JP2013251490A - 強誘電体結晶膜、電子部品、強誘電体結晶膜の製造方法及び強誘電体結晶膜の製造装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板10上に種結晶膜14をスパッタリングによりエピタキシャル成長させて形成し、前記種結晶膜上に強誘電体材料を含むアモルファス膜をスピンコート塗布法により形成し、前記種結晶膜及び前記アモルファス膜を酸素雰囲気で加熱することにより、前記アモルファス膜を酸化して結晶化することで強誘電体塗布焼結結晶膜15を形成することを特徴とする強誘電体結晶膜の製造方法である。
【選択図】 図1
Description
図12は、従来の強誘電体結晶膜の製造方法を説明するための断面図である。
4インチウエハなどの基板101上に(100)に配向したPt膜102を形成する。次いで、このPt膜102上にスパッタリング法によりPb(Zr,Ti)O3膜(以下、「PZT膜」という。)103をエピタキシャル成長させる。この際のスパッタ条件の一例は以下のとおりである。
装置 : RFマグネトロンスパッタリング装置
パワー : 1500W
ガス : Ar/O2
圧力 : 0.14Pa
温度 : 600℃
成膜速度 : 0.63nm/秒
成膜時間 : 53分
また、スパッタリングの際の温度が600℃と高温であるため、装置の真空チャンバーを長時間高温にするため、装置に負荷がかかる。
また、一般的にはエピタキシャル成長によって成膜されたPZT膜は、リーク電流密度が大きいため、耐電圧が低いことが知られている。
次に、他の従来の強誘電体結晶膜の製造方法について説明する(例えば特許文献1参照)。この他の従来の強誘電体結晶膜の製造方法は、図12に示すPZT結晶膜103を、スパッタリング法ではなく、スピンコート塗布法により形成するものである。詳細を以下に説明する。
また、本発明の一態様は、量産に適した成膜速度を有する強誘電体結晶膜の製造方法及び強誘電体結晶膜の製造装置を提供することを課題とする。
[1]基板上にスパッタリング法により形成され、所定の面に配向された強誘電体種結晶膜と、
前記強誘電体種結晶膜上に形成された強誘電体塗布焼結結晶膜と、
を具備し、
前記強誘電体塗布焼結結晶膜は、該強誘電体塗布焼結結晶膜の成分金属を全て或いは一部含む金属化合物と、その部分重縮合物(前駆体)を有機溶媒中に含有する溶液を塗布し、加熱して結晶化されたものであることを特徴とする強誘電体結晶膜。
前記強誘電体塗布焼結結晶膜は、前記所定の面と同じ面に配向されていることを特徴とする強誘電体結晶膜。
前記強誘電体種結晶膜及び前記強誘電体塗布焼結結晶膜それぞれは、Pb(Zr,Ti)O3膜または(Pb,A)(Zr,Ti)O3膜であり、Aは、Li、Na、K、Rb、Ca、Sr、Ba、Bi及びLaからなる群から選択される少なくとも1種からなることを特徴とする強誘電体結晶膜。
前記Pb(Zr,Ti)O3膜または(Pb,A)(Zr,Ti)O3膜は、Zr/Ti元素数比率が下記式(1)を満たすことを特徴とする強誘電体結晶膜。
60/40≦Zr/Ti≦40/60 ・・・(1)
前記Pb(Zr,Ti)O3膜の各元素数比率が下記式(2)を満たし、前記(Pb,A)(Zr,Ti)O3膜の各元素数比率が下記式(3)を満たすことを特徴とする強誘電体結晶膜。
Pb/(Zr+Ti)<1.06 ・・・(2)
(Pb+A)/(Zr+Ti)≦1.35 ・・・(3)
前記強誘電体種結晶膜は(001)に配向され、
前記強誘電体塗布焼結結晶膜は(001)に配向されることを特徴とする強誘電体結晶膜。
前記強誘電体種結晶膜は(111)に配向され、
前記強誘電体塗布焼結結晶膜は(111)に配向されることを特徴とする強誘電体結晶膜。
前記強誘電体種結晶膜上に該強誘電体種結晶膜の成分金属を全て或いは一部含む金属化合物と、その部分重縮合物を有機溶媒中に含有する溶液を塗布する方法により、非結晶性(アモルファス)前駆体膜として形成し、
前記強誘電体種結晶膜及び非結晶性前駆体膜を酸素雰囲気で加熱することにより、前記非結晶性前駆体膜を酸化して結晶化することで強誘電体塗布焼結結晶膜を形成することを特徴とする強誘電体結晶膜の製造方法。
