JP6233947B1 - 基板検査用プローブ、基板検査装置、及びそれらを用いた基板検査方法 - Google Patents

Abstract

超小型の表面実装部品、特にチップ部品やＱＦＰ・ＬＳＩの電極に確実容易に接触可能な基板検査用プローブを提供する。接触体（１０）は、一対の接触部材（１１，１２）それぞれの先端（１３，１４）近傍に形成された傾斜端面の組み合わせによる凸部又は凹部（１７）を備えている。一対の接触部材（１１，１２）のうち、一方は少なくとも傾斜端面が絶縁体（１１）、他方は良導体による接触電極（１２）で構成される。凸部又は凹部（１７）は、被検査基板（７０）に実装された表面実装部品（Ｒ１，Ｃ１，Ｒ２，）の端子電極（１，２）に傾斜端面で接触可能である。絶縁体（１１）が端子電極（１，２）の一方に当接することで、接触体（１０）は表面実装部品（Ｒ１，Ｃ１，Ｒ２）に対して位置決めされる。すると、接触電極（１２）が端子電極（１，２）の他方に接触導通して検査回路（９０）へ電気接続される。

Description

本発明は、基板検査用プローブ、基板検査装置、及びそれらを用いた基板検査方法に関し、特に小型の表面実装部品の端子電極に対し、直接に突端を接触させるようにした基板検査用プローブ、基板検査装置、及びそれらを用いた基板検査方法に関する。

回路基板検査装置は、検査対象となる回路基板（以下、「被検査基板」ともいう）の実装デバイス（以下、「被検査部品」ともいう）につながるパターンに、所定の面積及び形状のテストランドが配設されている。そのテストランドに基板検査装置のプローブを接触させることにより、プローブにつながる検査回路と、被検査部品とを検査可能に接続する。

また、携帯電話を始めとするような小型化を追求される商品において、その回路基板にはテストランドを配設するスペースを節約することが求められる。このような場合、被検査部品の電極を半田１６で実装された箇所が、テストランドに代えた接触部とされる。

また、小型の角型表面実装部品、いわゆるチップ部品は小型化を追及され続ける傾向にある。チップ部品の外形は直方体であり、その直方体の大きさを、基板実装面の平面視における「長さＬ×幅Ｗ」を（ｍｍ）の単位で表示し呼称される。例えば、「長さＬ×幅Ｗ」＝（１．６ｍｍ×０．８ｍｍ）であれば、「１６０８」と呼ばれる。同様に、（１．０ｍｍ×０．５ｍｍ）を「１００５」、（０．６ｍｍ×０．３ｍｍ）を「０６０３」、（０．４ｍｍ×０．２ｍｍ）を「０４０２」、（０．２ｍｍ×０．１ｍｍ）を「０２０１」、と呼ばれている。

異なる大きさのチップ部品を上述したなかで、「長さＬ×幅Ｗ」＝（１．６ｍｍ×０．８ｍｍ）の「１６０８」以上の大きさであれば、その電極に対する半田１６で実装の箇所、すなわちフィレットが平面視できる程度の面積である。そのフィレットを、テストランドに代えた接触部として、プローブを接触させることが容易かつ確実である。現状の技術では、「１００５」（平面視１．０ｍｍ×０．５ｍｍ）までならば、その電極につながるフィレットに、プローブを接触させることが可能である。

ところが、チップ部品も、ある程度（０．６ｍｍ×０．３ｍｍ）の「０６０３」以下にまで小型化されると、フィレットが平面視できない程に小さくなるので、テストランドに代えた接触部として、フィレットにプローブを接触させることは困難かつ不確実となる。

一方、（平面視０．４ｍｍ×０．２ｍｍ）や（平面視０．２ｍｍ×０．１ｍｍ）の超小型チップ部品も多数採用された被検査基板も多くなりつつある。さらに、（０．４ｍｍ×０．２ｍｍ）の「０４０２」や（０．２ｍｍ×０．１ｍｍ）の「０２０１」といった程度にまで超小型化されると、フィレットが隠れてしまう。この場合、テストランドに代えた接触部として、プローブを接触させることは不可能である。

また、検査精度を向上させるようにした回路基板検査装置及びそれを用いた検査方法が知られている（例えば、特許文献１を参照）。その回路基板検査装置は、プローブユニットを回路基板の一方の面側に配設してプローブユニットを回路基板の他方の面側に配設し、配線パターン上に規定された接触ポイントにプローブユニットのプローブのうちの対応する２本を接触させるように構成されたものである。

その回路基板検査装置を用いた検査方法は、配線パターン上に規定された接触ポイントにプローブユニットのプローブのうちの対応する２本を接触させ、接触ポイントに接触されているプローブを短絡させ、プローブを使用して内部導体に測定電流を供給し、プローブを使用して測定した接触ポイント間の電圧、及び測定電流に基づいて内部導体の抵抗を四端子法で測定して内部導体の検査を行う、という検査方法である。

しかしながら、特許文献１に記載の回路基板検査方法及び回路基板検査装置は、スルーホールを含む回路基板に対する検査精度を向上させるための技術であって、超小型チップ部品の電極に容易かつ確実に接触可能な基板検査用プローブ、基板検査装置、及びそれらを用いた基板検査方法ではなかった。

また、微細な検査点に二つの端子を接触させることが容易な基板検査用プローブ、基板検査装置、及びそれらを用いた基板検査方法も知られている（例えば、特許文献２を参照）。その構成は、各ニードルピンの軸線と傾斜して交差する先端面がそれぞれ形成された電流供給用ニードルピン及び電圧測定用ニードルピンと、各ニードルピンを一体に保持する保持部材と、を備える。また、保持部材は、電流供給用ニードルピンと電圧測定用ニードルピンとを平行に微小間隔を有して保持すると共に、先端面の頂部が相隣接する方向に配設されている、というものである。

しかしながら、特許文献２に記載の基板検査用プローブ、及びそれらを用いた基板検査装置も、超小型チップ部品の電極に容易かつ確実に接触可能な基板検査用プローブ、基板検査装置、及びそれらを用いた基板検査方法ではなかった。

また、画像処理などの高価な設備を用いることなく、プローブをチップ部品に接触させるだけの操作で、バイパスコンデンサなどのチップ部品の実装状態を検査可能とする回路基板検査装置も知られている（例えば、特許文献３を参照）。具体的には、チップ部品が回路基板側のハンダパッド上に実装されているかどうかを検査するため、第１，第２のプローブと、各プローブ間の電気的状態を計測する計測手段とを含み、第１プローブは、スイッチ手段を介して計測手段に選択的に接続される筒状プローブと、筒状プローブ内に挿通されバネ付勢されているプローブピンと、を備えた構成である。

