JP2013224876A - 半導体試験装置、プローブカード及び半導体試験方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体試験装置1は、プローブカード基板4と、プローブカード基板に設けられたプローブ8と、プローブカード基板に設けられ、プローブの上方に配置された接触部材と、プローブと接触部材との接触を検知する検知部と、を備える。
【選択図】図1
Description
図1は、実施例1に係る半導体試験装置(プローブ装置)1の構成を示す図である。図1に示すように、半導体試験装置1は、半導体ウエハ2が設置されるステージ(載置台)3と、プローブカード4と、プローブカード4が接続されているテストヘッド5と、制御装置6と、計測装置7と、を備える。制御装置6は、検知部の一例である。半導体ウエハ2の表面(上面)には、トランジスタ等の機能素子、コンデンサ等の受動素子及び配線層等によって半導体装置が形成されている。半導体ウエハ2には、複数の半導体装置がアレイ状に形成されている。
のプロセッサの処理に利用される周辺回路(ROM、RAM、インタフェース回路等)と、を有する。制御装置6は、ROM等の記憶装置に記憶されているプログラムを実行するとともに、各種データについての演算と各構成の制御とを実行することにより、半導体試験装置1の処理を実行する。計測装置7は、電流計又は電圧計である。また、計測装置7は、電流計及び電圧計としての機能を有する装置であってもよい。
図2Aは、実施例1に係るプローブカード4の上面図である。図2Bは、図2Aの点線A−A’におけるプローブカード4の断面図である。図2Cは、実施例1に係るプローブカード4の部分拡大斜視図である。
固定部までの何れかの部分と絶縁ワイヤ40とが接触するようにしてもよい。
図4から図7は、実施例1に係る電気的特性の試験の説明図である。図4の(A)及び(B)は、半導体装置の電気的特性の試験を行う前の通常時の状態を示している。図4の(A)及び(B)に示す例では、プローブ8と半導体装置との位置合わせが行われた状態(セットアップ初期状態)において、プローブ8の先端部8Bと半導体ウエハ2との距離は、200μmに設定されている。したがって、プローブ8の先端部8Bは、半導体装置
の電極30とは接触していない。また、図4の(A)及び(B)に示す例では、プローブ8の屈曲部8Aと絶縁ワイヤ40との距離は、50μmに設定されている。
ドライブが行われずに半導体装置の電気的特性の試験が実施されている場合、プローブ8の屈曲部8Aと絶縁ワイヤ40とが接触しないように、プローブ8の屈曲部8Aと絶縁ワイヤ40との距離を設定しておく。プローブ8の屈曲部8Aと絶縁ワイヤ40との距離は、プローブ8の材質、半導体装置の電極30の材質、プローブ8の屈曲部8Aの角度等により、予め算出しておけばよい。
ローブカード4の内部配線42と接続されている。図2Aに示す例では、プローブカード4の開口部14の角に突起部41を設けているが、突起部41をプローブカード4の下面に設けるようにしてもよい。プローブカード4の内部配線42は、テストヘッド5を介して計測装置7に接続されている。計測装置7は、電流計又は電圧計である。また、計測装置7は、電流計及び電圧計としての機能を有する装置であってもよい。
図10は、実施例2に係る電気的特性の試験の説明図である。半導体装置の電気的特性の試験を行う前の通常時の状態及び半導体装置の電気的特性の試験開始時の状態については、実施例1と同様であるので、説明を省略する。
計測される計測値を読み取ることによって、プローブ8の屈曲部8Aと導電体60との接触を検知し、オーバードライブを解除する。制御装置6は、ステージ3の駆動装置を制御し、ステージ3を下方向(−Z方向)に移動させることにより、ステージ3をセットアップ初期状態の位置に戻す。
1及びプローブカード4については、実施例1とほぼ同様であるので、実施例1と異なる構成要素について説明し、実施例1と同一の構成要素については、実施例1と同一の符号を付し、その説明を省略する。
図12は、実施例3に係る電気的特性の試験の説明図である。半導体装置の電気的特性の試験を行う前の通常時の状態及び半導体装置の電気的特性の試験開始時の状態については、実施例1と同様であるので、説明を省略する。
検知する例を示した。これに限らず、プローブ8の屈曲部8Aと同軸ケーブル70との接触を検知する検知装置を、プローブカード4又はテストヘッド5の内部に設けるようにしてもよい。検知装置は、検知部の一例である。検知装置は、プローブ8の屈曲部8Aと同軸ケーブル70との接触を検知する場合、制御装置6に検知信号を送り、制御装置6が検知信号を受け取ることにより、オーバードライブを解除するようにしてもよい。
(付記1)
プローブカード基板と、
前記プローブカード基板に設けられたプローブと、
前記プローブカード基板に設けられ、前記プローブの上方に配置された接触部材と、
前記プローブと前記接触部材との接触を検知する検知部と、
を備えることを特徴とする半導体試験装置。
(付記2)
前記接触部材は、絶縁ワイヤであり、
前記検知部は、前記絶縁ワイヤと、前記絶縁ワイヤに接続される配線との電気的接続が解除されたことを検出することにより、前記プローブと前記絶縁ワイヤとの接触を検知する、