前記強誘電体塗布焼結結晶膜は、前記所定の面と同じ面に配向されていることを特徴とする強誘電体結晶膜の製造方法。
前記強誘電体種結晶膜及び前記強誘電体塗布焼結結晶膜それぞれは、Pb(Zr,Ti)O3膜または(Pb,A)(Zr,Ti)O3膜であり、Aは、Li、Na、K、Rb、Ca、Sr、Ba、Bi及びLaからなる群から選択される少なくとも1種からなることを特徴とする強誘電体結晶膜の製造方法。
前記Pb(Zr,Ti)O3膜または(Pb,A)(Zr,Ti)O3膜は、Zr/Ti元素数比率が下記式(1)を満たすことを特徴とする強誘電体結晶膜の製造方法。
60/40≦Zr/Ti≦40/60 ・・・(1)
前記Pb(Zr,Ti)O3膜の各元素数比率が下記式(2)を満たし、前記(Pb,A)(Zr,Ti)O3膜の各元素数比率が下記式(3)を満たすことを特徴とする強誘電体結晶膜の製造方法。
Pb/(Zr+Ti)<1.06 ・・・(2)
(Pb+A)/(Zr+Ti)≦1.35 ・・・(3)
前記強誘電体種結晶膜は(001)に配向され、
前記強誘電体塗布焼結結晶膜は(001)に配向されることを特徴とする強誘電体結晶膜の製造方法。
前記強誘電体種結晶膜は(111)に配向され、
前記強誘電体塗布焼結結晶膜は(111)に配向されることを特徴とする強誘電体結晶膜の製造方法。
前記強誘電体種結晶膜上にスピンコート塗布法により強誘電体材料を含むアモルファス膜を塗布形成する第2の装置と、
前記強誘電体種結晶膜及び前記アモルファス膜を酸素雰囲気で加熱することにより、前記アモルファス膜を酸化して結晶化することで強誘電体塗布焼結結晶膜を形成する第3の装置と、
を具備することを特徴とする強誘電体結晶膜の製造装置。
前記強誘電体塗布焼結結晶膜は、前記所定の面と同じ面に配向されていることを特徴とする強誘電体結晶膜の製造装置。
前記強誘電体種結晶膜及び前記強誘電体塗布焼結結晶膜それぞれは、Pb(Zr,Ti)O3膜または(Pb,A)(Zr,Ti)O3膜であり、Aは、Li、Na、K、Rb、Ca、Sr、Ba、Bi及びLaからなる群から選択される少なくとも1種からなることを特徴とする強誘電体結晶膜の製造装置。
前記Pb(Zr,Ti)O3膜または(Pb,A)(Zr,Ti)O3膜は、Zr/Ti元素数比率が下記式(1)を満たすことを特徴とする強誘電体結晶膜の製造装置。
60/40≦Zr/Ti≦40/60 ・・・(1)
前記Pb(Zr,Ti)O3膜の各元素数比率が下記式(2)を満たし、前記(Pb,A)(Zr,Ti)O3膜の各元素数比率が下記式(3)を満たすことを特徴とする強誘電体結晶膜の製造装置。
Pb/(Zr+Ti)<1.06 ・・・(2)
(Pb+A)/(Zr+Ti)≦1.35 ・・・(3)
前記強誘電体種結晶膜は(001)に配向され、
前記強誘電体塗布焼結結晶膜は(001)に配向されることを特徴とする強誘電体結晶膜の製造装置。
前記強誘電体種結晶膜は(111)に配向され、
前記強誘電体塗布焼結結晶膜は(111)に配向されることを特徴とする強誘電体結晶膜の製造装置。
また、本発明の一態様を適用することで、量産に適した成膜速度を有する強誘電体結晶膜の製造方法及び強誘電体結晶膜の製造装置を提供することができる。
詳細には、図2に示すロード/アンロード室23に装置外部からシリコンウエハ11を導入し、ロード/アンロード室23のシリコンウエハ11を、搬送室17を通ってストッカー16に搬送ロボット18によって搬送する。次いで、ストッカー16内のシリコンウエハ11を、搬送室17を通って電子ビーム蒸着装置21に搬送ロボット18によって搬送する。次に、電子ビーム蒸着装置21によってシリコンウエハ11上に酸化膜を成膜する。引き続き(100)に配向したPt膜を成膜して膜12を得る。次いで、電子ビーム蒸着装置21内のシリコンウエハ11を、搬送室17を通って第1のスパッタリング装置20に搬送ロボット18によって搬送する。次に、第1のスパッタリング装置20によってPt膜上に(100)配向したPt膜13aを成膜する。次いで、第1のスパッタリング装置20内のシリコンウエハ11を、搬送室17を通って第2のスパッタリング装置19に搬送ロボット18によって搬送する。次に第2のスパッタリング装置19によって(100)配向したPt膜13a上に(001)配向したSrRuO3膜13bを成膜する。