また、上述したスイッチ手段により筒状プローブを計測手段に接続し、その傾斜面をチップ部品の一方のリード電極に接触させると共に、第２プローブをリード電極側のハンダパッドに連なる配線パターンに接触させ、計測手段にて筒状プローブと第２プローブとの間の電気的状態を計測する、というものである。

しかしながら、特許文献３に記載の回路基板検査装置は、チップ部品が、回路基板側のハンダパッド上に実装されているかどうか、を検査するための技術であって、超小型チップ部品の電極に容易かつ確実に接触可能な基板検査用プローブ、基板検査装置、及びそれらを用いた基板検査方法ではなかった。

特開２００９−１３９１８２号公報 特開２００４−２７９１３３号公報 特開２００８−１８５５９８号公報

本発明は、このような実情に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、超小型の表面実装部品の電極に容易かつ確実に接触可能な基板検査用プローブを提供することにある。より詳しくは、ある程度（例えば、チップ部品では平面視０．６ｍｍ×０．３ｍｍ、ＱＦＰでは端子間ピッチが０．４ｍｍ）以下にまで超小型化され、フィレットが平面視できない程に小さくなった表面実装部品の電極を、テストランドに代えた接触部とし、プローブを接触させることが容易かつ確実にできる基板検査用プローブ、基板検査装置、及びそれらを用いた基板検査方法を提供することを目的とする。

本発明は、このような目的を達成するためになされたもので、請求項１に記載の発明は、被検査基板（７０）の対象部に離接可能な接触体（１０，２０，３０，４０）が当接することにより検査回路（９０）へ電気接続する基板検査用プローブ（７７，７８，７９，８０）であって、
前記接触体（１０，２０，３０，４０）は、一対の接触部材（１１，１２，２１，２２，３１，３２，４１，４２）それぞれの先端（１３，１４，２３，２４，３３，３４）近傍に形成された傾斜端面（３，４）の組み合わせにより凸部（１８）又は凹部（１７）を設け、
前記一対の接触部材（１１，１２，２１，２２，３１，３２，４１，４２）のうち、一方は少なくとも前記傾斜端面（３）が絶縁体（１１，２１，３１，４１）であり、他方は良導体による接触電極（１２，２２，３２，４２，４２）で構成され、
前記凸部（１８）又は凹部（１７）は、前記被検査基板（７０）に実装された表面実装部品（５０，Ｒ１，Ｃ１，Ｒ２，Ｃ２）の端子電極（１，２，５１，５２）に前記傾斜端面（３，４）で接触可能であり、
前記絶縁体（１１）が前記端子電極（１，２，５１，５２）の一方に当接することにより、前記接触体（１０）は前記表面実装部品（５０，Ｒ１，Ｃ１，Ｒ２，Ｃ２）に対して位置決めをされると共に、
前記接触電極（１２）が前記端子電極（１，２，５１，５２）の他方に接触導通して検査回路（９０）へ電気接続するように構成された基板検査用プローブ（７７，７８，７９，８０）。

また、請求項２に記載の発明は、請求項１記載の基板検査用プローブ（７７）において、前記接触体（２０）は、一対の接触部材（２１，２２）それぞれの先端（２３，２４）近傍に山形の凸部（１８）が形成され、
該山形の凸部（１８）の中心には、前記一対の接触部材（２１，２２）の合わせ目にそれぞれの先端（２３，２４）から基端（１５）の方向へ隙間（Ｇ）が設けられ、
該隙間（Ｇ）は前記傾斜端面（３，４）が前記端子電極（５１，５２）に当接して押圧されることで弾力的に狭められる構成である。

また、請求項３に記載の発明は、鞘状部（８７）に挿通されて弾力的に進退自在の接触体（１０）が、被検査基板（７０）の対象部に当接して検査回路（９０）へ電気接続する基板検査用プローブ（８０）であって、
前記接触体（１０）は、一対の接触部材（１１，１２）それぞれの先端（１３，１４）が二股に分かれて形成された凹部（１７）の開口幅（Ｘ）を保持して進退するように構成され、
前記一対の接触部材（１１，１２）のうち、一方が絶縁体（１１）であり、他方は良導体による接触電極（１２）で構成され、
前記凹部（１７）の内側には、前記先端（１３，１４）から基端（１５）へ向かうにつれて奥細りするＶ字型勾配（Ｍ）が形成され、
該Ｖ字型勾配（Ｍ）は、前記被検査基板（７０）に実装された表面実装部品（５０，Ｒ１，Ｃ１，Ｒ２，Ｃ２）の両端に位置する端子電極（１，２）を挟持可能であり、
前記開口幅（Ｘ）は前記表面実装部品（Ｒ１，Ｃ１，Ｒ２，Ｃ２）の両端を含む最大外形長さ（Ｌ）よりも広く、
前記絶縁体（１１）が前記端子電極（１，２）の一方に当接することにより、前記接触体（１０）は前記表面実装部品（５０，Ｒ１，Ｃ１，Ｒ２，Ｃ２）の長手方向に対して位置決めをされると共に、
前記接触電極（１２）が前記端子電極（１，２）の他方に接触導通して検査回路（９０）へ電気接続するものである。

また、請求項４に記載の発明は、請求項３記載の基板検査用プローブ（８０）において、前記表面実装部品（Ｒ１，Ｃ１，Ｒ２，Ｃ２）は直方体のチップ部品（小型の角型表面実装部品）である。

また、請求項５に記載の発明は、請求項４記載の基板検査用プローブ（８０）において、前記直方体の大きさが実装状態における平面視１．６ｍｍ×０．８ｍｍ以下とするものである。

また、請求項６に記載の発明は、請求項１〜５の何れかに記載の基板検査用プローブ（７８，７９）において、前記接触体（３０，４０）は、長手方向の縮み応力に対し弾性限界内の湾曲状態から真っ直ぐな初期形状に復元可能な弾性素材のワイヤーで本体が構成され、該ワイヤーの基端部（１５）が、前記被検査基板（７０）への離接動作を行う前記プローブ基台（８８）に植設されたものである。

