JP2013251304A - 積層体および積層体の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】GaN基板10の(0001)面上に、少なくとも一部が第1の方向に沿って互いに平行に延在した複数の開口21を備える成長マスク20を形成する工程と、複数の開口21各々の底面に露出するGaN基板10から、<1−100>方向が第1の方向に平行に延在するようにGaN系半導体31を成長させるとともに、GaN系半導体31が、自らの成長の起点になった開口21に隣接する他の開口から成長したGaN系半導体31と接触する前に成長を止めることで、各々個別に半導体素子を形成するための下地基板となる複数の島状のGaN系半導体層30を形成する工程と、を有する積層体の製造方法。
【選択図】図2
Description
GaN基板と、
前記GaN基板の(0001)面上に形成され、少なくとも一部が第1の方向に沿って互いに平行に延在した複数の開口を備える成長マスクと、
前記複数の開口各々の底面に位置する前記GaN基板から成長し、前記成長マスク上に延在した複数の島状のGaN系半導体層と、を有し、
前記第1の方向は、前記GaN系半導体層の<1−100>方向に平行な方向であり、
複数の前記島状のGaN系半導体層は、自らの成長の起点になった前記開口に隣接する他の前記開口から成長した他の前記島状のGaN系半導体層と接触せず、
前記複数の島状のGaN系半導体層は、各々個別に、半導体素子を形成するための下地基板となる積層体が提供される。
GaN基板の(0001)面上に、少なくとも一部が第1の方向に沿って互いに平行に延在した複数の開口を備える成長マスクを形成するマスク形成工程と、
前記複数の開口各々の底面に露出する前記GaN基板から、<1−100>方向が前記第1の方向に平行に延在するようにGaN系半導体を成長させるとともに、当該GaN系半導体が、自らの成長の起点になった前記開口に隣接する他の前記開口から成長したGaN系半導体と接触する前に成長を止めることで、各々個別に半導体素子を形成するための下地基板となる複数の島状のGaN系半導体層を形成する成長工程と、
を有する積層体の製造方法が提供される。
まず、図1及び図2を用いて、本実施形態の積層体の製造方法の処理の流れの一例を説明する。図1は、本実施形態の積層体の製造方法の処理の流れの一例を示すフローチャートである。図示するように、本実施形態の積層体の製造方法は、マスク形成工程S10と、成長工程S20とを有する。
当該例では、まず、図2(B)に示すように、<11−2β>面(βは1以上の整数)を露出面に有するGaN系半導体31を成長させる。その後、当該GaN系半導体31を第1の方向に垂直な<11−20>方向に横方向成長させて、複数の島状のGaN系半導体層30を形成する。そして、複数の開口21各々から成長した複数のGaN系半導体31各々が、自らの成長の起点になった開口21に隣接する他の開口21から成長したGaN系半導体31と接触する前に成長を止めることで、図2(C)に示すように、各々個別に半導体素子を形成するための下地基板となる複数の島状のGaN系半導体層30を形成する。図3は、図2(B)に示すGaN系半導体31を横方向成長させて、図2(C)に示すGaN系半導体層30が得られるまでの断面形状の遷移を示す概念図である。
当該例では、図2(A)に示すようにGaN基板10の(0001)面上に成長マスク20を形成後、開口21から露出するGaN基板10に対してエッチングを行い、表面(露出面)に凹凸を形成する。その後、開口21から、<11−2β>面(βは1以上の整数)を露出面に有するGaN系半導体31を成長させる。次いで、当該GaN系半導体31を第1の方向に垂直な<11−20>方向に横方向成長させて、図2(C)に示すように、複数の島状のGaN系半導体層30を形成する。なお、GaN基板10に対してエッチングを行い、表面に凹凸を形成後、その上から成長マスク20を形成してもよい。以下、詳細に説明する。
上述した第1の例により、<11−2β>面(βは1以上の整数)を露出面に有するGaN系半導体を成長できることを確認した。
まず、上述した第2の例により、<11−2β>面(βは1以上の整数)を露出面に有するGaN系半導体を成長させた。
具体的には、図2(A)に示すようにGaN基板10の(0001)面上に成長マスク20を形成後、開口21から露出するGaN基板10に対してエッチングを行い、表面(露出面)に凹凸を形成した。エッチングは、熱分解処理とした。具体的には、NH3ガス雰囲気で、温度:1150℃で行った。高低差は10nm〜100nmで+C面とその他の面、例えば、(n0−nm)面(n及びmは整数)と(nn−2nm)面(n及びmは整数)が露出していた。
まず、サファイア基板上に、実施例1と同様、互いに平行に延在する複数の開口を有する成長マスクとして、SiN(厚さ:10nm)/SiO2(厚さ:290nm)の積層膜を形成した。開口の幅Wwは5μm、2つの開口に挟まれるマスクの幅Wm(開口が延在する方向に垂直な方向の幅)は165μmとした。その上に、以下の成長条件で、GaN系半導体を成長させた。
[a.内部歪みの改善]
比較例1のようなヘテロ成長は、熱膨張係数の相違、格子定数の不一致によって、結晶内部に大きな歪み(ストレス)が生じてしまう。内部歪みは、GaN系半導体層上に形成されるデバイスの信頼性と性能を損なう原因になる。実施例1は、熱膨張係数と格子定数が一致したホモ成長としているので、比較例1に記載の技術に比べ、著しく、内部歪みを改善している。すなわち、基板の湾曲を十分に抑制している。