60/40≦Zr/Ti≦40/60 ・・・(1)
Pb/(Zr+Ti)<1.06 ・・・(2)
1≦Pb/(Zr+Ti)<1.06 ・・・(2')
(Pb+A)/(Zr+Ti)≦1.35 ・・・(3)
1≦(Pb+A)/(Zr+Ti)≦1.35 ・・・(3')
第3のスパッタリング装置22内の基板10を、搬送室17を通って受渡室24に搬送ロボット18によって搬送する。次いで、受渡室24の基板10を搬送ロボット25によってストッカー26に搬送する。
洗浄ノズルによって基板10上に洗浄液を供給しつつ基板10を回転させる。これにより、基板10の表面が洗浄される。次に、洗浄液の供給を停止し、基板10を回転させることで、基板10上の洗浄液を除去する。
次に、滴下ノズルによって基板10上にケミカル材料を滴下しつつ基板10を回転させる。これとともに、エッヂリンスノズルによって基板10表面の端部に洗浄液を滴下する。これにより、基板10上にはセラミックス前駆体膜が塗布される。基板表面の端部に洗浄液を滴下する理由は、基板10上にスピンコートにより膜を塗布すると基板10の端部の膜厚が基板10の中央より厚く形成されるので、基板10の端部の膜を洗浄液で除去しながら塗布するためである。従って、エッヂリンスノズルを基板10の端部から中央側に少しずつ移動させることで、洗浄液を滴下する位置を基板10の端部から中央側に少しずつ移動させることが好ましい。
この工程を以下に詳細に説明する。
排気機構によって基板10上に塗布された膜の表面上の空気を排気しながら、ホットプレートによって基板を例えば200〜250℃に加熱する。これにより、セラミックス前駆体膜中の水分等を除去する。
詳細には、排気系によってアニール装置30の仮焼成処理室内を真空排気した後に、ガス導入機構によって仮焼成処理室内を真空雰囲気中または窒素雰囲気または不活性ガス雰囲気で常圧とし、ランプヒータによって基板10上のセラミックス前駆体膜を所望の温度(例えば300℃〜600℃)に加熱することで仮焼成を行う。
詳細には、強誘電体種結晶膜14及びセラミックス前駆体膜であるアモルファス膜を酸素雰囲気で加熱する。これにより、アモルファス膜を酸化して結晶化することで強誘電体塗布焼結結晶膜15を形成することができる。なお、強誘電体種結晶膜14及びアモルファス膜を加圧酸素雰囲気で加熱してもよく、好ましくは4atm以上の加圧酸素雰囲気で加熱するとよい。これにより、より単一配向性が強い強誘電体結晶膜を得ることができる。
52/48<Zr/Ti≦40/60 ・・・(5)
60/40≦Zr/Ti<52/48 ・・・(6)
60/40≦Zr/Ti≦40/60 ・・・(4)
装置 : RFマグネトロンスパッタリング装置
パワー : 1500W
ガス : Ar/O2
圧力 : 0.14Pa
温度 : 600℃
成膜速度 : 0.63nm/秒
成膜時間 : 1.3分
図3に示すように、スピンコート塗布法によって形成したPZT結晶膜15であっても、(001)に優先配向しており、非常に良好な結晶性を有することが確認された。
ゾルゲル溶液は、金属アルコキシド等を加水分解、重合させ、コロイド状にしたものをアルコール等の有機溶媒溶液中に分散させたものである。主成分そのものがセラミックスの前駆体を形成している溶液を特にゾルゲル溶液と言う。
一方で、金属の有機酸塩を有機溶剤に溶解した溶液を一般にMOD溶液と呼ぶ。一般に、酢酸、オクチル酸、ヘキサン酸、吉草酸、カルボン酸、酪酸、トリフルオロ酸等が有機酸として用いられる。
また本発明の一態様のように、ゾルゲル溶液及びMOD溶液を混合して用いる場合も多く、その場合、主成分がどちらか等で呼び名が決定されている。
既述のように、本発明の一態様の場合、両者の混合からなる溶液を用いているが、大半がアルコキシドの重縮合物(セラミックスの前駆体)からなっていることから、成分金属を全て或いは一部含む金属化合物と、その部分重縮合物(前駆体)を有機溶媒中に含有する溶液のことを前駆体溶液と呼んでいる。
・使用溶液の組成比
第1層 : Pb/Bi/Zr/Ti/Nb=103/12/53/47/0
第2層 : Pb/Bi/Zr/Ti/Nb=103/0/53/47/0
第3層 : Pb/Bi/Zr/Ti/Nb=103/12/47/41/12
・塗布回数
