JP2013190403A - 不純物分析装置及び方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本実施形態によれば、不純物分析方法は、基板上に形成されたシリコン含有膜を気相分解し、気相分解後、前記基板を第1温度で加熱し、前記第1温度での加熱後、前記基板を前記第1温度より高い第2温度で加熱して、前記シリコン含有膜の表面に析出したシリコン化合物を除去し、前記第2温度での加熱後、回収液を前記基板表面に滴下して基板表面を移動させて、金属を前記回収液に回収し、前記回収液を乾燥させて、乾燥痕を蛍光X線分析する。
【選択図】図1
Description
11 気相分解部
12 加熱部
13 試料回収部
20 蛍光X線分析装置
30 搬送装置
Claims (7)
- 基板上に形成されたシリコン含有膜を気相分解し、
気相分解後、前記基板を120℃未満で加熱し、
120℃未満での加熱後、前記基板を180℃以上240℃以下で加熱して、前記シリコン含有膜の表面に析出したシリコン化合物を除去し、
前記基板を180℃以上240℃以下で加熱した後、前記基板表面にフッ化水素酸蒸気を供給して、前記基板表面を疎水性にし、
疎水性の前記基板表面に対して回収液を滴下して基板表面を移動させて、金属を前記回収液に回収し、
前記回収液を乾燥させて、乾燥痕を蛍光X線分析することを特徴とする不純物分析方法。 - 基板上に形成されたシリコン含有膜を気相分解し、
気相分解後、前記基板を第1温度で加熱し、
前記第1温度での加熱後、前記基板を前記第1温度より高い第2温度で加熱して、前記シリコン含有膜の表面に析出したシリコン化合物を除去し、
前記第2温度での加熱後、回収液を前記基板表面に滴下して基板表面を移動させて、金属を前記回収液に回収し、
前記回収液を乾燥させて、乾燥痕を蛍光X線分析することを特徴とする不純物分析方法。 - 前記第2温度は、180℃以上240℃以下であることを特徴とする請求項2に記載の不純物分析方法。
- 前記第1温度は120℃未満であることを特徴とする請求項2又は3に記載の不純物分析方法。
- 前記第2温度での加熱後、前記回収液を滴下する前に、前記基板表面にフッ化水素酸蒸気を供給して、前記基板表面を疎水性にすることを特徴とする請求項2乃至4のいずれかに記載の不純物分析方法。
- 基板上に形成されたシリコン含有膜を気相分解する気相分解部と、
前記基板を第1温度で加熱した後、前記第1温度より高い第2温度で加熱する加熱部と、
回収液を前記基板表面に滴下して基板表面を移動させて、金属を前記回収液に回収させる回収部と、
前記回収液が乾燥した乾燥痕を蛍光X線分析することを蛍光X線分析部と、
を備える不純物分析装置。 - 前記加熱部は前記気相分解部の中に設けられていることを特徴とする請求項6に記載の不純物分析装置。
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