JP2013182942A5 - - Google Patents

Claims (6)

1. 境界線で互いに接する第１領域および第２領域を有する半導体装置の製造方法であって、
   前記境界線に平行で前記第１領域の中に配置された第１線と前記境界線に平行で前記第２領域の中に配置された第２線とで幅が規定された境界線上ライン部を含むパターンを形成するフォトリソグラフィー工程を含み、前記フォトリソグラフィー工程は、
   基板に塗布されたフォトレジストに対して、前記第１線を規定するための第１露光および前記第２線を規定するための第２露光を別個に実施する露光工程と、
   前記露光工程を経た前記フォトレジストを現像する工程と、を含む、
   ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
2. 前記第１露光において、前記第１領域の中に前記境界線上ライン部に平行な複数の第１ライン部を規定するように前記フォトレジストを露光し、
   前記第２露光において、前記第２領域の中に前記境界線上ライン部に平行な複数の第２ライン部を規定するように前記フォトレジストを露光する、
   ことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
3. 前記複数の第１ライン部における隣り合う第１ライン部の間隔、前記複数の第１ライン部のうち前記境界線上ライン部に最も近い第１ライン部と前記境界線上ライン部との間隔、前記複数の第２ライン部における隣り合う第２ライン部の間隔、および、前記複数の第２ライン部のうち前記境界線上ライン部に最も近い第２ライン部と前記境界線上ライン部との間隔が、互いに等しい、
   ことを特徴とする請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
4. 前記境界線は、所定方向に沿った直線に平行な複数の直線部と、前記複数の直線部を連結する連結部とを含み、
   前記半導体装置は、複数の前記境界線上ライン部を有し、前記複数の直線部のそれぞれに対して１つの前記境界線上ライン部が設けられている、
   ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
5. 前記フォトレジストは、ポジ型フォトレジストである、
   ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
6. 前記フォトレジストは、ネガ型フォトレジストである、
   ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。