第1層 : 3回
第2層 : 6回
第3層 : 1回
・膜厚
第1層 : 900nm
第2層 : 1800nm
第3層 : 300nm
・総処理時間(min)
第1層 : スピン 7.5 + RTA 2
第2層 : スピン 15 + RTA 10
第3層 : スピン 2.5 + RTA 3
・1回の塗布時間
第1層〜第3層 : 回転塗布1min+乾燥(ホットプレート250℃)0.5min+仮焼成(ホットプレート450℃)1min=2.5min
第1層 : RTAの昇温速度100℃/sec,O2圧力1atm,温度600℃,焼成時間1min
第2層 : RTAの昇温速度100℃/sec,O2圧力5atm,温度600℃,焼成時間10min
第3層 : RTAの昇温速度100℃/sec,O2圧力10atm,温度650℃,焼成時間3min
第1層 : 9.5min
第2層 : 25min
第3層 : 5.5min
図7のPE−ヒステリシスループによれば、非常に角形の良いヒステリシス特性が得られ、残留分極値がPr=〜28μmC/cm2であり、抗電圧Vc=〜15Vであることが確認された。
図8によれば、非常に耐圧の高いリーク電流密度特性を示し、破壊電圧が135Vであることが確認された。
[測定条件]
周波数 : 1kHz
Level : 1V
Bias : 0〜100V
一般的に圧電体のポーリングには温度、電圧、時間のパラメータにより、最適化することで、より高いd31定数を得ることが出来ている。ここでは評価の効率のために簡易的なポーリング条件による評価とした。
この様な条件下においてd31>80pm/Vの圧電特性を得たのは、良好と言える。
基板温度 : 600℃
成長圧力 : 0.3Pa
DC Power : 200W
スパッタガス : Ar
成膜時間 : 4min
装置 : RFマグネトロンスパッタリング装置
パワー : 1500W
ガス : Ar/O2
圧力 : 0.14Pa
温度 : 600℃
成膜速度 : 0.63nm/秒
成膜時間 : 1.3分
11 シリコンウエハ
12 膜
13a Pt膜
13b SrRuO3膜
14 強誘電体種結晶膜
15 強誘電体塗布焼結結晶膜
16 ストッカー
17 搬送室
18 搬送ロボット
19 第2のスパッタリング装置
20 第1のスパッタリング装置
21 電子ビーム蒸着装置
22 第3のスパッタリング装置
23 ロード/アンロード室
24 受渡室
25 搬送ロボット
26 ストッカー
27 アライナー
28 スピンコート室
29 アニール装置
30 アニール装置
31 冷却装置
32 加圧式ランプアニール装置
33 ロード/アンロード室
101 基板
102 Pt
103 PZT結晶膜
Claims (22)
- 基板上にスパッタリング法により形成され、所定の面に配向された強誘電体種結晶膜と、
前記強誘電体種結晶膜上に形成された強誘電体塗布焼結結晶膜と、
を具備し、
前記強誘電体塗布焼結結晶膜は、該強誘電体塗布焼結結晶膜の成分金属を全て或いは一部含む金属化合物と、その部分重縮合物を有機溶媒中に含有する溶液を塗布し、加熱して結晶化されたものであることを特徴とする強誘電体結晶膜。 - 請求項1において、
前記強誘電体塗布焼結結晶膜は、前記所定の面と同じ面に配向されていることを特徴とする強誘電体結晶膜。 - 請求項1または2において、
前記強誘電体種結晶膜及び前記強誘電体塗布焼結結晶膜それぞれは、Pb(Zr,Ti)O3膜または(Pb,A)(Zr,Ti)O3膜であり、Aは、Li、Na、K、Rb、Ca、Sr、Ba、Bi及びLaからなる群から選択される少なくとも1種からなることを特徴とする強誘電体結晶膜。 - 請求項3において、
前記Pb(Zr,Ti)O3膜または(Pb,A)(Zr,Ti)O3膜は、Zr/Ti元素数比率が下記式(1)を満たすことを特徴とする強誘電体結晶膜。
60/40≦Zr/Ti≦40/60 ・・・(1) - 請求項3または4において、
前記Pb(Zr,Ti)O3膜の各元素数比率が下記式(2)を満たし、前記(Pb,A)(Zr,Ti)O3膜の各元素数比率が下記式(3)を満たすことを特徴とする強誘電体結晶膜。
Pb/(Zr+Ti)<1.06 ・・・(2)
