JP2023037588A - バブル測定ユニットとこれを含む基板処理装置及びバブル測定方法 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 142
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims abstract description 74
- 238000005259 measurement Methods 0.000 title claims abstract description 19
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 title claims abstract description 14
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 209
- 238000007689 inspection Methods 0.000 claims abstract description 89
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 63
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 47
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 10
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 5
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims 3
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims 3
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims 1
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 39
- 239000000872 buffer Substances 0.000 description 59
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 43
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 42
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 37
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 26
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 23
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 20
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 18
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 16
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 10
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 8
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 8
- 239000010408 film Substances 0.000 description 7
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 4
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000006117 anti-reflective coating Substances 0.000 description 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 3
- 230000006837 decompression Effects 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 2
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OMOVVBIIQSXZSZ-UHFFFAOYSA-N [6-(4-acetyloxy-5,9a-dimethyl-2,7-dioxo-4,5a,6,9-tetrahydro-3h-pyrano[3,4-b]oxepin-5-yl)-5-formyloxy-3-(furan-3-yl)-3a-methyl-7-methylidene-1a,2,3,4,5,6-hexahydroindeno[1,7a-b]oxiren-4-yl] 2-hydroxy-3-methylpentanoate Chemical compound CC12C(OC(=O)C(O)C(C)CC)C(OC=O)C(C3(C)C(CC(=O)OC4(C)COC(=O)CC43)OC(C)=O)C(=C)C32OC3CC1C=1C=COC=1 OMOVVBIIQSXZSZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003667 anti-reflective effect Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000012809 cooling fluid Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NEXSMEBSBIABKL-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisilane Chemical compound C[Si](C)(C)[Si](C)(C)C NEXSMEBSBIABKL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 1
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N15/00—Investigating characteristics of particles; Investigating permeability, pore-volume or surface-area of porous materials
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
- G03F7/162—Coating on a rotating support, e.g. using a whirler or a spinner
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N15/00—Investigating characteristics of particles; Investigating permeability, pore-volume or surface-area of porous materials
- G01N15/10—Investigating individual particles
- G01N15/14—Optical investigation techniques, e.g. flow cytometry
- G01N15/1468—Optical investigation techniques, e.g. flow cytometry with spatial resolution of the texture or inner structure of the particle
- G01N15/147—Optical investigation techniques, e.g. flow cytometry with spatial resolution of the texture or inner structure of the particle the analysis being performed on a sample stream
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
- H01L21/67178—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers vertical arrangement
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N15/00—Investigating characteristics of particles; Investigating permeability, pore-volume or surface-area of porous materials
- G01N2015/0007—Investigating dispersion of gas
- G01N2015/0011—Investigating dispersion of gas in liquids, e.g. bubbles
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N15/00—Investigating characteristics of particles; Investigating permeability, pore-volume or surface-area of porous materials
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- G01N15/14—Optical investigation techniques, e.g. flow cytometry
- G01N2015/1486—Counting the particles
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N15/00—Investigating characteristics of particles; Investigating permeability, pore-volume or surface-area of porous materials
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- G01N15/14—Optical investigation techniques, e.g. flow cytometry