また、請求項７に記載の発明は、請求項１〜５の何れかに記載の基板検査用プローブ（７７，７８，７９，８０）を備えた基板検査装置（１００）である。

また、請求項８に記載の発明は、請求項６に記載の基板検査用プローブ（７９，８０）を備えた基板検査装置（１００）である。

また、請求項９に記載の発明は、基板検査用プローブ（８０）を被検査基板（７０）のテストポイント（６〜９）に当接することにより検査回路（９０）へ電気接続して所定の検査を行う基板検査方法であって、
前記被検査基板（７０）に実装された表面実装部品（５０，Ｒ１，Ｃ１，Ｒ２，Ｃ２）の長手方向の両端に位置する端子電極（１，２）そのものを前記テストポイント（６〜９）に設定するテストポイント設定工程（Ｓ１０）と、
前記基板検査用プローブ（８０）の鞘状部（８７）に挿通されて弾力的に進退自在の接触体（１０）を、前記テストポイント（６〜９）それぞれの上方に移動待機させる移動待機工程（Ｓ２０）と、
少なくとも内側の一部が絶縁体（１１）と良導体による接触電極（１２）とによって形成された凹部（１７）が、前記表面実装部品（５０，Ｒ１，Ｃ１，Ｒ２，Ｃ２）の長手方向の両端に位置する端子電極（１，２）を含む最大外形長さ（Ｌ）よりも広い幅（Ｘ）で開口し、該凹部（１７）の先端（１３，１４）から基端（１５）へ向かうにつれて奥細りするＶ字型勾配（Ｍ）が形成された前記接触体（１０）を、前記テストポイント（６〜９）に降下させるプローブ降下工程（Ｓ３０）と、
前記端子電極（１，２）の一方（１）に前記絶縁体（１１）が弾力的に当接しながら、前記凹部（１７）が前記端子電極（１，２）の両端を外側から挟持することにより前記接触体（１０）が前記表面実装部品（５０，Ｒ１，Ｃ１，Ｒ２，Ｃ２）の長手方向に対して位置決めする位置決め工程（Ｓ４０）と、
前記位置決めされた前記接触体（１０）のうち前記絶縁体（１１）と対をなす前記接触電極（１２）が前記端子電極（１，２）の他方（２）に接触導通して検査回路（９０）へ電気接続される検査回路接続工程（Ｓ５０）と、
前記表面実装部品（５０，Ｒ１，Ｃ１，Ｒ２，Ｃ２）に前記テストポイント（６〜９）経由で前記検査回路（９０）から検査信号を巡らせる検査信号巡回工程（Ｓ６０）と、
前記検査信号を巡らせた結果を検査回路（９０）により判定する結果判定工程（Ｓ７０）と、
前記接触体（１０）を前記テストポイント（６〜９）から離間させるように前記基板検査用プローブ（８０）を上昇させるプローブ上昇工程（Ｓ８０）と、
を有するものである。

本発明によれば、超小型の表面実装部品の電極に容易かつ確実に接触可能な基板検査用プローブを提供できる。より詳しくは、ある程度（例えば、チップ部品では平面視０．６ｍｍ×０．３ｍｍ、ＱＦＰでは端子間ピッチが０．４ｍｍ）以下にまで超小型され、フィレットが平面視できない程に小さくなった表面実装部品の電極を、テストランドに代えた接触部とし、プローブを接触させることが容易かつ確実にできる基板検査用プローブ、基板検査装置、及びそれらを用いた基板検査方法を提供できる。

本発明の第１実施例に係る基板検査用プローブ（以下、「本プローブ」ともいう）、本プローブを備えた基板検査装置（以下、「本装置」ともいう）、及びそれらを用いた基板検査方法（以下、「本方法」ともいう）の概略を説明するための回路図である。 本装置及び本プローブの概略構成を説明するための模式図である。 本装置及び本プローブの構成をより実態的に説明するため一部透視又は一部断面による正面図である。 本方法の手順を説明するためのフローチャートである。 ＱＦＰの実装状態を説明するための図であり、図５（Ａ）は平面図、図５（Ｂ）は一部拡大平面図、図５（Ｃ）は側断面図、図５（Ｄ）は一部拡大側断面図、図５（Ｅ）は使用状態の本プローブの一部拡大正面図、である。 本発明の第２実施例に係るプローブ（これも「本プローブ」と略称する）の概略構成及び使用実態を説明するための模式図である。 本発明の第３実施例に係るプローブ（これも「本プローブ」と略称する）の概略構成を説明するための正面図であり、図７（Ａ）は先端がテストポイントに到達直後の状態、図７（Ｂ）は圧接する状態、をそれぞれ示している。 第３実施例に係る本プローブを形成する接触体を説明するための模式図であり、図８（Ａ）は凹部の形状、図８（Ｂ）は凸部の形状である。

［第１実施例］
以下、第１実施例に係る本装置及び本方法について、図１〜図４を用いて詳細に説明する。なお、各図に亘って、同一効果の部材及び工程には、同一符号を付して説明の重複を避ける。図１は、本プローブ、本装置、及び本方法の概略を説明するための回路図である。図１に示すように、本装置１００は、本プローブ８０と、検査回路９０を備えて構成され、被検査基板（以下、「回路基板」、又は単に「基板」ともいう）７０を検査するものである。

本プローブ８０については、より詳細に後述する。検査回路９０は、信号源９１と、検出器９２と、切り替えスイッチＳＷ１〜ＳＷ４（以下、単に「ＳＷ１〜ＳＷ４」ともいう）と、を備えて構成されている。また、基板７０に実装された表面実装部品（以下、「チップ部品」ともいう）Ｒ１，Ｃ１，Ｒ２，Ｃ２の長手方向の両端に位置する端子電極１，２そのものが、テストポイント６〜９に設定されている。

基板７０には配線パターン７１〜７５が配設され、それら配線パターン７１〜７５の所定位置に、チップ部品Ｒ１，Ｃ１，Ｒ２，Ｃ２が半田１６で実装されている。これらのチップ部品Ｒ１，Ｃ１，Ｒ２，Ｃ２は、それぞれの両端に端子電極１，２が形成されている。チップ部品Ｒ１の端子電極１は、配線パターン７１に半田１６で実装され、チップ部品Ｒ１の端子電極２は、配線パターン７２に半田１６で実装されている。

その配線パターン７２には、チップ部品Ｃ１の端子電極１が半田１６で実装され、チップ部品Ｃ１の端子電極２は、配線パターン７３に半田１６で実装されている。その配線パターン７３には、チップ部品Ｒ２の端子電極２が半田１６で実装され、チップ部品Ｒ２の端子電極１は、配線パターン７４に半田１６で実装されている。

図２は、本装置の概略構成を説明するための模式図であり、チップ部品Ｃ１だけの検査について説明し易くしたものである。図１及び図２に示すように、基板７０に実装されたチップ部品Ｒ１，Ｃ１，Ｒ２，Ｃ２（図２，図３ではＣ２を省略）の何れかに対し、検査回路９０のＳＷ１〜ＳＷ４の操作により、本プローブ８０を介して、信号源９１及び検出器９２が電気接続される。例えば、ＳＷ１をＮ（ニュートラル）、ＳＷ２をＰ（端子）、ＳＷ３をＱ（端子）、ＳＷ４をＮ、に設定することにより、チップ部品Ｃ１が、本プローブ８０を介して、信号源９１及び検出器９２に電気接続される。