(Pb+A)/(Zr+Ti)≦1.35 ・・・(3) - 請求項3乃至5のいずれか一項において、
前記強誘電体種結晶膜は(001)に配向され、
前記強誘電体塗布焼結結晶膜は(001)に配向されることを特徴とする強誘電体結晶膜。 - 請求項3乃至5のいずれか一項において、
前記強誘電体種結晶膜は(111)に配向され、
前記強誘電体塗布焼結結晶膜は(111)に配向されることを特徴とする強誘電体結晶膜。 - 請求項1乃至7のいずれか一項に記載の強誘電体結晶膜を有することを特徴とする電子部品。
- 基板上に強誘電体種結晶膜をスパッタリング法によりエピタキシャル成長させて形成し、
前記強誘電体種結晶膜上に該強誘電体種結晶膜の成分金属を全て或いは一部含む金属化合物と、その部分重縮合物を有機溶媒中に含有する溶液を塗布する方法により、非結晶性前駆体膜として形成し、
前記強誘電体種結晶膜及び非結晶性前駆体膜を酸素雰囲気で加熱することにより、前記非結晶性前駆体膜を酸化して結晶化することで強誘電体塗布焼結結晶膜を形成することを特徴とする強誘電体結晶膜の製造方法。 - 請求項9において、
前記強誘電体塗布焼結結晶膜は、前記所定の面と同じ面に配向されていることを特徴とする強誘電体結晶膜の製造方法。 - 請求項9または10において、
前記強誘電体種結晶膜及び前記強誘電体塗布焼結結晶膜それぞれは、Pb(Zr,Ti)O3膜または(Pb,A)(Zr,Ti)O3膜であり、Aは、Li、Na、K、Rb、Ca、Sr、Ba、Bi及びLaからなる群から選択される少なくとも1種からなることを特徴とする強誘電体結晶膜の製造方法。 - 請求項11において、
前記Pb(Zr,Ti)O3膜または(Pb,A)(Zr,Ti)O3膜は、Zr/Ti元素数比率が下記式(1)を満たすことを特徴とする強誘電体結晶膜の製造方法。
60/40≦Zr/Ti≦40/60 ・・・(1) - 請求項11または12において、
前記Pb(Zr,Ti)O3膜の各元素数比率が下記式(2)を満たし、前記(Pb,A)(Zr,Ti)O3膜の各元素数比率が下記式(3)を満たすことを特徴とする強誘電体結晶膜の製造方法。
Pb/(Zr+Ti)<1.06 ・・・(2)
(Pb+A)/(Zr+Ti)≦1.35 ・・・(3) - 請求項11乃至13のいずれか一項において、
前記強誘電体種結晶膜は(001)に配向され、
前記強誘電体塗布焼結結晶膜は(001)に配向されることを特徴とする強誘電体結晶膜の製造方法。 - 請求項11乃至13のいずれか一項において、
前記強誘電体種結晶膜は(111)に配向され、
前記強誘電体塗布焼結結晶膜は(111)に配向されることを特徴とする強誘電体結晶膜の製造方法。 - 基板上に強誘電体種結晶膜をスパッタリング法によりエピタキシャル成長させて形成する第1の装置と、
前記強誘電体種結晶膜上にスピンコート塗布法により強誘電体材料を含むアモルファス膜を塗布形成する第2の装置と、
前記強誘電体種結晶膜及び前記アモルファス膜を酸素雰囲気で加熱することにより、前記アモルファス膜を酸化して結晶化することで強誘電体塗布焼結結晶膜を形成する第3の装置と、
を具備することを特徴とする強誘電体結晶膜の製造装置。 - 請求項16において、
前記強誘電体塗布焼結結晶膜は、前記所定の面と同じ面に配向されていることを特徴とする強誘電体結晶膜の製造装置。 - 請求項16または17において、
前記強誘電体種結晶膜及び前記強誘電体塗布焼結結晶膜それぞれは、Pb(Zr,Ti)O3膜または(Pb,A)(Zr,Ti)O3膜であり、Aは、Li、Na、K、Rb、Ca、Sr、Ba、Bi及びLaからなる群から選択される少なくとも1種からなることを特徴とする強誘電体結晶膜の製造装置。 - 請求項18において、
前記Pb(Zr,Ti)O3膜または(Pb,A)(Zr,Ti)O3膜は、Zr/Ti元素数比率が下記式(1)を満たすことを特徴とする強誘電体結晶膜の製造装置。
60/40≦Zr/Ti≦40/60 ・・・(1) - 請求項18または19において、
前記Pb(Zr,Ti)O3膜の各元素数比率が下記式(2)を満たし、前記(Pb,A)(Zr,Ti)O3膜の各元素数比率が下記式(3)を満たすことを特徴とする強誘電体結晶膜の製造装置。
Pb/(Zr+Ti)<1.06 ・・・(2)
