JP2013514246A5 - - Google Patents
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使用されるインジウム−ハロゲン−アルコキシドがInCl(OMe)2、InCl(OCH2CH2OCH3) 2 、InCl(OEt)2、InCl(OiPr)2またはInCl(OtBu)2である場合には、最善の結果が達成される。
比較例(前駆体としてのインジウムアルコキシド)
約15mmの辺の長さおよび約200nmの厚さの酸化ケイ素被覆およびITO/金からなるフィンガー構造を有するドープされたシリコン基体上に、エタノール中のIn(OiPr) 3 の2.5質量%溶液100μlを施した。次に、回転塗布を2000rpmで行う(5秒)。被覆された基体に、前記の被覆工程の直後に5分間、水銀蒸気灯に由来するUV線を150〜300nmの波長範囲で照射する。引続き、この基体を1時間、ホットプレート上で350℃の温度で加熱する。変換後、グローブボックス中で、30VDSで電界効果移動度μFET=2.2cm2/Vsの値を測定することができる。
約15mmの辺の長さおよび約200nmの厚さの酸化ケイ素被覆およびITO/金からなるフィンガー構造を有するドープされたシリコン基体上に、エタノール中のIn(OiPr) 3 の2.5質量%溶液100μlを施した。次に、回転塗布を2000rpmで行う(5秒)。被覆された基体に、前記の被覆工程の直後に5分間、水銀蒸気灯に由来するUV線を150〜300nmの波長範囲で照射する。引続き、この基体を1時間、ホットプレート上で350℃の温度で加熱する。変換後、グローブボックス中で、30VDSで電界効果移動度μFET=2.2cm2/Vsの値を測定することができる。
Claims (21)
- 非水性溶液から酸化インジウム含有層を形成させるための液相法において、
Rがアルキル基および/またはアルコキシアルキル基であり、かつXがF、Cl、BrまたはIである一般式InX(OR)2の少なくとも1つのインジウム−ハロゲン−アルコキシドおよび少なくとも1つの溶剤または分散媒体を含有する無水組成物を、項目a)〜d)の順序で無水雰囲気中で、
a)基体上に施し、
b)基体上に施された組成物に360nm以下の波長の電磁線を照射し、および
d)酸化インジウム含有層に熱的に変換することを特徴とする、非水性溶液から酸化インジウム含有層を形成させるための液相法。 - 前記無水組成物を、項目a)〜d)の順序で無水雰囲気中で、
a)基体上に施し、
b)基体上に施された組成物に360nm以下の波長の電磁線を照射し、および
c)乾燥し、次に
d)酸化インジウム含有層に熱的に変換することを特徴とする、請求項1記載の方法。 - 少なくとも1つのインジウム−ハロゲン−アルコキシドのアルキル基またはアルコキシアルキル基は、C1〜C15アルコキシ基またはアルコキシアルキル基である、請求項1または2に記載の方法。
- インジウム−ハロゲン−アルコキシドは、InCl(OMe)2、InCl(OCH2CH2OCH3) 2 、InCl(OEt)2、InCl(OiPr)2またはInCl(OtBu)2である、請求項3記載の方法。
- 無水組成物は、インジウム−ハロゲン−アルコキシドと共に、別の前駆体を溶解または分散して有する、請求項1から4までのいずれか1項に記載の方法。
- 前記別の前駆体が、別の元素のアルコキシドまたは別の元素のハロゲン−アルコキシドである、請求項5記載の方法。
- 前記別の前駆体が、B、Al、Ga、Ge、Sn、Pb、P、ZnもしくはSbのアルコキシドまたはハロゲン−アルコキシドである、請求項5または6に記載の方法。
- インジウム−ハロゲン−アルコキシドInX(OR)2を前記組成物の全質量に対して0.1〜10質量%の割合で使用する、請求項1から7までのいずれか1項に記載の方法。
- 溶剤または分散媒体は、非プロトン性または弱プロトン性溶剤または分散媒体であり、前記弱プロトン性溶剤は、アルコール、第一級アミン、第二級アミンまたはホルムアミドから選択される、請求項1から8までのいずれか1項に記載の方法。
- 少なくとも1つの溶剤または分散媒体は、メタノール、エタノール、イソプロパノール、テトラヒドロフルフリルアルコール、第三ブタノール、ブチルアセテート、メトキシエタノールまたはトルエンである、請求項9記載の方法。
- 少なくとも1つの溶剤または分散媒体は、前記組成物の全質量に対して90〜99.9質量%の割合で存在する、請求項1から10までのいずれか1項に記載の方法。
- 前記組成物は、1mPa・s〜10Pa・sの粘度を有する、請求項1から11までのいずれか1項に記載の方法。
- 基体は、ガラス、シリコン、二酸化ケイ素、金属酸化物、金属またはポリマー材料から構成される、請求項1から12までのいずれか1項に記載の方法。
- 前記金属酸化物が、遷移金属酸化物である、請求項13記載の方法。
- 無水組成物を基体上に印刷法、噴霧法、回転被覆法、浸漬法、またはメニスカスコーティング法、スリットコーティング法、スロットダイコーティング法およびカーテンコーティング法からなる群から選択された方法により施す、請求項1から14までのいずれか1項に記載の方法。
- 施与を連続的インキジェット印刷法、熱的インキジェット印刷法またはピエゾ−インキジェット印刷法から選択されたインキジェット印刷法により行う、請求項15記載の方法。
- 無水組成物を150〜300nmの波長の電磁線で照射する、請求項1から16までのいずれか1項に記載の方法。
- 変換を熱的に150℃を上廻る温度によって行う、請求項1から17までのいずれか1項に記載の方法。
- 熱処理の前、中または後にUV線、IR線またはVIS線を照射する、請求項1から18までのいずれか1項に記載の方法。
- 請求項1から19までのいずれか1項に記載の方法により形成可能な酸化インジウム含有層。
- 電子構成部品のための導電性層または半導体層の形成のための請求項20記載の少なくとも1つの酸化インジウム含有層の使用。
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