記載の方法。
請求項１から１５までのいずれか１項記載の方法によって製造可能な酸化インジウム含有層。
電子素子用の伝導層または半導体層を製造するための、請求項１６に記載の少なくとも１つの酸化インジウム含有層の使用。
トランジスタ、ダイオード、センサまたは太陽電池用の伝導層または半導体層を製造するための、請求項１６に記載の少なくとも１つの酸化インジウム含有層の使用。