ことを特徴とする付記1に記載の半導体試験装置。
(付記3)
前記接触部材は、導電体であり、
前記検知部は、前記プローブと前記導電体とが電気的に接続されたことを検出することにより、前記プローブと前記導電体との接触を検知する、
ことを特徴とする付記1に記載の半導体試験装置。
(付記4)
前記接触部材は、同軸ケーブルであり、
前記同軸ケーブルを介して測定される高周波信号の電力又は電圧の変化を検出することにより、前記プローブと前記同軸ケーブルとの接触を検知する、
ことを特徴とする付記1に記載の半導体試験装置。
(付記5)
プローブカード基板と、
前記プローブカード基板に設けられたプローブと、
前記プローブカード基板に設けられ、前記プローブの上方に配置された接触部材と、
前記プローブと前記接触部材との接触を検知する検知部と、
を備えることを特徴とするプローブカード。
(付記6)
前記接触部材は、絶縁ワイヤであり、
前記検知部は、前記絶縁ワイヤと、前記絶縁ワイヤに接続される配線との電気的接続が解除されたことを検出することにより、前記プローブと前記絶縁ワイヤとの接触を検知する、
ことを特徴とする付記5に記載のプローブカード。
(付記7)
前記接触部材は、導電体であり、
前記検知部は、前記プローブと前記導電体とが電気的に接続されたことを検出することにより、前記プローブと前記導電体との接触を検知する、
ことを特徴とする付記5に記載のプローブカード。
(付記8)
前記接触部材は、同軸ケーブルであり、
前記同軸ケーブルを介して測定される高周波信号の電力又は電圧の変化を検出することにより、前記プローブと前記同軸ケーブルとの接触を検知する、
ことを特徴とする付記5に記載のプローブカード。
(付記9)
プローブカード基板に設けられたプローブを半導体ウエハの電極に接触させて半導体ウエハの電気的特性を試験する工程と、
前記プローブと、前記プローブカード基板に設けられ、前記プローブの上方に配置された接触部材との接触を検知する工程と、
を備えることを特徴とする半導体試験方法。
(付記10)
前記接触部材は、絶縁ワイヤであり、
前記検知する工程は、前記絶縁ワイヤと、前記絶縁ワイヤに接続される配線との電気的接続が解除されたことを検出することにより、前記プローブと前記絶縁ワイヤとの接触を検知する、
ことを特徴とする付記9に記載の半導体試験方法。
(付記11)
前記接触部材は、導電体であり、
前記検知する工程は、前記プローブと前記導電体とが電気的に接続されたことを検出することにより、前記プローブと前記導電体との接触を検知する、
ことを特徴とする付記9に記載の半導体試験方法。
(付記12)
前記接触部材は、同軸ケーブルであり、
前記検知する工程は、前記同軸ケーブルを介して測定される高周波信号の電力又は電圧の変化を検出することにより、前記プローブと前記同軸ケーブルとの接触を検知する、
ことを特徴とする付記9に記載の半導体試験方法。
2 半導体ウエハ
3 ステージ
4 プローブカード
5 テストヘッド
6 制御装置
7 計測装置
8 プローブ
8A 屈曲部
8B 先端部
9、10、11 電極端子
12 プローブカード基板
13 モールド樹脂
14 開口部
20 ケーブル
21 テスタ
30 電極
40 絶縁ワイヤ
41 突起部
42 内部配線
50 直流電源
51 電流計
52 抵抗
60 導電体
70 同軸ケーブル
Claims (6)
- プローブカード基板と、
前記プローブカード基板に設けられたプローブと、
前記プローブカード基板に設けられ、前記プローブの上方に配置された接触部材と、
前記プローブと前記接触部材との接触を検知する検知部と、
を備えることを特徴とする半導体試験装置。 - 前記接触部材は、絶縁ワイヤであり、
前記検知部は、前記絶縁ワイヤと、前記絶縁ワイヤに接続される配線との電気的接続が解除されたことを検出することにより、前記プローブと前記絶縁ワイヤとの接触を検知する、
ことを特徴とする請求項1に記載の半導体試験装置。 - 前記接触部材は、導電体であり、
前記検知部は、前記プローブと前記導電体とが電気的に接続されたことを検出することにより、前記プローブと前記導電体との接触を検知する、
ことを特徴とする請求項1に記載の半導体試験装置。 - 前記接触部材は、同軸ケーブルであり、
前記同軸ケーブルを介して測定される高周波信号の電力又は電圧の変化を検出することにより、前記プローブと前記同軸ケーブルとの接触を検知する、
ことを特徴とする請求項1に記載の半導体試験装置。 - プローブカード基板と、
前記プローブカード基板に設けられたプローブと、
前記プローブカード基板に設けられ、前記プローブの上方に配置された接触部材と、
前記プローブと前記接触部材との接触を検知する検知部と、
を備えることを特徴とするプローブカード。 - プローブカード基板に設けられたプローブを半導体ウエハの電極に接触させて半導体ウエハの電気的特性を試験する工程と、
前記プローブと、前記プローブカード基板に設けられ、前記プローブの上方に配置された接触部材との接触を検知する工程と、
を備えることを特徴とする半導体試験方法。
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