チップ部品Ｃ１以外のチップ部品Ｒ１，Ｒ２，Ｃ２の何れかに対しては、ＳＷ１〜ＳＷ４を適切に切り替え操作することにより、本プローブ８０を介して、信号源９１及び検出器９２に電気接続することが可能である。例えば、図１において、チップ部品Ｒ１に対しては、ＳＷ１をＰ、ＳＷ２をＱ、ＳＷ３，４をＮに設定する。同様に、チップ部品Ｒ２に対しては、ＳＷ３をＰ、ＳＷ４をＱ、ＳＷ１，２をＮに設定する。

なお、図１及び図２の記載範囲において、チップ部品Ｃ２を検査回路９０に閉回路構成することはできないが、単なる図面描写の制約に過ぎず、チップ部品Ｒ１，Ｃ１，Ｒ２と類似の方法で検査回路９０に閉回路構成できることはいうまでもない。

本プローブ８０は、鞘状部８７と、その鞘状部８７に挿通されて弾力的に進退自在の接触体１０と、によりテレスコピック構成されている。このように構成された本プローブ８０は、接触体１０が被検査基板７０において、任意に設定された対象部に当接して検査回路９０へ電気接続する。すなわち、本プローブ８０は、被検査基板７０に実装されたチップ部品Ｒ１，Ｃ１，Ｒ２，Ｃ２の何れか１つに設定された検査対象に当接して検査回路９０へ電気接続する。なお、何れか１つに設定する理由は、単に説明の便宜上のことであり、複数の検査対象を同時に検査する設定でも構わない。その場合は、検査回路９０を相応に充実させる必要がある。

以下、主に図２を用いて、接触体１０をより詳細に説明する。接触体１０は、一対の接触部材１１，１２を一体結合することにより構成されている。この接触体１０は、挿通された鞘状部８７の中で、揃って進退動作可能に支承されている。これら一対の接触部材１１，１２のうち、一方が絶縁体１１であり、他方は良導体による接触電極１２で構成されている。

また、基端１５から大部分を一体に結合された接触部材１１，１２は、それぞれの先端１３，１４が、二股に分かれて凹部１７を形成している。接触体１０は、この凹部１７の開口幅Ｘを保持して進退するように構成されている。この開口幅Ｘは表面実装部品Ｒ１，Ｃ１，Ｒ２（図２，図３ではＣ２を省略）の両端を含む最大外形長さＬよりも広い。

また、凹部１７の内側には、先端１３，１４から基端１５へ向かうにつれて奥細りするＶ字型勾配Ｍが形成されている。このＶ字型勾配Ｍは、被検査基板７０に実装された表面実装部品Ｒ１，Ｃ１，Ｒ２の両端に位置する端子電極１，２を挟持することが可能である。

本プローブ８０は、上述のように、凹部１７の内側にＶ字型勾配Ｍが形成された一対の接触部材１１，１２により接触体１０が構成されている。このため、接触体１０の一方の接触部材１１である絶縁体１１が、表面実装部品Ｒ１，Ｒ２それぞれの一方の端子電極１に当接することにより、接触体１０は表面実装部品Ｒ１，Ｒ２の長手方向に対して位置決めをされる。このように位置決めされた接触体１０の他方の接触部材１２である接触電極１２が、表面実装部品Ｒ１，Ｒ２それぞれの他方の端子電極２に接触導通して検査回路９０へ電気接続する。なお、このとき「位置決めされる」ことをセルフアライメント（Self-alignment）と呼ぶ場合もある。

凹部１７の内側に形成されたＶ字型勾配Ｍは、先端１３，１４が、長さＬよりも広い開口幅Ｘに設定され、基端１５へ向かうにつれて奥細りしている。長さＬとは、表面実装部品Ｒ１，Ｃ１，Ｒ２それぞれの長手方向の両端に位置する端子電極１，２を含む最大外形長さＬである。凹部１７は、その内側のＶ字型勾配Ｍの先端１３，１４の間口が、長さＬよりも広い開口幅Ｘを保持しているので、表面実装部品Ｒ１，Ｃ１，Ｒ２それぞれの端子電極１，２を、長手方向の両側から確実に挟持することが可能である。

本プローブ８０は、このような凹部１７を有するので、端子電極１，２の一方に対して絶縁体１１が当接することにより接触体１０の表面実装部品Ｒ１，Ｒ２の長手方向に対する位置決めできる。さらに、本プローブ８０は、位置決めされた凹部１７により、端子電極１，２の他方に対し、接触電極１２が直接に接触導通して検査回路９０へ電気接続する。

表面実装部品Ｒ１，Ｃ１，Ｒ２，Ｃ２は、直方体のチップ部品である。その直方体の大きさは、基板実装面の平面視において（長さＬ×幅Ｗ）＝（１．６ｍｍ×０．８ｍｍ）以下である。この長さＬは、表面実装部品Ｒ１，Ｃ１，Ｒ２，Ｃ２の両電極１，２が形成された両端の長さである。上述のように、凹部１７の先端１３，１４は、チップ部品Ｒ１，Ｃ１，Ｒ２，Ｃ２の長手方向の両端の長さＬよりも広い開口幅Ｘが保持され、内側には、奥細りのＶ字型勾配Ｍが形成されている。このため、凹部１７の先端１３，１４は、被検査基板７０に実装されたチップ部品Ｒ１，Ｃ１，Ｒ２，Ｃ２の端子電極１，２を、容易かつ確実に挟持することが可能である。

また、本プローブ８０は、接触体１０を被検査基板７０に接近し、表面実装部品Ｒ１，Ｃ１，Ｒ２，Ｃ２の両電極１，２を、一対の接触部材１１，１２により挟持する。その結果、両電極１，２には、接触部材１１，１２がそれぞれ当接する。ただし、接触部材１１，１２の一方が絶縁体１１であり、他方は良導体による接触電極１２であるため、両電極１，２のうち片方のみが検査回路９０へ電気接続される。このとき、一方の端子電極１に当接した絶縁体１１は、接触体１０を表面実装部品Ｒ１，Ｒ２の長手方向に対して位置決めする機能を発揮する。

図１及び図２に示して上述したように、ＳＷ１をＮ、ＳＷ２をＰ、ＳＷ３をＱ、ＳＷ４をＮ、に設定することにより、チップ部品Ｃ１が、本プローブ８０を介して、信号源９１及び検出器９２に電気接続される。この接続形態について、より詳細に説明する。

