JP2003075374A - 蛍光ｘ線分析システムおよびそれに用いるプログラム - Google Patents
蛍光ｘ線分析システムおよびそれに用いるプログラムInfo
- Publication number
- JP2003075374A JP2003075374A JP2001270604A JP2001270604A JP2003075374A JP 2003075374 A JP2003075374 A JP 2003075374A JP 2001270604 A JP2001270604 A JP 2001270604A JP 2001270604 A JP2001270604 A JP 2001270604A JP 2003075374 A JP2003075374 A JP 2003075374A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- fluorescent
- measured
- ray
- chamber
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 title claims abstract description 32
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 162
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 claims description 115
- 238000011084 recovery Methods 0.000 claims description 60
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 45
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 claims description 35
- 238000004876 x-ray fluorescence Methods 0.000 claims description 35
- 239000012071 phase Substances 0.000 claims description 25
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 claims description 23
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 22
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 15
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 12
- 238000000624 total reflection X-ray fluorescence spectroscopy Methods 0.000 claims description 12
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 abstract description 16
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 27
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 229910000040 hydrogen fluoride Inorganic materials 0.000 description 11
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 8
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 5
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 5
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 3
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 2
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 2
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 102100022626 Glutamate receptor ionotropic, NMDA 2D Human genes 0.000 description 1
- 101000972840 Homo sapiens Glutamate receptor ionotropic, NMDA 2D Proteins 0.000 description 1
- 101100293260 Homo sapiens NAA15 gene Proteins 0.000 description 1
- 102100026781 N-alpha-acetyltransferase 15, NatA auxiliary subunit Human genes 0.000 description 1
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 1
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- -1 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N23/00—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
- G01N23/22—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material
- G01N23/223—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material by irradiating the sample with X-rays or gamma-rays and by measuring X-ray fluorescence
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N2223/00—Investigating materials by wave or particle radiation
- G01N2223/07—Investigating materials by wave or particle radiation secondary emission
- G01N2223/076—X-ray fluorescence
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
- Sampling And Sample Adjustment (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 基板表面などに存在する被測定物を溶解後乾
燥させて基板表面に保持する試料前処理装置と、蛍光Ｘ
線分析装置と、試料前処理装置から蛍光Ｘ線分析装置へ
の基板の搬送を行う搬送装置とを備えた蛍光Ｘ線分析シ
ステムなどにおいて、システム全体の操作が容易である
ものを提供する。 【解決手段】 試料前処理装置10、蛍光Ｘ線分析装置40
および搬送装置50を統括して制御する制御装置50を備え
る。
燥させて基板表面に保持する試料前処理装置と、蛍光Ｘ
線分析装置と、試料前処理装置から蛍光Ｘ線分析装置へ
の基板の搬送を行う搬送装置とを備えた蛍光Ｘ線分析シ
ステムなどにおいて、システム全体の操作が容易である
ものを提供する。 【解決手段】 試料前処理装置10、蛍光Ｘ線分析装置40
および搬送装置50を統括して制御する制御装置50を備え
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、基板表面などに存
在する被測定物を溶解後乾燥させて基板表面に保持する
試料前処理装置と、その被測定物に１次Ｘ線を照射して
発生する蛍光Ｘ線の強度を測定する蛍光Ｘ線分析装置
と、試料前処理装置から蛍光Ｘ線分析装置への基板の搬
送を行う搬送装置とを備えた蛍光Ｘ線分析システムに関
するものである。
在する被測定物を溶解後乾燥させて基板表面に保持する
試料前処理装置と、その被測定物に１次Ｘ線を照射して
発生する蛍光Ｘ線の強度を測定する蛍光Ｘ線分析装置
と、試料前処理装置から蛍光Ｘ線分析装置への基板の搬
送を行う搬送装置とを備えた蛍光Ｘ線分析システムに関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体基板に付着した微量の汚染
物質などを蛍光Ｘ線分析するために、試料前処理装置か
ら蛍光Ｘ線分析装置への基板の搬送を、ロボットハンド
などの搬送装置で行うシステムがある（特願２００１−
０７７９１７参照）。ここで、試料前処理装置による加
熱工程は制御手段で制御される。
物質などを蛍光Ｘ線分析するために、試料前処理装置か
ら蛍光Ｘ線分析装置への基板の搬送を、ロボットハンド
などの搬送装置で行うシステムがある（特願２００１−
０７７９１７参照）。ここで、試料前処理装置による加
熱工程は制御手段で制御される。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、試料前処理装
置、蛍光Ｘ線分析装置および搬送装置の全体を統括して
制御するような制御装置は備えられておらず、各装置の
制御が異なる環境（ソフトウエア）で個別に行われるの
で、システム全体の操作が容易でない。
置、蛍光Ｘ線分析装置および搬送装置の全体を統括して
制御するような制御装置は備えられておらず、各装置の
制御が異なる環境（ソフトウエア）で個別に行われるの
で、システム全体の操作が容易でない。
【０００４】本発明は、このような問題に鑑みてなされ
たもので、基板表面などに存在する被測定物を溶解後乾
燥させて基板表面に保持する試料前処理装置と、その被
測定物に１次Ｘ線を照射して発生する蛍光Ｘ線の強度を
測定する蛍光Ｘ線分析装置と、試料前処理装置から蛍光
Ｘ線分析装置への基板の搬送を行う搬送装置とを備えた
蛍光Ｘ線分析システムおよびそれに用いるプログラムに
おいて、システム全体の操作が容易であるものを提供す
ることを目的とする。
たもので、基板表面などに存在する被測定物を溶解後乾
燥させて基板表面に保持する試料前処理装置と、その被
測定物に１次Ｘ線を照射して発生する蛍光Ｘ線の強度を
測定する蛍光Ｘ線分析装置と、試料前処理装置から蛍光
Ｘ線分析装置への基板の搬送を行う搬送装置とを備えた
蛍光Ｘ線分析システムおよびそれに用いるプログラムに
おいて、システム全体の操作が容易であるものを提供す
ることを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、本願第１の発明である蛍光Ｘ線分析システムは、以
下の気相分解装置、試料回収装置、蛍光Ｘ線分析装置、
搬送装置および制御装置を備える。なお、気相分解装置