(Pb+A)/(Zr+Ti)≦1.35 ・・・(3) - 請求項18乃至20のいずれか一項において、
前記強誘電体種結晶膜は(001)に配向され、
前記強誘電体塗布焼結結晶膜は(001)に配向されることを特徴とする強誘電体結晶膜の製造装置。 - 請求項18乃至20のいずれか一項において、
前記強誘電体種結晶膜は(111)に配向され、
前記強誘電体塗布焼結結晶膜は(111)に配向されることを特徴とする強誘電体結晶膜の製造装置。
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Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015154014A (ja) * | 2014-02-18 | 2015-08-24 | 株式会社ユーテック | 強誘電体膜及びその製造方法 |
WO2015194458A1 (ja) * | 2014-06-20 | 2015-12-23 | 株式会社アルバック | 多層膜の製造方法および多層膜 |
WO2016009698A1 (ja) * | 2014-07-16 | 2016-01-21 | 株式会社ユーテック | 強誘電体セラミックス及びその製造方法 |
JP2016042505A (ja) * | 2014-08-14 | 2016-03-31 | 株式会社ユーテック | 強誘電体セラミックス及びその製造方法 |
JP2016086005A (ja) * | 2014-10-23 | 2016-05-19 | 株式会社ユーテック | 強誘電体セラミックス、電子部品及び強誘電体セラミックスの製造方法 |
JP2016225594A (ja) * | 2015-06-01 | 2016-12-28 | 株式会社東芝 | 半導体構造及びその製造方法 |
JP2017059751A (ja) * | 2015-09-18 | 2017-03-23 | 株式会社ユーテック | 強誘電体メモリ及びその製造方法、強誘電体膜及びその製造方法 |
JP2017212300A (ja) * | 2016-05-24 | 2017-11-30 | Tdk株式会社 | 積層膜、電子デバイス基板、電子デバイス及び積層膜の製造方法 |
US10243134B2 (en) | 2014-12-26 | 2019-03-26 | Advanced Material Technologies, Inc. | Piezoelectric film and piezoelectric ceramics |
JP2020053620A (ja) * | 2018-09-28 | 2020-04-02 | 株式会社リコー | 強誘電体薄膜形成用溶液、強誘電体薄膜、圧電素子、液体吐出ヘッド、液体吐出ユニット、液体吐出装置および圧電装置 |
KR20230007762A (ko) * | 2021-07-06 | 2023-01-13 | 한국과학기술연구원 | 이종 접합 반도체 기판, 그의 제조방법 및 그를 이용한 전자소자 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102433290B1 (ko) * | 2018-02-08 | 2022-08-17 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 강유전성 소자의 제조 방법 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0689986A (ja) * | 1992-07-24 | 1994-03-29 | Mitsubishi Electric Corp | 電子デバイスおよびその製造方法 |
JP2007335437A (ja) * | 2006-06-12 | 2007-12-27 | Seiko Epson Corp | 誘電体膜の製造方法 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5572052A (en) * | 1992-07-24 | 1996-11-05 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Electronic device using zirconate titanate and barium titanate ferroelectrics in insulating layer |
