JP2004335613A - 接触子案内部材、プローブカード及び半導体装置試験装置、並びに半導体装置の試験方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】半導体装置の突起状の外部接続端子に針状の接触子を安定して接触させる。
【解決手段】半導体装置3の一平面に配列された複数個の突起状の外部接続端子5に針状の接触子9を接触させて半導体装置3の電気的特性試験を行なうための半導体装置試験装置に使用され、接触子9を支持するためのプローブカード7であって、接触子9の先端部の配列に対応して、外部接続端子3の平面寸法以下でかつ接触子の先端部寸法よりも大きい口径の貫通孔11aをもつ接触子案内部材11を備えている。外部接続端子3と接触子9の接触時には、接触子9の先端部は横方向への移動範囲が貫通孔11aの内壁により規制されるので、接触子の先端部が外部接続端子の表面から滑り落ちるのを防止して、外部接続端子と接触子の安定した接触を実現できる。
【選択図】 図1
【解決手段】半導体装置3の一平面に配列された複数個の突起状の外部接続端子5に針状の接触子9を接触させて半導体装置3の電気的特性試験を行なうための半導体装置試験装置に使用され、接触子9を支持するためのプローブカード7であって、接触子9の先端部の配列に対応して、外部接続端子3の平面寸法以下でかつ接触子の先端部寸法よりも大きい口径の貫通孔11aをもつ接触子案内部材11を備えている。外部接続端子3と接触子9の接触時には、接触子9の先端部は横方向への移動範囲が貫通孔11aの内壁により規制されるので、接触子の先端部が外部接続端子の表面から滑り落ちるのを防止して、外部接続端子と接触子の安定した接触を実現できる。
【選択図】 図1
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、BGA(ボールグリットアレイ)やCSP(チップサイズパッケージ)、WLCSP(ウエハレベルCSP)、フリップチップなど、一平面に複数個の外部接続端子が配列された半導体装置の電気的特性試験を行なうための半導体装置試験装置、及びその試験装置に使用される接触子案内部材及びプローブカード、並びに半導体装置の試験方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
一般に、CSPやBGA、WLCSP、フリップチップなどの半導体装置は、マトリックス状に配列された複数の突起状のバンプ電極を備えている。バンプ電極は例えば半田や金などにより形成されている。
このような半導体装置において電気的特性試験を実施する際、バンプ電極に試験用の接触子が接触される。また、このような半導体装置は回路基板に搭載される際にはバンプ電極が回路基板の配線に接着されるので、すべてのバンプ電極の最上部の高さが均一であることが必要とされる。そこで、電気的特性試験の際には、バンプ電極の最上部の凹みや傷の発生を避けるために、試験用の接触子はバンプ電極の最上部を避けてバンプ電極に接触される。
【0003】
図14は、接触子としてのプローブピン(ポゴピンとも称される)の一例を示す構成図であり、(A)は全体を示す側面図、(B)はボール端子と接触する部分をボール端子と接触した状態を拡大して示す断面図である。
【0004】
コンタクトピン21は、コンタクトピン本体23と、本体23の一端に設けられたボール端子接触用コンタクト25と、本体23の他端に設けられた電極接触用コンタクト27により構成される。ボール端子接触用コンタクト25には、半導体装置3のバンプ電極(外部接続端子)5と接触する部分にテーパー状の半田ボール接触部25aが形成されている。ボール端子接触用コンタクト25と電極接触用コンタクト27は本体23内で電気的に接続されている。
【0005】
半導体装置3の電気的特性試験の際には、電極接触用コンタクト27と試験装置の電極が電気的に接続され、バンプ電極5がボール端子接触用コンタクト25の半田ボール接触部25a内に収容されてバンプ電極5とボール端子接触用コンタクト25が電気的に接続される。ここで、ボール端子接触用コンタクト25とバンプ電極5の接触面29は円状の線接触になる((B)参照)。これにより、バンプ電極5の頂点を損傷させることなくボール端子接触用コンタクト25とバンプ電極5を接触させることができる。
【0006】
しかし、接触子として図14に示したようなプローブピンを用いた場合には、1つの外部接続端子に対して1本の接触子しか接触させることができず、1つの外部接続端子に対して2本の接触子を接触させるケルビンコンタクト(Kelvin Contact)などの接触方法を行なうことができない。
【0007】
一方、針状の接触子を用いたプローブカード(カンチレバー型プローブカードと呼ばれる)によれば、1つの外部接続端子に対して2本以上の接触子を接触させることができる。カンチレバー型プローブカードは例えば特許文献1に開示されている。
【0008】
図15は、従来のカンチレバー型プローブカードの概略構成図であり、(A)は待機時の状態、(B)は試験時の状態を示す。
プローブカード31には、半導体装置3のバンプ電極5と電気的接続をとるための針状のプローブ針9が設けられている。プローブ針9の先端部はバンプ電極5の配列に対応して配置されている。
【0009】
プローブカード31の下方に、半導体装置3を位置決めするための可動ステージ(図示は省略)が設けられている。
試験時には、(B)に示すように、半導体装置3を搭載した可動ステージが上方側へ移動され、バンプ電極5とプローブ針9が接触される。
【0010】
【特許文献1】
特開平8−48996号公報
【0011】
【発明が解決しようとする課題】
図16は、従来のプローブカードの試験時の状態における不具合を示す図であって、プローブ針の先端部近傍を拡大して示す図であり、(A)は平面図、(B)は側面図である。
図16に示すように、カンチレバー型プローブカードを用いてプローブ針9を半導体装置3のバンプ電極5に接触させる場合、プローブ針9をバンプ電極5に頂点を避けて接触をさせると(一点鎖線位置参照)、プローブ針9の先端部がバンプ電極5の表面から滑り落ちてしまうことがあり(実線位置参照)、バンプ電極5とプローブ針9の安定した接触を図ることができないという不具合があった。
【0012】
そこで本発明は、半導体装置の外部接続端子に針状の接触子を安定して接触させることができる接触子案内部材、プローブカード及び半導体装置試験装置、並びに半導体装置の試験方法を提供することを目的とするものである。
【0013】
【課題を解決するための手段】
本発明の接触子案内部材は、半導体装置の一平面に配列された複数個の突起状の外部接続端子に針状の接触子を接触させて半導体装置の電気的特性試験を行なうための半導体装置試験装置に使用され、上記接触子を支持するためのプローブカードと半導体装置の間に配置されるものであり、上記接触子の先端部の配列に対応して、上記外部接続端子の平面寸法以下でかつ上記接触子の先端部寸法よりも大きい口径の貫通孔をもつものである。
【0014】
本発明のプローブカードは、半導体装置の一平面に配列された複数個の突起状の外部接続端子に針状の接触子を接触させて半導体装置の電気的特性試験を行なうための半導体装置試験装置に使用され、上記接触子を支持するためのものであって、本発明の接触子案内部材を備えているものである。
【0015】
本発明の半導体装置試験装置は、半導体装置の一平面に配列された複数個の突起状の外部接続端子に針状の接触子を接触させて半導体装置の電気的特性試験を行なうものであって、本発明の接触子案内部材を備えているものである。このような構成は例えば本発明のプローブカードを用いることにより実現できる。ただし、本発明の半導体装置試験装置は本発明のプローブカードを用いたものに限定されるものではなく、上記接触子案内部材はプローブカード以外の部材に支持されている構成であってもよい。
【0016】
本発明の半導体装置の試験方法は、半導体装置の一平面に配列された複数個の突起状の外部接続端子に針状の接触子を接触させて半導体装置の電気的特性試験を行なう方法であって、本発明の接触子案内部材を用い、上記外部接続端子と上記貫通孔を位置合わせして上記接触子案内部材を半導体装置の近傍に配置した状態で、上記接触子の先端部を上記貫通孔を介して上記外部接続端子と接触させる。
【0017】
本発明の接触子案内部材、プローブカード及び半導体装置試験装置、並びに半導体装置の試験方法によれば、半導体装置の外部接続端子と接触子の接触時には、接触子の先端部について、横方向(半導体装置の外部接続端子が配置される面と水平な方向)への移動範囲が貫通孔の内壁により規制されるので、接触子の先端部が外部接続端子の表面から滑り落ちるのを防止して、外部接続端子と接触子の安定した接触を実現できる。
【0018】
【発明の実施の形態】
本発明の接触子案内部材において、上記貫通孔の半導体装置側の開口はテーパー形状に形成されているようにしてもよい。
本発明のプローブカード及び半導体装置試験装置、並びに半導体装置の試験方法において、上記貫通孔の半導体装置側の開口がテーパー形状に形成されている上記接触子案内部材を用いるようにしてもよい。
これにより、半導体装置の外部接続端子への接触子案内部材の接触による外部接続端子の損傷を防止することができる。ここで、貫通孔のテーパー形状部分の最大開口寸法は外部接続端子の寸法よりも大きいことが好ましい。
【0019】
本発明の接触子案内部材において、上記接触子案内部材は被検査物の半導体装置と熱膨張係数が同等の材料により形成されているようにしてもよい。
