JP2013505572A - 高屈折率レンズを有するledモジュール - Google Patents

高屈折率レンズを有するledモジュール Download PDF

Info

Publication number
JP2013505572A
JP2013505572A JP2012529369A JP2012529369A JP2013505572A JP 2013505572 A JP2013505572 A JP 2013505572A JP 2012529369 A JP2012529369 A JP 2012529369A JP 2012529369 A JP2012529369 A JP 2012529369A JP 2013505572 A JP2013505572 A JP 2013505572A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
array
led
housing
lens
opening
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2012529369A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2013505572A5 (ja
Inventor
サージ ビエルフイゼン
ナンゼ パトリック ワン
グレゴリー ダブリュ エング
デケイ サン
ヤジュン ウェイ
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Koninklijke Philips NV
Original Assignee
Koninklijke Philips NV
Koninklijke Philips Electronics NV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Koninklijke Philips NV, Koninklijke Philips Electronics NV filed Critical Koninklijke Philips NV
Publication of JP2013505572A publication Critical patent/JP2013505572A/ja
Publication of JP2013505572A5 publication Critical patent/JP2013505572A5/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483Containers
    • H01L33/486Containers adapted for surface mounting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58Optical field-shaping elements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/10Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices having separate containers
    • H01L25/13Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/50Multistep manufacturing processes of assemblies consisting of devices, each device being of a type provided for in group H01L27/00 or H01L29/00
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50Wavelength conversion elements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50Wavelength conversion elements
    • H01L33/507Wavelength conversion elements the elements being in intimate contact with parts other than the semiconductor body or integrated with parts other than the semiconductor body
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008Processes
    • H01L2933/0033Processes relating to semiconductor body packages
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008Processes
    • H01L2933/0033Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0041Processes relating to semiconductor body packages relating to wavelength conversion elements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008Processes
    • H01L2933/0033Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0058Processes relating to semiconductor body packages relating to optical field-shaping elements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008Processes
    • H01L2933/0033Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0066Processes relating to semiconductor body packages relating to arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0091Scattering means in or on the semiconductor body or semiconductor body package

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Non-Portable Lighting Devices Or Systems Thereof (AREA)

Abstract

ハウジング本体とレンズとを有するハウジングのアレイを形成するために、ハウジング本体106とレンズ102とを有するハウジングのアレイがモールド成形されるか、又はハウジング本体のアレイがレンズとモールド成形されて結合される。発光ダイオード(LED)116がアレイのハウジングに取り付けられる。ハウジングの背面に接続パッドを形成するために、金属パッド112のアレイがアレイの背面に結合されるか、又はハウジングのアレイとインサート・モールド成形される。個々のLEDモジュールを形成するために、アレイが切り離される。