図２に示すように、チップ部品Ｃ１の端子電極１は、配線パターン７２を介してチップ部品Ｒ１の端子電極２に接続されている。また、チップ部品Ｃ１の端子電極２は、配線パターン７３を介してチップ部品Ｒ２の端子電極２に接続されている。ここで、チップ部品Ｃ１の単品機能を検査する場合、チップ部品Ｃ１の端子電極１，２を、両方共に検査回路９０に電気接続して閉回路を形成する必要がある。これに対し、チップ部品Ｃ１の端子電極１，２に、１つの本プローブ８０の先端１３，１４を直接に接続しなくても、配線パターン７２，７３を介して接続された他のチップ部品Ｒ１，Ｒ２それぞれの端子電極２に接続すれば良い。より具体的には以下のとおりである。

まず、検査回路９０の信号源９１から接続線９４を介して図２左側に位置する本プローブ８０の接触電極１２の基端１５まで接続されている。接触電極１２の先端１４から奥細りに形成されているＶ字型勾配Ｍが、チップ部品Ｒ１の端子電極２に接触導通する。チップ部品Ｒ１の端子電極２は、配線パターン７２を介してチップ部品Ｃ１の端子電極１に接続されている。このような経路で、チップ部品Ｃ１の端子電極１は、検査回路９０の信号源９１に接続されている。

一方、検査回路９０の信号源９１は接続線９３を介して検出器９２に直列接続され、その検出器９２から、接続線９５を介して図２右側に位置する本プローブ８０の接触電極１２の基端１５まで接続されている。接触電極１２の先端１４から奥細りに形成されているＶ字型勾配Ｍが、チップ部品Ｒ２の端子電極２に接触導通する。チップ部品Ｒ２の端子電極２は、配線パターン７３を介してチップ部品Ｃ１の端子電極２に接続されている。このような経路で、チップ部品Ｃ１の端子電極２は、検査回路９０の検出器９２に接続されている。

また、上述のように、図１において、チップ部品Ｃ１以外のチップ部品Ｒ１，Ｒ２，Ｃ２の何れかに対しては、ＳＷ１〜ＳＷ４を適切に切り替え操作することにより、本プローブ８０を介して、信号源９１及び検出器９２に電気接続することが可能である。さらに、図１〜図３の記載範囲において、チップ部品Ｃ１以外のチップ部品Ｒ１，Ｒ２，Ｃ２の何れかに対しては、本プローブ８０を非接触状態にしてから基板７０の実装面を平行移動することにより、適切な接続形態を実現できる。以下、図３を用いて本プローブ８０のより詳細な実施形態を説明する。

図３は本装置及び本プローブの構成をより実態的に説明するため一部透視又は一部断面による正面図である。図３に例示するように、本装置１００は、不図示の検査台上に水平に載置された基板７０に対し、平行な対面姿勢を維持しながら接近（矢印Ｄ方向）と離間（矢印Ｕ方向）の動作を自在にするプローブ基台８８を備えている。

なお、図２及び図３では、基板７０の上面を部品実装面として、その上方からプローブ基台８８が覆い被さる形態を例示しているが、これに限定するものではない。すなわち、本装置１００は、基板７０の両面が部品実装面であり、その上下両方からプローブ基台８８が覆い被さる形態であっても構わない。

図３の上方において、上下動作可能なプローブ基台８８には、適切な間隔をおいてプローブ植設孔８９が穿設されている。このプローブ植設孔８９には、本プローブ８０の基部を形成する円筒形の鞘状部８７が密嵌装着されており、適宜交換可能である。本プローブ８０は、鞘状部８７と、それに挿通されて弾力的に進退自在の接触体１０と、によりテレスコピック構成をなしている。また、鞘状部８７の奥には、接触体１０の基端部を押し出す方向に付勢するコイルバネ８１が配設されている。鞘状部８７と、接触体１０とは何れも導電部で密に電気接触を維持されている。

本プローブ８０は、接触体１０の周面に、半径方向に突出する回り止め突起８２が突設されており、これを摺動自在に受容する回り止めガイド長孔８３が、鞘状部８７の周面で軸方向に穿設されている。多数の本プローブ８０が林立するプローブ基台８８を上下動作させると、本プローブ８０の先端を形成する接触体１０も一体的に上下動作する。本プローブ８０を矢印Ｕ，Ｄ方向に昇降動作すれば、接触体１０を基板７０の部品実装面に離間と近接させることができる。

接触体１０は、一対の接触部材１１，１２により構成されており、これらが挿通された鞘状部８７の中で、揃って進退動作可能に支承されている。これら一対の接触部材１１，１２のうち、一方が絶縁体１１であり、他方は良導体による接触電極１２で構成されている。

絶縁体１１と接触電極１２との間には、両者に囲まれるように凹部１７が形成されている。凹部１７は、接触部材１１，１２が二股に分かれたそれぞれの先端１３，１４から基端１５へ向かうにつれて奥細りするＶ字型勾配Ｍにより形成されている。このＶ字型勾配Ｍは、先端１３，１４が長さＬよりも広く幅Ｘで開口し、基端１５へ向かうにつれて奥細りしている。

接触体１０は、テレスコピック構成のため、基板７０の部品実装面に柔軟に当接することにより電気接触する。電気接触した接触体１０は、検査対象と検査回路９０との導通状態を維持できるように構成されている。より具体的には、図２を用いて上述した要領で、被検査基板７０に実装されたチップ部品Ｒ１，Ｃ１，Ｒ２，Ｃ２の何れかに当接して検査回路９０へ電気接続する。以下に、図２を用いて本発明の典型例である第１実施例について、要点のみを簡略に説明する。

本プローブ８０は、被検査基板７０の対象部に当接して検査回路９０へ電気接続する接触体１０で主要構成されている。この接触体１０は、鞘状部８７に挿通されて弾力的に進退自在のテレスコピック構成である。また、接触体１０は、一方の絶縁体１１と他方の接触電極１２それぞれが、基端１５で結合して先端１３，１４で分かれた二股構造である。その二股構造の先端１３，１４が、開口幅Ｘを保持して一体的に進退する凹部１７を形成している。この凹部１７の内側は、先端１３，１４から基端１５へ向かうにつれて奥細りするＶ字型勾配Ｍを形成している。

この凹部１７は、被検査基板７０に実装された表面実装部品Ｒ１，Ｒ２の両端に位置する端子電極１，２を、Ｖ字型勾配Ｍに当接させて、二股の間に挟持することが可能である。この二股の開口幅Ｘは、表面実装部品Ｒ１，Ｒ２の両端を含む最大外形長さＬより広い。一方の端子電極１に絶縁体１１が当接すれば、その絶縁体１１を含んで一体構成の接触体１０は、表面実装部品Ｒ１，Ｒ２の長手方向に対して位置決めされる。すると、一体構成の接触体１０に含まれる接触電極１２が、他方の端子電極２に接触導通して検査回路９０へ容易かつ確実に電気接続される。

