JP5710647B2 - 平坦化された電極上の磁気トンネル接合(mtj) - Google Patents
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Description
本明細書は、広くメモリ素子に関連する。より具体的には、本明細書は、磁気ランダムアクセスメモリ(MRAM)に関連する。
102 絶縁体
104 絶縁体
106 絶縁体
108 絶縁体
122 下部金属
124 下部電極
126 MTJ層
128 上部電極
130 上部金属
202 下層
302 エッチング停止層
400 無線通信システム
420 リモートユニット
425A IC素子
425B IC素子
425C IC素子
430 リモートユニット
440 ベースステーション
480 フォワードリンク信号
490 リバースリンク信号
500 デザインワークステーション
501 ハードディスク
503 駆動装置
510 回路
512 半導体部品
Claims (11)
- 下部金属と、
第1の絶縁層と同一平面にある上面を有する前記下部金属上の平坦な下部電極であって、前記第1の絶縁層が、前記下部電極を囲って前記下部電極と接触する、下部電極と、
前記下部電極上のタンタルからなる下層と、
前記下部電極より小さく、前記下部金属に実質的に位置合わせされる、前記下層上の材料積層体と、
前記材料積層体上の上部電極と、
前記材料積層体を囲って前記材料積層体に接触すると共に、前記下部電極及び前記上部電極の両方に接触する第2の絶縁層と、
前記第2の絶縁層を囲って前記第2の絶縁層に接触すると共に、前記上部電極及び前記第1の絶縁層の両方に接触する第3の絶縁層と、
を備え、
前記下部電極と前記下層が、互いに異なる層である、磁気トンネル接合。 - 前記上部電極が、100nmから150nmの幅である、請求項1に記載の磁気トンネル接合。
- 前記下部電極が、タングステン、銅、タンタル及び窒化タンタルからなる群から選択される材料である、請求項1に記載の磁気トンネル接合。
- 前記下部電極が、実質的に平坦な表面を有する、請求項1に記載の磁気トンネル接合。
- 前記下部金属の一部に隣接するエッチング停止層をさらに備え、前記下部電極が、前記エッチング停止層及び前記下部金属上にある、請求項1に記載の磁気トンネル接合。
- 前記材料積層体が、第1の強磁性層、トンネル障壁層及び第2の強磁性層をさらに備える、請求項1に記載の磁気トンネル接合。
- 前記磁気トンネル接合が、磁気ランダムアクセスメモリ(MRAM)に組み込まれる、請求項1に記載の磁気トンネル接合。
- 前記MRAMが、セットトップボックス、ミュージックプレーヤ、ビデオプレーヤ、エンターテイメントユニット、ナビゲーション装置、通信装置、携帯情報端末(PDA)、固定位置データユニット及び/又はコンピュータに組み込まれる、請求項7に記載の磁気トンネル接合。
- 下部金属と、
第1の絶縁層と同一平面にある上面を有する前記下部金属上に連結する平坦な手段であって、前記第1の絶縁層が、前記連結する手段を囲って前記連結する手段と接触する、連結する平坦な手段と、
前記連結する手段上のタンタルからなる下層と、
前記連結する手段より小さい大きさにパターニングされ、前記下部金属に実質的に位置合わせされる、前記下層上の材料積層体と、
前記材料積層体上の上部電極と、
前記材料積層体を囲って前記材料積層体に接触すると共に、前記連結する手段及び前記上部電極の両方に接触する第2の絶縁層と、
前記第2の絶縁層を囲って前記第2の絶縁層に接触すると共に、前記上部電極及び前記第1の絶縁層の両方に接触する第3の絶縁層と、
を備え、
前記連結する手段と前記下層が、互いに異なる層である、磁気トンネル接合。 - 前記連結する手段が、実質的に平坦な表面を有する、請求項9に記載の磁気トンネル接合。
- 前記磁気トンネル接合が、セットトップボックス、ミュージックプレーヤ、ビデオプレーヤ、エンターテイメントユニット、ナビゲーション装置、通信装置、携帯情報端末(PDA)、固定位置データユニット及び/又はコンピュータに組み込まれる、請求項9に記載の磁気トンネル接合。
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