Description

本発明の一つ以上の実施例が、エネルギー省により授与された契約、番号DE-FC26-08NT01583に基づいて政府の援助によって作られた。政府は本発明の特定の権利をもっている。
本発明は、発光ダイオード(LED)のモジュールに関する。
幾つかのLEDモジュールにおいて、レンズはLEDの上部に結合されるか、又は上部モールド成形される。当該LEDモジュールが印刷回路基板(PCB)などの基板に半田付けされる。レンズとLEDとの間の接触面積によっては、使用の間にレンズがLEDチップから外れることがある。
LEDが、サブマウント上に載置された薄膜のフリップチップなどの複数のLEDチップを備えていてもよい。LEDデバイスから最も多くの光を抽出するためのドーム状のレンズでは、当該レンズはLEDチップよりも大きくなければならない。これは、レンズを収容するためのエリアを提供するために、より大きなサブマウントを必要とすることになり、従って、基板は高価なことがあるのでモジュールのコストを上昇させる。
本発明の一つ以上の実施例において、ハウジング本体とレンズとを備えたハウジングのアレイを形成するために、複数のハウジング本体と複数のレンズとを備えたハウジングのアレイがモールド成形されるか、又はハウジング本体のアレイがモールド成形され、レンズと結合される。LEDが、アレイ内でハウジングに取り付けられる。ハウジングの背面に接続パッドを形成するために、金属パッドのアレイがハウジングアレイの背面に結合されるか、又はハウジングアレイにインサート成形される。当該アレイは、個々のLEDモジュールを形成するために切り離される。
本発明の一つ以上の実施例によるLEDモジュールの分解図を例示する。 本発明の一つ以上の実施例によるLEDモジュールの組み立て図を例示する。 本発明の一つ以上の実施例によるLEDモジュールの断面図を例示する。 本発明の一つ以上の実施例による図1のハウジングのアレイの斜視図を例示する。 本発明の一つ以上の実施例による図1のハウジングにLEDを設置している斜視図を例示する。 本発明の一つ以上の実施例によるLEDを有するハウジングの斜視図を例示する。 本発明の一つ以上の実施例によるハウジング本体とレンズとを各々有するハウジングのサンプルアレイの斜視図を例示する。 本発明の一つ以上の実施例による図7のアレイの一例のハウジングの底面の斜視図を例示する。 本発明の一つ以上の実施例による図7のアレイの一例のハウジングの底面の平面図を例示する。 本発明の一つ以上の実施例による図7のアレイの別の一例のハウジングの底面の斜視図を例示する。 本発明の一つ以上の実施例による図7のアレイの別の一例のハウジングの底面の平面図を例示する。 本発明の一つ以上の実施例による図7のアレイのハウジングへとLEDを設置する際の斜視図を例示する。 本発明の一つ以上の実施例による図7のアレイのハウジングへとLEDを設置した後の斜視図を例示する。 本発明の一つ以上の実施例による図11のLEDが設置されたアレイの背面に金属片のアレイを結合した後の斜視図を例示する。 本発明の一つ以上の実施例による図12のアレイから切り離された一つのサンプルLEDモジュールの断面図を例示する。 本発明の一つ以上の実施例による図12のアレイから切り離された一つのサンプルLEDモジュールの底面の平面図を例示する。 本発明の一つ以上の実施例によるレンズのサンプルアレイの斜視図を例示する。 本発明の一つ以上の実施例による図15のアレイ中の一つのサンプルレンズの断面図を例示する。 本発明の一つ以上の実施例によるハウジング本体のアレイの上面の斜視図を例示する。 本発明の一つ以上の実施例によるハウジング本体のアレイの下面の斜視図を例示する。 本発明の一つ以上の実施例による図15レンズのアレイと図17のハウジングのアレイとの結合から成る複合アレイであって、当該複合アレイのハウジングへLEDが設置された状態の同複合アレイの下面の斜視図を例示する。 本発明の一つ以上の実施例による図19のアレイから切り離された一つのサンプルLEDモジュールの上面の斜視図を例示する。 本発明の一つ以上の実施例による図19のアレイから切り離された一つのサンプルLEDモジュールの下面の斜視図を例示する。 本発明の一つ以上の実施例による図21のLEDモジュールの背面に結合される金属パッドのアレイの斜視図を例示する。 本発明の一つ以上の実施例による金属パッドのアレイの上面の斜視図を例示する。 本発明の一つ以上の実施例によるハウジングへと結合された図23のアレイのうちの一つのサンプル金属パッドの下面の斜視図を例示する。
異なる図における同じ参照番号の使用は、類似のエレメント又は同一のエレメントであることを示す。
図1、図2、及び図3は、本発明の一つ以上の実施例による発光ダイオード(LED)モジュール100の分解図と、斜視した組み立て図と、組み立て後の断面図と、をそれぞれ例示する。当該モジュール100は、レンズ102と、波長変換エレメント104と、底部開口部110につながっている頂部開口部108を有するハウジング本体106と、モールド成形されたタブ114を有する金属シム112と、一つ以上のLEDチップ117を有するLED 116と、を備える。
レンズ102は、従来からあるモールド成形されたガラスレンズでもよい。普通に見られるモールド成形可能なガラス材料には、B270、Pyrex(登録商標)、Tempax(登録商標)、Borofloat(登録商標) 33、及びF2ガラスがある。代替的にはレンズ102は1.5又はより大きな(例えば1.7以上の)屈折率(RI)をもつ、高RIのガラス(例えばS-LAH51)、サファイヤ、立方体の酸化ジルコニウム、又はダイヤモンドなどの別の材料でもよい。波長変換エレメントがレンズに取り付けられない場合、レンズ102は1.4以上のRIをもつ硬いシリコン若しくは柔らかいシリコンから製造されてもよい。レンズ102はドーム状の形状を有するか、又はドーム状でなければ、光を波長変換エレメント104及びLEDチップ116から抽出するのを助ける形状をもつ。
波長変換エレメント104がレンズ102の底面に固定される。波長変換エレメント104は、所望の色を提供するためにLEDチップ117の発光スペクトルを変更する。波長変換エレメントは米国特許公報US 7,361,938に記載されているような一つ以上のセラミック蛍光体の板でもよく、当該米国特許公報が本願明細書に共通に割り当てられ、参照されて組み込まれる。波長変換エレメント104が、米国特許公開公報US XX/XXX,XXXに記載されている高屈折率の接着剤によってレンズ102の底面に固定されてもよい。当該米国特許公開公報は、題名が「窓エレメントを組み込んだモールド成形されたレンズ」であり、本願明細書と並行して出願され、出願人整理番号PH012893US1をもち、共通に割り当てられ、参照されて組み込まれる。