本発明のプローブカード及び半導体装置試験装置、並びに半導体装置の試験方法において、上記接触子案内部材は被検査物の半導体装置と熱膨張係数が同等の材料により形成されている上記接触子案内部材を用いるようにしてもよい。
これにより、接触子案内部材と半導体装置の熱膨張係数の差が大きいことに起因して貫通孔と外部接続端子の位置がずれるのを防止することができる。例えば半導体装置の基板がシリコン基板である場合、接触子案内部材の材料として芳香族系液晶性樹脂(例えばエコノール(EKONOL、SOHIO社(米国)の登録商標))やセラミックなどを挙げることができる。
【0020】
本発明のプローブカードにおいて、上記接触子案内部材は半導体装置の上記一平面に対して垂直方向に移動可能に配置されているようにしてもよい。
本発明の半導体装置試験装置及び半導体装置の試験方法において、上記接触子案内部材は半導体装置の上記一平面に対して垂直方向に移動可能に配置されている上記プローブカードを用いるようにしてもよい。
これにより、外部接続端子を含む半導体装置への接触子案内部材による押圧を低減することができ、外部接続端子や半導体装置自体の損傷を防止することができる。
【0021】
本発明の接触子案内部材において、上記貫通孔の半導体装置とは反対側の開口はテーパー形状に形成されているようにしてもよい。
本発明のプローブカードにおいて、上記接触子案内部材は半導体装置の上記一平面に対して垂直方向に移動可能に配置されている態様において、上記貫通孔の半導体装置とは反対側の開口はテーパー形状に形成されており、上記接触子の先端部は、待機時には上記貫通孔の上記テーパー形状部分に対応する位置に配置されており、試験時には上記貫通孔の上記テーパー形状部分に沿って上記貫通孔の中央側に導かれて上記外部接続端子に接触するようにしてもよい。
この態様のプローブカードを、本発明の半導体装置試験装置及び半導体装置の試験方法に用いるようにしてもよい。その場合、待機時から試験時に移行する際に、接触子の先端部及び上記接触子案内部材のいずれか一方のみを移動させてもよいし、又は両方を移動させてもよい。
これにより、貫通孔のテーパー形状部分で接触子の先端部の汚れなどを取ることができ、接触子と外部接続端子の安定した接触を図ることができる。ここで、貫通孔のテーパー形状部分の最大開口寸法は外部接続端子の寸法よりも大きくてもよい。
【0022】
本発明のプローブカードにおいて、1つの上記貫通孔に対して少なくとも2本の上記接触子の先端部が配置されているようにしてもよい。
本発明の半導体装置試験装置及び半導体装置の試験方法において、1つの上記貫通孔に対して少なくとも2本の上記接触子の先端部が配置されている上記プローブカードを用いるようにしてもよい。
これにより、2本の接触子を1つの接触端子に接触させるケルビンコンタクトなどの接触方法による電気的特性試験を実現できる。
【0023】
【実施例】
図1は、接触子案内部材及びプローブカードの一実施例を示す概略構成図であり、(A)は一部断面で示す側面図、(B)は平面図である。図2はその実施例のプローブ針の先端部近傍を拡大して示す図であり、(A)は平面図、(B)は一部断面で示す側面図である。図1及び図2は電気的特性試験の待機時の状態を示している。図3は図1の実施例の試験時の状態を一部断面で示す側面図である。図4は試験時の状態のプローブ針の先端部近傍を拡大して示す図であり、(A)は平面図、(B)は一部断面で示す側面図である。図5は半導体装置試験装置の一実施例を示す概略構成図である。まず、図5を参照して半導体装置試験装置の一実施例を説明する。
【0024】
半導体装置を位置決めするための可動ステージ1が設けられている。可動ステージ1上には被検査物であるウエハ状又はチップ状の半導体装置3がバンプ電極(外部接続端子)5を上方に向けて搭載される。
可動ステージ1の上方にプローブカード7が設けられている。プローブカード7には半導体装置3のバンプ電極5の配列に対応して複数のプローブ針(接触子)9の先端部が配置されている。プローブカード7には、プローブ針9の先端部の配列に対応して貫通孔をもつプローブ針案内部材(接触子案内部材)11が設けられている。プローブカード7の構造の詳細については後述する。
プローブカード7の可動ステージ1とは反対側にインターフェース13と試験装置本体15が設けられている。インターフェース13はプローブカード7のプローブ針9を試験装置本体15の電源端子、接地端子、各種信号端子に電気的に接続するためのものである。
【0025】
図1から図4を参照してプローブカードの構造及び動作、並びに本発明の半導体装置の試験方法について説明する。
プローブカード7の基板7aは略円盤状で中央部に開口が形成されている。基板7aの上面(プローブ針9とは反対側の面)にはインターフェース13と電気的接続をとるための複数の電極7bが配置されている。各電極7bは基板7a内に設けられた内部配線(図示は省略)を介して対応するプローブ針9に接続されている。
【0026】
プローブ針9は、基板7aの下面から基板7aの中心側に向かって斜め下方に突出して設けられており、先端部が下方に屈曲されて設けられている。プローブ針9の先端部は半導体装置3のバンプ電極5の配列に対応して配置されている。図2及び図4に示すように、この実施例では1つのバンプ電極5に対して2本のプローブ針9が配置されている。図1から図5では複数のプローブ針9のうち一部のみを図示している。基板7aには、プローブ針9の先端部と基端部の間でプローブ針9を支持するためのプローブ針支持部材7cが設けられている。
【0027】
基板7aの下方に、プローブ針9の先端部及びバンプ電極5の配列に対応して貫通孔11aをもつプローブ針案内部材11が設けられている。貫通孔11aはバンプ電極5の寸法L1よりも小さい開口寸法L2で形成されている。プローブ針案内部材11はプローブ針支持部材7cの下面に設けられたつる巻バネ7dを介して基板7aに支持されており、基板7aに対して上下方向(半導体装置3のバンプ電極5が配列されている面に対して垂直な方向)に移動可能に設けられている。つる巻バネ7dは、例えばプローブ針9の配置(針立て)方向に対して45°ずらした4箇所に設けられているので、プローブ針9とは干渉しない。
【0028】
待機時には、図1及び図2に示すように、プローブ針9の先端部はプローブ針案内部材11の貫通孔11aの上方位置に配置されている。プローブ針9の先端部はバンプ電極5の頂点を避けた位置に対応して配置されている。
【0029】
試験時には、図3及び図4に示すように、可動ステージ1が上方へ移動されてバンプ電極5とプローブ針案内部材11が接触し、さらに可動ステージ1が上方へ移動されることにより半導体装置3及びプローブ針案内部材11が上方へ移動されてバンプ電極5とプローブ針9が接触する。
【0030】
図4に示すように、試験時において、プローブ針9の先端部がバンプ電極5の表面を滑って待機時の位置(一点鎖線位置参照)からバンプ電極5の周囲側へ移動しても、プローブ針9の先端部の移動範囲はプローブ針案内部材11の貫通孔11aの内壁により規制されるので、プローブ針9の先端部がバンプ電極5から滑り落ちるのを防止することができる(実線位置参照)。これにより、プローブ針9とバンプ電極5の安定した接触を図ることができる。
【0031】
この実施例において、半導体装置3の基板は例えばシリコン基板により形成されている。プローブ針案内部材11は、シリコン基板と熱膨張係数が近似している芳香族系液晶性樹脂により形成されている。これにより、この実施例を例えば80度や125度など、高温状態における電気的特性試験に用いても、半導体装置3の基板とプローブ針案内部材11の熱膨張係数の差に起因して貫通孔11aとバンプ電極5の位置がずれるのを防止することができ、プローブ針9をバンプ電極5に安定して接触させることができる。
【0032】
図6は、プローブカードの他の実施例のプローブ針の先端部近傍を拡大して一部断面で示す側面図であり、(A)は待機時の状態、(B)は試験時の状態を示す。図2から図4と同じ機能を果たす部分には同じ符号を付し、それらの部分の詳細な説明は省略する。
【0033】
この実施例が図2から図4に示した実施例と異なる点は、(A)に示すように、待機時の状態において、プローブ針9の先端部がプローブ針案内部材11の貫通孔11a内に配置されている点である。
このように、予めプローブ針9の先端部が貫通孔11a内に配置されていても、(B)に示すように、試験時には半導体装置3が上方へ移動されてバンプ電極5が貫通孔11a内に導かれ、プローブ針9とバンプ電極5が接触される。
この実施例においても、図2から図4を参照して説明した実施例と同様に、貫通孔11aによりプローブ針9の先端部の移動範囲を規制することができるので、プローブ針9とバンプ電極5の安定した接触を図ることができる。
【0034】
図7は、プローブカードのさらに他の実施例のプローブ針の先端部近傍を拡大して一部断面で示す側面図であり、(A)は待機時の状態、(B)は試験時の状態を示す。図2から図4と同じ機能を果たす部分には同じ符号を付し、それらの部分の詳細な説明は省略する。
【0035】
この実施例が図2から図4に示した実施例と異なる点は、(A)に示すように、待機時の状態において、プローブ針9の先端部が貫通孔11aを介してプローブ針案内部材11の半導体装置3側の面から突出している点である。
【0036】
(B)に示すように、試験時には、半導体装置3が上方へ移動されてプローブ針9の先端部とバンプ電極5が接触される。このとき、半導体装置3の上方への移動はバンプ電極5とプローブ針案内部材11が接触する前に停止される。