US5719417A (en) * | 1996-11-27 | 1998-02-17 | Advanced Technology Materials, Inc. | Ferroelectric integrated circuit structure |
US6333066B1 (en) * | 1997-11-21 | 2001-12-25 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method for forming PZT thin film using seed layer |
AU1539900A (en) * | 1998-11-30 | 2000-06-19 | Interuniversitair Micro-Elektronica Centrum | Method of fabrication of a ferro-electric capacitor and method of growing a pzt layer on a substrate |
JP3796394B2 (ja) * | 2000-06-21 | 2006-07-12 | キヤノン株式会社 | 圧電素子の製造方法および液体噴射記録ヘッドの製造方法 |
US6841006B2 (en) * | 2001-08-23 | 2005-01-11 | Applied Materials, Inc. | Atmospheric substrate processing apparatus for depositing multiple layers on a substrate |
KR100513724B1 (ko) * | 2002-12-24 | 2005-09-08 | 삼성전자주식회사 | 강유전성 박막 및 그 제조방법 |
WO2006087777A1 (ja) | 2005-02-16 | 2006-08-24 | Youtec Co., Ltd. | 加圧式ランプアニール装置、加圧式ランプアニール処理方法、薄膜及び電子部品 |
TW200746940A (en) * | 2005-10-14 | 2007-12-16 | Ibiden Co Ltd | Printed wiring board |
JP4164701B2 (ja) * | 2006-05-31 | 2008-10-15 | セイコーエプソン株式会社 | 強誘電体キャパシタ、強誘電体キャパシタの製造方法、強誘電体メモリおよび強誘電体メモリの製造方法 |
US7706103B2 (en) * | 2006-07-25 | 2010-04-27 | Seagate Technology Llc | Electric field assisted writing using a multiferroic recording media |
CN101529539A (zh) * | 2006-10-25 | 2009-09-09 | Nxp股份有限公司 | 具有改进调谐范围的铁电变容管 |
JP4665025B2 (ja) * | 2008-12-16 | 2011-04-06 | Tdk株式会社 | 圧電素子の製造方法 |
-
2012
- 2012-06-04 JP JP2012127046A patent/JP5930852B2/ja active Active
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2018
- 2018-06-01 US US15/995,177 patent/US20180282896A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0689986A (ja) * | 1992-07-24 | 1994-03-29 | Mitsubishi Electric Corp | 電子デバイスおよびその製造方法 |