ハウジング本体106は、波長変換エレメント104を有するレンズ102を収容するための凹部118と頂部開口部108とを含む。波長変換エレメント104が完全に頂部開口部108を覆うように、レンズ102がハウジング本体106に位置合わせされる。レンズ102が、位置合わせを維持するために凹部118へと結合される。接着剤がレンズ102の底部、凹部118、又は両方に塗布されてもよい。当該接着剤はシリコン接着剤、エポキシ接着剤、又は別の接着剤でもよい。クランプ120が凹部118の周囲に配置されている。クランプ120はレンズ102の縁部又はフランジ122を固定するために、熱カシメと呼ばれるプロセスにて可塑的に変形される。レンズ102が結合され且つハウジング本体106に固定されるので、レンズがハウジング本体から外れることはないであろう。レンズ102がハウジング本体106に固定されるので、レンズのサイズがLED 116のサブマウントのサイズによって限定されることはない。例えば、レンズ102がLED 116の上面よりも大きな底面をもってもよい。ハウジング本体106は、従来からあるモールド成形された白いプラスチックでもよい。例えばハウジング本体106は、DuPont社のZytel(登録商標)、Solvay Advanced Polymers社のAmodel(登録商標)などのポリフタルアミド(PPA)か、又は液晶ポリマ(LCP)でもよい。
ハウジング本体106において頂部開口部108は底部開口部110よりも小さいので、
底部開口部の天井部分が、頂部開口部の外周の周りにストッパ302(図3及び図5参照)を形成する。当該ストッパ302は、LED 116が底部開口部110にどの程度深く着座するか、及び当該LEDが底部開口部からどの程度突出するかを規定する。LED 116が底部開口部110内に設置され、波長変換エレメント104とストッパ302とに結合される。LEDが設置される前に、接着剤が波長変換エレメント104の底部、LED 116の上部、又は両方に塗布される。接着剤はシリコン接着剤、エポキシ接着剤、又は別の接着剤でもよい。LEDチップ117に損傷を与えること無く接着剤602(図6参照)が膨張又は収縮できるよう、一つ以上の余剰接着剤の導管502(図5参照)がストッパ302に規定されている。
LED 116上のLEDチップ117が頂部開口部108に僅かに突出するか、又は波長変換エレメント104が底部開口部110に僅かに突出する。どちらの場合でも、接着剤で満たされた小さなギャップが波長変換エレメント104の底部とLEDチップ117の最上部との間に存在する。LEDチップ117から波長変換エレメント104へと光を抽出するため、並びにLEDチップ及び波長変換エレメントからの何らかの端部発光も防ぐために、頂部開口部108及び底部開口部110の側壁は、反射性か又は散乱性である。
LEDチップ117が、(概して参照番号116により示されている)サブマウント又は仲介部品上に載置される。各々のLEDチップは、n-タイプの層、n-タイプの層の上にある(一般に「活性領域」と呼ばれる)発光層、及び発光層の上にあるp-タイプの層を備える。サブマウントはLEDチップ117の金属パターンを基板貫通-基板経由か、又はサブマウント上で適切に再配線する基板を含む。サブマウントはLEDチップ117を直列又は並列に接続するか、金属接続のパッドのパターンを適切に再配線するか、又は両方を行う。サブマウントは、LED 116の背面にある二つ以上の接続パッド304(図3及び図5参照)を考慮している。
金属シム112がハウジング本体106とインサート・モールド成形される。金属シム112は一体構造を形成するために、ハウジング用の材料が流れて通過できる孔を備えたモールド成形用のタブ114を有する。金属シム112は、金属接続パッドをハウジング本体106の底部に形成する。ハウジング本体106の(概して参照番号112により示されている)接続パッドは、LED 116の接続パッド304(図3及び図5参照)がモジュール100をPCBなどの基板へと固定するのを助ける。
モジュール100は以下のように製造される。レンズ102が個々にモールド成形されるか、又はアレイの状態でモールド成形され、次に個々のレンズへと切り離される。図4に示すように、(1個のみがラベル付けされた)ハウジング本体106のアレイ400が、(1個のみがラベル付けされた)シム112のアレイと共にインサート・モールド成形される。アレイ400はどのようなサイズでもよく、より簡単な取り扱い及び加工のために、大きなアレイがより小さなアレイへと(例えば鋸で)切り離されてもよい。個々のレンズ102がアレイ400のハウジング本体106へと結合され、熱カシメされる。図5に示すように、アレイ400がひっくりかえされ、個々のLED 116が底部開口部110に設置されて、ハウジング106と結合されてもよい。
図7は、本発明の一つ以上の実施例によるハウジング本体とレンズとを各々もっているハウジング702の(1個のみがラベル付けされた)サンプルアレイ700を例示する。アレイ700は、従来からあるモールド成形されたガラスでもよい。知られているモールド成形可能なガラス材料には、B270、Pyrex(登録商標)、Tempax(登録商標)、Borofloat(登録商標) 33、及びF2ガラスがある。代替的には、アレイ700が1.5又はより大きな(例えば1.7以上の)RIを有する、サファイヤ、ダイヤモンド、アルミナ、又は立方体酸化ジルコニウムなどの別の高インデックス材でもよい。アレイ700は1.4又はより大きなRIを有する硬いシリコン若しくは柔らかいシリコンで作られてもよい。アレイ700はどのようなサイズでもよく、より簡単な取り扱い及び加工のために、大きなアレイがより小さなアレイへと(例えば鋸で)切り離されてもよい。
図8A及び図8Bは、本発明の一つ以上の実施例によるアレイ700の一つのサンプルハウジング702の底面の斜視図及び底面の平面図をそれぞれ例示する。ハウジング702は、LEDを収容するための底部開口部804と、ハウジング本体の上にあるレンズ806とを規定しているハウジング本体802を含む。ハウジング本体802は、四つの着座パッド/角部ストッパ808(図8B参照)を底部開口部804に備えている。角部ストッパ808は、LEDの上面とレンズ806の底面との間に空隙1304(図13参照)を提供する。角部ストッパ808は、LEDが底部開口部204にどの程度深く着座するか、及びLEDが底部開口部からどの程度突出するかも規定している。レンズ806はドーム状の形状を有するか、又はドーム状でなければ、光をLEDから抽出するのを助ける形状をもつ。レンズ806はハウジング本体802の一部であるので、レンズのサイズがLEDのサブマウントのサイズにより限定されることはない。例えば、レンズ806はLEDの上面よりも大きな底面をもってもよい。
図9A及び図9Bは、本発明の一つ以上の実施例による代替実施例のハウジング702(これ以降ハウジング902と呼ぶ)の底面の斜視図及び底面の平面図をそれぞれ例示する。ハウジング902はLEDを収容するための底部開口部904と、ハウジング本体の上にあるレンズ806とを規定しているハウジング本体802を含む。ハウジング702とは異なり、ハウジング902は、底部開口部904に如何なる角部ストッパも備えておらず、LEDの上面とレンズ806の底面との間に空隙がないようにLEDが開口部の天井に対して着座する。
図10は、LED 1000(1個のみがラベル付けされている)が底部開口部804(図8A及び図8B参照)に設置され、ハウジング702の角ストッパ808(図8B参照)へと結合される様子を示す。LEDが設置される前に、接着剤が角部ストッパ808、LED 1000の角部、又は両方に塗布される。接着剤はシリコン接着剤、エポキシ接着剤、又は別の接着剤でもよい。LED 1000が図9の底部開口部904に設置され、開口部の天井に結合されてもよい。
