JP2013512585A - 磁気トンネル接合を含む上部および下部電極を有するデバイスの製造および統合 - Google Patents
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Abstract
Description
704 分離層
706 コンタクト
708 ビア
710 第1電極層、下部電極層
711 第1電極、下部電極
720 磁気デバイス、デバイス層
721 MTJ
734 第1キャッピング層
740 第2キャッピング層
742 中間金属間誘電体層
750 第2電極層、上部電極層
751 第2電極、上部電極
760 上部金属間誘電体層
762 ビア
764 トレンチ
Claims (25)
- 第1電極層を堆積する段階と、
前記第1電極層上に磁気デバイスを製造する段階と、
前記磁気デバイスを製造する段階後に、前記第1電極層をパターニングする段階と、
前記第1電極層をパターニングする段階後に、前記磁気デバイスおよび前記第1電極層の上に第1誘電体層を堆積する段階と、
前記第1誘電体層を堆積する段階後に、第2電極層を堆積する段階と、
前記第2電極層を堆積する段階後に、前記第2電極層をパターニングする段階と、
を含む、電子デバイス製造方法。 - 前記磁気デバイスが磁気トンネル接合を含む、請求項1に記載の方法。
- 前記磁気トンネル接合を磁気ランダムアクセスメモリに統合する段階をさらに含む、請求項2に記載の方法。
- 前記第2電極層を堆積する段階前に、前記第1誘電体層を平坦化する段階をさらに含む、請求項1に記載の方法。
- 前記磁気デバイスを製造する段階後に、前記磁気デバイス上に第1キャッピング層を堆積する段階をさらに含む、請求項4に記載の方法。
- 前記第1キャッピング層を堆積する段階後に、前記第1キャッピング層をエッチングして前記磁気デバイスの表面を露出する段階と、
前記第1キャッピング層をエッチングする段階後および前記第1誘電体層を堆積する段階前に、第2キャッピング層を堆積する段階と、
をさらに含む、請求項5に記載の方法。 - 前記第2電極層をパターニングする段階後に、第2誘電体層を堆積する段階と、
前記第2誘電体層を平坦化する段階と、
をさらに含む、請求項1に記載の方法。 - 前記第2誘電体層を堆積する段階後に、前記第2電極層に対する電気路をパターニングする段階と、
前記電気路を導電性材料で充填する段階と、
をさらに含む、請求項7に記載の方法。 - 前記電気路をパターニングする段階がトレンチをパターニングする段階を含む、請求項8に記載の方法。
- 前記電気路をパターニングする段階がビアをパターニングする段階をさらに含む、請求項9に記載の方法。
- 前記電気路を充填する段階後に、上部キャッピング層を堆積する段階をさらに含む、請求項8に記載の方法。
- 同一のマスクが、前記第2電極層のパターニングおよび前記第1電極層のパターニングのためのパターンを製造する、請求項1に記載の方法。
- 前記磁気デバイスを製造する段階後および前記第1誘電体層を堆積する段階前に、前記磁気デバイスを洗浄する段階と、
前記磁気デバイスを洗浄する段階後に、前記磁気デバイス上に第1キャッピング層を堆積する段階と、
をさらに含む、請求項1に記載の方法。 - セットトップボックス、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、娯楽ユニット、ナビゲーションデバイス、通信デバイス、携帯情報端末(PDA)、固定位置データユニット、およびコンピュータの少なくとも1つに前記磁気デバイスを統合する段階をさらに含む、請求項1に記載の方法。
- 基板と、
前記基板に埋め込まれた第1コンタクトと、
前記第1コンタクトと結合される、前記基板上のパターン化された第1電極と、
前記パターン化された第1電極上のパターン化された電子デバイスと、
前記パターン化された電子デバイス上のパターン化された第2電極と、
前記パターン化された第2電極と接触するトレンチと、
を含む電子デバイス。 - 前記パターン化された電子デバイスの両面にキャッピング層をさらに含む、請求項15に記載の電子デバイス。
- 第2電子デバイスと、
前記電子デバイスと前記第2電子デバイスとの間の空間を実質的に充填する第1誘電体層と、
をさらに含む、請求項15に記載の電子デバイス。 - 前記パターン化された第2電極上に、前記トレンチがパターン化される第2誘電体層をさらに含む、請求項17に記載の電子デバイス。
- セットトップボックス、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、娯楽ユニット、ナビゲーションデバイス、通信デバイス、携帯情報端末(PDA)、固定位置データユニット、およびコンピュータの少なくとも1つに前記電子デバイスが統合される、請求項15に記載の電子デバイス。
- 基板と、
磁気的記憶状態のための複数の手段であって、各磁気記憶手段が第1電極と第2電極との間を連結する、手段と、
前記第1電極と、前記第2電極と、前記隣接する磁気記憶手段との間の空間を実質的に充填する誘電体層と、
前記磁気記憶手段の表面を前記第2電極に結合するための手段と、
を含む電子デバイス。 - セットトップボックス、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、娯楽ユニット、ナビゲーションデバイス、通信デバイス、携帯情報端末(PDA)、固定位置データユニット、およびコンピュータの少なくとも1つに前記電子デバイスが統合される、請求項20に記載の電子デバイス。
- 第1電極層を堆積する段階と、
前記第1電極層上に磁気デバイスを製造する段階と、
前記磁気デバイスを製造する段階後に、前記第1電極層をパターニングする段階と、
前記第1電極層をパターニングする段階後に、前記磁気デバイスおよび前記第1電極層の上に第1誘電体層を堆積する段階と、
前記第1誘電体層を堆積する段階後に、第2電極層を堆積する段階と、
前記第2電極層を堆積する段階後に、前記第2電極層をパターニングする段階と、
のステップを含む、電子デバイス製造方法。 - 前記磁気デバイスが磁気トンネル接合を含む、請求項22に記載の方法。
- 前記第2電極層をパターニングする段階後に、第2誘電体層を堆積する段階と、
前記第2誘電体層を平坦化する段階と、
前記第2誘電体層を堆積する段階後に、前記第2電極層に対する電気路をパターニングする段階と、