この実施例においても、図2から図4を参照して説明した実施例と同様に、貫通孔11aによりプローブ針9の先端部の移動範囲を規制することができるので、プローブ針9とバンプ電極5の安定した接触を図ることができる。
さらに、バンプ電極5とプローブ針案内部材11を接触させなくてもバンプ電極5とプローブ針9を接触させることができるので、バンプ電極5の損傷を防止することができる。
【0037】
図8は、接触子案内部材及びプローブカードのさらに他の実施例のプローブ針の先端部近傍を拡大して一部断面で示す側面図であり、(A)は待機時の状態、(B)は試験時の状態を示す。図2から図4と同じ機能を果たす部分には同じ符号を付し、それらの部分の詳細な説明は省略する。
【0038】
この実施例が図2から図4に示した実施例と異なる点は、プローブ針案内部材11の貫通孔11aの半導体装置3側にテーパー形状部分11bが設けられている点である。これにより、(B)に示すように、試験時において半導体装置3が上方へ移動されてバンプ電極5が貫通孔11a内に導かれるときに、バンプ電極5とプローブ針案内部材11を接触させることなく、プローブ針9とバンプ電極5を接触させることができる。
【0039】
この実施例においても、図2から図4を参照して説明した実施例と同様に、貫通孔11aによりプローブ針9の先端部の移動範囲を規制することができるので、プローブ針9とバンプ電極5の安定した接触を図ることができる。
さらに、バンプ電極5とプローブ針案内部材11を接触させることなくバンプ電極5とプローブ針9を接触させることができるので、バンプ電極5の損傷を防止することができる。
【0040】
この実施例では、(A)に示すように、待機時において、プローブ針9の先端部は貫通孔11aの上方に配置されているが、本発明はこれに限定されるものではなく、図7に示した実施例と同様に、プローブ針9の先端部を貫通孔11a内に予め配置しておいてもよい。
【0041】
図4、図6、図7及び図8では、プローブ針9の先端部について、一点鎖線位置からプローブ針9の長手方向に対してほぼ直交する方向(以下横方向という)にバンプ電極5表面を滑って実線位置に配置される例を示しているが、プローブ針9の先端部がバンプ電極5の表面を滑る方向は横方向に限定されるものではない。
【0042】
図9はプローブ針の先端部がバンプ電極表面を滑る方向の例を示す図であり、(A)は平面図、(B)は一部断面で示す側面図である。
図9に示すように、バンプ電極5の表面に接触したプローブ針9の先端部(実線位置参照)は、例えば一点鎖線位置に示すように、バンプ電極5の表面をあらゆる方向に滑ると考えられる(矢印参照)。
【0043】
本発明によれば、プローブ針9の先端部がバンプ電極5の表面をいかなる方向に滑っても、貫通孔11aによりプローブ針9の先端部の移動範囲を規制することができるので、プローブ針9とバンプ電極5の安定した接触を図ることができる。
【0044】
図10は、接触子案内部材及びプローブカードのさらに他の実施例のプローブ針の先端部近傍を拡大して示す図であり、(A)は平面図、(B)は待機時の状態を一部断面で示す側面図、(C)は試験時の状態を一部断面で示す側面図である。図2から図4と同じ機能を果たす部分には同じ符号を付し、それらの部分の詳細な説明は省略する。
【0045】
この実施例が図2から図4に示した実施例と異なる点は、プローブ針案内部材11の貫通孔11aの半導体装置3とは反対側にテーパー形状部分11cが設けられており、(A)の一点鎖線位置及び(B)に示すように、待機時には、プローブ針9の先端部はテーパー形状部分11cに対応する位置に配置されている点である。
【0046】
この実施例では、試験時において、(A)及び(C)に示すように、半導体装置3が上方へ移動されてバンプ電極5とプローブ針案内部材11が接触し、さらに半導体装置が上方へ移動されてバンプ電極5及びプローブ針案内部材11が上方へ移動されるときに、プローブ針9の先端部は、最初にテーパー形状部分11cに接触した後((C)の一点鎖線位置参照)、プローブ針案内部材11の上方移動にともなってテーパー形状部分11cに沿って貫通孔11aの中央側へ導かれてバンプ電極5に接触する((A)及び(C)の実線位置参照)。
【0047】
この実施例においても、図2から図4を参照して説明した実施例と同様に、貫通孔11aによりプローブ針9の先端部の移動範囲を規制することができるので、プローブ針9とバンプ電極5の安定した接触を図ることができる。
さらに、プローブ針9の先端部がテーパー形状部分11cの表面を移動するときにプローブ針9の先端部の汚れなどを取ることができるので、プローブ針9とバンプ電極5の接触をさらに安定させることができる。
【0048】
この実施例では、プローブ針案内部材11とバンプ電極5を接触させているが、本発明はこれに限定されるものではなく、図11に示すように、貫通孔11aの半導体装置3側にテーパー形状部分11bを設けておき、バンプ電極5とプローブ針案内部材11が接触しないようにして、バンプ電極5の損傷を防止するようにしてもよい。
【0049】
図10及び図11では、プローブ針9の先端部について、一点鎖線位置から横方向にテーパー形状部分11cの表面を滑って実線位置に配置される例を示しているが、プローブ針9の先端部がテーパー形状部分11cの表面を滑る方向は横方向に限定されるものではない。
【0050】
図12は、接触子案内部材及びプローブカードのさらに他の実施例のプローブ針の先端部近傍を拡大して示す図であり、(A)は平面図、(B)は待機時の状態を一部断面で示す側面図、(C)は試験時の状態を一部断面で示す側面図である。図10と同じ機能を果たす部分には同じ符号を付し、それらの部分の詳細な説明は省略する。
【0051】
この実施例が図10に示した実施例と異なる点は、プローブ針9の先端部は、試験時に半導体装置3及びプローブ針案内部材11が上方へ移動されたときにテーパー形状部分11cの表面をプローブ針9の長手方向とほぼ平行な方向に滑って貫通孔11aの中央側へ導かれてバンプ電極5に接触する点である。
【0052】
この実施例では、プローブ針9の先端部は、待機時にはテーパー形状部分11cに対応する位置に配置されており((A)の一点鎖線位置及び(B)参照)、試験時に半導体装置3及びプローブ針案内部材11が上方へ移動されたときに、最初にテーパー形状部分11cに接触した後((C)の一点鎖線位置参照)、プローブ針案内部材11の上方移動にともなってテーパー形状部分11cの表面を滑って貫通孔11aの中央側へ導かれてバンプ電極5に接触する((A)及び(C)の実線位置参照)。
【0053】
この実施例においても、上記の他の実施例と同様に、貫通孔11aによりプローブ針9の先端部の移動範囲を規制することができるので、プローブ針9とバンプ電極5の安定した接触を図ることができる。
さらに、プローブ針9の先端部はテーパー形状部分11cの表面をプローブ針9の長手方向とほぼ平行な方向に滑るように配置されているので、プローブ針9の先端部のうちバンプ電極5と接触する部分又はその部分に近い部分をテーパー形状部分11cと接触させることができ、プローブ針9の先端部の汚れなどを除去しやすくなる。
【0054】
この実施例では、プローブ針案内部材11とバンプ電極5を接触させているが、本発明はこれに限定されるものではなく、図13に示すように、貫通孔11aの半導体装置3側にテーパー形状部分11bを設けておき、バンプ電極5とプローブ針案内部材11が接触しないようにして、バンプ電極5の損傷を防止するようにしてもよい。
【0055】
以上、本発明の実施例を説明したが、上記の実施例では、プローブ針案内部材11を基板7aに対して上下方向に移動可能に設けるために、つる巻バネ7dを用いているが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば板バネやゴムなどの弾性体や伸縮可能な機構により、プローブ針案内部材11を基板7aに対して上下方向に移動可能に設けてもよい。
【0056】
また、プローブ針案内部材11を支持するための部材は弾性部材に限定されるものではなく、非弾性部材であってもよい。この場合、プローブ針案内部材11の位置は基板5aに対して固定されるが、図6を参照して説明した実施例のようにプローブ針9の先端部をプローブ針案内部材11の貫通孔11a内に配置するか、又は、図7を参照して説明した実施例のようにプローブ針9の先端部を貫通孔11aを介してプローブ針案内部材11の半導体装置3側の面から突出させて配置させておくことにより、プローブ針9とバンプ電極5を接触させることができる。
【0057】
また、プローブ針案内部材11を支持するための部材の配置位置は、プローブ針支持部材7cに限定されるものではなく、例えば基板7aなど、他の位置に設けてもよい。
【0058】
また、上記の実施例では、プローブ針案内部材11の厚みをバンプ電極5の高さ程度にしているが、本発明はこれに限定されるものではなく、プローブ針案内部材11の厚みは、プローブ針9の先端部の移動範囲を規制することができ、かつプローブ針9とバンプ電極5の接触を妨げない厚みであれば、どのような厚みであってもよい。
【0059】
また、上記の実施例では、1つのバンプ電極5に対して1本又は2本のプローブ針9を接触させているが、本発明はこれに限定されるものではなく、1つのバンプ電極に対して接触させるプローブ針の本数は何本であってもよい。
【0060】
また、図6から図13を参照して説明したプローブカードの各実施例は、図5に示した半導体装置試験装置の実施例に適用することができる。