および試料回収装置が試料前処理装置を構成する。
に、本願第１の発明である蛍光Ｘ線分析システムは、以
下の気相分解装置、試料回収装置、蛍光Ｘ線分析装置、
搬送装置および制御装置を備える。なお、気相分解装置
および試料回収装置が試料前処理装置を構成する。
【０００６】気相分解装置は、基板表面に存在する被測
定物または基板表面に形成された膜の表面もしくは膜中
に存在する被測定物を分解室内で反応性ガスにより溶解
後乾燥させて基板表面に保持する。試料回収装置は、前
記分解室の上に配置された回収室内で、表面に被測定物
が存在する基板に溶液を滴下して保持具で保持しながら
基板表面で移動させ、被測定物を回収後乾燥させて基板
表面に保持する。蛍光Ｘ線分析装置は、前記気相分解装
置または試料回収装置により基板表面に保持された被測
定物に１次Ｘ線を照射して発生する蛍光Ｘ線の強度を測
定する。搬送装置は、前記分解室から蛍光Ｘ線分析装置
への基板の搬送、前記分解室から回収室への基板の搬
送、および前記回収室から蛍光Ｘ線分析装置への基板の
搬送を行う。制御装置は、前記気相分解装置、試料回収
装置、蛍光Ｘ線分析装置および搬送装置を制御する。
定物または基板表面に形成された膜の表面もしくは膜中
に存在する被測定物を分解室内で反応性ガスにより溶解
後乾燥させて基板表面に保持する。試料回収装置は、前
記分解室の上に配置された回収室内で、表面に被測定物
が存在する基板に溶液を滴下して保持具で保持しながら
基板表面で移動させ、被測定物を回収後乾燥させて基板
表面に保持する。蛍光Ｘ線分析装置は、前記気相分解装
置または試料回収装置により基板表面に保持された被測
定物に１次Ｘ線を照射して発生する蛍光Ｘ線の強度を測
定する。搬送装置は、前記分解室から蛍光Ｘ線分析装置
への基板の搬送、前記分解室から回収室への基板の搬
送、および前記回収室から蛍光Ｘ線分析装置への基板の
搬送を行う。制御装置は、前記気相分解装置、試料回収
装置、蛍光Ｘ線分析装置および搬送装置を制御する。
【０００７】本願第１の発明によれば、各装置を統括し
て制御する制御装置を備えるので、システム全体の操作
が容易である。
て制御する制御装置を備えるので、システム全体の操作
が容易である。
【０００８】本願第２の発明は、前記本願第１の発明で
ある蛍光Ｘ線分析システムから、試料前処理装置におけ
る試料回収装置を取り除いたものである。本願第２の発
明によっても、各装置を統括して制御する制御装置を備
えるので、システム全体の操作が容易である。
ある蛍光Ｘ線分析システムから、試料前処理装置におけ
る試料回収装置を取り除いたものである。本願第２の発
明によっても、各装置を統括して制御する制御装置を備
えるので、システム全体の操作が容易である。
【０００９】本願第３の発明は、前記本願第１の発明で
ある蛍光Ｘ線分析システムから、試料前処理装置におけ
る気相分解装置を取り除いたものである。本願第３の発
明によっても、各装置を統括して制御する制御装置を備
えるので、システム全体の操作が容易である。
ある蛍光Ｘ線分析システムから、試料前処理装置におけ
る気相分解装置を取り除いたものである。本願第３の発
明によっても、各装置を統括して制御する制御装置を備
えるので、システム全体の操作が容易である。
【００１０】本発明においては、前記気相分解装置が、
分解室内に洗浄液を流して洗浄する分解室洗浄手段を有
することが好ましい。かかる構成によれば、分解室内の
洗浄が自動化されるので、システムの操作がいっそう容
易になる。
分解室内に洗浄液を流して洗浄する分解室洗浄手段を有
することが好ましい。かかる構成によれば、分解室内の
洗浄が自動化されるので、システムの操作がいっそう容
易になる。
【００１１】本発明においては、前記気相分解装置が、
分解室へ導入するガスを加熱する加熱手段を有すること
が好ましい。かかる構成によれば、分解室での被測定物
の分解や乾燥を迅速に行える。
分解室へ導入するガスを加熱する加熱手段を有すること
が好ましい。かかる構成によれば、分解室での被測定物
の分解や乾燥を迅速に行える。
【００１２】本発明においては、前記気相分解装置が、
基板が分解室内の所定の位置に載置されるように、内周
に下向き狭小のテーパが付いた基板台を有することが好
ましい。かかる構成によれば、基板を分解室内の基板台
に載置するだけで適切に位置決めされ、続く回収、分析
が正確に行われる。
基板が分解室内の所定の位置に載置されるように、内周
に下向き狭小のテーパが付いた基板台を有することが好
ましい。かかる構成によれば、基板を分解室内の基板台
に載置するだけで適切に位置決めされ、続く回収、分析
が正確に行われる。
【００１３】本発明においては、前記試料回収装置が、
保持具を洗浄液にて洗浄する保持具洗浄手段を有するこ
とが好ましい。かかる構成によれば、保持具の洗浄が自
動化されるので、システムの操作がいっそう容易にな
る。
保持具を洗浄液にて洗浄する保持具洗浄手段を有するこ
とが好ましい。かかる構成によれば、保持具の洗浄が自
動化されるので、システムの操作がいっそう容易にな
る。
【００１４】本発明においては、前記試料回収装置が、
前記溶液に回収した被測定物を乾燥させる際に、基板を
水平面内で回転させる回転台を有することが好ましい。
かかる構成によれば、被測定物が、基板上で偏って乾燥
して拡がりすぎることがないので、いっそう正しい分析
ができる。
前記溶液に回収した被測定物を乾燥させる際に、基板を
水平面内で回転させる回転台を有することが好ましい。
かかる構成によれば、被測定物が、基板上で偏って乾燥
して拡がりすぎることがないので、いっそう正しい分析
ができる。
【００１５】本願第４の発明は、前記本願第１の発明で
ある蛍光Ｘ線分析システムが備える前記制御装置に、操
作者の選択に応じて、以下のＶＰＤモード、ＶＰＴモー
ドおよびＴＸＲＦモードのいずれかを実行させるための
プログラムである。前記ＶＰＤモードにおいては、ま
ず、前記搬送装置に、基板を所定の投入位置から前記分
解室へ搬送させる。次に、前記気相分解装置に、前記反
応性ガスを分解室内に導入させる。次に、前記搬送装置
に、基板を前記回収室へ搬送させる。次に、前記試料回
収装置に、前記溶液を基板に滴下させる。次に、前記試
料回収装置に、前記滴下した溶液を保持具で保持しなが
ら基板表面で移動させて被測定物を回収させる。次に、
前記試料回収装置に、被測定物を乾燥させる。次に、前
記搬送装置に、基板を前記蛍光Ｘ線分析装置へ搬送させ
る。次に、前記蛍光Ｘ線分析装置に、１次Ｘ線を被測定
物に照射させて発生する蛍光Ｘ線の強度を測定させる。
次に、前記搬送装置に、基板を前記投入位置へ搬送させ
る。
ある蛍光Ｘ線分析システムが備える前記制御装置に、操
作者の選択に応じて、以下のＶＰＤモード、ＶＰＴモー
ドおよびＴＸＲＦモードのいずれかを実行させるための
プログラムである。前記ＶＰＤモードにおいては、ま
ず、前記搬送装置に、基板を所定の投入位置から前記分
解室へ搬送させる。次に、前記気相分解装置に、前記反
応性ガスを分解室内に導入させる。次に、前記搬送装置
に、基板を前記回収室へ搬送させる。次に、前記試料回
収装置に、前記溶液を基板に滴下させる。次に、前記試
料回収装置に、前記滴下した溶液を保持具で保持しなが
ら基板表面で移動させて被測定物を回収させる。次に、
前記試料回収装置に、被測定物を乾燥させる。次に、前
記搬送装置に、基板を前記蛍光Ｘ線分析装置へ搬送させ
る。次に、前記蛍光Ｘ線分析装置に、１次Ｘ線を被測定
物に照射させて発生する蛍光Ｘ線の強度を測定させる。
次に、前記搬送装置に、基板を前記投入位置へ搬送させ
る。
【００１６】前記ＶＰＴモードにおいては、まず、前記
搬送装置に、基板を所定の投入位置から前記分解室へ搬
送させる。次に、前記気相分解装置に、前記反応性ガス
を分解室内に導入させる。次に、前記搬送装置に、基板
を前記蛍光Ｘ線分析装置へ搬送させる。次に、前記蛍光
Ｘ線分析装置に、１次Ｘ線を被測定物に照射させて発生
する蛍光Ｘ線の強度を測定させる。次に、前記搬送装置
に、基板を前記投入位置へ搬送させる。前記ＴＸＲＦモ
ードにおいては、まず、前記搬送装置に、基板を所定の
投入位置から前記蛍光Ｘ線分析装置へ搬送させる。次
に、前記蛍光Ｘ線分析装置に、１次Ｘ線を被測定物に照
射させて発生する蛍光Ｘ線の強度を測定させる。次に、
前記搬送装置に、基板を前記投入位置へ搬送させる。本
願第４の発明によっても、制御装置が各装置を統括して
制御するので、システム全体の操作が容易である。
搬送装置に、基板を所定の投入位置から前記分解室へ搬
送させる。次に、前記気相分解装置に、前記反応性ガス
を分解室内に導入させる。次に、前記搬送装置に、基板
を前記蛍光Ｘ線分析装置へ搬送させる。次に、前記蛍光
Ｘ線分析装置に、１次Ｘ線を被測定物に照射させて発生
する蛍光Ｘ線の強度を測定させる。次に、前記搬送装置
に、基板を前記投入位置へ搬送させる。前記ＴＸＲＦモ
ードにおいては、まず、前記搬送装置に、基板を所定の
投入位置から前記蛍光Ｘ線分析装置へ搬送させる。次
に、前記蛍光Ｘ線分析装置に、１次Ｘ線を被測定物に照
射させて発生する蛍光Ｘ線の強度を測定させる。次に、
前記搬送装置に、基板を前記投入位置へ搬送させる。本
願第４の発明によっても、制御装置が各装置を統括して
制御するので、システム全体の操作が容易である。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施形態である
蛍光Ｘ線分析システムについて、構成から説明する。図
１（ａ），（ｂ）の一部を破断した平面図、正面図に示
すように、このシステムは、まず、気相分解装置２０お
よび試料回収装置３０を有する試料前処理装置１０と、
試料台４１に載置された基板１上の前記被測定物２にＸ
線源４２から１次Ｘ線４３を照射して発生する蛍光Ｘ線
４４の強度を検出手段４５で測定する蛍光Ｘ線分析装置
４０と、前記試料前処理装置１０から蛍光Ｘ線分析装置
４０へ基板１を搬送する搬送装置５０とを備える。
蛍光Ｘ線分析システムについて、構成から説明する。図
１（ａ），（ｂ）の一部を破断した平面図、正面図に示
すように、このシステムは、まず、気相分解装置２０お
よび試料回収装置３０を有する試料前処理装置１０と、
試料台４１に載置された基板１上の前記被測定物２にＸ
線源４２から１次Ｘ線４３を照射して発生する蛍光Ｘ線
４４の強度を検出手段４５で測定する蛍光Ｘ線分析装置
４０と、前記試料前処理装置１０から蛍光Ｘ線分析装置
４０へ基板１を搬送する搬送装置５０とを備える。
【００１８】この実施形態では、試料に対し１次Ｘ線を
微小な入射角で照射する全反射蛍光Ｘ線分析装置４０を
採用し、Ｘ線源４２は、Ｘ線管、単色化のための分光素
子などを有し、検出手段４５には、ＳＳＤなどを用い
る。蛍光Ｘ線分析装置４０は、ロボットハンドなどの搬
送手段４６を有しており、導入室のカセット４７と試料
台４１との間で、基板１を搬送する。
微小な入射角で照射する全反射蛍光Ｘ線分析装置４０を
採用し、Ｘ線源４２は、Ｘ線管、単色化のための分光素
子などを有し、検出手段４５には、ＳＳＤなどを用い
る。蛍光Ｘ線分析装置４０は、ロボットハンドなどの搬
送手段４６を有しており、導入室のカセット４７と試料
台４１との間で、基板１を搬送する。
【００１９】前記搬送装置５０は、レールの上で本体が
前後に移動自在なロボットハンドであり、そのハンド部
５０ａに基板１を載置して、基板１を、システムのカセ
