JP4381397B2 - 窒化物系半導体素子および窒化物系半導体の形成方法 - Google Patents
窒化物系半導体素子および窒化物系半導体の形成方法 Download PDFInfo
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応用電子物性分科会誌、第4巻(1998)、第53頁〜第58頁および第210頁〜第215頁
この発明の一つの目的は、少ない成長工程の回数で、転位が少なく、かつ、離脱に起因する結晶欠陥の少ない窒化物系半導体層を形成することが可能な窒化物系半導体の形成方法を提供することである。
2 マスク層
3 AlGaNバッファ層(バッファ層)
4 GaN層(窒化物系半導体層)
5 第1導電型コンタクト層(窒化物系半導体素子層)
6 第1導電型クラッド層(窒化物系半導体素子層)
7 MQW発光層(窒化物系半導体素子層)
8 第2導電型クラッド層(窒化物系半導体素子層)
9 第2導電型コンタクト層(窒化物系半導体素子層)
Claims (13)
- 基板の上面上に、前記基板の上面の一部が露出するように、直接マスク層を形成する工程と、
前記マスク層から露出された前記基板の上面上および前記マスク層の上面上に、直接バッファ層を形成する工程と、
その後、窒化物系半導体層を成長させる工程とを備え、
前記マスク層は、窒化物および高融点金属層のうちのいずれかを含む、窒化物系半導体の形成方法。 - 前記マスク層は、SiNを含む、請求項1に記載の窒化物系半導体の形成方法。
- 前記マスク層は、窒化物および高融点金属のうちのいずれかが最表面に露出した多層膜を含む、請求項1または2に記載の窒化物系半導体の形成方法。
- 前記マスク層は、ストライプ構造を有する、請求項1〜3のいずれか1項に記載の窒化物系半導体の形成方法。
- 前記マスク層の断面は、逆台形状を有する、請求項1〜4のいずれか1項に記載の窒化物系半導体の形成方法。
- 前記高融点金属層は、融点が1000℃以上の高融点金属からなる、請求項1〜5のいずれか1項に記載の窒化物系半導体の形成方法。
- 前記窒化物系半導体層上に、素子領域を有する窒化物系半導体素子層を成長させる工程をさらに備える、請求項1〜6のいずれか1項に記載の窒化物系半導体の形成方法。
- 基板の上面上に、前記基板の上面の一部が露出するように直接形成されたマスク層と、
前記マスク層から露出された基板の上面上および前記マスク層の上面上に直接形成されたバッファ層と、
前記バッファ層を覆うように形成された窒化物系半導体層と、
前記窒化物系半導体層上に形成され、素子領域を有する窒化物系半導体素子層とを備え、
前記マスク層は、窒化物および高融点金属層のうちのいずれかを含む、窒化物系半導体素子。 - 前記マスク層は、SiNを含む、請求項8に記載の窒化物系半導体素子。
- 前記マスク層は、窒化物および高融点金属のうちのいずれかが最表面に露出した多層膜を含む、請求項8または9に記載の窒化物系半導体素子。
- 前記マスク層は、ストライプ構造を有する、請求項8〜10のいずれか1項に記載の窒化物系半導体素子。
- 前記マスク層の断面は、逆台形状を有する、請求項8〜11のいずれか1項に記載の窒化物系半導体素子。
- 前記高融点金属層は、融点が1000℃以上の高融点金属からなる、請求項8〜12のいずれか1項に記載の窒化物系半導体素子。
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