LED 1000は、サブマウント又は仲介部品上に載置された一つ以上のLEDチップを含む。各々のLEDチップは、n-タイプの層、n-タイプの層の上にある(一般に「活性領域」と呼ばれる)発光層、及び発光層の上にあるp-タイプの層を含む。LEDデバイスの各々が、n-タイプの層の上に波長変換エレメントを備えてもよい。波長変換エレメントは、所望の色を提供するためにLEDデバイスの発光スペクトルを変更する。波長変換エレメントは一つ以上の蛍光体の層か、又は一つ以上のセラミック蛍光体の板である。当該セラミック蛍光体の板が米国特許公報US 7,361,938に記載されており、本願明細書に共通に割り当てられ、参照されて組み込まれる。端部発光を減じるために、LEDデバイスの端部が側面コーティングによって覆われてもよい。
サブマウントはLEDチップの金属パターンを基板貫通-基板経由か、又はサブマウント上で適切に再配線する基板を含む。サブマウントは、LEDチップを直列又は並列に接続する役割もある。サブマウントは、LED 1000の背面上にある二つ以上の接続パッド1002を考慮する。
図11は、LED 1000が全て取り付けられたハウジング702を有するアレイ700を示す。図12は、アレイ700の背面に結合された金属片のアレイ1200を示す。当該金属片は格子パターンを形成している。二つのアレイを結合するために、接着剤がアレイ700、アレイ1200、又は両方に塗布される。接着剤はシリコン接着剤、エポキシ接着剤、又は別の接着剤でもよい。複合アレイは次に、個々のLEDモジュールを形成するために切り離される。
図13及び図14は、本発明の一つ以上の実施例による複合アレイから切り離されたモジュール1300の一例の、側面の断面図及び底面の平面図をそれぞれ例示する。一旦切り離されると、アレイ1200の金属片は各ハウジング702の周辺部に沿って一つ以上の接続パッド1302を形成する。ハウジング702の接続パッド1302は、LED 1000の接続パッド1002がモジュール1300をPCBなどの基板に固定するのを助ける。
一体化されたハウジング本体とレンズとを有するハウジングの代わりに、本発明の一つ以上の実施例によるハウジング本体とレンズとが別々のアレイで製造され、次に一緒に結合されてもよい。図15は、本発明の一つ以上の実施例によるレンズ1502(1個のみがラベル付けされている)のサンプルアレイ1500を例示する。アレイ1500は、従来からあるモールド成形されたガラスでもよい。知られている成形可能なガラス材料には、B270、Pyrex(登録商標)、Tempax(登録商標)、Borofloat(登録商標) 33、及びF2ガラスがある。代替的には、アレイ1500は1.5又はより大きな(例えば1.7以上)のRIを有する、サファイヤ、ダイヤモンド、アルミナ、又は立方体酸化ジルコニウムなどの別の高インデックス材でもよい。アレイ1500が1.4又はより大きなRIを有する硬い若しくは柔らかいシリコンで作られてもよい。アレイ1500はどのようなサイズでもよく、より簡単な取り扱い及び加工のために、大きなアレイがより小さなアレイへと(例えば鋸で)切り離されてもよい。
図16は、本発明の一つ以上の実施例によるアレイ1500の1個のサンプルレンズ1502の側面の断面図を例示する。レンズ1502はレンズ部1602と、平らな底面1606をもつマウント部1604とを備えている。レンズ部1602はドーム状の形状を有するか、又はドーム状でなければ、光をLEDから抽出するのを助ける形状をもつ。
図17は、本発明の一つ以上の実施例によるハウジング本体1702(1個のみがラベル付けされている)のアレイ1700の平面図を例示する。ハウジング本体1702は、レンズ1502を収容するための平坦な上面1704を有する。図18は、ハウジング本体1702(1個のみがラベル付けされている)のアレイ1700の下面図を例示する。ハウジング本体1702の各々が、4箇所の着座パッド/角部ストッパ1804を有する底部開口部1802を規定している。角部ストッパ1804は、LEDの上面とレンズ1502(図15及び図16参照)の底面1606(図16参照)との間に空隙を提供する。角部ストッパ1804は、LEDが底部開口部1802(図18参照)にどの程度深く着座するか、及びLEDが底部開口部からどの程度突出するかも規定している。アレイ1700は、従来からあるモールド成形された白いプラスチックでもよい。例えばアレイ1700は、DuPont社のZytel(登録商標)、Solvay Advanced Polymers社のAmodel(登録商標)などのポリフタルアミド(PPA)か、又は液晶ポリマ(LCP)でもよい。アレイ1700はどのようなサイズでもよく、より簡単な取り扱い及び加工のために、大きなアレイがより小さなアレイへと(例えば鋸で)切り離されてもよい。
図19は、ハウジング1902(1個のみがラベル付けされている)の複合アレイ1900を形成するために、アレイ1500及びアレイ1700が結合され、LED 1000が底部開口部1802(図18参照)に設置され、ハウジング本体1702(図17及び図18参照)の角部ストッパ1804(図18参照)に結合されている様子を示す。LEDを設置する前に、接着剤が角ストッパ1804、LED 1000の角部、又は両方に塗布される。接着剤はシリコン接着剤、エポキシ接着剤、又は別の接着剤でもよい。複合アレイ1900は次に、個々のLEDモジュールを形成するために切り離される。
図20及び図21は、本発明の一つ以上の実施例による複合アレイ1900から切り離されたLEDモジュール2000の一例の、側面の断面図及び底面の平面図をそれぞれ例示する。レンズ1502がハウジング本体1702に固定されるので、レンズがハウジング本体から外れることはないであろう。レンズ1502がハウジング本体1702へと固定されるので、レンズのサイズがLED 1000のサブマウントのサイズにより限定されることはない。例えば、ドーム状のレンズ102がLED 116の上面よりも大きな底面を有してもよい。図22は、LEDモジュール2000の底部に結合される金属接続パッド2202を示す。これらを一緒に結合するために、接着剤がモジュール2000、接続パッド2202、又は両方に塗布される。接着剤はシリコン接着剤、エポキシ接着剤、又は別の接着剤でもよい。代替的には、個々のモジュールを形成するために複合アレイが切り離される前に、金属パッド2202のアレイ2200が複合アレイ1900の背面に結合される。
上記したモジュールの背面の金属接続パッドが、本発明の一つ以上の実施例によるLEDを保持するタブを備えてもよい。図23は、本発明の一つ以上の実施例による金属接続パッド2302(1個のみがラベル付けされている)のアレイ2300を示す。アレイ2300はどのようなサイズでもよく、より簡単な取り扱い及び加工のために、大きなアレイがより小さなアレイへと(例えば鋸で)切り離されてもよい。図24は、ハウジング902と結合又はインサート・モールド成形された接続パッド2302の一例の拡大図を例示する。接続パッド2302は、LEDを収容し且つ位置決めするための案内を規定する一つのまっすぐな垂直タブ2402と、二つのL字状の垂直タブ2404とを備えている。案内タブ2402、同2404を接続パッド2302に具備することによって、LEDは、アレイ2300がハウジングのアレイと一貫して位置決めされている限りはLEDモジュールからLEDモジュールへと一貫して位置決めされることができる。接続パッド2302がハウジング702、同1902と共に用いられてもよい。
開示された実施例の特徴の様々な他の改作及び組合せは本発明の範囲内である。多数の実施例が以下の請求項に含まれる。