本発明によれば、超小型チップ部品Ｒ１，Ｃ１，Ｒ２，Ｃ２の電極１，２に容易かつ確実に接触可能な基板検査用プローブ（本プローブ）８０を提供できる。より詳しくは、ある程度（平面視０．６ｍｍ×０．３ｍｍ）以下にまで超小型され、フィレットが平面視できない程に小さくなったチップ部品Ｒ１，Ｃ１，Ｒ２，Ｃ２の電極１，２を、テストランドに代えた接触部とし、プローブ８０を接触させることが容易かつ確実にできる本プローブ８０、基板検査装置１００、及びそれらを用いた基板検査方法（本方法）を提供できる。以下、図４を用いて本方法の手順を説明する。

図４は、本方法の手順を説明するためのフローチャートである。本方法は、本プローブ８０を被検査基板７０のテストポイント６〜９に当接することにより検査回路９０へ電気接続して所定の検査を行う方法である。図４に示すように、本方法には、テストポイント設定工程（Ｓ１０）と、移動待機工程（Ｓ２０）と、プローブ降下工程（Ｓ３０）と、位置決め工程（Ｓ４０）と、検査回路接続工程（Ｓ５０）と、検査信号巡回工程（Ｓ６０）と、結果判定工程（Ｓ７０）と、プローブ上昇工程（Ｓ８０）と、を有している。

まず、テストポイント設定工程（Ｓ１０）では、被検査基板７０に実装された表面実装部品Ｒ１，Ｃ１，Ｒ２，Ｃ２の長手方向の両端に位置する端子電極１，２そのものをテストポイント６〜９に設定する。つぎに、移動待機工程（Ｓ２０）では、接触体１０をテストポイント６〜９それぞれの上方に移動待機させる。接触体１０は、本プローブ８０の鞘状部７に挿通されて弾力的に進退自在である。

つぎに、プローブ降下工程（Ｓ３０）では、本プローブ８０の接触体１０を、テストポイント６〜９（図１）に降下させる。この接触体１０は、その先の方に凹部１７が形成されている。この凹部１７は、少なくとも内側の一部が、絶縁体１１と、良導体による接触電極１２と、によって形成されている。また、凹部１７の先端１３，１４から基端１５へ向かうにつれて奥細りするＶ字型勾配Ｍが形成されている。凹部１７の開口された先端１３，１４は、チップ部品Ｒ１，Ｃ１，Ｒ２，Ｃ２の長手方向の両端に位置する端子電極１，２を含む最大外形長さＬよりも広い開口幅Ｘが保持されている。

つぎに、位置決め工程（Ｓ４０）では、一方の端子電極１に絶縁体１１が弾力的に当接される。このとき、凹部１７が端子電極１，２の両端を外側から挟持するように被さる。ここで、接触体１０が表面実装部品Ｒ１，Ｒ２の長手方向に対して位置決めされる。つぎに、検査回路接続工程（Ｓ５０）では、位置決めされた接触体１０のうち絶縁体１１と対をなす接触電極１２が、他方の端子電極２に接触導通して検査回路９０へ電気接続される。

つぎに、検査信号巡回工程（Ｓ６０）では、表面実装部品Ｒ１，Ｃ１，Ｒ２，Ｃ２にテストポイント６〜９（図１）経由で検査回路９０から検査信号を巡らせる。つぎに、結果判定工程（Ｓ７０）では、検査信号を巡らせた結果を検査回路９０により判定する。最後に、プローブ上昇工程（Ｓ８０）では、接触体１０をテストポイント６〜９（図１）から離間させるように本プローブ８０を上昇させる。以上の手順に示したとおり、本方法によれば、超小型チップ部品Ｒ１，Ｃ１，Ｒ２，Ｃ２の電極１，２に対して、本プローブ８０を容易かつ確実に接触可能である。

［第２実施例］
以下、ＱＦＰ（Quad Flat Package）に好適な第２実施例に係る本プローブについて、図５及び図６を用いて詳細に説明する。図５は、ＱＦＰの実装状態を説明するための図であり、図５（Ａ）は平面図、図５（Ｂ）は一部拡大平面図、図５（Ｃ）は側断面図、図５（Ｄ）は一部拡大側断面図、図５（Ｅ）は使用状態の本プローブの一部拡大正面図、である。

ＱＦＰは、その名の示すとおり、図５（Ａ）における平面視が概ね方形の薄型フラットパッケージにＬＳＩ（large-scale integration）が格納された表面実装型の電子デバイスである。すなわち、図５（Ｃ）及び図５（Ｄ）に示すように、ＱＦＰは、４辺から多数の端子がほぼ等間隔かつ緻密に突き出されており、プリント配線板の表面に半田付けで実装される。

図５（Ｂ）に示すように、このＱＦＰの端子間ピッチ、すなわち、隣接する端子それぞれの中心どうしの間隔については、現在のところ最小ピッチとして、０．４ｍｍのものが知られている。端子間ピッチが０．４ｍｍであれば、端子間の隙間はさらに狭い。

図６を用いてより詳しく後述するが、図５（Ｅ）に示すように、本プローブ７７は、一対の接触部材２１，２２、それぞれの先端２３，２４近傍に山形の凸部１８が形成された接触体２０を備えている。この凸部１８は、山形の両肩に概ね左右対称の傾斜端面３，４を有している。このような山形の傾斜端面３，４が、ＱＦＰの端子５１，５２間の狭い隙間に割り込んで押し広げるように当接する。

また、山形の凸部１８の中心には、一対の接触部材２１，２２、それぞれの先端２３，２４から基端１５の方向へ隙間Ｇが設けられている。すなわち、一対の接触部材２１，２２の合わせ目に、非接触部分が設けられ、その非接触部分が隙間Ｇを形成している。

本プローブ７７を矢印Ｄ方向に下降させると、傾斜端面３，４が端子電極５１，５２に当接して押圧される。このとき、山形の傾斜端面３，４は、両側から矢印Ｊ方向に押圧されるので、隙間Ｇは弾力的に狭められる。逆に、本プローブ７７を矢印Ｕ方向に上昇させると、傾斜端面３，４が端子電極５１，５２から離間して解放される。このとき、山形の傾斜端面３，４は、絶縁体（接触部材）２１、及び接触電極２２の素材が備える本来の弾性力によって、矢印Ｋに示す方向へと隙間Ｇが広げられる（図６参照）。

図６は、第２実施例に係る本プローブの概略構成及び使用実態を説明するための模式図である。上述した第１実施例の接触体１０は、その先の方に凹部１７が形成されている。これに対し、図６に示す第２実施例に係る本プローブ７７を形成する接触部２０は、その先の方に、凹部でなく山形の凸部１８が形成されている。