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
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- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
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Abstract
【解決手段】本発明は基板を処理する装置を提供する。基板を処理する装置は基板に対して液を供給する液供給ユニット、前記液供給ユニットに提供された部品に設置され、検査領域を提供する透光性材質のカバー、及び前記検査領域に提供された前記部品の内部を流動する前記液に含まれるバブルを検査する検査ユニットを含み、前記検査ユニットは前記カバーの外側で前記検査領域に向かって光を照射する光源、前記カバーの外側に位置され、前記検査領域を通過した前記光を受光する受光部及び前記受光部で受光した前記光から前記バブルを検査する検査部を含むことができる。
【選択図】図9
Description
また、本発明の目的は液供給ユニットに提供される部品の境界面で入射された光が屈折されることを最小化することができるバブル測定ユニットとこれを含む基板処理装置及びバブル測定方法を提供することにある。
本発明の実施形態によるバブル測定方法は部品内に貯蔵されるか、或いは部品の内部を流れる液に含まれたバブルを測定することができる。一例として、バブル測定方法は液供給ユニット3000に提供される部品内に貯蔵されるか、或いは液供給ユニット3000の内部を流れる液に含まれたバブルを測定することができる。バブル測定方法はカバー提供段階(S10)、光照射段階(S20)、イメージ獲得段階(S30)、そしてバブル検出段階(S40)を含むことができる。
3100 メーンタンク
3200 トラップタンク
3300 ポンプ
3400 フィルター
3500 液供給ノズル
3600 液供給ライン
4000 バブル測定ユニット
4200 カバー
4400 検査ユニット
4420 光源
4440 拡散板
4460 受光部
Claims (20)
- 基板を処理する装置において、
基板に対して液を供給する液供給ユニットと、
前記液供給ユニットに提供された部品に設置され、検査領域を提供する透光性材質のカバーと、
前記検査領域に提供された前記部品の内部を流動する前記液に含まれるバブルを検査する検査ユニットと、を含み、
前記噴射ユニットは、
前記カバーの外側から前記検査領域に向かって光を照射する光源と、
前記カバーの外側に位置され、前記検査領域を通過した前記光を受光する受光部と、
前記受光部で受光した前記光から前記バブルを検査する検査部と、を含む基板処理装置。 - 前記カバーと前記部品との間に空間が提供されるように前記カバーは、前記部品を囲むように提供され、
前記空間には、
前記検査領域に提供された前記部品の材質と同一な屈折率を有する物質で満たされる請求項1に記載の基板処理装置。 - 前記チャンバーは、
前記空間に満たされる前記物質より高い屈折率を有する材質で提供される請求項2に記載の基板処理装置。 - 前記物質は、液体である請求項3に記載の基板処理装置。
- 前記部品は、その長さ方向に垂直になる断面が曲線で形成され、
前記光源と対向する前記カバーの第1面は、平面で提供され、
前記光源は、前記第1面に垂直になる方向に前記光を照射する請求項1に記載の基板処理装置。 - 前記第1面と対向する前記カバーの第2面は、前記第1面と平行に提供される請求項5に記載の基板処理装置。
- 前記噴射ユニットは、
前記光源と前記第1面との間に位置し、前記光源で照射される前記光を拡散させる拡散板をさらに含む請求項6に記載の基板処理装置。 - 前記軸供給ユニットは、
基板に液を吐出する液供給ノズルと、
前記液が貯蔵されるタンクと、
前記液供給ノズルに供給される前記液に流動圧を提供するポンプと、
前記タンクから前記液供給ノズルに前記液が供給される液供給ラインと、を含む請求項1乃至請求項7のいずれかの一項に記載の基板処理装置。 - 前記カバーは、前記液供給ラインに設置される請求項8に記載の基板処理装置。
- 前記カバーは、前記タンクに設置される請求項8に記載の基板処理装置。
- 前記カバーは、前記液供給ノズルに設置される請求項8に記載の基板処理装置。
- 前記カバーは、前記ポンプに設置される請求項8に記載の基板処理装置。
- 部品の内部で流動する液に含まれたバブルを測定するユニットにおいて、
前記部品に設置され、検査領域を提供する透光性材質のカバーと、
前記検査領域に提供された前記部品の内部を流動する前記液に含まれるバブルを検査する検査ユニットと、を含み、
前記噴射ユニットは、
前記カバーの外側から前記検査領域に向かって光を照射する光源と、
前記カバーの外側に位置され、前記検査領域を通過した前記光を受光する受光部と、
前記受光部で受光した前記光から前記バブルを検査する検査部と、を含むバブル測定ユニット。 - 前記カバーと前記部品との間に空間が提供されるように前記カバーは、前記部品を囲むように提供され、
前記空間には、、
前記検査領域に提供された前記部品の材質と同一な屈折率を有する物質で満たされる請求項13に記載のバブル測定ユニット。 - 前記チャンバーは、
前記空間に満たされる前記物質より高い屈折率を有する材質で提供される請求項14に記載のバブル測定ユニット。 - 前記部品は、その長さ方向に垂直になる断面が曲線で形成され、
前記光源と対向する前記カバーの第1面は、平面で提供され
前記第1面と対向する前記カバーの第2面は、前記第1面と平行に提供され、
前記光源は、前記第1面に垂直になる方向に前記光を照射する請求項14に記載のバブル測定ユニット。 - 部品内に貯蔵されるか、或いは部品の内部を流れる液に含まれたバブルを測定する方法において、
前記部品の検査領域をカバーで囲み、前記カバーの外側で前記検査領域に光を照射し、前記検査領域を通過した前記光を受光して前記部品の内部に貯蔵されるか、或いは前記部品の内部に流れる前記液に含まれたバブルのイメージを獲得し、前記イメージから前記部品の内部に形成された前記バブルを検査するバブル測定方法。 - 前記カバーと前記部品との間には前記部品の材質と同一な屈折率を有する物質が満たされる請求項17に記載のバブル測定方法。
- 前記カバーは、前記物質より高い屈折率を有する材質で提供される請求項1に記載のバブル測定方法。
- 前記部品は、その長さ方向に垂直になる断面が曲線で形成され、
前記光が照射される光源と対向する前記カバーの第1面は、平面で提供され、
前記第1面と対向する前記カバーの第2面は、前記第1面と平行に提供され、
前記光源は、前記第1面に垂直になる方向に前記光を照射する請求項17乃至請求項18のいずれかの一項に記載のバブル測定方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2021-0117424 | 2021-09-03 | ||
KR1020210117424A KR20230034549A (ko) | 2021-09-03 | 2021-09-03 | 버블 측정 유닛과 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 버블 측정 방법 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2023037588A true JP2023037588A (ja) | 2023-03-15 |
Family
ID=85349596
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2022131515A Pending JP2023037588A (ja) | 2021-09-03 | 2022-08-22 | バブル測定ユニットとこれを含む基板処理装置及びバブル測定方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20230073468A1 (ja) |
JP (1) | JP2023037588A (ja) |
KR (1) | KR20230034549A (ja) |
CN (1) | CN115763303A (ja) |
TW (1) | TW202312308A (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10074547B2 (en) * | 2013-12-19 | 2018-09-11 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Photoresist nozzle device and photoresist supply system |
-
2021
- 2021-09-03 KR KR1020210117424A patent/KR20230034549A/ko active Search and Examination
-
2022
- 2022-08-22 JP JP2022131515A patent/JP2023037588A/ja active Pending
- 2022-08-29 TW TW111132537A patent/TW202312308A/zh unknown
- 2022-09-02 US US17/902,094 patent/US20230073468A1/en active Pending
- 2022-09-05 CN CN202211080277.0A patent/CN115763303A/zh active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20230034549A (ko) | 2023-03-10 |
TW202312308A (zh) | 2023-03-16 |
US20230073468A1 (en) | 2023-03-09 |
CN115763303A (zh) | 2023-03-07 |
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Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
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|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20230712 |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Request for written amendment filed |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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