図10−暗点個数:0個、暗点密度<9E+5cm−2
図11−暗点個数:600個、暗点密度<9E+7cm−2
図12−暗点個数:100個、暗点密度<1E+7cm−2
横方向成長速度を大きくできると、効率的に大口径のGaN系半導体層を形成することが可能となる。すなわち、生産効率が向上する。
実施例2:119μm×60/230=31μm/h
比較例2:105μm×60/300=21μm/h
図17は、本実施形態の積層体の製造方法の処理の流れの一例を示すフローチャートである。図示するように、本実施形態の積層体の製造方法は、マスク形成工程S10と、成長工程S20と、剥離工程S30と、リサイクル工程S40とを有する。マスク形成工程S10及び成長工程S20は、第1の実施形態と同様である。
20 成長マスク
21 開口
30 GaN系半導体層
31 GaN系半導体
40 ダイシングテープ
50 半導体デバイス
Claims (15)
- GaN基板と、
前記GaN基板の(0001)面上に形成され、少なくとも一部が第1の方向に沿って互いに平行に延在した複数の開口を備える成長マスクと、
前記複数の開口各々の底面に位置する前記GaN基板から成長し、前記成長マスク上に延在した複数の島状のGaN系半導体層と、を有し、
前記第1の方向は、前記GaN系半導体層の<1−100>方向に平行な方向であり、
複数の前記島状のGaN系半導体層は、自らの成長の起点になった前記開口に隣接する他の前記開口から成長した他の前記島状のGaN系半導体層と接触せず、
前記複数の島状のGaN系半導体層は、各々個別に、半導体素子を形成するための下地基板となる積層体。 - 請求項1に記載の積層体において、
前記島状のGaN系半導体層各々は、前記第1の方向に垂直な<11−20>方向の最大長さLがL≧350μmを満たす積層体。 - 請求項1または2に記載の積層体において、
前記島状のGaN系半導体層各々は、前記第1の方向に垂直な<11−20>方向の最大長さをL、前記GaN基板に垂直な方向の前記GaN基板表面からの最大高さをHmaxとすると、70μm≦Hmax/L≦380μmを満たす積層体。 - 請求項1から3のいずれか1項に記載の積層体において、
前記島状のGaN系半導体層各々は、前記GaN基板に垂直な方向の前記GaN基板表面からの最大高さをHmax、前記GaN基板表面からの最小高さをHminとすると、(Hmax−Hmin)≦7.5μmを満たす積層体。 - 請求項4に記載の積層体において、
前記Hminは、Hmin≧70μmを満たす積層体。 - 請求項3から5のいずれか1項に記載の積層体において、
前記Hmaxは、Hmax≦120μmを満たす積層体。 - 請求項1から6のいずれか1項に記載の積層体において、
前記成長マスクは、前記第1の方向と垂直な方向に隣接する前記開口間の距離が、100μm以上1000μm以下である積層体。 - 請求項1から7のいずれか1項に記載の積層体において、
前記GaN系半導体層は、露出面の中に<11−2α>面(αは整数)を含む積層体。 - GaN基板の(0001)面上に、少なくとも一部が第1の方向に沿って互いに平行に延在した複数の開口を備える成長マスクを形成するマスク形成工程と、
前記複数の開口各々の底面に露出する前記GaN基板から、<1−100>方向が前記第1の方向に平行に延在するようにGaN系半導体を成長させるとともに、当該GaN系半導体が、自らの成長の起点になった前記開口に隣接する他の前記開口から成長したGaN系半導体と接触する前に成長を止めることで、各々個別に半導体素子を形成するための下地基板となる複数の島状のGaN系半導体層を形成する成長工程と、
を有する積層体の製造方法。 - 請求項9に記載の積層体の製造方法において、
前記成長工程では、<11−2β>面(βは1以上の整数)を露出面に有するGaN系半導体を成長させた後、当該GaN系半導体を前記第1の方向に垂直な<11−20>方向に成長させる積層体の製造方法。 - 請求項9に記載の積層体の製造方法において、
前記成長工程では、内面がファセット面で構成された複数のピットを表面に有するGaN系半導体を成長させた後、前記ピットを埋め込むように、当該GaN系半導体を前記第1の方向に垂直な<11−20>方向に成長させる積層体の製造方法。 - 請求項11に記載の積層体の製造方法において、
前記ピットの前記ファセット面は、(n0−nm)面(n及びmは整数)である積層体の製造方法。 - 請求項9から12のいずれか1項に記載の積層体の製造方法において、
前記成長工程の後、前記GaN基板から複数の前記島状のGaN系半導体層を剥離する剥離工程と、
前記剥離工程の後、前記島状のGaN系半導体層を剥離した後の前記GaN基板を用いて、前記マスク形成工程及び前記成長工程を行うリサイクル工程と、
を有する積層体の製造方法。 - 請求項13に記載の積層体の製造方法において、
前記剥離工程では、前記成長マスクを除去し、複数の前記島状のGaN系半導体層をリフトオフする積層体の製造方法。 - 請求項13または14に記載の積層体の製造方法において、
前記成長工程の後、かつ、前記剥離工程の前に、前記GaN系半導体層の上面に半導体デバイスを形成するデバイス形成工程をさらに有する積層体の製造方法。
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