被検査基板７０の対象部に離接可能な本プローブ７７の接触体２０が、端子５１，５２に当接することによって、検査回路９０に電気接続する要領は、第１実施例により上述したとおりなので説明を省略する。接触体２０は、一対の接触部材２１，２２それぞれの先端２３，２４の近傍に形成された傾斜端面３，４の組み合わせにより凸部１８が設けられている。

これら一対の接触部材２１，２２のうち、少なくとも、一方の傾斜端面３は、絶縁体２１であり、他方は良導体による接触電極２２で構成されている。凸部１８は、被検査基板７０に実装された表面実装部品５０（以下、「ＱＦＴ５０」ともいう）の端子電極５１，５２に傾斜端面３，４で接触可能である。

一対の接触部材２１，２２のうち、一方の傾斜端面３をなす絶縁体２１が、一方の端子電極４１に当接することにより、接触体１０はＱＦＴ５０に対して位置決めをされる。すると、一対の接触部材２１，２２のうち、他方の傾斜端面４をなす接触電極１２が、他方の端子電極４２に接触導通して検査回路９０へ電気接続される。

［第３実施例］
以下、ＱＦＰ（Quad Flat Package）に好適な第３実施例について図７及び図８を用いて詳細に説明する。上述した第１，２実施形態の接触体１０，２０は、その基端部１５は、鞘状部８７に挿通されて弾力的に進退自在とするようにテレスコピック構成されている。これに対し、図７及び図８に示す第３実施例の接触体は、先端をとがらせた高弾性のワイヤー単独で構成された、いわゆるワイヤープローブ（wire Probe）である。このワイヤープローブは、自身が弓なりに弾性変形することにより、適正な押圧力が得られて良好に電気接触するように構成されている。

図７は、第３実施例に係る本プローブ７８，７９の概略構成を説明するための正面図であり、図７（Ａ）は先端がテストポイント６〜９（図１も参照）に到達直後の状態、図７（Ｂ）は圧接する状態、をそれぞれ示している。図７（Ａ）に示すように、本プローブ７８，７９を構成する接触体３０，４０は、プローブ基台８８に植設された弾性素材のワイヤーにより構成されている。

なお、本プローブ７８と、本プローブ７９と、の違い、及び接触体３０と、接触体４０との違いについては、図８を用いて後述するが、図７に係る説明の段階において、両者は同等である。また、テストポイント６〜９と、検査回路９０との接続については、図１を用いて説明したとおりである。

接触体３０，４０は、長手方向の縮み応力に対し、弾性限界内の湾曲状態から真っ直ぐな初期形状に復元可能な弾性素材、例えばピアノ線等によるワイヤーで構成されている。また、ワイヤーの基端部１５が、プローブ基台８８に植設され、ワイヤーの先端部は、ガイド板８５に穿設されたガイド孔８６に挿通されている。

なお、このワイヤープローブは、多数を支持して被検査基板７０への離接動作を一括して行うプローブ基台８８及びガイド板８５の機械的精度によって、テストポイント６〜９に命中する。さらに、このワイヤープローブは、ストローク限度を管理し、弾性限界を超えない範囲で用いることにより、屈伸動作が連続しても、湾曲状態から真っ直ぐな待機形状に戻れるのでピンポイントの的を外さない。

ワイヤープローブは、図５に示したＱＦＰ５０の端子５１，５２のような狭ピッチへの対応が可能である。例えば、ワイヤーφ０．０７ｍｍならば、１１０μｍピッチに対応可能である。図７（Ｂ）の矢印Ｔに示すように、プローブ基台８８の下降動作より、接触体３０，４０は、先端がテストポイント６〜９に当接し、接触導通して検査回路９０へ電気接続される。このとき、ワイヤーの中腹は、弾性限界内の湾曲状態であり、狭ピッチで使用しても高いピン圧力が得られる。さらに一体構造であるため、電気抵抗値が安定している。また、コイルバネを使用していないため、長寿命であり、例えば、１００万回程度の当接耐久性能が知られている。

なお、図７（Ｂ）の矢印Ｔに示した湾曲形状は、説明のために誇張しており、相互に接触しない程度にプローブ基台８８のストロークが制限されている。また、プローブ基台８８に比べて、ガイド板８５は少ないストロークであるため、被検査基板７０のテストポイント６〜９の近傍に待機し、ガイド孔８６に挿通された接触体３０，４０の水平位置を案内する。

図８は、第３実施例に係る本プローブを形成する接触体を説明するための模式図であり、図８（Ａ）は凹部の形状、図８（Ｂ）は凸部の形状である。図８（Ａ）に示すように、本プローブ７８は、例えば４５度の角度で傾斜した接触電極３２の先端に対し、同様に４５度の角度で傾斜した先端形状の絶縁体３１を（紙面の裏側から）接着することにより、内周にＶ字型勾配Ｍの凹部１７を有する接触体３０を構成している。接触体３０の凹部１７がチップ部品Ｒ１の端子１，２に接触する要領は、図２及び図３に示した第１実施例に係る接触体１０と同様である。

また、図８（Ｂ）に示すように、４５度の傾斜角で山形に形成された接触電極４２の先端に対し、絶縁体４１を被覆することにより、傾斜端面３を形成している。絶縁体４１は基端側を解放した形状であるほか、片側の傾斜端面４は良導体による接触電極４２を露出させる構成である。このため、接触体４０は、一方の傾斜端面３が絶縁体４１で、他方の傾斜端面４は良導体による接触電極４２という一対構成をなす。接触体４０の凸部１８がＱＦＰ５０の端子５１，５２に接触する要領は、図５及び図６に示した第２実施例に係る接触体２０と同様である。

なお、図８（Ｂ）に示した凸部１８について、例えば、山形の帽子形状の樹脂製部材における片側斜面に孔を開けた絶縁体４１を、接触体４０の先端に被覆することにより構成している。しかし、絶縁体４１は、接触電極４２に対して別部材を被覆することなく、接触電極４２の先端に絶縁酸化被膜を形成し、片側の傾斜端面４を研磨するなどして良導体による接触電極４２を露出させる構成にしても良い。

以上、説明したように、本発明によれば、超小型の表面実装部品の電極に容易かつ確実に接触可能な基板検査用プローブを提供できる。より詳しくは、ある程度（例えば、チップ部品では平面視０．６ｍｍ×０．３ｍｍ、ＱＦＰでは端子間ピッチが０．４ｍｍ）以下にまで超小型され、フィレットが平面視できない程に小さくなった表面実装部品の電極を、テストランドに代えた接触部とし、プローブを接触させることが容易かつ確実にできる基板検査用プローブ、基板検査装置、及びそれらを用いた基板検査方法を提供できる。