ット台５に載置されたカセット３(所定の投入位置)から
試料前処理装置１０の分解室２１または回収室３１へ、
分解室２１から回収室３１へ、分解室２１または回収室
３１から蛍光Ｘ線分析装置４０の導入室のカセット４７
へ、導入室のカセット４７からもとのカセット台５に載
置されたカセット３へ、搬送する。カセット台５には、
複数のカセット３を載置できる。
前後に移動自在なロボットハンドであり、そのハンド部
５０ａに基板１を載置して、基板１を、システムのカセ
ット台５に載置されたカセット３(所定の投入位置)から
試料前処理装置１０の分解室２１または回収室３１へ、
分解室２１から回収室３１へ、分解室２１または回収室
３１から蛍光Ｘ線分析装置４０の導入室のカセット４７
へ、導入室のカセット４７からもとのカセット台５に載
置されたカセット３へ、搬送する。カセット台５には、
複数のカセット３を載置できる。
【００２０】システムは、半導体製造装置などが置かれ
るクリーンルーム６とそこで製造された半導体基板１を
分析する分析室７とを隔てる壁８を突き抜けるように設
置され、カセット台５のみがクリーンルーム内にある。
カセット台５に載置されたカセット３と搬送装置５０と
の間には図示しないシャッターが設けられている。
るクリーンルーム６とそこで製造された半導体基板１を
分析する分析室７とを隔てる壁８を突き抜けるように設
置され、カセット台５のみがクリーンルーム内にある。
カセット台５に載置されたカセット３と搬送装置５０と
の間には図示しないシャッターが設けられている。
【００２１】システムは、前記試料前処理装置１０、蛍
光Ｘ線分析装置４０、搬送装置５０、カセット台５に載
置されたカセット３と搬送装置５０との間のシャッター
などを共通の環境（ソフトウエア）で制御するコンピュ
ータなどの制御装置６０を、例えば蛍光Ｘ線分析装置４
０内に配置して備える。各装置は、共通の基台上で、全
体として一つの筐体に一体的に設けられている。
光Ｘ線分析装置４０、搬送装置５０、カセット台５に載
置されたカセット３と搬送装置５０との間のシャッター
などを共通の環境（ソフトウエア）で制御するコンピュ
ータなどの制御装置６０を、例えば蛍光Ｘ線分析装置４
０内に配置して備える。各装置は、共通の基台上で、全
体として一つの筐体に一体的に設けられている。
【００２２】試料前処理装置１０のうち、気相分解装置
２０は、基板表面に存在する被測定物または基板表面に
形成された膜の表面もしくは膜中に存在する被測定物を
分解室２１内で反応性ガスにより溶解後乾燥させて基板
表面に保持する。試料回収装置３０は、分解室２１の上
に配置された回収室３１内で、表面に被測定物が存在す
る基板に溶液を滴下して保持具で保持しながら基板表面
で移動させ、被測定物を回収後乾燥させて基板表面に保
持する。
２０は、基板表面に存在する被測定物または基板表面に
形成された膜の表面もしくは膜中に存在する被測定物を
分解室２１内で反応性ガスにより溶解後乾燥させて基板
表面に保持する。試料回収装置３０は、分解室２１の上
に配置された回収室３１内で、表面に被測定物が存在す
る基板に溶液を滴下して保持具で保持しながら基板表面
で移動させ、被測定物を回収後乾燥させて基板表面に保
持する。
【００２３】ここで、気相分解装置２０の構成について
詳細に説明する。図２（ａ），（ｂ）の平面図、正面図
に示すように、この気相分解装置２０の分解室２１は、
例えばＰＴＦＥ（ポリ四フッ化エチレン、登録商標テフ
ロン）製の箱であり、搬送装置のハンド部５０ａに対向
する側に、開閉自在の内側シャッター２１ａを有してい
る。さらに、その内側シャッター２１ａから、上方の回
収室３１からの空気が流れ落ちる空間を隔てて、気相分
解装置２０の外壁に開閉自在の外側シャッター２７が設
けられている。分解室２１内には、配管２２ａから反応
性ガスとしてフッ化水素（またはフッ化水素酸）が導入
され、例えばシリコンウエハである基板１表面に形成さ
れた酸化膜を溶解するとともに、膜の表面または膜中に
存在する汚染物質などの被測定物を溶解し、配管２２ｂ
から排出される。基板１表面に膜が形成されていない場
合には、基板１表面に存在する被測定物が溶解される。
詳細に説明する。図２（ａ），（ｂ）の平面図、正面図
に示すように、この気相分解装置２０の分解室２１は、
例えばＰＴＦＥ（ポリ四フッ化エチレン、登録商標テフ
ロン）製の箱であり、搬送装置のハンド部５０ａに対向
する側に、開閉自在の内側シャッター２１ａを有してい
る。さらに、その内側シャッター２１ａから、上方の回
収室３１からの空気が流れ落ちる空間を隔てて、気相分
解装置２０の外壁に開閉自在の外側シャッター２７が設
けられている。分解室２１内には、配管２２ａから反応
性ガスとしてフッ化水素（またはフッ化水素酸）が導入
され、例えばシリコンウエハである基板１表面に形成さ
れた酸化膜を溶解するとともに、膜の表面または膜中に
存在する汚染物質などの被測定物を溶解し、配管２２ｂ
から排出される。基板１表面に膜が形成されていない場
合には、基板１表面に存在する被測定物が溶解される。
【００２４】気相分解装置２０は、分解室２１内に洗浄
液として超純水を流して洗浄する分解室洗浄手段２３、
すなわち、洗浄液導入配管２３ａおよび排出配管２３ｂ
を有している。また、分解室２１内に不活性ガスとして
清浄な窒素を流して、フッ化水素を追い出すとともに、
基板１に生じた液滴を乾燥させる液滴乾燥手段２４、す
なわち、窒素導入配管２４ａおよび排出配管２４ｂを有
している。なお、液滴乾燥手段では、不活性ガスを流す
代わりに、または不活性ガスを流すことに加えて、分解
室内を減圧（真空排気）して、基板に生じた液滴を乾燥
させてもよい。この場合、真空排気と不活性ガスの導入
を繰り返し行ってもよい。
液として超純水を流して洗浄する分解室洗浄手段２３、
すなわち、洗浄液導入配管２３ａおよび排出配管２３ｂ
を有している。また、分解室２１内に不活性ガスとして
清浄な窒素を流して、フッ化水素を追い出すとともに、
基板１に生じた液滴を乾燥させる液滴乾燥手段２４、す
なわち、窒素導入配管２４ａおよび排出配管２４ｂを有
している。なお、液滴乾燥手段では、不活性ガスを流す
代わりに、または不活性ガスを流すことに加えて、分解
室内を減圧（真空排気）して、基板に生じた液滴を乾燥
させてもよい。この場合、真空排気と不活性ガスの導入
を繰り返し行ってもよい。
【００２５】さらに、気相分解装置２０は、装置の下部
において、図５に示すような、分解室２１へのフッ化水
素および窒素の配管２２ａ，２４ａを外側から加熱する
加熱手段２８、すなわち、ヒーターなどを含む恒温水槽
を有している。なお、この加熱は配管内部にヒーターな
どを設けて行ってもよく、配管の途中にトラップを設け
てそこで加熱してもよい。また、図２において、基板１
が分解室２１内の所定の位置に載置されるように、内周
に下向き狭小のテーパ２５ａが付いた基板台２５を有し
ている。すなわち、基板台２５は、搬送装置のハンド部
５０ａに干渉しないように一部を切り欠いた輪状で、内
周に下向き円錐側面の一部をなすテーパ面２５ａが形成
され、仕切り板２６を介して分解室２１内に固定されて
いる。
において、図５に示すような、分解室２１へのフッ化水
素および窒素の配管２２ａ，２４ａを外側から加熱する
加熱手段２８、すなわち、ヒーターなどを含む恒温水槽
を有している。なお、この加熱は配管内部にヒーターな
どを設けて行ってもよく、配管の途中にトラップを設け
てそこで加熱してもよい。また、図２において、基板１
が分解室２１内の所定の位置に載置されるように、内周
に下向き狭小のテーパ２５ａが付いた基板台２５を有し
ている。すなわち、基板台２５は、搬送装置のハンド部
５０ａに干渉しないように一部を切り欠いた輪状で、内
周に下向き円錐側面の一部をなすテーパ面２５ａが形成
され、仕切り板２６を介して分解室２１内に固定されて
いる。
【００２６】次に、試料回収装置３０の構成について詳
細に説明する。図３（ａ），（ｂ）の平面図、正面図に
示すように、この試料回収装置３０の回収室３１は、上
部にファン１１およびフィルター１２が設けられた例え
ばＰＶＣ（ポリ塩化ビニル）製の箱であり、分解室２１
の上に配置され、搬送装置のハンド部５０ａに対向する
側に、開閉自在のシャッター３１ａを有している。その
シャッター３１ａ近傍（図３（ａ）中１点鎖線で囲む範
囲）において回収室３１の底板には多数のパンチング孔
３１ｂがあけられており、ファン１１およびフィルター
１２を介して回収室３１に流入した清浄な空気が、分解
室２１の内側シャッター２１ａの外側へ流れ落ちるよう
になっている。試料回収装置３０は、以下の回収液移動
手段３２、回収液乾燥手段３３、保持具洗浄手段３４お
よび回転台３５を有している。
細に説明する。図３（ａ），（ｂ）の平面図、正面図に
示すように、この試料回収装置３０の回収室３１は、上
部にファン１１およびフィルター１２が設けられた例え
ばＰＶＣ（ポリ塩化ビニル）製の箱であり、分解室２１
の上に配置され、搬送装置のハンド部５０ａに対向する
側に、開閉自在のシャッター３１ａを有している。その
シャッター３１ａ近傍（図３（ａ）中１点鎖線で囲む範
囲）において回収室３１の底板には多数のパンチング孔
３１ｂがあけられており、ファン１１およびフィルター
１２を介して回収室３１に流入した清浄な空気が、分解
室２１の内側シャッター２１ａの外側へ流れ落ちるよう
になっている。試料回収装置３０は、以下の回収液移動
手段３２、回収液乾燥手段３３、保持具洗浄手段３４お
よび回転台３５を有している。
【００２７】回収液移動手段３２は、その先端部下側に
ある保持具３２ａを、回転台３５に載置された基板１の
上方において基板１の外側と中心間で円弧状に移動させ
るアームであり、保持具３２ａを上下方向にも移動させ
ることができる。保持具３２ａは例えばＰＴＦＥ製のノ
ズルであり、分解室２１のさらに下方のタンクから、フ
ッ化水素酸溶液４が供給される。回転台３５は、載置さ
れた基板１を水平面内で回転させる。すなわち、試料回
収装置３０は、保持具３２ａから基板１の外周近傍に滴
下した例えば１００μリットルのフッ化水素酸溶液４
を、基板１を回転させながら、保持具３２ａと基板１で
挟むようにして保持しつつ基板１上で中心まで移動させ
て、基板１表面に存在する被測定物を回収する。
ある保持具３２ａを、回転台３５に載置された基板１の
上方において基板１の外側と中心間で円弧状に移動させ
るアームであり、保持具３２ａを上下方向にも移動させ
ることができる。保持具３２ａは例えばＰＴＦＥ製のノ
ズルであり、分解室２１のさらに下方のタンクから、フ
ッ化水素酸溶液４が供給される。回転台３５は、載置さ
れた基板１を水平面内で回転させる。すなわち、試料回
収装置３０は、保持具３２ａから基板１の外周近傍に滴
下した例えば１００μリットルのフッ化水素酸溶液４
を、基板１を回転させながら、保持具３２ａと基板１で
挟むようにして保持しつつ基板１上で中心まで移動させ
て、基板１表面に存在する被測定物を回収する。
【００２８】回収液乾燥手段３３は、その先端部に下向
きに設けられたランプ３３ａを、基板１の上方において
基板１の外側と中心間で円弧状に移動させるアームであ
る。すなわち、試料回収装置３０は、基板１の中心上方
にランプ３３ａを移動させ、被測定物を回収した溶液４
を加熱して被測定物を乾燥させる。この乾燥時にも、回
転台３５で基板１を水平面内で回転させる。