また、図5に示した半導体装置試験装置の実施例では、プローブ針案内部材11はプローブカード7に支持されているが、本発明の半導体装置試験装置はこれに限定されるものではなく、プローブ針案内部材は、プローブカードとは別途設けられたプローブ針案内部材を支持するための専用部材に支持されるなど、プローブ針案内部材の貫通孔とプローブ針の先端部の位置合わせができる構成であれば、いかなる部材に支持されていてもよい。
【0061】
以上、本発明の実施例を説明したが、本発明はこれらに限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の範囲内で種々の変更が可能である。
【0062】
【発明の効果】
請求項1に記載の接触子案内部材では、半導体装置の一平面に配列された複数個の突起状の外部接続端子に針状の接触子を接触させて半導体装置の電気的特性試験を行なうための半導体装置試験装置に使用され、接触子を支持するためのプローブカードと半導体装置の間に配置されるものであり、接触子の先端部の配列に対応して、外部接続端子の平面寸法以下でかつ接触子の先端部寸法よりも大きい口径の貫通孔をもつようにしたので、半導体装置の外部接続端子と接触子の接触時に接触子の先端部が外部接続端子の表面から滑り落ちるのを防止することができ、外部接続端子と接触子の安定した接触を実現できる。
【0063】
請求項2に記載の接触子案内部材では、貫通孔の半導体装置側の開口はテーパー形状に形成されているようにしたので、半導体装置の外部接続端子への接触子案内部材の接触による外部接続端子の損傷を防止することができる。
【0064】
請求項3に記載の接触子案内部材では、接触子案内部材は被検査物の半導体装置と熱膨張係数が同等の材料により形成されているようにしたので、接触子案内部材と半導体装置の熱膨張係数の差が大きいことに起因して貫通孔と外部接続端子の位置がずれるのを防止することができる。
【0065】
請求項4に記載の接触子案内部材では、貫通孔の半導体装置とは反対側の開口はテーパー形状に形成されているようにしたので、貫通孔のテーパー形状部分で接触子の先端部の汚れなどを取ることができ、接触子と外部接続端子の安定した接触を図ることができる。
【0066】
請求項5に記載されたプローブカードでは、請求項1から4のいずれかに記載の接触子案内部材を備えているようにしたので、半導体装置の外部接続端子と接触子の接触時に接触子の先端部が外部接続端子の表面から滑り落ちるのを防止することができ、外部接続端子と接触子の安定した接触を実現できる。
【0067】
請求項6に記載されたプローブカードでは、1つの貫通孔に対して少なくとも2本の接触子の先端部が配置されているようにしたので、2本の接触子を1つの接触端子に接触させるケルビンコンタクトなどの接触方法による電気的特性試験を実現できる。
【0068】
請求項7に記載されたプローブカードでは、接触子案内部材は半導体装置の一平面に対して垂直方向に移動可能に配置されているようにしたので、外部接続端子を含む半導体装置への接触子案内部材による押圧を低減することができ、外部接続端子や半導体装置自体の損傷を防止することができる。
【0069】
請求項8に記載されたプローブカードでは、請求項7に記載されたプローブカードにおいて、接触子案内部材の貫通孔の半導体装置とは反対側の開口はテーパー形状に形成されており、接触子の先端部は、待機時には貫通孔のテーパー形状部分に対応する位置に配置されており、試験時には貫通孔のテーパー形状部分に沿って貫通孔の中央側に導かれて外部接続端子に接触するようにしたので、貫通孔のテーパー形状部分で接触子の先端部の汚れなどを取ることができ、接触子と外部接続端子の安定した接触を図ることができる。
【0070】
請求項9に記載された半導体装置試験装置では、請求項1から4のいずれかに記載の接触子案内部材を備え、半導体装置の試験時には、接触子案内部材を外部接続端子と貫通孔を位置合わせして半導体装置の近傍に配置し、貫通孔を介して接触子の先端部を外部接続端子に接触させるようにしたので、半導体装置の外部接続端子と接触子の接触時に接触子の先端部が外部接続端子の表面から滑り落ちるのを防止することができ、外部接続端子と接触子の安定した接触を実現できる。
【0071】
請求項10に記載された半導体装置試験装置では、接触子案内部材は接触子を支持するためのプローブカードに設けられており、そのプローブカードは請求項5から8のいずれかに記載のプローブカードの構成を備えているようにしたので、外部接続端子と接触子の安定した接触を実現できるとともに、請求項5から8のいずれかに記載のプローブカードの効果をもって試験を行なうことができる。
【0072】
請求項11に記載された半導体装置の試験方法では、請求項1から4のいずれかに記載の接触子案内部材を用い、外部接続端子と貫通孔を位置合わせして接触子案内部材を半導体装置の近傍に配置した状態で、接触子の先端部を貫通孔を介して外部接続端子と接触させるようにしたので、半導体装置の外部接続端子と接触子の接触時に接触子の先端部が外部接続端子の表面から滑り落ちるのを防止することができ、外部接続端子と接触子の安定した接触を実現できる。
【0073】
請求項12に記載された半導体装置の試験方法では、接触子を支持するためのプローブカードを用い、そのプローブカードとして請求項5から8のいずれかに記載のプローブカードの構成を備えているものを用いるようにしたので、外部接続端子と接触子の安定した接触を実現できるとともに、請求項5から8のいずれかに記載のプローブカードの効果をもって試験を行なうことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】接触子案内部材及びプローブカードの一実施例の待機時の状態を示す概略構成図であり、(A)は一部断面で示す側面図、(B)は平面図である。
【図2】同実施例の待機時の状態におけるプローブ針の先端部近傍を拡大して示す図であり、(A)は平面図、(B)は一部断面で示す側面図である。
【図3】同実施例の試験時の状態を一部断面で示す側面図である。
【図4】同実施例の試験時の状態におけるプローブ針の先端部近傍を拡大して示す図であり、(A)は平面図、(B)は一部断面で示す側面図である。
【図5】半導体装置試験装置の一実施例を示す概略構成図である。
【図6】プローブカードの他の実施例のプローブ針の先端部近傍を拡大して一部断面で示す側面図であり、(A)は待機時の状態、(B)は試験時の状態を示す。
【図7】プローブカードのさらに他の実施例のプローブ針の先端部近傍を拡大して一部断面で示す側面図であり、(A)は待機時の状態、(B)は試験時の状態を示す。
【図8】接触子案内部材及びプローブカードのさらに他の実施例のプローブ針の先端部近傍を拡大して一部断面で示す側面図であり、(A)は待機時の状態、(B)は試験時の状態を示す。
【図9】プローブ針の先端部がバンプ電極表面を滑る方向の例を示す図であり、(A)は平面図、(B)は一部断面で示す側面図である。
【図10】接触子案内部材及びプローブカードのさらに他の実施例のプローブ針の先端部近傍を拡大して示す図であり、(A)は平面図、(B)は待機時の状態を一部断面で示す側面図、(C)は試験時の状態を一部断面で示す側面図である。
【図11】接触子案内部材及びプローブカードのさらに他の実施例のプローブ針の先端部近傍を拡大して示す図であり、(A)は平面図、(B)は待機時の状態を一部断面で示す側面図、(C)は試験時の状態を一部断面で示す側面図である。
【図12】接触子案内部材及びプローブカードのさらに他の実施例のプローブ針の先端部近傍を拡大して示す図であり、(A)は平面図、(B)は待機時の状態を一部断面で示す側面図、(C)は試験時の状態を一部断面で示す側面図である。
【図13】接触子案内部材及びプローブカードのさらに他の実施例のプローブ針の先端部近傍を拡大して示す図であり、(A)は平面図、(B)は待機時の状態を一部断面で示す側面図、(C)は試験時の状態を一部断面で示す側面図である。
【図14】接触子としてのプローブピンの一例を示す構成図であり、(A)は全体を示す側面図、(B)はボール端子と接触する部分をボール端子と接触した状態を拡大して示す断面図である。
【図15】従来のカンチレバー型プローブカードの概略構成図であり、(A)は待機時の状態、(B)は試験時の状態を示す。
【図16】従来のカンチレバー型プローブカードの不具合を示す図であって、試験時の状態におけるプローブ針の先端部近傍を拡大して示す側面図であり、(A)は平面図、(B)は側面図である。
【符号の説明】
1 可動ステージ
3 半導体装置
5 バンプ電極
7 プローブカード
7a 基板
7b 電極
7c プローブ針支持部材
7d つる巻バネ
9 プローブ針
11 接触子案内部材
11a 貫通孔
11b,11c テーパー形状部分
13 インターフェース
15 試験装置本体
【発明の属する技術分野】
本発明は、BGA(ボールグリットアレイ)やCSP(チップサイズパッケージ)、WLCSP(ウエハレベルCSP)、フリップチップなど、一平面に複数個の外部接続端子が配列された半導体装置の電気的特性試験を行なうための半導体装置試験装置、及びその試験装置に使用される接触子案内部材及びプローブカード、並びに半導体装置の試験方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
一般に、CSPやBGA、WLCSP、フリップチップなどの半導体装置は、マトリックス状に配列された複数の突起状のバンプ電極を備えている。バンプ電極は例えば半田や金などにより形成されている。