Claims (17)

  1. 頂部開口部、及び
    当該頂部開口部へつながっている底部開口部、
    を有するハウジング本体と、
    レンズと、
    当該レンズの底部に固定された波長変換エレメントと、
    n-タイプの層、発光層及びp-タイプの層とを有するLEDと、
    を有し、
    前記波長変換エレメントが前記頂部開口部に位置するよう、前記レンズが前記ハウジング本体の上部に取り付けられ、
    前記LEDが前記底部開口部で前記ハウジング本体に取り付けられることを特徴とする、発光ダイオード(LED)モジュール。
  2. 一つ以上の前記頂部開口部及び前記底部開口部が反射性の側壁又は拡散性の側壁を有することを特徴とする、請求項1に記載のLEDモジュール。
  3. 前記LEDモジュールが更に、ハウジングの底部にボンドパッドを有することを特徴とする、請求項1に記載のLEDモジュール。
  4. 前記ボンドパッドが前記ハウジング本体にインサート成形された金属シムの一部分であることを特徴とする、請求項3に記載のLEDモジュール。
  5. 前記LEDがサブマウントと、当該サブマウント上に一つ以上のLEDダイと、を有し、 前記レンズが前記LEDの上面よりも大きな底面をもつことを特徴とする、請求項1に記載のLEDモジュール。
  6. 発光ダイオード(LED)モジュールを製造する方法であって、当該方法は、
    - 複数のレンズを有するレンズアレイを成形するステップと、
    - 複数のハウジング本体を有するハウジングアレイを成形するステップと、
    - 複合アレイを形成するために、前記レンズアレイ及び前記ハウジングアレイを結合するステップと、
    - LEDを前記複合アレイの前記ハウジングに取り付けるステップと、
    - 個々の前記LEDモジュールを形成するために前記複合アレイを切り離すステップと、
    を含む、方法。
  7. 前記方法が更に、
    - 前記ハウジングの背面に金属パッドを形成するために、金属パッドのアレイを前記ハウジングアレイへと結合するか、又は当該金属パッドのアレイを前記ハウジングアレイとインサート成形するステップ、
    を含む、請求項6に記載の方法。
  8. 前記方法が更に、LEDダイを位置決めするためのタブを有する金属グリッドを形成するステップ、を含む、請求項7に記載の方法。
  9. 前記LEDの各々がサブマウントと、当該サブマウント上に一つ以上のLEDダイと、を有し、前記レンズの各々が、各々の前記LEDの上面よりも大きな底面をもつことを特徴とする、請求項6に記載の方法。
  10. 前記方法が更に、
    - 波長変換エレメントを前記レンズアレイの前記レンズの底部に固定するステップ、
    を含み、
    前記ハウジング本体の各々が頂部開口部と、当該頂部開口部につながっている底部開口部と、を有し、前記頂部開口部及び底部開口部が反射性の側壁又は拡散性の側壁を有し、
    前記レンズアレイ及び前記ハウジングアレイを結合するステップが、前記波長変換エレメントを前記ハウジングの前記頂部開口部に位置付けるるステップを含み、
    前記LEDを前記複合アレイの前記ハウジングに取り付けるステップが、当該LEDを前記ハウジング本体の前記底部開口部に位置付けるステップを含むことを特徴とする、請求項6に記載の方法。
  11. 前記方法が更に、
    - 一つ以上の前記レンズを有する前記レンズアレイ及び一つ以上の前記ハウジングアレイを、加工用のより小さなアレイへと切り離すステップ、
    を含む、請求項6に記載の方法。
  12. 発光ダイオード(LED)モジュールを製造する方法であって、当該方法は、
    - ハウジング本体及びレンズを備えた複数のハウジングを有するハウジングアレイを成形するステップと、
    - LEDを前記ハウジングに取り付けるステップと、
    - 個々の前記LEDモジュールを形成するために前記ハウジングアレイを切り離すステップと、
    を含む、方法。
  13. 前記方法が更に、
    - 前記ハウジングの背面に金属パッドを形成するために、金属パッドのアレイを前記ハウジングアレイに結合するか、又は当該金属パッドのアレイを前記ハウジングアレイとインサート成形するステップ、
    を含む、請求項12に記載の方法。
  14. 前記方法が更に、前記LEDを位置決めするためのタブを備えた金属グリッドを形成するステップを含む、請求項13に記載の方法。
  15. 前記LEDを前記ハウジングに取り付けるステップが、各々の前記LEDを底部開口部の角部ストッパに結合するステップを含み、当該角部ストッパは、前記LEDの発光面と前記レンズの底面との間に空隙を設けることを特徴とする、請求項12に記載の方法。
  16. 前記LEDの各々がサブマウントと、当該サブマウント上に一つ以上のLEDダイと、を有し、前記レンズの各々が各々の前記LEDの上面よりも大きな底面をもつことを特徴とする、請求項12に記載の方法。
  17. 前記ハウジングアレイを、加工用のより小さなアレイへと切り離すステップを更に含む、請求項12に記載の方法。
JP2012529369A 2009-09-17 2010-08-20 高屈折率レンズを有するledモジュール Pending JP2013505572A (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US12/561,617 US9385285B2 (en) 2009-09-17 2009-09-17 LED module with high index lens
US12/561,617 2009-09-17
PCT/IB2010/053772 WO2011033407A2 (en) 2009-09-17 2010-08-20 Led module with high index lens

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2015172146A Division JP6041948B2 (ja) 2009-09-17 2015-09-01 高屈折率レンズを有するledモジュール

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2013505572A true JP2013505572A (ja) 2013-02-14
JP2013505572A5 JP2013505572A5 (ja) 2015-10-15

Family

ID=43242886

Family Applications (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2012529369A Pending JP2013505572A (ja) 2009-09-17 2010-08-20 高屈折率レンズを有するledモジュール
JP2015172146A Active JP6041948B2 (ja) 2009-09-17 2015-09-01 高屈折率レンズを有するledモジュール
JP2016217826A Active JP6310994B2 (ja) 2009-09-17 2016-11-08 Ledモジュールを製造する方法

Family Applications After (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2015172146A Active JP6041948B2 (ja) 2009-09-17 2015-09-01 高屈折率レンズを有するledモジュール
JP2016217826A Active JP6310994B2 (ja) 2009-09-17 2016-11-08 Ledモジュールを製造する方法

Country Status (7)

Country Link
US (2) US9385285B2 (ja)
EP (1) EP2478575B1 (ja)
JP (3) JP2013505572A (ja)
KR (1) KR101880767B1 (ja)
CN (2) CN104953018B (ja)
TW (2) TWI505518B (ja)
WO (1) WO2011033407A2 (ja)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101504309B1 (ko) * 2013-08-27 2015-03-20 주식회사 루멘스 발광 소자 패키지 및 이를 갖는 백라이트 유닛
JP2017501564A (ja) * 2013-11-08 2017-01-12 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH オプトエレクトロニクス部品
US9608177B2 (en) 2013-08-27 2017-03-28 Lumens Co., Ltd. Light emitting device package and backlight unit having the same
JP2018067630A (ja) * 2016-10-19 2018-04-26 日亜化学工業株式会社 発光装置およびその製造方法
KR20190094719A (ko) * 2018-02-05 2019-08-14 엘지이노텍 주식회사 반도체 소자 패키지 및 이를 포함하는 발광장치
JP2021002682A (ja) * 2014-01-23 2021-01-07 ルミレッズ ホールディング ベーフェー セルフアライン式プリフォームレンズを有する発光デバイス