きに設けられたランプ３３ａを、基板１の上方において
基板１の外側と中心間で円弧状に移動させるアームであ
る。すなわち、試料回収装置３０は、基板１の中心上方
にランプ３３ａを移動させ、被測定物を回収した溶液４
を加熱して被測定物を乾燥させる。この乾燥時にも、回
転台３５で基板１を水平面内で回転させる。
【００２９】保持具洗浄手段３４は、図４（ａ）に示す
ように、底付き円筒状の内槽３４ａとその外側の輪状の
外槽３４ｂとを有する容器において、内槽３４ａ上方に
洗浄液として超純水を供給してオーバーフローさせる配
管３４ｃを設け、外槽３４ｂ下部にオーバーフローした
洗浄液を排出する配管３４ｄを設けたものである。図３
において、試料回収装置３０は、回収液移動手段３２に
より、保持具３２ａを基板１の外周からさらに外側にあ
る保持具洗浄手段３４の内槽３４ａ上方にまで移動さ
せ、図４（ａ）のように上下に移動させる。すなわち、
保持具３２ａの少なくとも下端部を洗浄液に浸漬させて
洗浄する。供給側の配管３４ｃは、洗浄後の内槽３４ａ
内の洗浄液に含まれる汚染物を流入させないために、図
示のように内槽３４ａ内の洗浄液と非接触にすることが
好ましい。なお、洗浄は、洗浄液を保持具３２ａに吹き
付けて行ってもよい。この場合には、図４（ｂ）のよう
に、供給側の配管３４ｃを開口が上向きになるように設
け、下方から保持具３２ａに洗浄液を吹き付ける。
ように、底付き円筒状の内槽３４ａとその外側の輪状の
外槽３４ｂとを有する容器において、内槽３４ａ上方に
洗浄液として超純水を供給してオーバーフローさせる配
管３４ｃを設け、外槽３４ｂ下部にオーバーフローした
洗浄液を排出する配管３４ｄを設けたものである。図３
において、試料回収装置３０は、回収液移動手段３２に
より、保持具３２ａを基板１の外周からさらに外側にあ
る保持具洗浄手段３４の内槽３４ａ上方にまで移動さ
せ、図４（ａ）のように上下に移動させる。すなわち、
保持具３２ａの少なくとも下端部を洗浄液に浸漬させて
洗浄する。供給側の配管３４ｃは、洗浄後の内槽３４ａ
内の洗浄液に含まれる汚染物を流入させないために、図
示のように内槽３４ａ内の洗浄液と非接触にすることが
好ましい。なお、洗浄は、洗浄液を保持具３２ａに吹き
付けて行ってもよい。この場合には、図４（ｂ）のよう
に、供給側の配管３４ｃを開口が上向きになるように設
け、下方から保持具３２ａに洗浄液を吹き付ける。
【００３０】次に、この蛍光Ｘ線分析システムが備える
図１の前記制御装置６０に、操作者の選択に応じて、以
下のＶＰＤモード、ＶＰＴモードおよびＴＸＲＦモード
のいずれかを実行させるためのプログラムについて詳細
に説明する。前記ＶＰＤモードにおいては、まず、搬送
装置５０に、基板１を所定の投入位置から分解室２１へ
搬送させる。次に、気相分解装置２０に、反応性ガスを
分解室２１内に導入させ、所定時間後に分解室から追い
出させる。次に、搬送装置５０に、基板１を回収室３１
へ搬送させる。次に、図３の試料回収装置３０に、溶液
４を基板１に滴下させる。次に、試料回収装置３０に、
滴下した溶液４を保持具３２ａで保持しながら基板１表
面で移動させて被測定物を回収させる。次に、試料回収
装置３０に、被測定物を乾燥させる。次に、図１の搬送
装置５０に、基板１を蛍光Ｘ線分析装置４０へ搬送させ
る。次に、蛍光Ｘ線分析装置４０に、１次Ｘ線４３を被
測定物２に照射させて発生する蛍光Ｘ線４４の強度を測
定させる。次に、搬送装置５０に、基板１を前記投入位
置へ搬送させる。
図１の前記制御装置６０に、操作者の選択に応じて、以
下のＶＰＤモード、ＶＰＴモードおよびＴＸＲＦモード
のいずれかを実行させるためのプログラムについて詳細
に説明する。前記ＶＰＤモードにおいては、まず、搬送
装置５０に、基板１を所定の投入位置から分解室２１へ
搬送させる。次に、気相分解装置２０に、反応性ガスを
分解室２１内に導入させ、所定時間後に分解室から追い
出させる。次に、搬送装置５０に、基板１を回収室３１
へ搬送させる。次に、図３の試料回収装置３０に、溶液
４を基板１に滴下させる。次に、試料回収装置３０に、
滴下した溶液４を保持具３２ａで保持しながら基板１表
面で移動させて被測定物を回収させる。次に、試料回収
装置３０に、被測定物を乾燥させる。次に、図１の搬送
装置５０に、基板１を蛍光Ｘ線分析装置４０へ搬送させ
る。次に、蛍光Ｘ線分析装置４０に、１次Ｘ線４３を被
測定物２に照射させて発生する蛍光Ｘ線４４の強度を測
定させる。次に、搬送装置５０に、基板１を前記投入位
置へ搬送させる。
【００３１】前記ＶＰＴモードにおいては、まず、搬送
装置５０に、基板１を所定の投入位置から分解室２１へ
搬送させる。次に、気相分解装置２０に、反応性ガスを
分解室２１内に導入させ、所定時間後に分解室から追い
出させる。次に、搬送装置５０に、基板１を蛍光Ｘ線分
析装置４０へ搬送させる。次に、蛍光Ｘ線分析装置４０
に、１次Ｘ線４３を被測定物２に照射させて発生する蛍
光Ｘ線４４の強度を測定させる。次に、搬送装置５０
に、基板１を前記投入位置へ搬送させる。前記ＴＸＲＦ
モードにおいては、まず、搬送装置５０に、基板１を所
定の投入位置から蛍光Ｘ線分析装置４０へ搬送させる。
次に、蛍光Ｘ線分析装置４０に、１次Ｘ線４３を被測定
物２に照射させて発生する蛍光Ｘ線４４の強度を測定さ
せる。次に、搬送装置５０に、基板１を前記投入位置へ
搬送させる。
装置５０に、基板１を所定の投入位置から分解室２１へ
搬送させる。次に、気相分解装置２０に、反応性ガスを
分解室２１内に導入させ、所定時間後に分解室から追い
出させる。次に、搬送装置５０に、基板１を蛍光Ｘ線分
析装置４０へ搬送させる。次に、蛍光Ｘ線分析装置４０
に、１次Ｘ線４３を被測定物２に照射させて発生する蛍
光Ｘ線４４の強度を測定させる。次に、搬送装置５０
に、基板１を前記投入位置へ搬送させる。前記ＴＸＲＦ
モードにおいては、まず、搬送装置５０に、基板１を所
定の投入位置から蛍光Ｘ線分析装置４０へ搬送させる。
次に、蛍光Ｘ線分析装置４０に、１次Ｘ線４３を被測定
物２に照射させて発生する蛍光Ｘ線４４の強度を測定さ
せる。次に、搬送装置５０に、基板１を前記投入位置へ
搬送させる。
【００３２】次に、この蛍光Ｘ線分析システムの動作に
ついて説明する。図１のクリーンルーム６内において、
カセット台５に基板１、例えば汚染物質を分析すべきシ
リコンウエハを収納したカセット３が載置され、そのカ
セット３内(所定の投入位置)の基板１を所定の条件で前
処理、分析すべき旨が図示しない入力手段から制御装置
６０に入力されると、システムの各装置が以下のように
動作するよう制御される。ここで、前処理および分析の
条件は、基板１ごとに、制御装置６０の表示手段（図示
せず）を見ながら、入力手段（図示せず）により設定可
能であり、試料前処理装置１０、蛍光Ｘ線分析装置４
０、搬送装置５０の各装置が共通の環境で制御されるの
で、システム全体の操作が容易である。
ついて説明する。図１のクリーンルーム６内において、
カセット台５に基板１、例えば汚染物質を分析すべきシ
リコンウエハを収納したカセット３が載置され、そのカ
セット３内(所定の投入位置)の基板１を所定の条件で前
処理、分析すべき旨が図示しない入力手段から制御装置
６０に入力されると、システムの各装置が以下のように
動作するよう制御される。ここで、前処理および分析の
条件は、基板１ごとに、制御装置６０の表示手段（図示
せず）を見ながら、入力手段（図示せず）により設定可
能であり、試料前処理装置１０、蛍光Ｘ線分析装置４
０、搬送装置５０の各装置が共通の環境で制御されるの
で、システム全体の操作が容易である。
【００３３】さて、このシステムでは、前処理および分
析の条件として、大別してＶＰＤモード、ＶＰＴモー
ド、ＴＸＲＦモードの３種類のモードがあり、最初に、
ＶＰＤ（Vapor Phase Decomposition）モードでのシス
テムの動作を説明する。まず、搬送装置５０が、基板１
を分解室２１へ搬送し、図２の基板台２５に載置する。
搬入の際、気相分解装置２０のシャッター２１ａ，２７
が自動的に開く。基板台２５には、内周に下向き狭小の
テーパ２５ａが付いているので、基板１がハンド部５０
ａ上で所定の位置から多少ずれていても、基板１を基板
台２５に載置するだけで、自重で滑ってはまり込むよう
にして適切に位置決めされるので、続く回収、分析が正
確に行われる。
析の条件として、大別してＶＰＤモード、ＶＰＴモー
ド、ＴＸＲＦモードの３種類のモードがあり、最初に、
ＶＰＤ（Vapor Phase Decomposition）モードでのシス
テムの動作を説明する。まず、搬送装置５０が、基板１
を分解室２１へ搬送し、図２の基板台２５に載置する。
搬入の際、気相分解装置２０のシャッター２１ａ，２７
が自動的に開く。基板台２５には、内周に下向き狭小の
テーパ２５ａが付いているので、基板１がハンド部５０
ａ上で所定の位置から多少ずれていても、基板１を基板
台２５に載置するだけで、自重で滑ってはまり込むよう
にして適切に位置決めされるので、続く回収、分析が正
確に行われる。
【００３４】次に、シャッター２１ａ，２７が閉じて密
閉された分解室２１内にフッ化水素が配管２２ａから導
入され、基板１表面に形成された酸化膜を溶解するとと
もに、膜の表面または膜中に存在する汚染物質などの被
測定物を溶解し、配管２２ｂから排出される。基板１表
面に膜が形成されていない場合には、基板１表面に存在
する被測定物が溶解される。フッ化水素導入の際、排出
側の配管２２ｂのバルブが導入側の配管２２ａのバルブ
よりも先に開くことが好ましいが、逆でも同時でもよ
い。分解室２１内に導入されるフッ化水素は、加熱手段
２８により配管２２ａを介して外側から汚染されること
なく加熱されているので（図５）、分解室２１での酸化
膜の分解が適切かつ迅速に行われる。このフッ化水素に
よる気相分解は、設定により例えば１０分間行われる。
閉された分解室２１内にフッ化水素が配管２２ａから導
入され、基板１表面に形成された酸化膜を溶解するとと
もに、膜の表面または膜中に存在する汚染物質などの被
測定物を溶解し、配管２２ｂから排出される。基板１表
面に膜が形成されていない場合には、基板１表面に存在
する被測定物が溶解される。フッ化水素導入の際、排出
側の配管２２ｂのバルブが導入側の配管２２ａのバルブ
よりも先に開くことが好ましいが、逆でも同時でもよ
い。分解室２１内に導入されるフッ化水素は、加熱手段
２８により配管２２ａを介して外側から汚染されること
なく加熱されているので（図５）、分解室２１での酸化
膜の分解が適切かつ迅速に行われる。このフッ化水素に
よる気相分解は、設定により例えば１０分間行われる。
【００３５】所定時間の気相分解が終了すると、液滴乾
燥手段２４により分解室２１内が排気されながら窒素が
流され、フッ化水素が追い出されるとともに、基板１に
生じた液滴が乾燥される。これにより、以降の搬送にお
いて、液滴に搬送装置のハンド部５０ａが接触して腐食
されることがなく、ハンド部５０ａ上で基板１が滑って
搬送が不正確になることもない。また、フッ化水素が、
搬送措置５０側や蛍光Ｘ線分析装置４０（図１）側に流
入して、腐食などの原因となることもない。ここでも、
加熱手段２８により窒素が汚染されることなく加熱され
ているので（図５）、分解室２１での液滴の乾燥が適切
かつ迅速に行われる。また、定期的に、分解室洗浄手段