このような半導体装置において電気的特性試験を実施する際、バンプ電極に試験用の接触子が接触される。また、このような半導体装置は回路基板に搭載される際にはバンプ電極が回路基板の配線に接着されるので、すべてのバンプ電極の最上部の高さが均一であることが必要とされる。そこで、電気的特性試験の際には、バンプ電極の最上部の凹みや傷の発生を避けるために、試験用の接触子はバンプ電極の最上部を避けてバンプ電極に接触される。
【0003】
図14は、接触子としてのプローブピン(ポゴピンとも称される)の一例を示す構成図であり、(A)は全体を示す側面図、(B)はボール端子と接触する部分をボール端子と接触した状態を拡大して示す断面図である。
【0004】
コンタクトピン21は、コンタクトピン本体23と、本体23の一端に設けられたボール端子接触用コンタクト25と、本体23の他端に設けられた電極接触用コンタクト27により構成される。ボール端子接触用コンタクト25には、半導体装置3のバンプ電極(外部接続端子)5と接触する部分にテーパー状の半田ボール接触部25aが形成されている。ボール端子接触用コンタクト25と電極接触用コンタクト27は本体23内で電気的に接続されている。
【0005】
半導体装置3の電気的特性試験の際には、電極接触用コンタクト27と試験装置の電極が電気的に接続され、バンプ電極5がボール端子接触用コンタクト25の半田ボール接触部25a内に収容されてバンプ電極5とボール端子接触用コンタクト25が電気的に接続される。ここで、ボール端子接触用コンタクト25とバンプ電極5の接触面29は円状の線接触になる((B)参照)。これにより、バンプ電極5の頂点を損傷させることなくボール端子接触用コンタクト25とバンプ電極5を接触させることができる。
【0006】
しかし、接触子として図14に示したようなプローブピンを用いた場合には、1つの外部接続端子に対して1本の接触子しか接触させることができず、1つの外部接続端子に対して2本の接触子を接触させるケルビンコンタクト(Kelvin Contact)などの接触方法を行なうことができない。
【0007】
一方、針状の接触子を用いたプローブカード(カンチレバー型プローブカードと呼ばれる)によれば、1つの外部接続端子に対して2本以上の接触子を接触させることができる。カンチレバー型プローブカードは例えば特許文献1に開示されている。
【0008】
図15は、従来のカンチレバー型プローブカードの概略構成図であり、(A)は待機時の状態、(B)は試験時の状態を示す。
プローブカード31には、半導体装置3のバンプ電極5と電気的接続をとるための針状のプローブ針9が設けられている。プローブ針9の先端部はバンプ電極5の配列に対応して配置されている。
【0009】
プローブカード31の下方に、半導体装置3を位置決めするための可動ステージ(図示は省略)が設けられている。
試験時には、(B)に示すように、半導体装置3を搭載した可動ステージが上方側へ移動され、バンプ電極5とプローブ針9が接触される。
【0010】
【特許文献1】
特開平8−48996号公報
【0011】
【発明が解決しようとする課題】
図16は、従来のプローブカードの試験時の状態における不具合を示す図であって、プローブ針の先端部近傍を拡大して示す図であり、(A)は平面図、(B)は側面図である。
図16に示すように、カンチレバー型プローブカードを用いてプローブ針9を半導体装置3のバンプ電極5に接触させる場合、プローブ針9をバンプ電極5に頂点を避けて接触をさせると(一点鎖線位置参照)、プローブ針9の先端部がバンプ電極5の表面から滑り落ちてしまうことがあり(実線位置参照)、バンプ電極5とプローブ針9の安定した接触を図ることができないという不具合があった。
【0012】
そこで本発明は、半導体装置の外部接続端子に針状の接触子を安定して接触させることができる接触子案内部材、プローブカード及び半導体装置試験装置、並びに半導体装置の試験方法を提供することを目的とするものである。
【0013】
【課題を解決するための手段】
本発明の接触子案内部材は、半導体装置の一平面に配列された複数個の突起状の外部接続端子に針状の接触子を接触させて半導体装置の電気的特性試験を行なうための半導体装置試験装置に使用され、上記接触子を支持するためのプローブカードと半導体装置の間に配置されるものであり、上記接触子の先端部の配列に対応して、上記外部接続端子の平面寸法以下でかつ上記接触子の先端部寸法よりも大きい口径の貫通孔をもつものである。
【0014】
本発明のプローブカードは、半導体装置の一平面に配列された複数個の突起状の外部接続端子に針状の接触子を接触させて半導体装置の電気的特性試験を行なうための半導体装置試験装置に使用され、上記接触子を支持するためのものであって、本発明の接触子案内部材を備えているものである。
【0015】
本発明の半導体装置試験装置は、半導体装置の一平面に配列された複数個の突起状の外部接続端子に針状の接触子を接触させて半導体装置の電気的特性試験を行なうものであって、本発明の接触子案内部材を備えているものである。このような構成は例えば本発明のプローブカードを用いることにより実現できる。ただし、本発明の半導体装置試験装置は本発明のプローブカードを用いたものに限定されるものではなく、上記接触子案内部材はプローブカード以外の部材に支持されている構成であってもよい。
【0016】
本発明の半導体装置の試験方法は、半導体装置の一平面に配列された複数個の突起状の外部接続端子に針状の接触子を接触させて半導体装置の電気的特性試験を行なう方法であって、本発明の接触子案内部材を用い、上記外部接続端子と上記貫通孔を位置合わせして上記接触子案内部材を半導体装置の近傍に配置した状態で、上記接触子の先端部を上記貫通孔を介して上記外部接続端子と接触させる。
【0017】
本発明の接触子案内部材、プローブカード及び半導体装置試験装置、並びに半導体装置の試験方法によれば、半導体装置の外部接続端子と接触子の接触時には、接触子の先端部について、横方向(半導体装置の外部接続端子が配置される面と水平な方向)への移動範囲が貫通孔の内壁により規制されるので、接触子の先端部が外部接続端子の表面から滑り落ちるのを防止して、外部接続端子と接触子の安定した接触を実現できる。
【0018】
【発明の実施の形態】
本発明の接触子案内部材において、上記貫通孔の半導体装置側の開口はテーパー形状に形成されているようにしてもよい。
本発明のプローブカード及び半導体装置試験装置、並びに半導体装置の試験方法において、上記貫通孔の半導体装置側の開口がテーパー形状に形成されている上記接触子案内部材を用いるようにしてもよい。
これにより、半導体装置の外部接続端子への接触子案内部材の接触による外部接続端子の損傷を防止することができる。ここで、貫通孔のテーパー形状部分の最大開口寸法は外部接続端子の寸法よりも大きいことが好ましい。
【0019】
本発明の接触子案内部材において、上記接触子案内部材は被検査物の半導体装置と熱膨張係数が同等の材料により形成されているようにしてもよい。
本発明のプローブカード及び半導体装置試験装置、並びに半導体装置の試験方法において、上記接触子案内部材は被検査物の半導体装置と熱膨張係数が同等の材料により形成されている上記接触子案内部材を用いるようにしてもよい。
これにより、接触子案内部材と半導体装置の熱膨張係数の差が大きいことに起因して貫通孔と外部接続端子の位置がずれるのを防止することができる。例えば半導体装置の基板がシリコン基板である場合、接触子案内部材の材料として芳香族系液晶性樹脂(例えばエコノール(EKONOL、SOHIO社(米国)の登録商標))やセラミックなどを挙げることができる。
【0020】
本発明のプローブカードにおいて、上記接触子案内部材は半導体装置の上記一平面に対して垂直方向に移動可能に配置されているようにしてもよい。
本発明の半導体装置試験装置及び半導体装置の試験方法において、上記接触子案内部材は半導体装置の上記一平面に対して垂直方向に移動可能に配置されている上記プローブカードを用いるようにしてもよい。
これにより、外部接続端子を含む半導体装置への接触子案内部材による押圧を低減することができ、外部接続端子や半導体装置自体の損傷を防止することができる。
【0021】
本発明の接触子案内部材において、上記貫通孔の半導体装置とは反対側の開口はテーパー形状に形成されているようにしてもよい。
本発明のプローブカードにおいて、上記接触子案内部材は半導体装置の上記一平面に対して垂直方向に移動可能に配置されている態様において、上記貫通孔の半導体装置とは反対側の開口はテーパー形状に形成されており、上記接触子の先端部は、待機時には上記貫通孔の上記テーパー形状部分に対応する位置に配置されており、試験時には上記貫通孔の上記テーパー形状部分に沿って上記貫通孔の中央側に導かれて上記外部接続端子に接触するようにしてもよい。
この態様のプローブカードを、本発明の半導体装置試験装置及び半導体装置の試験方法に用いるようにしてもよい。その場合、待機時から試験時に移行する際に、接触子の先端部及び上記接触子案内部材のいずれか一方のみを移動させてもよいし、又は両方を移動させてもよい。
これにより、貫通孔のテーパー形状部分で接触子の先端部の汚れなどを取ることができ、接触子と外部接続端子の安定した接触を図ることができる。ここで、貫通孔のテーパー形状部分の最大開口寸法は外部接続端子の寸法よりも大きくてもよい。
【0022】
本発明のプローブカードにおいて、1つの上記貫通孔に対して少なくとも2本の上記接触子の先端部が配置されているようにしてもよい。
本発明の半導体装置試験装置及び半導体装置の試験方法において、1つの上記貫通孔に対して少なくとも2本の上記接触子の先端部が配置されている上記プローブカードを用いるようにしてもよい。