JP2007335437A (ja) * | 2006-06-12 | 2007-12-27 | Seiko Epson Corp | 誘電体膜の製造方法 |
Cited By (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015154014A (ja) * | 2014-02-18 | 2015-08-24 | 株式会社ユーテック | 強誘電体膜及びその製造方法 |
WO2015194458A1 (ja) * | 2014-06-20 | 2015-12-23 | 株式会社アルバック | 多層膜の製造方法および多層膜 |
JPWO2015194458A1 (ja) * | 2014-06-20 | 2017-05-25 | 株式会社アルバック | 多層膜の製造方法および多層膜 |
JPWO2016009698A1 (ja) * | 2014-07-16 | 2017-04-27 | 株式会社ユーテック | 強誘電体セラミックス及びその製造方法 |
WO2016009698A1 (ja) * | 2014-07-16 | 2016-01-21 | 株式会社ユーテック | 強誘電体セラミックス及びその製造方法 |
JP2016042505A (ja) * | 2014-08-14 | 2016-03-31 | 株式会社ユーテック | 強誘電体セラミックス及びその製造方法 |
JP2016086005A (ja) * | 2014-10-23 | 2016-05-19 | 株式会社ユーテック | 強誘電体セラミックス、電子部品及び強誘電体セラミックスの製造方法 |
US10854808B2 (en) | 2014-10-23 | 2020-12-01 | Advanced Material Technologies, Inc. | Ferroelectric ceramics, electronic component and manufacturing method of ferroelectric ceramics |
US10243134B2 (en) | 2014-12-26 | 2019-03-26 | Advanced Material Technologies, Inc. | Piezoelectric film and piezoelectric ceramics |
JP2016225594A (ja) * | 2015-06-01 | 2016-12-28 | 株式会社東芝 | 半導体構造及びその製造方法 |
JP2017059751A (ja) * | 2015-09-18 | 2017-03-23 | 株式会社ユーテック | 強誘電体メモリ及びその製造方法、強誘電体膜及びその製造方法 |
JP2017212300A (ja) * | 2016-05-24 | 2017-11-30 | Tdk株式会社 | 積層膜、電子デバイス基板、電子デバイス及び積層膜の製造方法 |
US10608162B2 (en) | 2016-05-24 | 2020-03-31 | Tdk Corporation | Stacked film, electronic device substrate, electronic device, and method of fabricating stacked film |
JP2020053620A (ja) * | 2018-09-28 | 2020-04-02 | 株式会社リコー | 強誘電体薄膜形成用溶液、強誘電体薄膜、圧電素子、液体吐出ヘッド、液体吐出ユニット、液体吐出装置および圧電装置 |
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KR20230007762A (ko) * | 2021-07-06 | 2023-01-13 | 한국과학기술연구원 | 이종 접합 반도체 기판, 그의 제조방법 및 그를 이용한 전자소자 |
KR102590568B1 (ko) * | 2021-07-06 | 2023-10-18 | 한국과학기술연구원 | 이종 접합 반도체 기판, 그의 제조방법 및 그를 이용한 전자소자 |
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