２３により分解室２１内に超純水が流されて洗浄され
る。このように、分解室２１内の洗浄も自動化されるの
で、システムの操作がいっそう容易になる。
燥手段２４により分解室２１内が排気されながら窒素が
流され、フッ化水素が追い出されるとともに、基板１に
生じた液滴が乾燥される。これにより、以降の搬送にお
いて、液滴に搬送装置のハンド部５０ａが接触して腐食
されることがなく、ハンド部５０ａ上で基板１が滑って
搬送が不正確になることもない。また、フッ化水素が、
搬送措置５０側や蛍光Ｘ線分析装置４０（図１）側に流
入して、腐食などの原因となることもない。ここでも、
加熱手段２８により窒素が汚染されることなく加熱され
ているので（図５）、分解室２１での液滴の乾燥が適切
かつ迅速に行われる。また、定期的に、分解室洗浄手段
２３により分解室２１内に超純水が流されて洗浄され
る。このように、分解室２１内の洗浄も自動化されるの
で、システムの操作がいっそう容易になる。
【００３６】次に、搬送装置５０が、基板１を図３の回
収室３１へ搬送し、基板１の中心が回転台３５の回転中
心に合致するように載置する。搬送の際、気相分解装置
２０および試料回収装置３０のシャッター２１ａ，２
７，３１ａが自動的に開閉する。このように、分解室２
１から回収室３１への基板１の搬送も搬送装置５０で行
うので、人手による汚染が回避されて正しい分析ができ
る。続いて、試料回収装置３０が、保持具３２ａから基
板１の外周近傍に滴下したフッ化水素酸溶液４を、基板
１を回転させながら、保持具３２ａで保持しつつ基板１
上で中心まで移動させて、基板１表面に存在する被測定
物（気相分解装置２０により基板１表面に保持された被
測定物）を回収する。回収工程におけるフッ化水素酸溶
液４の滴下位置や保持具３２ａの移動経路は、これに限
定されず、種々考えられる。回収後、保持具３２ａを上
昇させ保持具洗浄手段３４の内槽３４ａ上方にまで移動
させて上下させ、洗浄液に浸漬させて洗浄する。このよ
うに、保持具３２ａの洗浄も自動化されるので、システ
ムの操作がいっそう容易になる。
収室３１へ搬送し、基板１の中心が回転台３５の回転中
心に合致するように載置する。搬送の際、気相分解装置
２０および試料回収装置３０のシャッター２１ａ，２
７，３１ａが自動的に開閉する。このように、分解室２
１から回収室３１への基板１の搬送も搬送装置５０で行
うので、人手による汚染が回避されて正しい分析ができ
る。続いて、試料回収装置３０が、保持具３２ａから基
板１の外周近傍に滴下したフッ化水素酸溶液４を、基板
１を回転させながら、保持具３２ａで保持しつつ基板１
上で中心まで移動させて、基板１表面に存在する被測定
物（気相分解装置２０により基板１表面に保持された被
測定物）を回収する。回収工程におけるフッ化水素酸溶
液４の滴下位置や保持具３２ａの移動経路は、これに限
定されず、種々考えられる。回収後、保持具３２ａを上
昇させ保持具洗浄手段３４の内槽３４ａ上方にまで移動
させて上下させ、洗浄液に浸漬させて洗浄する。このよ
うに、保持具３２ａの洗浄も自動化されるので、システ
ムの操作がいっそう容易になる。
【００３７】次に、試料回収装置３０は、基板１の中心
上方にランプ３３ａを移動させ、被測定物を回収した溶
液４を加熱して被測定物を乾燥させる。この乾燥時に
も、回転台３５で基板１を水平面内で回転させる。これ
により、被測定物が、基板１上で偏って乾燥して拡がり
すぎることがないので、いっそう正しい分析ができる。
また、回収室３１が分解室２１の上に配置され、ファン
１１およびフィルター１２を介して回収室３１に流入し
た清浄な空気が、パンチング孔３１ｂを通って分解室２
１の内側シャッター２１ａの外側へ流れ落ちるようにな
っているので、システム全体の設置面積が十分に小さく
なるとともに、回収室３１が清浄に保たれる。なお、保
持具３２ａが被測定物を回収した溶液４の上方から退避
した後であれば、保持具３２ａの洗浄と被測定物の乾燥
は、どちらを先に行ってもよく、並行して行ってもよ
い。
上方にランプ３３ａを移動させ、被測定物を回収した溶
液４を加熱して被測定物を乾燥させる。この乾燥時に
も、回転台３５で基板１を水平面内で回転させる。これ
により、被測定物が、基板１上で偏って乾燥して拡がり
すぎることがないので、いっそう正しい分析ができる。
また、回収室３１が分解室２１の上に配置され、ファン
１１およびフィルター１２を介して回収室３１に流入し
た清浄な空気が、パンチング孔３１ｂを通って分解室２
１の内側シャッター２１ａの外側へ流れ落ちるようにな
っているので、システム全体の設置面積が十分に小さく
なるとともに、回収室３１が清浄に保たれる。なお、保
持具３２ａが被測定物を回収した溶液４の上方から退避
した後であれば、保持具３２ａの洗浄と被測定物の乾燥
は、どちらを先に行ってもよく、並行して行ってもよ
い。
【００３８】次に、図１において、搬送装置５０が、被
測定物２を回収した基板１を蛍光Ｘ線分析装置４０の導
入室のカセット４７へ搬送する。搬送の際、試料回収装
置３０のシャッター３１ａが自動的に開閉する。蛍光Ｘ
線分析装置４０は、搬送手段４６で基板１を試料台４１
へ搬送して載置し、全反射蛍光Ｘ線分析を行う。分析
後、基板１は搬送手段４６により導入室のカセット４７
へ搬送され、さらに、搬送装置５０によりカセット台５
に載置されたもとのカセット３へ搬送される。なお、最
初の基板１の分析中に、次の基板の回収、その次の基板
の分解を同時に行えば、全体の前処理および分析作業を
いっそう迅速に行える。
測定物２を回収した基板１を蛍光Ｘ線分析装置４０の導
入室のカセット４７へ搬送する。搬送の際、試料回収装
置３０のシャッター３１ａが自動的に開閉する。蛍光Ｘ
線分析装置４０は、搬送手段４６で基板１を試料台４１
へ搬送して載置し、全反射蛍光Ｘ線分析を行う。分析
後、基板１は搬送手段４６により導入室のカセット４７
へ搬送され、さらに、搬送装置５０によりカセット台５
に載置されたもとのカセット３へ搬送される。なお、最
初の基板１の分析中に、次の基板の回収、その次の基板
の分解を同時に行えば、全体の前処理および分析作業を
いっそう迅速に行える。
【００３９】さて、以上がＶＰＤ（Vapor Phase Decomp
osition）モードでのシステムの動作説明であるが、次
に、ＶＰＴ（Vapor Phase Treatment）モードでの動作
を説明する。ＶＰＴモードでは、試料回収装置３０によ
る被測定物の回収を行わないので、被測定物が濃縮され
ず、分析における感度はＶＰＤモードほど大きく向上し
ないが、基板１における被測定物の分布を知ることがで
きる。また、ＶＰＴモードにおいても、被測定物が、気
相分解装置２０でフッ化水素に溶解後乾燥されることよ
り微小な粒状になり、全反射蛍光Ｘ線分析において感度
が向上する。
osition）モードでのシステムの動作説明であるが、次
に、ＶＰＴ（Vapor Phase Treatment）モードでの動作
を説明する。ＶＰＴモードでは、試料回収装置３０によ
る被測定物の回収を行わないので、被測定物が濃縮され
ず、分析における感度はＶＰＤモードほど大きく向上し
ないが、基板１における被測定物の分布を知ることがで
きる。また、ＶＰＴモードにおいても、被測定物が、気
相分解装置２０でフッ化水素に溶解後乾燥されることよ
り微小な粒状になり、全反射蛍光Ｘ線分析において感度
が向上する。
【００４０】ＶＰＴモードでの動作は、図２で気相分解
装置２０において液滴乾燥手段２４により分解室２１内
が排気されながら窒素が流され、フッ化水素が追い出さ
れるとともに、基板１に生じた液滴が乾燥される段階ま
で、ＶＰＤモードと同じである。ＶＰＴモードでは、こ
の次に、搬送装置５０が、被測定物２を保持した基板１
を蛍光Ｘ線分析装置４０の導入室のカセット４７（図
１）へ搬送する。搬送の際、気相分解装置２０のシャッ
ター２１ａ，２７が自動的に開閉する。この後、図１の
蛍光Ｘ線分析装置４０による分析、搬送装置５０による
もとのカセット３への搬送が、ＶＰＤモードと同様にな
される。
装置２０において液滴乾燥手段２４により分解室２１内
が排気されながら窒素が流され、フッ化水素が追い出さ
れるとともに、基板１に生じた液滴が乾燥される段階ま
で、ＶＰＤモードと同じである。ＶＰＴモードでは、こ
の次に、搬送装置５０が、被測定物２を保持した基板１
を蛍光Ｘ線分析装置４０の導入室のカセット４７（図
１）へ搬送する。搬送の際、気相分解装置２０のシャッ
ター２１ａ，２７が自動的に開閉する。この後、図１の
蛍光Ｘ線分析装置４０による分析、搬送装置５０による
もとのカセット３への搬送が、ＶＰＤモードと同様にな
される。
【００４１】さらに、ＴＸＲＦモードでは、気相分解装
置２０による気相分解も行わず、すなわち、試料前処理
装置１０による前処理を全く行わない。前処理が不要な
基板（試料）１に対応したもので、このモードでは、搬
送装置５０が、カセット台５に載置されたカセット３か
ら蛍光Ｘ線分析装置４０の導入室のカセット４７へ、基
板１を搬送する。この後、蛍光Ｘ線分析装置４０による
分析、搬送装置５０によるもとのカセット３への基板１
の搬送が、ＶＰＤモードと同様になされる。すなわち、
システムは、通常の全反射蛍光Ｘ線分析装置として機能
する。
置２０による気相分解も行わず、すなわち、試料前処理
装置１０による前処理を全く行わない。前処理が不要な
基板（試料）１に対応したもので、このモードでは、搬
送装置５０が、カセット台５に載置されたカセット３か
ら蛍光Ｘ線分析装置４０の導入室のカセット４７へ、基
板１を搬送する。この後、蛍光Ｘ線分析装置４０による
分析、搬送装置５０によるもとのカセット３への基板１
の搬送が、ＶＰＤモードと同様になされる。すなわち、
システムは、通常の全反射蛍光Ｘ線分析装置として機能
する。
【００４２】この他に、基板１に酸化膜が形成されてお
らず、膜を溶解する必要がないような場合には、試料前
処理において、試料回収装置３０による被測定物の回収
のみを行うＤＡＤＤ（Direct acid Droplet Decomposit
ion）モードも設定可能である。このモードでは、搬送
装置５０が、カセット台５に載置されたカセット３から
試料回収装置３０の回収室３１へ、基板１を搬送する。
この後、試料回収装置３０による被測定物の回収、保持
具３２ａの洗浄、被測定物の乾燥、搬送装置５０による
蛍光Ｘ線分析装置４０の導入室のカセット４７への基板
１の搬送、蛍光Ｘ線分析装置４０による分析、搬送装置
５０によるもとのカセット３への基板１の搬送が、ＶＰ
Ｄモードと同様になされる。
らず、膜を溶解する必要がないような場合には、試料前
処理において、試料回収装置３０による被測定物の回収
のみを行うＤＡＤＤ（Direct acid Droplet Decomposit
ion）モードも設定可能である。このモードでは、搬送
装置５０が、カセット台５に載置されたカセット３から
試料回収装置３０の回収室３１へ、基板１を搬送する。
この後、試料回収装置３０による被測定物の回収、保持
具３２ａの洗浄、被測定物の乾燥、搬送装置５０による
蛍光Ｘ線分析装置４０の導入室のカセット４７への基板
１の搬送、蛍光Ｘ線分析装置４０による分析、搬送装置
５０によるもとのカセット３への基板１の搬送が、ＶＰ
Ｄモードと同様になされる。
【００４３】本実施形態のシステムにおいては、試料前
処理装置１０として気相分解装置２０および試料回収装