本発明に係る基板検査用プローブ、基板検査装置、及びそれらを用いた基板検査方法は、あらゆる電子機器を構成するプリント基板に半田付けされた超小型の表面実装部品、特にチップ部品やＱＦＰ・ＬＳＩに対する検査装置及びそれらを用いた検査方法に採用される可能性がある。

１，４１ （表面実装部品の一方の）端子電極、２，４２ （表面実装部品の他方の）端子電極、３，４ 傾斜端面、６〜９ テストポイント、１０，２０，３０，４０ 接触体、１１，２１，３１，４１ 絶縁体（接触部材）、１２，２２，３２，４２ 接触電極（接触部材）、１３，１４，２３，２４，３３，３４ （接触部材の）先端、１５ （表面実装部品の両電極の）基端、１６ 半田、１７ 凹部、１８ 凸部、５０（ＱＦＰ），Ｒ１，Ｃ１，Ｒ２，Ｃ２ 表面実装部品、７０ 被検査基板、７１〜７５ 配線パターン、７７，７８，７９，８０ 基板検査用プローブ（本プローブ）、８１ コイルバネ、８２ 回り止め突起、８３ 回り止めガイド長孔、８５ ガイド板、８６ ガイド孔、８７ （基板検査用プローブ８０の）鞘状部、８８ プローブ基台、８９ プローブ植設孔、９０ 検査回路、９１ 信号源、９２ 検出器、９３〜９５ 接続線、１００ 基板検査装置（本装置）、Ｄ，Ｊ，Ｋ，Ｕ 矢印、Ｇ 隙間、Ｌ （表面実装部品の両電極１，２を含む最大外形の）長さ、Ｍ Ｖ字型勾配、Ｓ１０ テストポイント設定工程、Ｓ２０ 移動待機工程、Ｓ３０ プローブ降下工程、Ｓ４０ 位置決め工程、Ｓ５０ 回路接続工程、Ｓ６０ 検査信号巡回工程、Ｓ７０ 結果判定工程、Ｓ８０ プローブ上昇工程、Ｗ （表面実装部品の両電極間の）幅、Ｘ （凹部１７の）開口幅、Ｙ （プローブ基台８８とガイド板８５との）間隔

Claims (9)

1. 被検査基板の対象部に離接可能な接触体が当接することにより検査回路へ電気接続する基板検査用プローブであって、
   前記接触体は、一対の接触部材それぞれの先端近傍に形成された傾斜端面の組み合わせにより凸部又は凹部を設け、
   前記一対の接触部材のうち、一方は少なくとも前記傾斜端面が絶縁体であり、他方は良導体による接触電極で構成され、
   前記凸部又は凹部は、前記被検査基板に実装された表面実装部品の端子電極に前記傾斜端面で接触可能であり、
   前記絶縁体が前記端子電極の一方に当接することにより、前記接触体は前記表面実装部品に対して位置決めをされると共に、
   前記接触電極が前記端子電極の他方に接触導通して検査回路へ電気接続するように構成された基板検査用プローブ。
2. 前記接触体は、一対の接触部材それぞれの先端近傍に山形の凸部が形成され、
   該山形の凸部の中心には、前記一対の接触部材の合わせ目にそれぞれの先端から基端の方向へ隙間が設けられ、
   該隙間は前記傾斜端面が前記端子電極に当接して押圧されることで弾力的に狭められる構成である請求項１記載の基板検査用プローブ。
3. 鞘状部に挿通されて弾力的に進退自在の接触体が、被検査基板の対象部に当接して検査回路へ電気接続する基板検査用プローブであって、
   前記接触体は、一対の接触部材それぞれの先端が二股に分かれて形成された凹部の開口幅を保持して進退するように構成され、
   前記一対の接触部材のうち、一方が絶縁体であり、他方は良導体による接触電極で構成され、
   前記凹部の内側には、前記先端から基端へ向かうにつれて奥細りするＶ字型勾配が形成され、
   該Ｖ字型勾配は、前記被検査基板に実装された表面実装部品の両端に位置する端子電極を挟持可能であり、
   前記開口幅は前記表面実装部品の両端を含む最大外形長さよりも広く、
   前記絶縁体が前記端子電極の一方に当接することにより、前記接触体は前記表面実装部品の長手方向に対して位置決めをされると共に、
   前記接触電極が前記端子電極の他方に接触導通して検査回路へ電気接続するように構成された基板検査用プローブ。
4. 前記表面実装部品は直方体のチップ部品である請求項３記載の基板検査用プローブ。
5. 前記直方体の大きさが実装状態における平面視１．６ｍｍ×０．８ｍｍ以下である請求項４記載の基板検査用プローブ。
6. 前記接触体は、長手方向の縮み応力に対し弾性限界内の湾曲状態から真っ直ぐな初期形状に復元可能な弾性素材のワイヤーで本体が構成され、該ワイヤーの基端部が、前記被検査基板への離接動作を行う前記プローブ基台に植設されている請求項１〜５の何れかに記載の基板検査用プローブ。
7. 請求項１〜５の何れかに記載の基板検査用プローブを備えた基板検査装置。
8. 請求項６に記載の基板検査用プローブを備えた基板検査装置。
9. 基板検査用プローブを被検査基板のテストポイントに当接することにより検査回路へ電気接続して所定の検査を行う基板検査方法であって、
   前記被検査基板に実装された表面実装部品の長手方向の両端に位置する端子電極そのものを前記テストポイントに設定するテストポイント設定工程と、
   前記基板検査用プローブの鞘状部に挿通されて弾力的に進退自在の接触体を、前記テストポイントそれぞれの上方に移動待機させる移動待機工程と、
   少なくとも内側の一部が絶縁体と良導体による接触電極とによって形成された凹部が、前記表面実装部品の長手方向の両端に位置する端子電極を含む最大外形長さよりも広い幅で開口し、該凹部の先端から基端へ向かうにつれて奥細りするＶ字型勾配が形成された前記接触体を、前記テストポイントに降下させるプローブ降下工程と、
   前記端子電極の一方に前記絶縁体が弾力的に当接しながら、前記凹部が前記端子電極の両端を外側から挟持することにより前記接触体が前記表面実装部品の長手方向に対して位置決めする位置決め工程と、
   前記位置決めされた前記接触体のうち前記絶縁体と対をなす前記接触電極が前記端子電極の他方に接触導通して検査回路へ電気接続される検査回路接続工程と、
   前記表面実装部品に前記テストポイント経由で前記検査回路から検査信号を巡らせる検査信号巡回工程と、
   前記検査信号を巡らせた結果を検査回路により判定する結果判定工程と、
   前記接触体を前記テストポイントから離間させるように前記基板検査用プローブを上昇させるプローブ上昇工程と、
   を有する基板検査方法。

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