Families Citing this family (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
USD738832S1 (en) * 2006-04-04 2015-09-15 Cree, Inc. Light emitting diode (LED) package
US9780268B2 (en) 2006-04-04 2017-10-03 Cree, Inc. Submount based surface mount device (SMD) light emitter components and methods
KR101865272B1 (ko) * 2011-07-26 2018-06-07 삼성전자주식회사 발광소자 모듈 및 이의 제조방법
US9735198B2 (en) 2012-03-30 2017-08-15 Cree, Inc. Substrate based light emitter devices, components, and related methods
US10222032B2 (en) 2012-03-30 2019-03-05 Cree, Inc. Light emitter components and methods having improved electrical contacts
US10134961B2 (en) 2012-03-30 2018-11-20 Cree, Inc. Submount based surface mount device (SMD) light emitter components and methods
JP6021485B2 (ja) * 2012-07-17 2016-11-09 株式会社朝日ラバー 光学部材付半導体発光装置
DE102012106982A1 (de) 2012-07-31 2014-02-06 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines Leuchtmittels
US8876330B2 (en) * 2012-11-15 2014-11-04 Illinois Tool Works Inc. Illumination device
CN105393374B (zh) * 2013-07-19 2019-05-28 亮锐控股有限公司 具有光学元件并且没有衬底载体的pc led
EP2953176A1 (de) * 2014-06-02 2015-12-09 Swarovski Energy GmbH Beleuchtungsvorrichtung
DE102014110719A1 (de) * 2014-07-29 2016-02-04 Osram Opto Semiconductors Gmbh Halbleiterbauelement, Beleuchtungsvorrichtung und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements
DE102014111278A1 (de) * 2014-08-07 2016-02-11 Osram Opto Semiconductors Gmbh Leuchtdioden-Halter sowie LED-Lampe oder Leuchte zur Beleuchtung
KR101636516B1 (ko) * 2015-03-10 2016-07-06 한국광기술원 렌즈 일체형 발광다이오드 모듈의 제조방법
US9634206B1 (en) * 2015-04-30 2017-04-25 Cse, Inc. LED luminaire
WO2017121676A1 (en) * 2016-01-12 2017-07-20 Lumileds Holding B.V. Lighting arrangement with exact positioning of an optical element
US10069051B2 (en) * 2016-04-08 2018-09-04 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor package device and method of manufacturing the same
RU172080U1 (ru) * 2017-01-09 2017-06-28 федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Новгородский государственный университет имени Ярослава Мудрого" Корпус светодиода для поверхностного монтажа
CN109817797A (zh) * 2019-01-23 2019-05-28 佛山市国星光电股份有限公司 Led器件和灯组阵列
DE102019104436A1 (de) * 2019-02-21 2020-08-27 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronisches bauteil und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen bauteils
US11587881B2 (en) 2020-03-09 2023-02-21 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Substrate structure including embedded semiconductor device
US11335646B2 (en) 2020-03-10 2022-05-17 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Substrate structure including embedded semiconductor device and method of manufacturing the same
USD933872S1 (en) 2020-03-16 2021-10-19 Hgci, Inc. Light fixture
USD933881S1 (en) 2020-03-16 2021-10-19 Hgci, Inc. Light fixture having heat sink
US11032976B1 (en) 2020-03-16 2021-06-15 Hgci, Inc. Light fixture for indoor grow application and components thereof

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005101665A (ja) * 2004-11-05 2005-04-14 Shinken Chin フリップチップ式発光ダイオードの発光装置製造方法
JP2007012311A (ja) * 2005-06-28 2007-01-18 Toyoda Gosei Co Ltd Ledランプユニット
JP2007116138A (ja) * 2005-09-22 2007-05-10 Lexedis Lighting Gmbh 発光装置
WO2007069399A1 (ja) * 2005-12-12 2007-06-21 Nichia Corporation 発光装置及び半導体装置とその製造方法
JP2007214522A (ja) * 2006-02-10 2007-08-23 Intekkusu Kk 光源装置及びこれを用いた照明装置
JP2008533716A (ja) * 2005-03-11 2008-08-21 ソウル セミコンダクター カンパニー リミテッド 直列接続された発光セルのアレイを有する発光ダイオードパッケージ