置３０を備えたが、本発明ではいずれか一方のみを備え
てもよい。気相分解装置２０のみを備えた場合には、Ｖ
ＰＴモードとＴＸＲＦモードに対応でき、試料回収装置
３０のみを備えた場合には、ＤＡＤＤモードとＴＸＲＦ
モードに対応できる。
処理装置１０として気相分解装置２０および試料回収装
置３０を備えたが、本発明ではいずれか一方のみを備え
てもよい。気相分解装置２０のみを備えた場合には、Ｖ
ＰＴモードとＴＸＲＦモードに対応でき、試料回収装置
３０のみを備えた場合には、ＤＡＤＤモードとＴＸＲＦ
モードに対応できる。
【００４４】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明の蛍
光Ｘ線分析システムによれば、試料前処理装置、蛍光Ｘ
線分析装置および搬送装置を統括して制御する制御装置
を備えるので、システム全体の操作が容易である。ま
た、その制御装置に用いられる本発明のプログラムによ
っても、制御装置が各装置を統括して制御するので、シ
ステム全体の操作が容易である。
光Ｘ線分析システムによれば、試料前処理装置、蛍光Ｘ
線分析装置および搬送装置を統括して制御する制御装置
を備えるので、システム全体の操作が容易である。ま
た、その制御装置に用いられる本発明のプログラムによ
っても、制御装置が各装置を統括して制御するので、シ
ステム全体の操作が容易である。
【図１】（ａ）は、本発明の一実施形態である蛍光Ｘ線
分析システムの平面図、（ｂ）は、同システムの正面図
である。
分析システムの平面図、（ｂ）は、同システムの正面図
である。
【図２】（ａ）は、同システムの気相分解装置の平面
図、（ｂ）は、同装置の正面図である。
図、（ｂ）は、同装置の正面図である。
【図３】（ａ）は、同システムの試料回収装置の平面
図、（ｂ）は、同装置の正面図である。
図、（ｂ）は、同装置の正面図である。
【図４】（ａ）は、同システムの試料回収装置の保持具
洗浄手段であって保持具を洗浄液に浸漬させるものの正
面図、（ｂ）は、同手段であって保持具に洗浄液を吹き
付けるものの正面図である。
洗浄手段であって保持具を洗浄液に浸漬させるものの正
面図、（ｂ）は、同手段であって保持具に洗浄液を吹き
付けるものの正面図である。
【図５】同システムの気相分解装置の加熱手段を示す正
面図である。
面図である。
１…基板、２…被測定物、４…溶液、１０…試料前処理
装置、２０…気相分解装置、２１…分解室、２２ａ…分
解室への反応性ガスの配管、２３…分解室洗浄手段、２
４…液滴乾燥手段、２４ａ…分解室への不活性ガスの配
管、２５…基板台、２５ａ…基板台のテーパ面、２８…
加熱手段、３０…試料回収装置、３１…回収室、３２ａ
…保持具、３４…保持具洗浄手段、３５…回転台、４０
…蛍光Ｘ線分析装置、４３…１次Ｘ線、４４…蛍光Ｘ
線、５０…搬送装置、６０…制御装置。
装置、２０…気相分解装置、２１…分解室、２２ａ…分
解室への反応性ガスの配管、２３…分解室洗浄手段、２
４…液滴乾燥手段、２４ａ…分解室への不活性ガスの配
管、２５…基板台、２５ａ…基板台のテーパ面、２８…
加熱手段、３０…試料回収装置、３１…回収室、３２ａ
…保持具、３４…保持具洗浄手段、３５…回転台、４０
…蛍光Ｘ線分析装置、４３…１次Ｘ線、４４…蛍光Ｘ
線、５０…搬送装置、６０…制御装置。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
Ｆターム(参考） 2G001 AA01 BA04 CA01 EA01 GA01
JA12 KA01 PA01 PA11
2G052 AA13 AB26 AB27 AC13 AD32
AD52 DA13 DA22 EB01 EB11
FC04 GA19 HC03 HC12 HC33
HC36 JA06
Claims (9)
- 【請求項１】 基板表面に存在する被測定物または基板
表面に形成された膜の表面もしくは膜中に存在する被測
定物を分解室内で反応性ガスにより溶解後乾燥させて基
板表面に保持する気相分解装置と、 前記分解室の上に配置された回収室内で、表面に被測定
物が存在する基板に溶液を滴下して保持具で保持しなが
ら基板表面で移動させ、被測定物を回収後乾燥させて基
板表面に保持する試料回収装置と、 前記気相分解装置または試料回収装置により基板表面に
保持された被測定物に１次Ｘ線を照射して発生する蛍光
Ｘ線の強度を測定する蛍光Ｘ線分析装置と、 前記分解室から蛍光Ｘ線分析装置への基板の搬送、前記
分解室から回収室への基板の搬送、および前記回収室か
ら蛍光Ｘ線分析装置への基板の搬送を行う搬送装置と、 前記気相分解装置、試料回収装置、蛍光Ｘ線分析装置お
よび搬送装置を制御する制御装置とを備えた蛍光Ｘ線分
析システム。 - 【請求項２】 基板表面に存在する被測定物または基板
表面に形成された膜の表面もしくは膜中に存在する被測
定物を分解室内で反応性ガスにより溶解後乾燥させて基
板表面に保持する気相分解装置と、 その気相分解装置により基板表面に保持された被測定物
に１次Ｘ線を照射して発生する蛍光Ｘ線の強度を測定す
る蛍光Ｘ線分析装置と、 前記分解室から蛍光Ｘ線分析装置への基板の搬送を行う
搬送装置と、 前記気相分解装置、蛍光Ｘ線分析装置および搬送装置を
制御する制御装置とを備えた蛍光Ｘ線分析システム。 - 【請求項３】 回収室内で、表面に被測定物が存在する
基板に溶液を滴下して保持具で保持しながら基板表面で
移動させ、被測定物を回収後乾燥させて基板表面に保持
する試料回収装置と、 その試料回収装置により基板表面に保持された被測定物
に１次Ｘ線を照射して発生する蛍光Ｘ線の強度を測定す
る蛍光Ｘ線分析装置と、 前記回収室から蛍光Ｘ線分析装置への基板の搬送を行う
搬送装置と、 前記試料回収装置、蛍光Ｘ線分析装置および搬送装置を
制御する制御装置とを備えた蛍光Ｘ線分析システム。 - 【請求項４】 請求項１または２において、 前記気相分解装置が、分解室内に洗浄液を流して洗浄す
る分解室洗浄手段を有する蛍光Ｘ線分析システム。 - 【請求項５】 請求項１または２において、 前記気相分解装置が、分解室へ導入するガスを加熱する
加熱手段を有する蛍光Ｘ線分析システム。 - 【請求項６】 請求項１または２において、 前記気相分解装置が、基板が分解室内の所定の位置に載
置されるように、内周に下向き狭小のテーパが付いた基
板台を有する蛍光Ｘ線分析システム。 - 【請求項７】 請求項１または３において、 前記試料回収装置が、保持具を洗浄液にて洗浄する保持
具洗浄手段を有する蛍光Ｘ線分析システム。 - 【請求項８】 請求項１または３において、 前記試料回収装置が、前記溶液に回収した被測定物を乾
燥させる際に、基板を水平面内で回転させる回転台を有
する蛍光Ｘ線分析システム。 - 【請求項９】 請求項１に記載の蛍光Ｘ線分析システム
が備える前記制御装置に、操作者の選択に応じて、ＶＰ
Ｄモード、ＶＰＴモードおよびＴＸＲＦモードのいずれ
かを実行させるためのプログラムであって、 前記ＶＰＤモードにおいては、まず、前記搬送装置に、
基板を所定の投入位置から前記分解室へ搬送させ、 前記気相分解装置に、前記反応性ガスを分解室内に導入
させ、 前記搬送装置に、基板を前記回収室へ搬送させ、 前記試料回収装置に、前記溶液を基板に滴下させ、 前記試料回収装置に、前記滴下した溶液を保持具で保持
しながら基板表面で移動させて被測定物を回収させ、 前記試料回収装置に、被測定物を乾燥させ、 前記搬送装置に、基板を前記蛍光Ｘ線分析装置へ搬送さ
せ、 前記蛍光Ｘ線分析装置に、１次Ｘ線を被測定物に照射さ
せて発生する蛍光Ｘ線の強度を測定させ、 前記搬送装置に、基板を前記投入位置へ搬送させ、 前記ＶＰＴモードにおいては、まず、前記搬送装置に、
基板を所定の投入位置から前記分解室へ搬送させ、 前記気相分解装置に、前記反応性ガスを分解室内に導入
させ、 前記搬送装置に、基板を前記蛍光Ｘ線分析装置へ搬送さ
せ、 前記蛍光Ｘ線分析装置に、１次Ｘ線を被測定物に照射さ
せて発生する蛍光Ｘ線の強度を測定させ、 前記搬送装置に、基板を前記投入位置へ搬送させ、 前記ＴＸＲＦモードにおいては、まず、前記搬送装置
に、基板を所定の投入位置から前記蛍光Ｘ線分析装置へ
搬送させ、 前記蛍光Ｘ線分析装置に、１次Ｘ線を被測定物に照射さ
せて発生する蛍光Ｘ線の強度を測定させ、 前記搬送装置に、基板を前記投入位置へ搬送させるプロ
グラム。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001270604A JP3603278B2 (ja) | 2001-09-06 | 2001-09-06 | 蛍光ｘ線分析システムおよびそれに用いるプログラム |
| DE10241164A DE10241164B4 (de) | 2001-09-06 | 2002-09-05 | Röntgenfluoreszenzspektrometersystem |
| US10/234,321 US6937691B2 (en) | 2001-09-06 | 2002-09-05 | X-ray fluorescence spectrometric system and a program for use therein |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001270604A JP3603278B2 (ja) | 2001-09-06 | 2001-09-06 | 蛍光ｘ線分析システムおよびそれに用いるプログラム |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003075374A true JP2003075374A (ja) | 2003-03-12 |
| JP3603278B2 JP3603278B2 (ja) | 2004-12-22 |
Family
ID=19096235
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001270604A Expired - Lifetime JP3603278B2 (ja) | 2001-09-06 | 2001-09-06 | 蛍光ｘ線分析システムおよびそれに用いるプログラム |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6937691B2 (ja) |
| JP (1) | JP3603278B2 (ja) |
| DE (1) | DE10241164B4 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009092448A (ja) * | 2007-10-05 | 2009-04-30 | Rigaku Corp | 蛍光ｘ線分析システムおよびそのシステムに用いるプログラム |
| JP2013190403A (ja) * | 2012-03-15 | 2013-09-26 | Toshiba Corp | 不純物分析装置及び方法 |
| JP2016200537A (ja) * | 2015-04-13 | 2016-12-01 | 株式会社リガク | 蛍光ｘ線分析システム |
| CN107367415A (zh) * | 2017-08-23 | 2017-11-21 | 力鸿智信（北京）科技有限公司 | 防止煤样交叉污染的处理方法及机器人煤炭制样系统 |