これにより、2本の接触子を1つの接触端子に接触させるケルビンコンタクトなどの接触方法による電気的特性試験を実現できる。
【0023】
【実施例】
図1は、接触子案内部材及びプローブカードの一実施例を示す概略構成図であり、(A)は一部断面で示す側面図、(B)は平面図である。図2はその実施例のプローブ針の先端部近傍を拡大して示す図であり、(A)は平面図、(B)は一部断面で示す側面図である。図1及び図2は電気的特性試験の待機時の状態を示している。図3は図1の実施例の試験時の状態を一部断面で示す側面図である。図4は試験時の状態のプローブ針の先端部近傍を拡大して示す図であり、(A)は平面図、(B)は一部断面で示す側面図である。図5は半導体装置試験装置の一実施例を示す概略構成図である。まず、図5を参照して半導体装置試験装置の一実施例を説明する。
【0024】
半導体装置を位置決めするための可動ステージ1が設けられている。可動ステージ1上には被検査物であるウエハ状又はチップ状の半導体装置3がバンプ電極(外部接続端子)5を上方に向けて搭載される。
可動ステージ1の上方にプローブカード7が設けられている。プローブカード7には半導体装置3のバンプ電極5の配列に対応して複数のプローブ針(接触子)9の先端部が配置されている。プローブカード7には、プローブ針9の先端部の配列に対応して貫通孔をもつプローブ針案内部材(接触子案内部材)11が設けられている。プローブカード7の構造の詳細については後述する。
プローブカード7の可動ステージ1とは反対側にインターフェース13と試験装置本体15が設けられている。インターフェース13はプローブカード7のプローブ針9を試験装置本体15の電源端子、接地端子、各種信号端子に電気的に接続するためのものである。
【0025】
図1から図4を参照してプローブカードの構造及び動作、並びに本発明の半導体装置の試験方法について説明する。
プローブカード7の基板7aは略円盤状で中央部に開口が形成されている。基板7aの上面(プローブ針9とは反対側の面)にはインターフェース13と電気的接続をとるための複数の電極7bが配置されている。各電極7bは基板7a内に設けられた内部配線(図示は省略)を介して対応するプローブ針9に接続されている。
【0026】
プローブ針9は、基板7aの下面から基板7aの中心側に向かって斜め下方に突出して設けられており、先端部が下方に屈曲されて設けられている。プローブ針9の先端部は半導体装置3のバンプ電極5の配列に対応して配置されている。図2及び図4に示すように、この実施例では1つのバンプ電極5に対して2本のプローブ針9が配置されている。図1から図5では複数のプローブ針9のうち一部のみを図示している。基板7aには、プローブ針9の先端部と基端部の間でプローブ針9を支持するためのプローブ針支持部材7cが設けられている。
【0027】
基板7aの下方に、プローブ針9の先端部及びバンプ電極5の配列に対応して貫通孔11aをもつプローブ針案内部材11が設けられている。貫通孔11aはバンプ電極5の寸法L1よりも小さい開口寸法L2で形成されている。プローブ針案内部材11はプローブ針支持部材7cの下面に設けられたつる巻バネ7dを介して基板7aに支持されており、基板7aに対して上下方向(半導体装置3のバンプ電極5が配列されている面に対して垂直な方向)に移動可能に設けられている。つる巻バネ7dは、例えばプローブ針9の配置(針立て)方向に対して45°ずらした4箇所に設けられているので、プローブ針9とは干渉しない。
【0028】
待機時には、図1及び図2に示すように、プローブ針9の先端部はプローブ針案内部材11の貫通孔11aの上方位置に配置されている。プローブ針9の先端部はバンプ電極5の頂点を避けた位置に対応して配置されている。
【0029】
試験時には、図3及び図4に示すように、可動ステージ1が上方へ移動されてバンプ電極5とプローブ針案内部材11が接触し、さらに可動ステージ1が上方へ移動されることにより半導体装置3及びプローブ針案内部材11が上方へ移動されてバンプ電極5とプローブ針9が接触する。
【0030】
図4に示すように、試験時において、プローブ針9の先端部がバンプ電極5の表面を滑って待機時の位置(一点鎖線位置参照)からバンプ電極5の周囲側へ移動しても、プローブ針9の先端部の移動範囲はプローブ針案内部材11の貫通孔11aの内壁により規制されるので、プローブ針9の先端部がバンプ電極5から滑り落ちるのを防止することができる(実線位置参照)。これにより、プローブ針9とバンプ電極5の安定した接触を図ることができる。
【0031】
この実施例において、半導体装置3の基板は例えばシリコン基板により形成されている。プローブ針案内部材11は、シリコン基板と熱膨張係数が近似している芳香族系液晶性樹脂により形成されている。これにより、この実施例を例えば80度や125度など、高温状態における電気的特性試験に用いても、半導体装置3の基板とプローブ針案内部材11の熱膨張係数の差に起因して貫通孔11aとバンプ電極5の位置がずれるのを防止することができ、プローブ針9をバンプ電極5に安定して接触させることができる。
【0032】
図6は、プローブカードの他の実施例のプローブ針の先端部近傍を拡大して一部断面で示す側面図であり、(A)は待機時の状態、(B)は試験時の状態を示す。図2から図4と同じ機能を果たす部分には同じ符号を付し、それらの部分の詳細な説明は省略する。
【0033】
この実施例が図2から図4に示した実施例と異なる点は、(A)に示すように、待機時の状態において、プローブ針9の先端部がプローブ針案内部材11の貫通孔11a内に配置されている点である。
このように、予めプローブ針9の先端部が貫通孔11a内に配置されていても、(B)に示すように、試験時には半導体装置3が上方へ移動されてバンプ電極5が貫通孔11a内に導かれ、プローブ針9とバンプ電極5が接触される。
この実施例においても、図2から図4を参照して説明した実施例と同様に、貫通孔11aによりプローブ針9の先端部の移動範囲を規制することができるので、プローブ針9とバンプ電極5の安定した接触を図ることができる。
【0034】
図7は、プローブカードのさらに他の実施例のプローブ針の先端部近傍を拡大して一部断面で示す側面図であり、(A)は待機時の状態、(B)は試験時の状態を示す。図2から図4と同じ機能を果たす部分には同じ符号を付し、それらの部分の詳細な説明は省略する。
【0035】
この実施例が図2から図4に示した実施例と異なる点は、(A)に示すように、待機時の状態において、プローブ針9の先端部が貫通孔11aを介してプローブ針案内部材11の半導体装置3側の面から突出している点である。
【0036】
(B)に示すように、試験時には、半導体装置3が上方へ移動されてプローブ針9の先端部とバンプ電極5が接触される。このとき、半導体装置3の上方への移動はバンプ電極5とプローブ針案内部材11が接触する前に停止される。
この実施例においても、図2から図4を参照して説明した実施例と同様に、貫通孔11aによりプローブ針9の先端部の移動範囲を規制することができるので、プローブ針9とバンプ電極5の安定した接触を図ることができる。
さらに、バンプ電極5とプローブ針案内部材11を接触させなくてもバンプ電極5とプローブ針9を接触させることができるので、バンプ電極5の損傷を防止することができる。
【0037】
図8は、接触子案内部材及びプローブカードのさらに他の実施例のプローブ針の先端部近傍を拡大して一部断面で示す側面図であり、(A)は待機時の状態、(B)は試験時の状態を示す。図2から図4と同じ機能を果たす部分には同じ符号を付し、それらの部分の詳細な説明は省略する。
【0038】
この実施例が図2から図4に示した実施例と異なる点は、プローブ針案内部材11の貫通孔11aの半導体装置3側にテーパー形状部分11bが設けられている点である。これにより、(B)に示すように、試験時において半導体装置3が上方へ移動されてバンプ電極5が貫通孔11a内に導かれるときに、バンプ電極5とプローブ針案内部材11を接触させることなく、プローブ針9とバンプ電極5を接触させることができる。
【0039】
この実施例においても、図2から図4を参照して説明した実施例と同様に、貫通孔11aによりプローブ針9の先端部の移動範囲を規制することができるので、プローブ針9とバンプ電極5の安定した接触を図ることができる。
さらに、バンプ電極5とプローブ針案内部材11を接触させることなくバンプ電極5とプローブ針9を接触させることができるので、バンプ電極5の損傷を防止することができる。
【0040】
この実施例では、(A)に示すように、待機時において、プローブ針9の先端部は貫通孔11aの上方に配置されているが、本発明はこれに限定されるものではなく、図7に示した実施例と同様に、プローブ針9の先端部を貫通孔11a内に予め配置しておいてもよい。
【0041】
図4、図6、図7及び図8では、プローブ針9の先端部について、一点鎖線位置からプローブ針9の長手方向に対してほぼ直交する方向(以下横方向という)にバンプ電極5表面を滑って実線位置に配置される例を示しているが、プローブ針9の先端部がバンプ電極5の表面を滑る方向は横方向に限定されるものではない。
【0042】
図9はプローブ針の先端部がバンプ電極表面を滑る方向の例を示す図であり、(A)は平面図、(B)は一部断面で示す側面図である。
図9に示すように、バンプ電極5の表面に接触したプローブ針9の先端部(実線位置参照)は、例えば一点鎖線位置に示すように、バンプ電極5の表面をあらゆる方向に滑ると考えられる(矢印参照)。
