KR20100022184A - 실리콘 웨이퍼의 금속 불순물 평가 방법 - Google Patents
실리콘 웨이퍼의 금속 불순물 평가 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20100022184A KR20100022184A KR1020080080730A KR20080080730A KR20100022184A KR 20100022184 A KR20100022184 A KR 20100022184A KR 1020080080730 A KR1020080080730 A KR 1020080080730A KR 20080080730 A KR20080080730 A KR 20080080730A KR 20100022184 A KR20100022184 A KR 20100022184A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- silicon wafer
- silicon layer
- polycrystalline silicon
- metal impurities
- heat treatment
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
- H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
Description
Claims (4)
- 다결정 실리콘층을 실리콘 웨이퍼 표면에 증착하여 상기 실리콘 웨이퍼 내부에 존재하는 금속 불순물을 상기 다결정 실리콘층 내와 상기 실리콘 웨이퍼 표면부에 포획시키는 단계;상기 다결정 실리콘층을 증착한 온도보다 고온에서 상기 실리콘 웨이퍼를 열처리하는 단계;상기 다결정 실리콘층을 에칭하여 상기 실리콘 웨이퍼 표면부를 노출시키는 단계; 및노출된 상기 실리콘 웨이퍼 표면부에 존재하는 금속 불순물을 분석함으로써 상기 실리콘 웨이퍼 내부의 금속 불순물을 평가하는 단계를 포함하는 실리콘 웨이퍼 금속 불순물 평가 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 다결정 실리콘층 증착 단계와 상기 열처리 단계는 인-시튜(in-situ)로 진행하는 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼 금속 불순물 평가 방법.
- 제2항에 있어서, LPCVD 장비 내에서 상기 다결정 실리콘층을 증착한 다음, 상기 LPCVD 장비 내를 퍼지하고 나서, 상기 LPCVD 장비 내를 열처리시의 가스 분위기로 바꿔주면서 승온시켜 상기 열처리를 진행하는 것을 특징으로 하는 실리콘 웨 이퍼 금속 불순물 평가 방법.
- 제1항 내지 제3항 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 열처리시의 온도는 1000℃, 열처리 시간은 20분 내지 60분인 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼 금속 불순물 평가 방법.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020080080730A KR100999358B1 (ko) | 2008-08-19 | 2008-08-19 | 실리콘 웨이퍼의 금속 불순물 평가 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020080080730A KR100999358B1 (ko) | 2008-08-19 | 2008-08-19 | 실리콘 웨이퍼의 금속 불순물 평가 방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20100022184A true KR20100022184A (ko) | 2010-03-02 |
KR100999358B1 KR100999358B1 (ko) | 2010-12-09 |
Family
ID=42174783
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020080080730A KR100999358B1 (ko) | 2008-08-19 | 2008-08-19 | 실리콘 웨이퍼의 금속 불순물 평가 방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR100999358B1 (ko) |
-
2008
- 2008-08-19 KR KR1020080080730A patent/KR100999358B1/ko active IP Right Grant
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR100999358B1 (ko) | 2010-12-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5720297B2 (ja) | シリコンウェーハの金属汚染分析方法 | |
JP6118031B2 (ja) | 不純物分析装置及び方法 | |
JP6108367B1 (ja) | シリコン基板用分析装置 | |
JP3494102B2 (ja) | シリコンウエーハ中の金属不純物濃度評価方法 | |
KR100263512B1 (ko) | 실리콘 웨이퍼 내부의 불순물 분석방법 | |
JP2007281119A (ja) | 熱処理評価用ウェーハ、熱処理評価方法、および半導体ウェーハの製造方法 | |
JP6063616B2 (ja) | シリコン試料の分析方法 | |
TWI635275B (zh) | 清淨度評價方法、洗淨條件決定方法以及矽晶圓之製造方法 | |
JP3680476B2 (ja) | 熱処理評価用ウェーハおよびこれを用いた熱処理評価方法 | |
JP5413342B2 (ja) | シリコンウェーハ表層部のエッチング方法およびシリコンウェーハの金属汚染分析方法 | |
JP2002368052A (ja) | 珪素脱離方法及びシリコンウェーハの不純物分析方法 | |
KR100999358B1 (ko) | 실리콘 웨이퍼의 금속 불순물 평가 방법 | |
KR101763363B1 (ko) | 에피택시 전의 인 시츄 프리 클린 | |
JP2973638B2 (ja) | 不純物の分析方法 | |
US6146909A (en) | Detecting trace levels of copper | |
JP2001242052A (ja) | 半導体基板又は薬品の不純物分析方法 | |
JP2009294091A (ja) | シリコンウェーハ中の汚染物の分析方法 | |
CN111868888B (zh) | 掺硼p型硅晶片的蚀刻方法、金属污染评价方法及制造方法 | |
JP6603934B2 (ja) | シリコン基板の分析方法 | |
JP4760458B2 (ja) | 半導体ウェーハ収納容器の金属汚染分析方法 | |
KR100772280B1 (ko) | 광학, 전자공학 또는 광전자공학용 기판의 원소 분석방법 | |
KR100947786B1 (ko) | 웨이퍼의 벌크 금속 불순물 평가방법 | |
JP4232457B2 (ja) | シリコン基板表面に存在する表面酸化膜中の金属不純物分析方法 | |
US20090277875A1 (en) | Method for the Determination of the Surface Occupation of a Silica Glass Component | |
JP2023161361A (ja) | 表面金属汚染評価用標準試料の作製方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130926 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140926 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150924 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160928 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170927 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20181004 Year of fee payment: 9 |