| WO2019058706A1 (ja) | 2017-09-20 | 2019-03-28 | 株式会社リガク | 基板汚染分析システム |
| WO2020012730A1 (ja) | 2018-07-09 | 2020-01-16 | 株式会社リガク | Ｘ線分析システム、ｘ線分析装置及び気相分解装置 |
Families Citing this family (31)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3584262B2 (ja) * | 2001-09-18 | 2004-11-04 | 理学電機工業株式会社 | 蛍光ｘ線分析用試料前処理システムおよびそれを備えた蛍光ｘ線分析システム |
| US7648678B2 (en) * | 2002-12-20 | 2010-01-19 | Dako Denmark A/S | Method and system for pretreatment of tissue slides |
| US20080152090A1 (en) * | 2003-08-25 | 2008-06-26 | Takashi Yamada | Euv Light Source |
| GB0321039D0 (en) * | 2003-09-09 | 2003-10-08 | Council Cent Lab Res Councils | Ionising particle analyser |
| US7536266B2 (en) * | 2006-04-17 | 2009-05-19 | Lincoln Global, Inc. | Universal X-ray fluorescence calibration technique for wire surface analysis |
| US7495766B2 (en) * | 2006-06-22 | 2009-02-24 | Linccln Global, Inc. | Spectroscopic analysis technique for measuring the amount of surface material on wire |
| US7732225B2 (en) * | 2006-06-29 | 2010-06-08 | Texas Instruments Incorporated | Method for measuring contamination in liquids at PPQ levels |
| WO2008101088A2 (en) * | 2007-02-14 | 2008-08-21 | Bruker Biosciences Corporation | Handheld x-ray fluorescence spectrometer |
| US7889335B2 (en) * | 2007-07-18 | 2011-02-15 | Bruker Biosciences Corporation | Handheld spectrometer including wireless capabilities |
| US8130902B2 (en) * | 2007-07-31 | 2012-03-06 | Uchicago Argonne, Llc | High-resolution, active-optic X-ray fluorescence analyzer |
| US20090131886A1 (en) | 2007-11-16 | 2009-05-21 | Liu Y King | Steerable vertebroplasty system |
| US20090299282A1 (en) * | 2007-11-16 | 2009-12-03 | Osseon Therapeutics, Inc. | Steerable vertebroplasty system with a plurality of cavity creation elements |
| US20090131867A1 (en) * | 2007-11-16 | 2009-05-21 | Liu Y King | Steerable vertebroplasty system with cavity creation element |
| US20090131950A1 (en) * | 2007-11-16 | 2009-05-21 | Liu Y King | Vertebroplasty method with enhanced control |
| US20090182427A1 (en) * | 2007-12-06 | 2009-07-16 | Osseon Therapeutics, Inc. | Vertebroplasty implant with enhanced interfacial shear strength |
| US20100298832A1 (en) | 2009-05-20 | 2010-11-25 | Osseon Therapeutics, Inc. | Steerable curvable vertebroplasty drill |
| BR112012027708B1 (pt) | 2010-04-29 | 2021-03-09 | Dfine, Inc | dispositivo médico para ablação de tecido dentro de um osso de um paciente |
| FR2982670B1 (fr) * | 2011-11-15 | 2013-11-29 | Commissariat Energie Atomique | Dispositif d'analyse d'un materiau irradiant a l'aide d'une microsonde |
| EP2927945B1 (en) * | 2014-04-04 | 2023-05-31 | Nordson Corporation | X-ray inspection apparatus for inspecting semiconductor wafers |
| JP6530289B2 (ja) * | 2015-09-11 | 2019-06-12 | 東芝メモリ株式会社 | 分析前処理装置 |
| JP2018048946A (ja) * | 2016-09-23 | 2018-03-29 | 東芝メモリ株式会社 | 分析装置 |
| US10478241B2 (en) | 2016-10-27 | 2019-11-19 | Merit Medical Systems, Inc. | Articulating osteotome with cement delivery channel |
| KR20190082300A (ko) | 2016-11-28 | 2019-07-09 | 디파인 인코포레이티드 | 종양 절제 디바이스 및 관련 방법 |
| US10470781B2 (en) | 2016-12-09 | 2019-11-12 | Dfine, Inc. | Medical devices for treating hard tissues and related methods |
| EP3565486B1 (en) | 2017-01-06 | 2021-11-10 | Dfine, Inc. | Osteotome with a distal portion for simultaneous advancement and articulation |
| US11244841B2 (en) | 2017-12-01 | 2022-02-08 | Elemental Scientific, Inc. | Systems for integrated decomposition and scanning of a semiconducting wafer |
| EP3876856A4 (en) | 2018-11-08 | 2022-10-12 | Dfine, Inc. | TUMORABLATION DEVICE AND RELATED SYSTEMS AND METHODS |
| GB201906559D0 (en) * | 2019-05-09 | 2019-06-26 | Ffei Ltd | Biological sample scanner |
| EP4031040A4 (en) | 2019-09-18 | 2023-11-15 | Merit Medical Systems, Inc. | OSTEOTOME WITH INFLATABLE PART AND MULTIFILAR JOINT |
| JP7302504B2 (ja) * | 2020-02-27 | 2023-07-04 | 株式会社島津製作所 | 蛍光ｘ線分析装置 |
| CN113866205B (zh) * | 2021-12-06 | 2022-02-18 | 天津海关动植物与食品检测中心 | 一种中草药荧光光谱重金属检测装置和检测方法 |
Family Cites Families (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5395446A (en) * | 1988-11-21 | 1995-03-07 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor treatment apparatus |
| JP3051013B2 (ja) * | 1993-12-21 | 2000-06-12 | 株式会社東芝 | 不純物分析方法 |
| US5826129A (en) * | 1994-06-30 | 1998-10-20 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing system |
| JPH08330271A (ja) * | 1995-06-02 | 1996-12-13 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | シリコンウエーハ表面のエッチング方法及び装置 |
| JPH0972836A (ja) * | 1995-09-01 | 1997-03-18 | Sony Corp | 全反射蛍光ｘ線分析用試料調製方法及び全反射蛍光ｘ線分析用試料調製装置 |
| JP2967398B2 (ja) * | 1995-09-18 | 1999-10-25 | 信越半導体株式会社 | シリコンウエーハ内部の不純物分析方法 |
| US5742658A (en) * | 1996-05-23 | 1998-04-21 | Advanced Micro Devices, Inc. | Apparatus and method for determining the elemental compositions and relative locations of particles on the surface of a semiconductor wafer |
| US5866899A (en) * | 1996-09-12 | 1999-02-02 | Advanced Micro Devices, Inc. | Concentration measurement apparatus calibration method |