Family Cites Families (70)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE69124822T2 (de) 1990-04-27 1997-10-09 Omron Tateisi Electronics Co Lichtemittierende Halbleitervorrichtung mit Fresnel-Linse
JPH0555636A (ja) * 1991-08-22 1993-03-05 Sanken Electric Co Ltd 半導体発光装置の製造方法
US5444520A (en) * 1993-05-17 1995-08-22 Kyocera Corporation Image devices
JP3992770B2 (ja) * 1996-11-22 2007-10-17 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその形成方法
JP2000216413A (ja) * 1999-01-26 2000-08-04 Apic Yamada Corp Bga型透明プラスチック半導体パッケ―ジ
US6521916B2 (en) * 1999-03-15 2003-02-18 Gentex Corporation Radiation emitter device having an encapsulant with different zones of thermal conductivity
JP2001077430A (ja) * 1999-09-02 2001-03-23 Citizen Electronics Co Ltd 発光ダイオード
JP2001350074A (ja) * 2000-06-07 2001-12-21 Azuma Koki:Kk 光ピックアップのレンズ取付構造
JP4432275B2 (ja) * 2000-07-13 2010-03-17 パナソニック電工株式会社 光源装置
JP2002118270A (ja) * 2000-10-06 2002-04-19 Tokai Rika Co Ltd 光デバイス及びその製造方法
KR20030095391A (ko) * 2001-01-31 2003-12-18 젠텍스 코포레이션 방사 에미터 장치 및 이를 제조하는 방법
US6541800B2 (en) 2001-02-22 2003-04-01 Weldon Technologies, Inc. High power LED
WO2002084750A1 (en) * 2001-04-12 2002-10-24 Matsushita Electric Works, Ltd. Light source device using led, and method of producing same
TW552726B (en) 2001-07-26 2003-09-11 Matsushita Electric Works Ltd Light emitting device in use of LED
JP2003110146A (ja) 2001-07-26 2003-04-11 Matsushita Electric Works Ltd 発光装置
JP3948650B2 (ja) 2001-10-09 2007-07-25 アバゴ・テクノロジーズ・イーシービーユー・アイピー(シンガポール)プライベート・リミテッド 発光ダイオード及びその製造方法
JP4009097B2 (ja) * 2001-12-07 2007-11-14 日立電線株式会社 発光装置及びその製造方法、ならびに発光装置の製造に用いるリードフレーム
JP2003304000A (ja) * 2002-04-08 2003-10-24 Citizen Electronics Co Ltd 発光ダイオード用パッケージの製造方法
EP1383175A1 (de) 2002-07-16 2004-01-21 Abb Research Ltd. Optisches chipmodul
US6590773B1 (en) * 2002-08-28 2003-07-08 Para Light Electronics Co., Ltd. Heat dissipation device for enhanced power light emitting diodes
US7264378B2 (en) * 2002-09-04 2007-09-04 Cree, Inc. Power surface mount light emitting die package
JP2004147032A (ja) * 2002-10-23 2004-05-20 Citizen Electronics Co Ltd 小型撮像モジュール
JP3910144B2 (ja) 2003-01-06 2007-04-25 シャープ株式会社 半導体発光装置およびその製造方法
KR20110137403A (ko) * 2003-02-26 2011-12-22 크리, 인코포레이티드 복합 백색 광원 및 그 제조 방법
JP4341951B2 (ja) 2003-05-07 2009-10-14 シチズン電子株式会社 発光ダイオード及びそのパッケージ構造
JP4123057B2 (ja) 2003-05-26 2008-07-23 松下電工株式会社 発光装置及びその製造方法
JP2005093712A (ja) * 2003-09-17 2005-04-07 Stanley Electric Co Ltd 半導体発光装置
US7361938B2 (en) * 2004-06-03 2008-04-22 Philips Lumileds Lighting Company Llc Luminescent ceramic for a light emitting device
CN100444415C (zh) 2004-07-06 2008-12-17 旭山光电股份有限公司 气密式高导热芯片封装组件
JP2006066519A (ja) * 2004-08-25 2006-03-09 Kyocera Corp 発光素子用配線基板ならびに発光装置
TWM271254U (en) * 2004-09-10 2005-07-21 Sen Tech Co Ltd Heat dissipation base and package structure for light-emitting diode
JP2006114854A (ja) 2004-10-18 2006-04-27 Sharp Corp 半導体発光装置、液晶表示装置用のバックライト装置
US7452737B2 (en) * 2004-11-15 2008-11-18 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Molded lens over LED die
KR101170407B1 (ko) * 2004-11-19 2012-08-02 코닌클리즈케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. 무기 하우징을 갖는 발광 소자
JP2007102139A (ja) * 2004-12-03 2007-04-19 Sony Corp 光取出しレンズ、発光素子組立体、面状光源装置、及び、カラー液晶表示装置組立体
JP2006162947A (ja) * 2004-12-07 2006-06-22 Canon Inc 光学装置および光学部材固定方法
JP2006173326A (ja) 2004-12-15 2006-06-29 Nippon Leiz Co Ltd 光源装置
EP1524705B1 (en) 2005-01-12 2008-03-12 NeoBulb Technologies, Inc. Flip chip type LED lighting device and its manufacturing method
US7777247B2 (en) * 2005-01-14 2010-08-17 Cree, Inc. Semiconductor light emitting device mounting substrates including a conductive lead extending therein
KR100665117B1 (ko) 2005-02-17 2007-01-09 삼성전기주식회사 Led 하우징 및 그 제조 방법
JP2006237141A (ja) 2005-02-23 2006-09-07 Stanley Electric Co Ltd サブマウント型led
KR101161384B1 (ko) * 2005-03-29 2012-07-02 서울반도체 주식회사 직렬접속된 발광셀 어레이를 갖는 발광다이오드 칩을탑재한 발광다이오드 패키지
WO2006117710A1 (en) 2005-04-29 2006-11-09 Koninklijke Philips Electronics N.V. Light source with glass housing
KR100667504B1 (ko) * 2005-06-29 2007-01-10 엘지전자 주식회사 발광 소자의 패키지 및 그의 제조 방법
US8163580B2 (en) * 2005-08-10 2012-04-24 Philips Lumileds Lighting Company Llc Multiple die LED and lens optical system
JP4696780B2 (ja) * 2005-08-24 2011-06-08 パナソニック電工株式会社 Led照明器具
DE102006032416A1 (de) 2005-09-29 2007-04-05 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierendes Bauelement
JP2007123777A (ja) 2005-10-31 2007-05-17 Sharp Corp 半導体発光装置
JP2007203625A (ja) * 2006-02-02 2007-08-16 Fujinon Corp 熱カシメ装置
KR100738933B1 (ko) * 2006-03-17 2007-07-12 (주)대신엘이디 조명용 led 모듈
JP2007335798A (ja) * 2006-06-19 2007-12-27 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置
US7906794B2 (en) * 2006-07-05 2011-03-15 Koninklijke Philips Electronics N.V. Light emitting device package with frame and optically transmissive element
US7503676B2 (en) * 2006-07-26 2009-03-17 Kyocera Corporation Light-emitting device and illuminating apparatus
US8092735B2 (en) 2006-08-17 2012-01-10 3M Innovative Properties Company Method of making a light emitting device having a molded encapsulant
JP4815328B2 (ja) * 2006-11-07 2011-11-16 オリンパス株式会社 熱かしめ方法、レンズ鏡枠の製造方法、及び、熱かしめ装置
US10295147B2 (en) 2006-11-09 2019-05-21 Cree, Inc. LED array and method for fabricating same
JP4934546B2 (ja) * 2007-01-10 2012-05-16 古河電気工業株式会社 接続構造及び接続方法
JP2008205138A (ja) * 2007-02-20 2008-09-04 Misuzu Kogyo:Kk 電子光学素子の実装体および電子光学素子の実装体を組み込んだ電子光学機器
JP2008231218A (ja) * 2007-03-20 2008-10-02 Nippon Electric Glass Co Ltd 蛍光体材料及び白色led
CN101276860A (zh) * 2007-03-30 2008-10-01 神钛光学科技股份有限公司 光透过率优越散热性良好的发光二极管组装体及组装方法
JP2009071186A (ja) * 2007-09-14 2009-04-02 Stanley Electric Co Ltd Ledユニット
JP5082710B2 (ja) * 2007-09-19 2012-11-28 日亜化学工業株式会社 発光装置
US20090078950A1 (en) * 2007-09-21 2009-03-26 Tsung-Ting Sun Package structure with replaceable element for light emitting diode
JP2009177106A (ja) * 2007-12-28 2009-08-06 Panasonic Corp 半導体発光装置用セラミックス部材、半導体発光装置用セラミックス部材の製造方法、半導体発光装置および表示装置
US8416514B2 (en) * 2008-01-08 2013-04-09 Lg Innotek Co., Ltd. Lens unit, lens assembly, camera module, method of fabricating camera module and lens assembly, method of fabricating optic member, and apparatus of fabricating optic member
JP2009176579A (ja) * 2008-01-24 2009-08-06 Stanley Electric Co Ltd 照明装置
US7928458B2 (en) * 2008-07-15 2011-04-19 Visera Technologies Company Limited Light-emitting diode device and method for fabricating the same
JP5327042B2 (ja) * 2009-03-26 2013-10-30 豊田合成株式会社 Ledランプの製造方法
US20110062469A1 (en) 2009-09-17 2011-03-17 Koninklijke Philips Electronics N.V. Molded lens incorporating a window element
US9735198B2 (en) * 2012-03-30 2017-08-15 Cree, Inc. Substrate based light emitter devices, components, and related methods