【0043】
本発明によれば、プローブ針9の先端部がバンプ電極5の表面をいかなる方向に滑っても、貫通孔11aによりプローブ針9の先端部の移動範囲を規制することができるので、プローブ針9とバンプ電極5の安定した接触を図ることができる。
【0044】
図10は、接触子案内部材及びプローブカードのさらに他の実施例のプローブ針の先端部近傍を拡大して示す図であり、(A)は平面図、(B)は待機時の状態を一部断面で示す側面図、(C)は試験時の状態を一部断面で示す側面図である。図2から図4と同じ機能を果たす部分には同じ符号を付し、それらの部分の詳細な説明は省略する。
【0045】
この実施例が図2から図4に示した実施例と異なる点は、プローブ針案内部材11の貫通孔11aの半導体装置3とは反対側にテーパー形状部分11cが設けられており、(A)の一点鎖線位置及び(B)に示すように、待機時には、プローブ針9の先端部はテーパー形状部分11cに対応する位置に配置されている点である。
【0046】
この実施例では、試験時において、(A)及び(C)に示すように、半導体装置3が上方へ移動されてバンプ電極5とプローブ針案内部材11が接触し、さらに半導体装置が上方へ移動されてバンプ電極5及びプローブ針案内部材11が上方へ移動されるときに、プローブ針9の先端部は、最初にテーパー形状部分11cに接触した後((C)の一点鎖線位置参照)、プローブ針案内部材11の上方移動にともなってテーパー形状部分11cに沿って貫通孔11aの中央側へ導かれてバンプ電極5に接触する((A)及び(C)の実線位置参照)。
【0047】
この実施例においても、図2から図4を参照して説明した実施例と同様に、貫通孔11aによりプローブ針9の先端部の移動範囲を規制することができるので、プローブ針9とバンプ電極5の安定した接触を図ることができる。
さらに、プローブ針9の先端部がテーパー形状部分11cの表面を移動するときにプローブ針9の先端部の汚れなどを取ることができるので、プローブ針9とバンプ電極5の接触をさらに安定させることができる。
【0048】
この実施例では、プローブ針案内部材11とバンプ電極5を接触させているが、本発明はこれに限定されるものではなく、図11に示すように、貫通孔11aの半導体装置3側にテーパー形状部分11bを設けておき、バンプ電極5とプローブ針案内部材11が接触しないようにして、バンプ電極5の損傷を防止するようにしてもよい。
【0049】
図10及び図11では、プローブ針9の先端部について、一点鎖線位置から横方向にテーパー形状部分11cの表面を滑って実線位置に配置される例を示しているが、プローブ針9の先端部がテーパー形状部分11cの表面を滑る方向は横方向に限定されるものではない。
【0050】
図12は、接触子案内部材及びプローブカードのさらに他の実施例のプローブ針の先端部近傍を拡大して示す図であり、(A)は平面図、(B)は待機時の状態を一部断面で示す側面図、(C)は試験時の状態を一部断面で示す側面図である。図10と同じ機能を果たす部分には同じ符号を付し、それらの部分の詳細な説明は省略する。
【0051】
この実施例が図10に示した実施例と異なる点は、プローブ針9の先端部は、試験時に半導体装置3及びプローブ針案内部材11が上方へ移動されたときにテーパー形状部分11cの表面をプローブ針9の長手方向とほぼ平行な方向に滑って貫通孔11aの中央側へ導かれてバンプ電極5に接触する点である。
【0052】
この実施例では、プローブ針9の先端部は、待機時にはテーパー形状部分11cに対応する位置に配置されており((A)の一点鎖線位置及び(B)参照)、試験時に半導体装置3及びプローブ針案内部材11が上方へ移動されたときに、最初にテーパー形状部分11cに接触した後((C)の一点鎖線位置参照)、プローブ針案内部材11の上方移動にともなってテーパー形状部分11cの表面を滑って貫通孔11aの中央側へ導かれてバンプ電極5に接触する((A)及び(C)の実線位置参照)。
【0053】
この実施例においても、上記の他の実施例と同様に、貫通孔11aによりプローブ針9の先端部の移動範囲を規制することができるので、プローブ針9とバンプ電極5の安定した接触を図ることができる。
さらに、プローブ針9の先端部はテーパー形状部分11cの表面をプローブ針9の長手方向とほぼ平行な方向に滑るように配置されているので、プローブ針9の先端部のうちバンプ電極5と接触する部分又はその部分に近い部分をテーパー形状部分11cと接触させることができ、プローブ針9の先端部の汚れなどを除去しやすくなる。
【0054】
この実施例では、プローブ針案内部材11とバンプ電極5を接触させているが、本発明はこれに限定されるものではなく、図13に示すように、貫通孔11aの半導体装置3側にテーパー形状部分11bを設けておき、バンプ電極5とプローブ針案内部材11が接触しないようにして、バンプ電極5の損傷を防止するようにしてもよい。
【0055】
以上、本発明の実施例を説明したが、上記の実施例では、プローブ針案内部材11を基板7aに対して上下方向に移動可能に設けるために、つる巻バネ7dを用いているが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば板バネやゴムなどの弾性体や伸縮可能な機構により、プローブ針案内部材11を基板7aに対して上下方向に移動可能に設けてもよい。
【0056】
また、プローブ針案内部材11を支持するための部材は弾性部材に限定されるものではなく、非弾性部材であってもよい。この場合、プローブ針案内部材11の位置は基板5aに対して固定されるが、図6を参照して説明した実施例のようにプローブ針9の先端部をプローブ針案内部材11の貫通孔11a内に配置するか、又は、図7を参照して説明した実施例のようにプローブ針9の先端部を貫通孔11aを介してプローブ針案内部材11の半導体装置3側の面から突出させて配置させておくことにより、プローブ針9とバンプ電極5を接触させることができる。
【0057】
また、プローブ針案内部材11を支持するための部材の配置位置は、プローブ針支持部材7cに限定されるものではなく、例えば基板7aなど、他の位置に設けてもよい。
【0058】
また、上記の実施例では、プローブ針案内部材11の厚みをバンプ電極5の高さ程度にしているが、本発明はこれに限定されるものではなく、プローブ針案内部材11の厚みは、プローブ針9の先端部の移動範囲を規制することができ、かつプローブ針9とバンプ電極5の接触を妨げない厚みであれば、どのような厚みであってもよい。
【0059】
また、上記の実施例では、1つのバンプ電極5に対して1本又は2本のプローブ針9を接触させているが、本発明はこれに限定されるものではなく、1つのバンプ電極に対して接触させるプローブ針の本数は何本であってもよい。
【0060】
また、図6から図13を参照して説明したプローブカードの各実施例は、図5に示した半導体装置試験装置の実施例に適用することができる。
また、図5に示した半導体装置試験装置の実施例では、プローブ針案内部材11はプローブカード7に支持されているが、本発明の半導体装置試験装置はこれに限定されるものではなく、プローブ針案内部材は、プローブカードとは別途設けられたプローブ針案内部材を支持するための専用部材に支持されるなど、プローブ針案内部材の貫通孔とプローブ針の先端部の位置合わせができる構成であれば、いかなる部材に支持されていてもよい。
【0061】
以上、本発明の実施例を説明したが、本発明はこれらに限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の範囲内で種々の変更が可能である。
【0062】
【発明の効果】
請求項1に記載の接触子案内部材では、半導体装置の一平面に配列された複数個の突起状の外部接続端子に針状の接触子を接触させて半導体装置の電気的特性試験を行なうための半導体装置試験装置に使用され、接触子を支持するためのプローブカードと半導体装置の間に配置されるものであり、接触子の先端部の配列に対応して、外部接続端子の平面寸法以下でかつ接触子の先端部寸法よりも大きい口径の貫通孔をもつようにしたので、半導体装置の外部接続端子と接触子の接触時に接触子の先端部が外部接続端子の表面から滑り落ちるのを防止することができ、外部接続端子と接触子の安定した接触を実現できる。
【0063】
請求項2に記載の接触子案内部材では、貫通孔の半導体装置側の開口はテーパー形状に形成されているようにしたので、半導体装置の外部接続端子への接触子案内部材の接触による外部接続端子の損傷を防止することができる。
【0064】
請求項3に記載の接触子案内部材では、接触子案内部材は被検査物の半導体装置と熱膨張係数が同等の材料により形成されているようにしたので、接触子案内部材と半導体装置の熱膨張係数の差が大きいことに起因して貫通孔と外部接続端子の位置がずれるのを防止することができる。
【0065】
請求項4に記載の接触子案内部材では、貫通孔の半導体装置とは反対側の開口はテーパー形状に形成されているようにしたので、貫通孔のテーパー形状部分で接触子の先端部の汚れなどを取ることができ、接触子と外部接続端子の安定した接触を図ることができる。
【0066】
請求項5に記載されたプローブカードでは、請求項1から4のいずれかに記載の接触子案内部材を備えているようにしたので、半導体装置の外部接続端子と接触子の接触時に接触子の先端部が外部接続端子の表面から滑り落ちるのを防止することができ、外部接続端子と接触子の安定した接触を実現できる。
【0067】