前記電気路を導電性材料で充填する段階と、
のステップをさらに含む、請求項22に記載の方法。 - セットトップボックス、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、娯楽ユニット、ナビゲーションデバイス、通信デバイス、携帯情報端末(PDA)、固定位置データユニット、およびコンピュータの少なくとも1つに前記磁気デバイスを統合するステップをさらに含む、請求項22に記載の方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US12/627,173 | 2009-11-30 | ||
US12/627,173 US8455965B2 (en) | 2009-11-30 | 2009-11-30 | Fabrication and integration of devices with top and bottom electrodes including magnetic tunnel junctions |
PCT/US2010/058445 WO2011066579A2 (en) | 2009-11-30 | 2010-11-30 | Fabrication and integration of devices with top and bottom electrodes including magnetic tunnel junctions |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013512585A true JP2013512585A (ja) | 2013-04-11 |
Family
ID=43513967
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012542134A Pending JP2013512585A (ja) | 2009-11-30 | 2010-11-30 | 磁気トンネル接合を含む上部および下部電極を有するデバイスの製造および統合 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US8455965B2 (ja) |
EP (1) | EP2507849A2 (ja) |
JP (1) | JP2013512585A (ja) |
KR (2) | KR101501587B1 (ja) |
CN (1) | CN102687298B (ja) |
TW (1) | TW201131847A (ja) |
WO (1) | WO2011066579A2 (ja) |
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- 2010-11-30 JP JP2012542134A patent/JP2013512585A/ja active Pending
- 2010-11-30 KR KR1020127017016A patent/KR101501587B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2010-11-30 EP EP10784653A patent/EP2507849A2/en not_active Withdrawn
- 2010-11-30 TW TW099141604A patent/TW201131847A/zh unknown
- 2010-11-30 WO PCT/US2010/058445 patent/WO2011066579A2/en active Application Filing
- 2010-11-30 KR KR1020137029302A patent/KR101534501B1/ko active IP Right Grant
- 2010-11-30 CN CN201080059956.9A patent/CN102687298B/zh active Active
-
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- 2013-05-06 US US13/887,492 patent/US8644063B2/en active Active
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP2507849A2 (en) | 2012-10-10 |
KR101501587B1 (ko) | 2015-03-11 |
WO2011066579A2 (en) | 2011-06-03 |
US8455965B2 (en) | 2013-06-04 |
WO2011066579A3 (en) | 2011-07-21 |
KR20130140165A (ko) | 2013-12-23 |
US20110127626A1 (en) | 2011-06-02 |
CN102687298B (zh) | 2016-03-30 |
TW201131847A (en) | 2011-09-16 |
US20130244345A1 (en) | 2013-09-19 |
US8644063B2 (en) | 2014-02-04 |
KR101534501B1 (ko) | 2015-07-06 |
KR20120098851A (ko) | 2012-09-05 |
CN102687298A (zh) | 2012-09-19 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
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|
A601 | Written request for extension of time |
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|
A602 | Written permission of extension of time |
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|
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|
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