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005101665A (ja) * 2004-11-05 2005-04-14 Shinken Chin フリップチップ式発光ダイオードの発光装置製造方法
JP2008533716A (ja) * 2005-03-11 2008-08-21 ソウル セミコンダクター カンパニー リミテッド 直列接続された発光セルのアレイを有する発光ダイオードパッケージ
JP2007012311A (ja) * 2005-06-28 2007-01-18 Toyoda Gosei Co Ltd Ledランプユニット
JP2007116138A (ja) * 2005-09-22 2007-05-10 Lexedis Lighting Gmbh 発光装置
WO2007069399A1 (ja) * 2005-12-12 2007-06-21 Nichia Corporation 発光装置及び半導体装置とその製造方法
JP2007214522A (ja) * 2006-02-10 2007-08-23 Intekkusu Kk 光源装置及びこれを用いた照明装置

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101504309B1 (ko) * 2013-08-27 2015-03-20 주식회사 루멘스 발광 소자 패키지 및 이를 갖는 백라이트 유닛
US9608177B2 (en) 2013-08-27 2017-03-28 Lumens Co., Ltd. Light emitting device package and backlight unit having the same
US9923128B2 (en) 2013-08-27 2018-03-20 Lumens Co., Ltd. Light emitting device package and backlight unit having the same
JP2017501564A (ja) * 2013-11-08 2017-01-12 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH オプトエレクトロニクス部品
JP2021002682A (ja) * 2014-01-23 2021-01-07 ルミレッズ ホールディング ベーフェー セルフアライン式プリフォームレンズを有する発光デバイス
US11313996B2 (en) 2014-01-23 2022-04-26 Lumileds Llc Light emitting device with self-aligning preformed lens
JP2018067630A (ja) * 2016-10-19 2018-04-26 日亜化学工業株式会社 発光装置およびその製造方法
US10896998B2 (en) 2016-10-19 2021-01-19 Nichia Corporation Method of manufacturing light emitting device
US11322664B2 (en) 2016-10-19 2022-05-03 Nichia Corporation Method of manufacturing light emitting device
KR20190094719A (ko) * 2018-02-05 2019-08-14 엘지이노텍 주식회사 반도체 소자 패키지 및 이를 포함하는 발광장치
KR102528528B1 (ko) 2018-02-05 2023-05-04 엘지이노텍 주식회사 반도체 소자 패키지 및 이를 포함하는 발광장치

Also Published As

Publication number Publication date
WO2011033407A3 (en) 2011-06-16
TWI505518B (zh) 2015-10-21
EP2478575A2 (en) 2012-07-25
EP2478575B1 (en) 2019-10-09
CN104953018A (zh) 2015-09-30
US20160240754A1 (en) 2016-08-18
TW201603333A (zh) 2016-01-16
TWI600186B (zh) 2017-09-21
KR101880767B1 (ko) 2018-07-20
JP6041948B2 (ja) 2016-12-14
TW201119098A (en) 2011-06-01
CN102484191A (zh) 2012-05-30
CN102484191B (zh) 2015-08-12
KR20120079105A (ko) 2012-07-11
JP6310994B2 (ja) 2018-04-11
JP2016001756A (ja) 2016-01-07
US9385285B2 (en) 2016-07-05
CN104953018B (zh) 2018-09-18
JP2017028328A (ja) 2017-02-02
US20110062471A1 (en) 2011-03-17
US9755124B2 (en) 2017-09-05
WO2011033407A2 (en) 2011-03-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6310994B2 (ja) Ledモジュールを製造する方法
JP2013505572A5 (ja)
JP6515515B2 (ja) 発光装置の製造法
JP5634657B2 (ja) オプトエレクトロニクス素子を製作する方法
US8163580B2 (en) Multiple die LED and lens optical system
TWI421441B (zh) 多片反射角轉換器
TWI594460B (zh) 具有整合光學元件的led封裝及其製造方法
US20040183081A1 (en) Light emitting diode package with self dosing feature and methods of forming same
US8007136B2 (en) Light emitting diode
US20100207140A1 (en) Compact molded led module
TW201436294A (zh) 具有成側向形態或頂向形態裝置定向之疊層無引線載架封裝的光電子裝置(一)
JP2006237567A (ja) 発光ダイオードパッケージ及びその製造方法。
JP2007287713A (ja) 発光装置及びその製造方法
WO2005091386A1 (ja) 照明装置
WO2014115202A1 (ja) 発光素子用パッケージ及びそれを用いた発光装置
JP2006086176A (ja) Led用サブマウント及びその製造方法
CN110873318A (zh) 透镜、发光装置以及它们的制造方法
TW201739071A (zh) 製造光電組件之方法及光電組件

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20130808

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20140228

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20140304

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20140703

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20141030

A911 Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20141107

A912 Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912

Effective date: 20141212

RD03 Notification of appointment of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423

Effective date: 20150605

A524 Written submission of copy of amendment under article 19 pct

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A524

Effective date: 20150901