請求項6に記載されたプローブカードでは、1つの貫通孔に対して少なくとも2本の接触子の先端部が配置されているようにしたので、2本の接触子を1つの接触端子に接触させるケルビンコンタクトなどの接触方法による電気的特性試験を実現できる。
【0068】
請求項7に記載されたプローブカードでは、接触子案内部材は半導体装置の一平面に対して垂直方向に移動可能に配置されているようにしたので、外部接続端子を含む半導体装置への接触子案内部材による押圧を低減することができ、外部接続端子や半導体装置自体の損傷を防止することができる。
【0069】
請求項8に記載されたプローブカードでは、請求項7に記載されたプローブカードにおいて、接触子案内部材の貫通孔の半導体装置とは反対側の開口はテーパー形状に形成されており、接触子の先端部は、待機時には貫通孔のテーパー形状部分に対応する位置に配置されており、試験時には貫通孔のテーパー形状部分に沿って貫通孔の中央側に導かれて外部接続端子に接触するようにしたので、貫通孔のテーパー形状部分で接触子の先端部の汚れなどを取ることができ、接触子と外部接続端子の安定した接触を図ることができる。
【0070】
請求項9に記載された半導体装置試験装置では、請求項1から4のいずれかに記載の接触子案内部材を備え、半導体装置の試験時には、接触子案内部材を外部接続端子と貫通孔を位置合わせして半導体装置の近傍に配置し、貫通孔を介して接触子の先端部を外部接続端子に接触させるようにしたので、半導体装置の外部接続端子と接触子の接触時に接触子の先端部が外部接続端子の表面から滑り落ちるのを防止することができ、外部接続端子と接触子の安定した接触を実現できる。
【0071】
請求項10に記載された半導体装置試験装置では、接触子案内部材は接触子を支持するためのプローブカードに設けられており、そのプローブカードは請求項5から8のいずれかに記載のプローブカードの構成を備えているようにしたので、外部接続端子と接触子の安定した接触を実現できるとともに、請求項5から8のいずれかに記載のプローブカードの効果をもって試験を行なうことができる。
【0072】
請求項11に記載された半導体装置の試験方法では、請求項1から4のいずれかに記載の接触子案内部材を用い、外部接続端子と貫通孔を位置合わせして接触子案内部材を半導体装置の近傍に配置した状態で、接触子の先端部を貫通孔を介して外部接続端子と接触させるようにしたので、半導体装置の外部接続端子と接触子の接触時に接触子の先端部が外部接続端子の表面から滑り落ちるのを防止することができ、外部接続端子と接触子の安定した接触を実現できる。
【0073】
請求項12に記載された半導体装置の試験方法では、接触子を支持するためのプローブカードを用い、そのプローブカードとして請求項5から8のいずれかに記載のプローブカードの構成を備えているものを用いるようにしたので、外部接続端子と接触子の安定した接触を実現できるとともに、請求項5から8のいずれかに記載のプローブカードの効果をもって試験を行なうことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】接触子案内部材及びプローブカードの一実施例の待機時の状態を示す概略構成図であり、(A)は一部断面で示す側面図、(B)は平面図である。
【図2】同実施例の待機時の状態におけるプローブ針の先端部近傍を拡大して示す図であり、(A)は平面図、(B)は一部断面で示す側面図である。
【図3】同実施例の試験時の状態を一部断面で示す側面図である。
【図4】同実施例の試験時の状態におけるプローブ針の先端部近傍を拡大して示す図であり、(A)は平面図、(B)は一部断面で示す側面図である。
【図5】半導体装置試験装置の一実施例を示す概略構成図である。
【図6】プローブカードの他の実施例のプローブ針の先端部近傍を拡大して一部断面で示す側面図であり、(A)は待機時の状態、(B)は試験時の状態を示す。
【図7】プローブカードのさらに他の実施例のプローブ針の先端部近傍を拡大して一部断面で示す側面図であり、(A)は待機時の状態、(B)は試験時の状態を示す。
【図8】接触子案内部材及びプローブカードのさらに他の実施例のプローブ針の先端部近傍を拡大して一部断面で示す側面図であり、(A)は待機時の状態、(B)は試験時の状態を示す。
【図9】プローブ針の先端部がバンプ電極表面を滑る方向の例を示す図であり、(A)は平面図、(B)は一部断面で示す側面図である。
【図10】接触子案内部材及びプローブカードのさらに他の実施例のプローブ針の先端部近傍を拡大して示す図であり、(A)は平面図、(B)は待機時の状態を一部断面で示す側面図、(C)は試験時の状態を一部断面で示す側面図である。
【図11】接触子案内部材及びプローブカードのさらに他の実施例のプローブ針の先端部近傍を拡大して示す図であり、(A)は平面図、(B)は待機時の状態を一部断面で示す側面図、(C)は試験時の状態を一部断面で示す側面図である。
【図12】接触子案内部材及びプローブカードのさらに他の実施例のプローブ針の先端部近傍を拡大して示す図であり、(A)は平面図、(B)は待機時の状態を一部断面で示す側面図、(C)は試験時の状態を一部断面で示す側面図である。
【図13】接触子案内部材及びプローブカードのさらに他の実施例のプローブ針の先端部近傍を拡大して示す図であり、(A)は平面図、(B)は待機時の状態を一部断面で示す側面図、(C)は試験時の状態を一部断面で示す側面図である。
【図14】接触子としてのプローブピンの一例を示す構成図であり、(A)は全体を示す側面図、(B)はボール端子と接触する部分をボール端子と接触した状態を拡大して示す断面図である。
【図15】従来のカンチレバー型プローブカードの概略構成図であり、(A)は待機時の状態、(B)は試験時の状態を示す。
【図16】従来のカンチレバー型プローブカードの不具合を示す図であって、試験時の状態におけるプローブ針の先端部近傍を拡大して示す側面図であり、(A)は平面図、(B)は側面図である。
【符号の説明】
1 可動ステージ
3 半導体装置
5 バンプ電極
7 プローブカード
7a 基板
7b 電極
7c プローブ針支持部材
7d つる巻バネ
9 プローブ針
11 接触子案内部材
11a 貫通孔
11b,11c テーパー形状部分
13 インターフェース
15 試験装置本体
Claims (12)
- 半導体装置の一平面に配列された複数個の突起状の外部接続端子に針状の接触子を接触させて半導体装置の電気的特性試験を行なうための半導体装置試験装置に使用され、前記接触子を支持するためのプローブカードと半導体装置の間に配置されるものであり、前記接触子の先端部の配列に対応して、前記外部接続端子の平面寸法以下でかつ前記接触子の先端部寸法よりも大きい口径の貫通孔をもつ接触子案内部材。
- 前記貫通孔の半導体装置側の開口はテーパー形状に形成されている請求項1に記載の接触子案内部材。
- 前記接触子案内部材は被検査物の半導体装置と熱膨張係数が同等の材料により形成されている請求項1又は2に記載の接触子案内部材。
- 前記貫通孔の半導体装置とは反対側の開口はテーパー形状に形成されている請求項1から3のいずれかに記載の接触子案内部材。
- 半導体装置の一平面に配列された複数個の突起状の外部接続端子に針状の接触子を接触させて半導体装置の電気的特性試験を行なうための半導体装置試験装置に使用され、前記接触子を支持するためのプローブカードにおいて、
請求項1から4のいずれかに記載の接触子案内部材を備えていることを特徴とするプローブカード。 - 1つの前記貫通孔に対して少なくとも2本の前記接触子の先端部が配置されている請求項5に記載のプローブカード。
- 前記接触子案内部材は半導体装置の前記一平面に対して垂直方向に移動可能に配置されている請求項5又は6に記載のプローブカード。
- 前記接触子案内部材の前記貫通孔の半導体装置とは反対側の開口はテーパー形状に形成されており、前記接触子の先端部は、待機時には前記貫通孔の前記テーパー形状部分に対応する位置に配置されており、試験時には前記貫通孔の前記テーパー形状部分に沿って前記貫通孔の中央側に導かれて前記外部接続端子に接触する請求項7に記載のプローブカード。
- 半導体装置の一平面に配列された複数個の突起状の外部接続端子に針状の接触子を接触させて半導体装置の電気的特性試験を行なうための半導体装置試験装置において、
請求項1から4のいずれかに記載の接触子案内部材を備え、
半導体装置の試験時には、前記接触子案内部材を前記外部接続端子と前記貫通孔を位置合わせして半導体装置の近傍に配置し、前記貫通孔を介して前記接触子の先端部を前記外部接続端子に接触させることを特徴とする半導体装置試験装置。 - 前記接触子案内部材は前記接触子を支持するためのプローブカードに設けられており、そのプローブカードは請求項5から8のいずれかに記載のプローブカードの構成を備えている請求項9に記載の半導体装置試験装置。
- 半導体装置の一平面に配列された複数個の突起状の外部接続端子に針状の接触子を接触させて半導体装置の電気的特性試験を行なう半導体装置の試験方法において、
請求項1から4のいずれかに記載の接触子案内部材を用い、
前記外部接続端子と前記貫通孔を位置合わせして前記接触子案内部材を半導体装置の近傍に配置した状態で、前記接触子の先端部を前記貫通孔を介して前記外部接続端子と接触させることを特徴とする半導体装置の試験方法。 - 前記接触子を支持するためのプローブカードを用い、そのプローブカードとして請求項5から8のいずれかに記載のプローブカードの構成を備えているものを用いる請求項11に記載の半導体装置の試験方法。
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