JP2013169685A5

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Publication number: JP2013169685A5
Application number: JP2012034384A
Authority: JP
Filing date: 2012-02-20
Publication date: 2015-04-02
Anticipated expiration: 2032-02-20

Claims

周波数１．６Ｈｚで測定した２５℃における貯蔵弾性率Ｇ’_Ａ（２５）が、１×１０^７Ｐａ以上である熱可塑性樹脂Ａを含有する吸収層を含む表面保護フィルムであって、
前記熱可塑性樹脂Ａは、周波数１．６Ｈｚで測定した貯蔵弾性率Ｇ’_Ａが極小となる極小温度（Ｔ_Ａ）を有し、
前記極小温度（Ｔ_Ａ）、前記熱可塑性樹脂Ａのガラス転移温度（Ｔｇ）、及び前記熱可塑性樹脂Ａの溶融温度（Ｔｍ）が、下記式を満たす、表面保護フィルム。
Ｔｇ ≦ Ｔ_Ａ＜Ｔｍ
周波数１．６Ｈｚで測定した前記極小温度（Ｔ_Ａ）における前記熱可塑性樹脂Ａの貯蔵弾性率Ｇ’_Ａ（Ｔ_Ａ）が、８×１０^６Ｐａ以下である、請求項１に記載の表面保護フィルム。
前記熱可塑性樹脂Ａが、４−メチル−１−ペンテンに由来する構成単位を７０〜９０モル％、炭素原子数２または３のα―オレフィンに由来する構成単位を１０〜３０モル％、４−メチル−１−ペンテンを除く炭素数４〜２０のα−オレフィンに由来する構成単位を０〜１０モル％含む共重合体である、請求項１または２に記載の表面保護フィルム。
前記熱可塑性樹脂Ａが、４−メチル−１−ペンテンに由来する構成単位を７５〜８７モル％含む、請求項３に記載の表面保護フィルム。
半導体基板の研削時に、半導体基板の回路形成面を保護する表面保護フィルムであり、
周波数１．６Ｈｚで測定した２５℃における貯蔵弾性率Ｇ’_Ｂ（２５）が、５×１０^７Ｐａ以上である基材層をさらに含む、請求項１〜４のいずれか一項に記載の表面保護フィルム。
前記吸収層の前記基材層形成面とは反対側の面に形成された粘着層を含む、請求項５に記載の表面保護フィルム。
前記吸収層と前記粘着層との間に、周波数１．６Ｈｚで測定した２５℃における貯蔵弾性率Ｇ’_Ｃ（２５）が８×１０^６Ｐａ以下である層を含む、請求項６に記載の表面保護フィルム。
一方の面のみに回路が形成された半導体基板を準備する準備工程と、
前記半導体基板の回路形成面に、請求項６または７に記載の表面保護フィルムの前記粘着層を貼着する貼着工程と、
前記半導体基板の回路非形成面を研削する研削工程と、
前記表面保護フィルムを、前記半導体基板の前記回路形成面から剥離する剥離工程と
を含む、半導体装置の製造方法。
前記研削工程中に、前記半導体基板の温度が、前記吸収層の極小温度（Ｔ_Ａ）を超える、請求項８に記載の半導体装置の製造方法。