JP2013231601A - 電力変換装置の電流検出装置、およびこの電流検出装置を備えた半導体モジュール - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ロゴスキーコイル2の検出出力を積分回路6で積分する際に生じる蓄積電荷をリセット回路4からのリセット信号でリセットする場合、電流検出対象となる自アームのスイッチング素子10aへのゲート制御信号のオフ後、デッドタイム、逆アームのスイッチング素子10bへのゲート制御信号のオンに伴う当該スイッチング素子のターンオン遅れ時間、および自アームのダイオード11aのリカバリー時間が経過した後、自アームのスイッチング素子に対するゲート制御信号がオンする時点からデッドタイム時間分手前の時点までの期間を自アームの零電流期間であると予測して、その零電流期間中にリセット信号を出力する。
【選択図】図1
Description
すなわち、電力変換装置のスイッチング素子に加えるゲート制御信号のオンパルス直後からスイッチング素子に実際に電流が流れ始めるまでのターンオン遅れ時間内にリセット信号を出力するようにしているので、リセット回路から出力されるリセット信号自体の遅れ時間やスイッチング素子のターンオン遅れ時間を考慮すると、積分回路中のコンデンサを十分に放電しきれなかったり、リセット信号自体に遅れ時間が生じて零電流期間が経過して既に電流が流れ始めているときにリセット信号が出力されるなどして、正確な電流値を検出できないという課題がある。
図1はこの発明の実施の形態1に係る電流検出装置を有する電力変換装置を示す構成図、図2は図1に示す電流検出装置の具体的な構成を示す回路図である。
図4はこの発明の実施の形態2に係る電力変換装置と電流検出装置の動作説明に供するタイミングチャートである。なお、図4は、図3に示した実施の形態1の場合と同様、電力変換装置が2レベルインバータで、正極性モードの場合を示している。
図5はこの発明の実施の形態3に係る電流検出装置の構成図である。なお、図5では、各アームに個別に対応して設けられる電流検出装置の内、一つの電流検出装置のみを取り出して示している。
図9はこの発明の実施の形態4に係る過電流保護回路付きの電流検出装置を有する半導体モジュールの外観を示す斜視図、図10は図9のA−A線に沿う断面図であり、図5、図7に示した実施の形態3と対応もしくは相当する構成部分には同一の符号を付す。なお、この実施の形態4では、単独のアームを構成する1in1の高耐圧半導体モジュールを例として示すが、一対のアームを構成する2in1や6つのアームを構成する6in1の半導体モジュールであってもこの発明を適用することが可能である。
4 リセット回路、41 零電流予測回路、42 リセット信号発生回路、5 アーム、5a P側(正極側)アーム、5b N側(負極側)アーム、6 積分回路、
7,7a,7b ゲートドライバ、8 ゲート制御信号発生回路、
10,10a,10b スイッチング素子、11,11a,11b ダイオード、
13 過電流保護回路。
Claims (8)
- 上下一対の正極側と負極側のアームが直列接続され、上記各アームは、スイッチング素子とこれに逆並列に接続された還流用のダイオードで構成されている電力変換装置の上記各アームを通じて流れる電流を検出するものであって、
各アームに個別に対応して、上記各アームを流れる電流に比例した磁界強度の変化を検出するロゴスキーコイルと、上記ロゴスキーコイルの検出出力を積分する積分回路と、上記各アームに流れる電流が零である零電流期間を予測し、この予測結果に基づいて上記零電流期間に上記積分回路を構成するコンデンサの蓄積電荷を放電するためのリセット信号を出力するリセット回路とが設けられており、
上記両アームの内、電流検出対象となる一方のアームに着目したときを自アーム、これに対する他方のアームを逆アームと称すれば、上記リセット回路は、電流検出対象となる自アームのスイッチング素子に対するゲート制御信号のオフ後、デッドタイム、逆アームのスイッチング素子に対するゲート制御信号のオンに伴う当該スイッチング素子のターンオン遅れ時間、および自アームのダイオードのリカバリー時間が経過した時点から、その後、自アームのスイッチング素子に対するゲート制御信号がオンする時点からデッドタイム時間分手前の時点までの期間を上記自アームの零電流期間であると予測して、上記零電流期間中に上記リセット信号を出力するものである電力変換装置の電流検出装置。 - 上記リセット回路が上記自アームの零電流期間であると予測する期間は、請求項1記載の期間に代えて、電流検出対象となる自アームのスイッチング素子に対するゲート制御信号のオフ後、デッドタイム、逆アームのスイッチング素子に対するゲート制御信号のオンに伴う当該スイッチング素子のターンオン遅れ時間、および自アームのダイオードのリカバリー時間が経過した時点から、その後、逆アームのスイッチング素子に対するゲート制御信号の最小オン時間が経過する時点までの期間である請求項1に記載の電力変換装置の電流検出装置。
- 上記リセット回路は、自アームに加わる上記ゲート制御信号を入力し、このゲート制御信号に応じてトリガ信号を出力するトリガ回路と、上記トリガ信号を自アームにおける上記零電流期間中まで遅延させて上記リセット信号として出力する遅延回路と、を備えている請求項1または請求項2に記載の電力変換装置の電流検出装置。
- 上記スイッチング素子は、ワイドバンドギャップ半導体によって形成されている請求項1ないし請求項3のいずれか1項に記載の電力変換装置の電流検出装置。
- 上記ワイドバンドギャップ半導体は、炭化珪素、窒化ガリウム系材料、またはダイヤモンドである請求項4に記載の電力変換装置の電流検出装置。
- 上記積分回路の出力電圧と基準電圧とを比較し、上記積分回路の出力電圧が基準電圧よりも大きい場合には過電流が生じたものと判断して上記スイッチング素子に対するゲート制御信号の出力を阻止して上記スイッチング素子をオフにする過電流保護回路を備えている請求項1ないし請求項5のいずれか1項に記載の電力変換装置の電流検出装置。
- 上記過電流保護回路が上記スイッチング素子に対するゲート制御信号の出力を阻止する場合、これに応じて、上記リセット回路は、システムの復帰直後にリセット信号が出力されるようにその出力タイミングの切り替えを行うものである請求項6に記載の電力変換装置の電流検出装置。
- 請求項6または請求項7に記載の上記電力変換装置を構成する上記スイッチング素子と上記ダイオード、および上記電流検出装置を構成する上記ロゴスキーコイルと上記過電流保護回路が一体的に組み立てられている半導体モジュール。
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