| JP3336898B2 (ja) * | 1997-02-28 | 2002-10-21 | 三菱電機株式会社 | シリコンウエハ表面の不純物回収方法およびその装置 |
| US6173036B1 (en) * | 1997-08-01 | 2001-01-09 | Advanced Micro Devices, Inc. | Depth profile metrology using grazing incidence X-ray fluorescence |
| JP3116871B2 (ja) * | 1997-09-03 | 2000-12-11 | 日本電気株式会社 | 半導体基板表面分析の前処理方法及びその装置 |
| JPH1183688A (ja) * | 1997-09-10 | 1999-03-26 | Nippon Steel Corp | 製鉄原料、スラグの自動分析方法及びその設備 |
| US6053984A (en) * | 1997-11-17 | 2000-04-25 | Petvai; Steve I. | Method and apparatus for decomposition of silicon oxide layers for impurity analysis of silicon wafers |
| US6381303B1 (en) * | 1999-09-29 | 2002-04-30 | Jordan Valley Applied Radiation Ltd. | X-ray microanalyzer for thin films |
| JP2002122558A (ja) * | 2000-10-16 | 2002-04-26 | Rigaku Industrial Co | 蛍光ｘ線分析方法および装置 |
| JP3619895B2 (ja) * | 2001-03-19 | 2005-02-16 | 理学電機工業株式会社 | 蛍光ｘ線分析用試料前処理装置およびそれを備えた蛍光ｘ線分析装置 |
| JP3784696B2 (ja) * | 2001-11-07 | 2006-06-14 | Ｎｅｃエレクトロニクス株式会社 | 半導体ウエハ表面不純物の回収方法および回収装置 |
-
2001
- 2001-09-06 JP JP2001270604A patent/JP3603278B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2002
- 2002-09-05 US US10/234,321 patent/US6937691B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2002-09-05 DE DE10241164A patent/DE10241164B4/de not_active Expired - Lifetime
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009092448A (ja) * | 2007-10-05 | 2009-04-30 | Rigaku Corp | 蛍光ｘ線分析システムおよびそのシステムに用いるプログラム |
| JP2013190403A (ja) * | 2012-03-15 | 2013-09-26 | Toshiba Corp | 不純物分析装置及び方法 |
| JP2016200537A (ja) * | 2015-04-13 | 2016-12-01 | 株式会社リガク | 蛍光ｘ線分析システム |
| US9989484B2 (en) | 2015-04-13 | 2018-06-05 | Rigaku Corporation | X-ray fluorescence analyzing system |
| CN107367415A (zh) * | 2017-08-23 | 2017-11-21 | 力鸿智信（北京）科技有限公司 | 防止煤样交叉污染的处理方法及机器人煤炭制样系统 |
| WO2019058706A1 (ja) | 2017-09-20 | 2019-03-28 | 株式会社リガク | 基板汚染分析システム |
| US11022572B2 (en) | 2017-09-20 | 2021-06-01 | Rigaku Corporation | Substrate contamination analysis system |
| WO2020012730A1 (ja) | 2018-07-09 | 2020-01-16 | 株式会社リガク | Ｘ線分析システム、ｘ線分析装置及び気相分解装置 |
| US10989678B2 (en) | 2018-07-09 | 2021-04-27 | Rigaku Corporation | X-ray analysis system, x-ray analysis device, and vapor phase decomposition device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE10241164A1 (de) | 2003-03-27 |
| US6937691B2 (en) | 2005-08-30 |
| JP3603278B2 (ja) | 2004-12-22 |
| US20030043963A1 (en) | 2003-03-06 |
| DE10241164B4 (de) | 2007-09-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3603278B2 (ja) | 蛍光ｘ線分析システムおよびそれに用いるプログラム | |
| JP3584262B2 (ja) | 蛍光ｘ線分析用試料前処理システムおよびそれを備えた蛍光ｘ線分析システム | |
| KR100801708B1 (ko) | 웨이퍼 오염물질 분석장비 및 방법 | |
| JPH0264646A (ja) | レジストパターンの現像方法及びこの方法に使用する現像装置 | |
| KR100832107B1 (ko) | 오염 검사 장치 및 방법, 그리고 상기 장치를 이용한레티클 세정 설비 및 방법 | |
| JP4971283B2 (ja) | 半導体ウエーハ汚染物質測定装置のスキャンステージ | |
| TW201705328A (zh) | 用以檢測晶圓上瑕疵之方法及設備 | |
| JPH05256749A (ja) | 分析前処理器具及び該器具を用いた前処理方法 | |
| JP2009253271A (ja) | 半導体ウエーハ汚染物質測定装置のスキャニングアームと、これを利用したスキャニングユニット | |
| JP2018048946A (ja) | 分析装置 | |
| US20070076942A1 (en) | Semiconductor device manufacturing system | |
| JP2006214877A (ja) | 気相分解装置ならびにそれを用いた試料前処理装置および蛍光ｘ線分析システム | |
| JP4449135B2 (ja) | 半導体基板の保持容器 | |
| JP2023037588A (ja) | バブル測定ユニットとこれを含む基板処理装置及びバブル測定方法 | |
| US6913781B2 (en) | Substrate processing apparatus and method including a device for applying a coating and a device for measuring the film quality of the coating | |
| JP3629535B2 (ja) | 蛍光ｘ線分析用試料前処理装置およびそれを備えた蛍光ｘ線分析システム | |
| JP2016200537A (ja) | 蛍光ｘ線分析システム | |
| JPH02229428A (ja) | 半導体処理装置 | |
| JP3811718B2 (ja) | 蛍光ｘ線分析用試料回収装置 | |
| JP2003098128A (ja) | 蛍光ｘ線分析用試料前処理装置 | |
| JPH0886785A (ja) | 検査用素子およびこの素子収容用のカートリッジ | |
| JP2011106903A (ja) | 蛍光ｘ線分析用試料前処理装置およびそれを備えた蛍光ｘ線分析システム | |
| JP2019056573A (ja) | 基板汚染分析システム | |
| JP4044203B2 (ja) | 基板処理装置 | |
| JPH05326665A (ja) | 汚染物質捕集装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040206 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040224 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040416 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20040914 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20040917 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 3603278 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081008 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091008 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091008 Year of fee payment: 5 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091008 Year of fee payment: 5 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101008 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111008 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121008 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131008 Year of fee payment: 9 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| SG99 | Written request for registration of restore |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R316G99 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |