JP2013156624A - 有機発光表示装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】電子素子から発生した電磁波が基板を通過することを遮蔽し、表示装置から発生する熱を外部に伝達し且つ衝撃を吸収する電磁波遮蔽シート、及びこれを含む有機発光表示装置を提供する。
【解決手段】有機発光表示装置１０１は、第１基板１００と、前記第１基板に対向する第２基板２００と、前記第１基板からその背面に沿って延長される連結部４００と、前記連結部と前記第１基板との間に位置する電子素子５００と、前記電子素子と前記第１基板との間に位置する電磁波遮蔽シート７００とを含んでなり、前記電磁波遮蔽シートは、第１導電性物質層と、前記第１導電性物質層の一面に塗布される緩衝層と、前記第１導電性物質層の他面に塗布される第１粘着層とを含む。
【選択図】図３

Description

本発明は、有機発光表示装置に係り、特に、有機発光素子を含む有機発光表示装置に関する。
表示装置は、イメージを表示する装置であって、最近、特に有機発光表示装置(organic light emitting diode display)が注目を浴びている。
有機発光表示装置は、自体発光特性を有し、液晶表示装置(liquid crystal display device)とは異なり別途の光源を必要としないので、厚さと重量を減らすことができる。また、有機発光表示装置は、低い消費電力、高い輝度及び高い反応速度などの高品位特性を示す。
有機発光表示装置は、有機発光層を含む有機発光素子、および有機発光素子を駆動する駆動回路部を含む基板と、駆動回路部に信号を伝達する電子素子とを含んでなる。電子素子は、有機発光表示装置のスリム化のために、基板の背面側に位置する。
ところが、有機発光表示装置のスリム化のために電子素子を基板の背面側に位置させる場合、電子素子から発生する電磁波が基板を介して駆動回路部へ伝達され、電磁波によって駆動回路部に不良が発生する。
さらに、電子素子から発生する電磁波が基板を介して有機発光表示装置の外部へ伝達される場合、外部に伝達された電磁波が、有機発光表示装置を使用する使用者の人体に有害な影響を与える。
また、有機発光表示装置をスリム化する場合、有機発光表示装置に加えられた外部からの衝撃を吸収することができないから、基板が破れるおそれがある。
そこで、本発明は、電子素子から発生した電磁波が基板を通過することを遮蔽し、表示装置から発生する熱を外部に伝達し且つ衝撃を吸収する電磁波遮蔽シート、及びこれを含む有機発光表示装置を提供することを目的とする。
本発明のある観点によれば、有機発光素子及び前記有機発光素子を駆動する駆動回路部を含む第１基板と、前記第１基板に対向しており、前記有機発光素子及び前記駆動回路部をカバーする第２基板と、前記駆動回路部に連結されており、前記第１基板から前記第１基板の背面に沿って延長される連結部と、前記連結部と前記第１基板との間に位置し、前記連結部を介して前記駆動回路部に信号を伝達する電子素子と、前記電子素子と直接向かい合うように前記第１基板の一面に位置する電磁波遮蔽シートと、を含んでなる、有機発光表示装置を提供する。
前記電磁波遮蔽シートは、第１導電性物質層と、前記第１導電性物質層の一面に塗布され、第１基板が破れるのを防止する緩衝層と、前記第１導電性物質層の他面に塗布される第１粘着層と、を含んでなる。
前記電磁波遮蔽シートは、前記第１粘着層上に塗布される第１伝導性物質層とは異なる材料からなる第２伝導性物質層、及び前記第２伝導性物質層上に塗布された第２粘着層をさらに含むことができる。
前記導電性物質層は、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、チタニウム（Ｔｉ）、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、炭素ナノチューブ（ＣＮＴ）、及び黒鉛（グラファイト）よりなる群から選ばれた少なくとも１種である。
前記黒鉛は、１．０〜２．０ｇ／ｃｍ３の密度、および水平方向に４００Ｗ／ｍＫ〜１９００Ｗ／ｍＫ、垂直方向には３Ｗ／ｍＫ〜２０Ｗ／ｍＫの熱伝導度を有する。
前記黒鉛は膨張黒鉛及び粒径１０ｎｍ〜１１０ｎｍの非晶質炭素微粒子を含み、前記非晶質炭素微粒子は前記膨張黒鉛および前記非晶質炭素微粒子の総重量に対して５〜３０ｗｔ％である。
前記第１基板の一部以上を取り囲む収納部をさらに含み、前記収納部は、前記電子素子が前記第１基板と向かい合うように前記電子素子が貫通する貫通部を含んでもよい。
前記収納部と向かい合う連結部は、接着剤によって前記収納部に接着できる。
前記連結部はフレキシブルプリント基板（flexible print circuit board、ＦＰＣＢ）であってもよい。
前記電磁波遮蔽シートは蒸着工程、メッキ工程または印刷工程を用いて形成できる。
本発明の他の観点によれば、 有機発光素子、及び前記有機発光素子を駆動する駆動回路部を含む第１基板と、前記第１基板に対向しており、前記有機発光素子及び前記駆動回路部をカバーする第２基板と、前記駆動回路部に連結されており、前記第１基板から前記第１基板の背面に沿って延長される連結部と、前記連結部と前記第１基板との間に位置し、前記連結部を介して前記駆動回路部に信号を伝達する電子素子と、前記電子素子と向かい合うように前記第１基板の一面に位置する電磁波遮蔽シートと、前記第１基板の一部以上を取り囲む収納部と、前記収納部の一面上に位置する黒鉛シートと、を含んでなる、有機発光表示装置を提供する。
本発明によれば、基板にコートされた電磁波遮蔽シートを含むことにより、電子素子から発生した電磁波を遮蔽して電磁波による有機発光表示装置の不良を防止する。
また、本発明によれば、電磁波遮蔽シートに緩衝層を塗布して外部からの衝撃による有機発光表示装置の破れを防止する。
また、本発明によれば、収納部に放熱黒鉛シートを含むことにより、有機発光表示装置から発生した熱を収納部を介して迅速に放出する。
本発明の第１実施例に係る有機発光表示装置を示す分解斜視図である。 図１の有機発光表示装置が結合した状態の平面図である。 図２のIII−III線に沿った断面図である。 本発明の第１実施例に係る有機発光表示装置における表示パネルの画素の構造を示す配置図である。 図４のＶ−Ｖ線に沿った断面図である。 本発明の第２実施例に係る有機発光表示装置を示す断面図である。 本発明の実施例に係る電磁波遮蔽シートの構造を示す断面図である。 本発明の他の実施例に係る電磁波遮蔽シートの構造を示す断面図である。 本発明の別の実施例に係る黒鉛シートの構造を示す断面図である。
以下に添付図面を参照しながら、本発明の様々な実施例について、本発明の属する技術分野における通常の知識を有する者が容易に実施し得るように詳細に説明する。本発明は、様々な形態に変形でき、これらの実施例に限定されない。
本発明を明確に説明するために、説明と関係のない部分は省略し、明細書全体にわたって同一又は類似の構成要素については同一の参照符号を付する。
なお、図示した各構成の大きさ及び厚さは説明の便宜のために任意に示したので、本発明は図示されたことに限定されない。
図面において、多数の層及び領域を明確に表現するために厚さを拡大して示した。そして、図面において、説明の便宜上、一部の層及び領域の厚さを誇張して示した。層、膜、領域、板などの部分が他の部分「上に」あるとするとき、これは他の部分の「真上に」ある場合だけでなく、その間に別の部分がある場合も含む。
また、添付図面では一つの画素に２つの薄膜トランジスタ（thin film transistor、ＴＦＴ）と一つの蓄電素子(capacitor)を備える２Ｔｒ−１Ｃａｐ構造の能動駆動（active matrix、ＡＭ）型有機発光表示装置を示しているが、本発明はこれに限定されない。よって、有機発光表示装置は、薄膜トランジスタの個数、蓄電素子の個数及び配線の数が限定されない。一方、画素はイメージを表示する最小単位を意味し、有機発光表示装置は複数の画素を介してイメージを表示する。
以下、図１〜図５を参照して、本発明の第１実施例に係る有機発光表示装置１０１を説明する。
図１は本発明の第１実施例に係る有機発光表示装置を示す分解斜視図である。図２は図１の有機発光表示装置が結合した状態の平面図である。図３は図２のIII−III線に沿った断面図である。
図１〜図３に示すように、本発明の第１実施例に係る有機発光表示装置１０１は、第１基板１００、第２基板２００、集積回路チップ３００、連結部４００、電子素子５００、収納部６００、及び電磁波遮蔽シート７００（図３に示す）を含んでなる。
第１基板１００は、基板本体部１１０、駆動回路部１２０及び有機発光素子１３０を含む。
基板本体部１１０は、ガラス、石英、セラミックまたはプラスチックなどからなる絶縁性基板で形成される。但し、これに限定されるものではなく、基板本体部１１０は、ステンレス鋼などからなる金属性基板で形成されてもよい。
基板本体部１１０と第２基板２００との間には、基板本体部１１０上に形成された駆動回路部１２０及び有機発光素子１３０が位置している。
駆動回路部１２０は、第１及び第２薄膜トランジスタ１０、２０（図４に示す）を含み、有機発光素子１３０を駆動する。有機発光素子１３０は、駆動回路部１２０から伝達を受けた駆動信号に基づいて光を放出する。
第２基板２００は、第１基板１００に比べて狭い広さを有し、第１基板１００を覆っている。第２基板２００は、ガラス、石英、セラミック又はプラスチックなどからなる絶縁性基板で形成される。第２基板２００は、第１基板１００の縁部領域を露出させ、露出した第１基板１００の縁部領域で集積回路チップ３００が第２基板２００と隣り合って第１基板１００に実装される。第２基板２００は第１基板１００と共に表示パネルＤＰを形成する。
以下、図４及び図５を参照して、表示パネルＤＰの内部構造について詳細に説明する。
有機発光素子１３０及び駆動回路１２０の具体的な構造は図４及び図５に示されているが、本発明は図４及び図５に示した構造に限定されるものではない。有機発光素子１３０及び駆動回路部１２０は、該当技術分野の専門家が容易に変形実施しうる範囲内で多様な構造に形成できる。
図４は本発明の第１実施例に係る有機発光表示装置における表示パネルの画素の構造を示す配置図である。図５は図４のＶ−Ｖ線に沿った断面図である。
図４及び図５に示すように、表示パネルＤＰは、一つの画素毎にそれぞれ形成されたスイッチング薄膜トランジスタ１０、駆動薄膜トランジスタ２０、蓄電素子８０、および有機発光素子（organic light emitting diode、ＯＬＥＤ）１３０を含む。ここで、スイッチング薄膜トランジスタ１０、駆動薄膜トランジスタ２０及び蓄電素子８０を含む構成を駆動回路部１２０とする。駆動回路部１２０は、基板本体部１１０の一方向に沿って配置されるゲートライン１５１、ゲートライン１５１と絶縁交差するデータライン１７１、及び共通電源ライン１７２をさらに含む。ここで、一つの画素はゲートライン１５１、データライン１７１及び共通電源ライン１７２を境界として定義できるが、必ずしもこれに限定されるものではない。
有機発光素子１３０は、第１電極３１０と、第１電極３１０上に形成された有機発光層３２０と、有機発光層３２０上に形成された第２電極３３０とを含む。ここで、第１電極３１０は正孔注入電極としての陽（＋）極であり、第２電極３３０は電子注入電極としての陰（−）極である。但し、本発明の一実施例が必ずこれに限定されるものではなく、表示装置１０１の駆動方法に応じて、第１電極３１０が陰極となり、第２電極３３０が陽極となってもよい。第１電極３１０及び第２電極３３０からそれぞれ正孔と電子が有機発光層３２０の内部に注入され、有機発光層３２０の内部に注入された正孔と電子とが結合したエキシトン(exciton)が励起状態から基底状態に降りるときに、有機発光層３２０の発光が行われる。
また、本発明の第１実施例に係る有機発光表示装置１０１における表示パネル（ＤＰ）は、第２基板２００の方向に光を放出する。すなわち、有機発光素子１３０は前面発光型である。ここで、有機発光素子１３０が第２基板２００の方向に光を放出するために、第１電極３１０が光反射性導電物質からなり、第２電極３３０が光透過性導電物質からなる。
蓄電素子８０は、層間絶縁膜１６１を介して配置された一対の蓄電板１５８、１７８を含む。ここで、層間絶縁膜１６１は誘電体になり、蓄電素子８０で蓄電された電荷と陽蓄電板１５８、１７８間の電圧によって蓄電素子８０の蓄電容量が決定される。
スイッチング薄膜トランジスタ１０は、スイッチング半導体層１３１、スイッチングゲート電極１５２、スイッチングソース電極１７３、及びスイッチングドレイン電極１７４を含む。駆動薄膜トランジスタ２０は、駆動半導体層１３２、駆動ゲート電極１５５、駆動ソース電極１７６、及び駆動ドレイン電極１７７を含む。
スイッチング薄膜トランジスタ１０は、発光させようとする画素を選択するスイッチング素子として使用される。スイッチングゲート電極１５２はゲートライン１５１に連結される。スイッチングソース電極１７３はデータライン１７１に連結される。スイッチングドレイン電極１７４は、スイッチングソース電極１７３から離隔配置され、いずれか一つの蓄電板１５８と連結される。
駆動薄膜トランジスタ２０は、選択された画素内の有機発光素子１３０の有機発光層３２０を発光させるための駆動電源を第１電極３１０に印加する。駆動ゲート電極１５５は、スイッチングドレイン電極１７４に連結された蓄電板１５８と連結される。駆動ソース電極１７６及びもう一つの蓄電板１７８は、それぞれ共通電源ライン１７２と連結される。駆動ドレイン電極１７７は、コンタクトホールを介して有機発光素子１３０の第１電極３１０と連結される。
このような構造により、スイッチング薄膜トランジスタ１０は、ゲートライン１５１に印加されるゲート電圧によって作動し、データライン１７１に印加されるデータ電圧を駆動薄膜トランジスタ２０へ伝達する役割を果たす。共通電源ライン１７２から駆動薄膜トランジスタ２０に印加される共通電圧と、スイッチング薄膜トランジスタ１０から伝達されたデータ電圧との差に相当する電圧が蓄電素子８０に蓄えられ、蓄電素子８０に蓄えられた電圧に対応する電流が駆動薄膜トランジスタ２０を介して有機発光素子１３０へ流れて、有機発光素子１３０が発光する。
図１〜図３を再び参照すると、集積回路チップ３００は、チップオンガラス（chip on glass、ＣＯＧ）方式で異方性導電フィルム（anisotropic conductive film、ＡＣＦ）などの相互連結部材によって第１基板１００の縁部領域に実装される。集積回路チップ３００は第１基板１００の駆動回路部１２０に駆動信号を伝達する。
連結部４００は、フレキシブルプリント基板(flexible printed circuit board)であり、電子素子５００が位置する回路基板本体４１０、外部信号の伝送を受けるためのコネクタ４２１を備えたコネクタ部４２０、および第１基板１００の縁部領域の一部分に電気的に連結された基板連結部４３０を含む。連結部４００は、電子素子５００が位置する回路基板本体４１０から発生した駆動信号を、基板連結部４３０を介して集積回路チップ３００に伝達し、或いは直接駆動回路部１２０に伝達する。連結部４００の回路基板本体４１０は、図３に示すように、第１基板１００の背面に沿って延長されている。第１基板１００の背面に沿って延長された回路基板本体４１０上には電子素子５００が位置し、収納部６００と向かい合う連結部４００の回路基板本体４１０は接着剤ＡＤによって収納部６００に接着されている。
電子素子５００は、連結部４００と第１基板１００との間に位置し、後述する収納部６００の貫通部６１０を貫通して第１基板１００と向かい合っている。電子素子５００は駆動信号を処理する過程で電磁波が発生する。
ここで、駆動信号の処理とは、駆動信号の形成、変換及び伝達などのように駆動信号を取り扱う全般的な過程をいう。
収納部６００は第１基板１００及び第２基板２００を取り囲んで収納しており、収納部６００の背面側には連結部４００が第１基板１００から折り曲げられて延長されている。収納部６００は、第１基板１００を収納部６００の背面側に露出させる貫通部６１０を含む。収納部６００の貫通部６１０には、連結部４００上に位置する電子素子５００が貫通して第１基板１００と直接向かい合っている。収納部６００は様々な素材から多様な方法で形成できる。一例として、収納部６００は、剛性の高い材料、例えばステンレス鋼、冷間圧延鋼、アルミニウム、アルミニウム合金、ニッケル合金、マグネシウム、マグネシウム合金などの金属素材から製作できる。このような金属素材から製作された金属板を公知の深絞り(deep drawing)加工又は曲げ加工などで成形し、収納部６００を形成することができる。収納部６００を介して第１基板１００と向かい合う電子素子５００と第１基板１００との間には電磁波遮蔽シート７００が位置している。
電磁波遮蔽シート７００は第１基板１００の背面に付着できる。電磁波遮蔽シート７００は、貫通部６１０を介して、第１基板１００の背面における、電子素子５００に対応する領域にのみ塗布されて電子素子５００と直接向かい合っている。電磁波遮蔽シート７００は、第１基板１００と電子素子５００との間に位置し、電子素子５００から駆動信号処理のときに発生する第１基板１００方向の電磁波を遮蔽する役割を果たす。
一方、図６に示すように、本発明の他の実施例に係る有機発光表示装置１０２は、第１基板１００と収納部６００との間に位置した電磁波遮蔽シート７００を含んでいる。
図３及び図６では電磁波遮蔽シート７００が第１基板１００の背面に付着するものと示しているが、電磁波遮蔽シート７００は連結部４００上に付着できる。すなわち、電磁波遮蔽シート７００は、電子素子５００を含む回路基板本体４１０上に付着できる。
図７に示すように、電磁波遮蔽シート７００は、単一金属、合金又は黒鉛(graphite)などからなる導電性物質層７１０を含む。導電性物質層７１０は、例えば、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、チタニウム（Ｔｉ）、インジウムスズ酸化物（indium tin oxide、ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（indium zinc oxide、ＩＺＯ）、炭素ナノチューブ（ＣＮＴ）、及び黒鉛(graphite)よりなる群から選ばれた少なくとも１種を含むことができる。
導電性物質層７１０の黒鉛は、熱分解黒鉛(pyrolytic graphite)または膨張黒鉛(exfoliated graphite)を使用することができる。
電磁波遮蔽性能及び水平熱伝導率に優れた膨張黒鉛は次の方法で製造する。
天然鱗状黒鉛は、硫酸と過酸化水素との混合溶液でインターカレーション(intercalation)して層間化合物を形成し、これを高温炉で瞬間的に膨張させて多層グラフェン(graphene)を作り、これを圧延して膨張黒鉛を製造する。
膨張黒鉛は、３０％以上の圧縮率および約１８０ｍＬ／ｇ〜２５０ｍＬ／ｇの膨張体積でローラー圧縮成形をして使用する。ローラー圧縮成形後のシートの密度は、０．８〜１．２５ｇ／ｃｍ３まで可能であり、膨張の粒子およびローラーに加わる圧力で調節することができる。ローラー圧縮成形後のシートの厚さは０．１〜６．０ｍｍまで可能であるが、厚さが厚くなると、密度の低下は避けることができない。
これにより、膨張黒鉛シートは、２５０ｍＬ／ｇ以上の膨張体積で高倍率膨張させ且つ空隙（空気の熱伝導度０．０２８Ｗ／ｍＫ）の量を減らすために、振動プレス方式を用いるか、或いはナノ緻密質非晶質炭素を添加することが好ましい。
一般に、ローラー圧縮成形の際に表面の密度が内部より速く増加するので、表面又は下面は空気の放出が難しくなり、内部に残っている空気は圧縮ローリングされるシートの両側面又はシート進行方向の反対側から排出されながらシートの密度が増加するが、厚さが厚くなると、内部の密度が表層部に比べて顕著に低下して熱拡散が難しくなり、結果として放熱性能の低下をもたらす。
膨張黒鉛をローラー圧縮と同時に振動プレスを用いて秒当たり数回振動させながら徐々に圧縮して表層又は内部の密度をより均質にすることが好ましい。
一方、膨張黒鉛シートの内部空隙を最小化させるために、膨張黒鉛シートの圧縮過程で、シートの厚さに応じて、膨張した黒鉛にナノ緻密質非晶質炭素または黒鉛微粒子粉末を充填剤として充填して圧縮することが好ましい。
通常の黒鉛の理論密度は約２．２７ｇ／ｃｍ３である。膨張黒鉛を用いて圧縮ローラーによって製造した膨張黒鉛層の密度は０．８〜１．２５ｇ／ｃｍ３になる。
一方、黒鉛の理論密度の略４５〜６５％程度の空隙が黒鉛シート内に残っている。このような非晶質炭素微粒子は、圧縮成形工程で成形体の密度を高めて熱拡散及び熱伝導率を向上させることが好ましい。非晶質炭素微粒子は、理論密度の４５〜６５％に相当する空隙の存在を小さくは１５〜５５％の空隙に減らし、密度に応じて熱伝導率性能を制御することができる。
ここで、ナノ緻密質非晶質炭素又は黒鉛微粒子粉末の粒子サイズについては、特に制限はないが、その粒径が１０〜１１０ｎｍであることが好ましい。このような範囲の非晶質炭素微粒子を用いるときに放熱効果が最大化でき、黒鉛の圧縮成形の際に黒鉛粒子と粒子との間に容易に侵入する。また、ナノ緻密質非晶質炭素は、全体膨張黒鉛（膨張黒鉛層）の総重量に対して５〜３０ｗｔ％で混合してローラーで圧縮成形すると、空隙量が減少してその密度を１．０〜２．０ｇ／ｃｍ３まで増加させることができる。よって、黒鉛シートは、水平方向に４００Ｗ／ｍＫ〜１９００Ｗ／ｍＫ、垂直方向には３Ｗ／ｍＫ〜２０Ｗ／ｍＫの熱伝導度を有する。
導電性物質層７１０は、ＣＶＤ(chemical vapor deposition)などの蒸着工程、電解又は無電解メッキなどのメッキ工程、及び印刷工程のいずれか一つを用いて形成することができる。
一方、電磁波遮蔽シート７００は、導電性物質層７１０の少なくとも一つの面に塗布され、収納部６００に加えられる衝撃を吸収して第１基板１００の破れを防止する緩衝層７２０を含むことができる。
緩衝層７２０はポリウレタン樹脂又は黒鉛含有ポリウレタン樹脂からなることが好ましい。緩衝層７２０は緩衝作用を持つために７０μｍ〜３５０μｍの厚さを有することが好ましい。
次に、黒鉛含有ポリウレタン樹脂の製造方法について説明する。
前述した膨張黒鉛製造方法によって形成された膨張黒鉛を、分散剤を含む有機溶媒に入れ、超音波処理とフライス(milling)加工で製造する。使用された有機溶媒は、ＤＭＦ(dimethylformamide)、ＭＥＫ(methyl ethyl ketone)、トルエン、アセトンよりなる群から選ばれた少なくとも１種である。分散剤としてＳＤＳ(sodium dodecyl sulfate)などの有機化合物を使用することができる。分散液の製造に使用された物質と組成は次のとおりである（表１参照）。
次に、膨張黒鉛分散液とポリオールをジイソシアネートと反応させてプリポリマーを製造し、これを鎖延長する。
ポリオールとジオールと触媒を７５℃〜８５℃（好ましくは８０℃程度）で３０分間混合する段階と、ジイソシアネートを投入して７５℃〜８５℃（好ましくは８０℃程度）で３〜５時間ポリポリマーを形成する段階と、膨張黒鉛分散液を３〜８回分割して投入する段階と、反応後にポリポリマーの−ＮＣＯ末端を確認した後、鎖延長剤を投入して反応を完成する段階とによって製造する。
ポリオールは、ポリエステルポリオール、ポリカーボネートジオール、ポリプロピレングリコール、ポリエチレングリコール 、ポリ（テトラメチレン）グリコール、及びポリカプロラクトングリコールよりなる群から選ばれた少なくとも１種である。ジオールは１，４−ブタンジオール、エチレン、グリコール、ジエチレングリコール、及び１，６−ヘキサンジオールよりなる群から選ばれた少なくとも１種である。鎖延長剤はエチレンジアミン、エチレントリアミン、１，４−ブタンジオール、エチレングリコール、ジエチレングリコール、及び１，６−ヘキサンジオールよりなる群から選ばれた少なくとも１種である。
縮合重合によってポリポリマーを形成するときに粘度が上昇するので、プリポリマーの粘度を１００，０００ｃｐｓ〜１５０，０００ｃｐｓに維持しながら、膨張黒鉛分散液を投入して分子量を上昇させる。
投入された膨張黒鉛の板内部でウレタン基が１次的に生成され、継続的な縮合重合反応によって黒鉛の板と板との間にポリウレタンプリポリマーが挿入(intercalation)され、挿入されたポリウレタンプリポリマーは鎖延長反応を介して高分子となり、黒鉛板は剥離してしまう。
このような方法により黒鉛（グラファイト）の凝集(aggregation)現象を防止することができ、ナノサイズ厚さの黒鉛薄膜がポリウレタン樹脂に分散して電気伝導性、熱伝導性及び緩衝作用を示す黒鉛分散ポリウレタン樹脂が形成できる。
一方、導電性物質層７１０の他面に緩衝層７２０を含まない場合、収納部６００又は第１基板１００に電磁波遮蔽シート７００を付着させるための粘着層７３０が導電性物質層７１０上に塗布できる。
図示してはいないが、緩衝層７２０上にも粘着層が塗布できる。
粘着層７３０で使用される粘着性高分子樹脂の種類は特に限定されず、当技術分野で粘着剤として使用できる樹脂を使用することができる。例えば、シリコン系、アクリル系、ウレタン系などの粘着性高分子樹脂を使用することができ、好ましくはアクリル系樹脂を使用する。
具体的に、前記アクリル系樹脂の一例としては、炭素数１〜１２のアルキル基を有する（メタ）アクリル酸エステル系単量体と、この単量体との共重合が可能な極性単量体とが共重合された高分子を使用することができる。
前記（メタ）アクリル酸エステル系単量体の非制限的な例としては、ブチル（メタ）アクリレート、ヘキシル（メタ）アクリレート、ｎ−オクチル（メタ）アクリレート、イソオクチル（メタ）アクリレート、２−エチルヘキシル（メタ）アクリレート、イソノニル（メタ）アクリレートなどがある。
前記（メタ）アクリル酸エステル系単量体との共重合が可能な極性単量体の非制限的な例としては、（メタ）アクリル酸、マレイン酸、フマル酸などのカルボキシル基を含有した単量体や、アクリルアミド、Ｎ−ビニルピロリドン、Ｎ−ビニルカプロラクタムなどの窒素を含有した単量体などを挙げることができる。このような極性単量体は、粘着層に凝集力を与え且つ接着力を向上させる作用を果たす。
前記粘着性高分子樹脂において、（メタ）アクリル酸エステル系単量体と前記極性単量体の比率は特に限定されないが、一般に９９〜８０：１〜２０の重量比の範囲を持つことができる。前述したような範囲で、アクリル樹脂は粘着層としての必要な接着力を示すことができる。
本発明で使用することが可能な熱伝導性充填剤の例としては、酸化金属、水酸化金属、窒化金属、炭化金属、ホウ素化合物、黒鉛などがあるが、具体的に、Ａｌ（ＯＨ）３、黒鉛（グラファイト）、ＢＮ、Ａｌ２Ｏ３、炭化珪素、センダスト（Ａｌ６ｗｔ％〜Ｓｉ９ｗｔ％〜Ｆｅ８５ｗｔ％）などを使用することができるが、これらを混合使用してもよい。前記熱伝導性充填剤の種類はこれらに限定されるものではない。特に、黒鉛の場合、構造的な特徴により平面拡散特性に優れて平面熱伝達特性に優れるため、他の熱伝導性充填剤と混合して使用される場合、優れた効果を示すことができる。粘着層は、黒鉛を３ｗｔ％〜６０ｗｔ％で含むことができるが、粘着力を高めるために３ｗｔ％〜４０ｗｔ％で含むことが好ましい。
図８に示すように、電磁波遮蔽シート７００は、さらに効率よく電磁波を遮蔽し且つ熱を放出するために、互いに異なる材料からなる２つの導電性物質層を含むことができる。
例えば、電磁波遮蔽シート７００は、黒鉛からなる第１導電性物質層７４０と、金属からなる第２導電性物質層７５０を含み、第１導電性物質層７４０と第２導電性物質層７５０との間には前述した材料からなる粘着層７７０を含む。
第１導電性物質層７４０と第２導電性物質層７５０の少なくとも一面に前述した緩衝層７６０が塗布できる。また、第１導電性物質層７４０と第２導電性物質層７５０のうち、緩衝層７６０が塗布されない導電性物質層の一面に、収納部６００又は第１基板１００に電磁波遮蔽シート７００を付着させるための粘着層７８０が塗布できる。また、図示してはいないが、緩衝層７６０上にも粘着層が塗布できる。
一方、電磁波遮蔽シート７００は収納部６００に接地できる。
また、本発明の実施例に係る有機発光表示装置１０１は、電子素子５００が収納部６００の背面側で収納部６００の貫通部６１０を貫通することにより、全体的な有機発光表示装置１０１がスリム化される。
また、電子素子５００が位置する連結部４００が接着剤（ＡＤ）によって収納部６００に支持され、電子素子５００が貫通部６１０に貫通して収納部６００内に位置するため、外部の衝撃から電子素子５００が保護されるうえ、収納部６００と電子素子５００間の干渉による電子素子５００の破損が防止される。
一方、収納部６００の放熱特性を向上させるために、収納部６００の一面上に黒鉛シートがさらに付着できる（図示せず）。黒鉛シートは回路基板本体４１０と共に収納部６００の背面に付着することが好ましい。
また、黒鉛シートは、電子素子から発生する熱を放出するために、電子素子５００が取り付けられた回路基板本体４０１の面と反対の面に付着できる。
図９に示すように、黒鉛シート８００は、黒鉛層８１０、及び黒鉛層８１０の少なくとも一面に積層される支持フィルム８２０、８３０を含み、支持フィルム８２０、８３０は少なくとも一つの表面に粘着層８４０、８５０を含む。黒鉛層８１０は、上述した熱分解黒鉛又は膨張黒鉛を使用する。
支持フィルム８２０、８３０は、ＰＥＴ、ＰＥ及びＰＩよりなる群から選ばれた高分子フィルム又は金属フィルムである。例えば、金属フィルムは、前述した導電性物質としての金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、チタニウム（Ｔｉ）、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、およびインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）よりなる群から選ばれた少なくとも１種からなっている。膨張黒鉛層８１０と支持フィルム８２０、８３０との間に介在する粘着層８４０は、前述した粘着剤からなるものであって、黒鉛層８１０と支持フィルム８２０、８３０とを結合させる。
支持フィルム８２０、８３０は５μｍ〜５０μｍの厚さを有することが好ましい。
粘着層８４０、８５０は、一般な粘着剤を使用することもできるが、好ましくは、上述した熱伝導性高分子樹脂からなる粘着剤を使用する。
粘着層８４０、８５０は２μｍ〜２０μｍの厚さを有することが好ましい。
上述したように、本発明の実施例に係る有機発光表示装置１０１は、電子波遮蔽シート７００が電子素子５００と第１基板１００との間に位置し、電子素子５００から発生する電磁波を遮蔽することにより、電子素子５００から発生する電磁波が第１基板１００を介して駆動回路部１２０へ伝達され、電磁波により駆動回路部１２０に不良が発生することを防止するうえ、電子素子５００から発生する電磁波が第１基板１００を介して有機発光表示装置１０１の外部へ伝達することを防止し、外部に伝達された電磁波が有機発光表示装置１０１を使用する使用者の人体に有害な影響を与えることを防止する。
また、電磁波遮蔽シート７００又は黒鉛シートは、有機発光表示装置１０１から発生する熱を収納部６００を介して迅速に放出し、収納部６００に加えられた外部からの衝撃を吸収することができる。
以上、本発明を好適な実施例に基づいて説明したが、本発明は、これらに限定されるものではなく、本発明の属する技術分野における通常の知識を有する者であれば、添付した特許請求の範囲に開示された概念と範囲から逸脱することなく、様々な修正及び変形を加え得ることを容易に理解するであろう。
１０：スイッチング薄膜トランジスタ
２０：駆動薄膜トランジスタ
８０：蓄電素子
１０１、１０２：有機発光表示装置
１００：第１基板
１１０：基板本体部
１２０：駆動回路部
１３０：有機発光素子
１５１：ゲートライン
１７１：データライン
１７２：共通電源ライン
２００：第２基板
３００：集積回路チップ
３２０：有機発光層
３３０：第２電極
４００：連結部
５００：電子素子
６００：収納部
７００：電磁波遮蔽シート
７１０：導電性物質層
７２０、７６０：緩衝層
８００：黒鉛シート
８１０：黒鉛層
８２０、８３０：支持フィルム
８４０、８５０：粘着層

Claims (25)

  1. 有機発光素子、及び前記有機発光素子を駆動する駆動回路部を含む第１基板と、
    前記第１基板に対向しており、前記有機発光素子及び前記駆動回路部をカバーする第２基板と、
    前記駆動回路部に連結されており、前記第１基板から前記第１基板の背面に沿って延長される連結部と、
    前記連結部と前記第１基板との間に位置し、前記連結部を介して前記駆動回路部に信号を伝達する電子素子と、
    前記電子素子と前記第１基板との間に位置する電磁波遮蔽シートと、を含んでなり、
    前記電磁波遮蔽シートは、第１導電性物質層と、前記第１導電性物質層の一面に塗布される緩衝層と、前記第１導電性物質層の他面に塗布される第１粘着層とを含むことを特徴とする、有機発光表示装置。
  2. 前記第１導電性物質層が、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、チタニウム（Ｔｉ）、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、炭素ナノチューブ（ＣＮＴ）、及び黒鉛(graphite)よりなる群から選ばれた少なくとも１種であることを特徴とする、請求項１に記載の有機発光表示装置。
  3. 前記黒鉛が１．０〜２．０ｇ／ｃｍ３の密度、および水平方向に４００Ｗ／ｍＫ〜１９００Ｗ／ｍＫ、垂直方向には３Ｗ／ｍＫ〜２０Ｗ／ｍＫの熱伝導度を有することを特徴とする、請求項２に記載の有機発光表示装置。
  4. 前記黒鉛は、
    膨張黒鉛、及び
    粒径１０ｎｍ〜１１０ｎｍの非晶質炭素微粒子を含み、
    前記非晶質炭素微粒子は、前記膨張黒鉛および前記非晶質炭素微粒子の総重量に対して５〜３０ｗｔ％であることを特徴とする、請求項３に記載の有機発光表示装置。
  5. 前記緩衝層がポリウレタン樹脂であることを特徴とする、請求項１に記載の有機発光表示装置。
  6. 前記ポリウレタン樹脂が、３ｗｔ％〜５ｗｔ％で黒鉛をさらに含み、７０μｍ〜３５０μｍの厚さを有することを特徴とする、請求項５に記載の有機発光表示装置。
  7. 前記粘着層が３ｗｔ％〜４０ｗｔ％の黒鉛を含むことを特徴とする、請求項１に記載の有機発光表示装置。
  8. 前記第１粘着層上に塗布される第１伝導性物質層とは異なる材料からなる第２伝導性物質層と、
    前記第２伝導性物質層上に塗布された第２粘着層とをさらに含む、請求項１に記載の有機発光表示装置。
  9. 前記第１基板の一部以上を取り囲む収納部をさらに含み、前記収納部は、前記電子素子と前記第１基板とが向かい合うように前記電子素子が貫通する貫通部を含むことを特徴とする、請求項１に記載の有機発光表示装置。
  10. 前記電磁波遮蔽シートが前記第１基板と前記収納部との間に位置することを特徴とする、請求項９に記載の有機発光表示装置。
  11. 前記収納部と向かい合う連結部は接着剤によって前記収納部に接着されたことを特徴とする、請求項９に記載の有機発光表示装置。
  12. 前記連結部がフレキシブルプリント基板（flexible print circuit board、ＦＰＣＢ）であることを特徴とする、請求項１に記載の有機発光表示装置。
  13. 有機発光素子、及び前記有機発光素子を駆動する駆動回路部を含む第１基板と、
    前記第１基板に対向しており、前記有機発光素子及び前記駆動回路部をカバーする第２基板と、
    前記駆動回路部に連結されており、前記第１基板から前記第１基板の背面に沿って延長される連結部と、
    前記連結部と前記第１基板との間に位置し、前記連結部を介して前記駆動回路部に信号を伝達する電子素子と、
    前記電子素子と前記第１基板との間に位置する電磁波遮蔽シートと、
    前記第１基板の一部以上を取り囲む収納部と、
    前記収納部の一面上に位置する黒鉛シートと、を含んでなる、有機発光表示装置。
  14. 前記黒鉛シートは、１．０〜２．０ｇ／ｃｍ３の密度を有する黒鉛層と、前記黒鉛層の少なくとも一面に積層される支持フィルムと、前記支持フィルムの少なくとも一つの表面に塗布された粘着層とを含んでなり、水平方向に４００Ｗ／ｍＫ〜１９００Ｗ／ｍＫ、垂直方向には３Ｗ／ｍＫ〜２０Ｗ／ｍＫの熱伝導度を有することを特徴とする、請求項１３に記載の有機発光表示装置。
  15. 前記電磁波遮蔽シートは、第１導電性物質層と、前記第１導電性物質層の一面に塗布される緩衝層と、前記第１導電性物質層の他面に塗布される第１粘着層と、を含んでなることを特徴とする、請求項１３に記載の有機発光表示装置。
  16. 前記第１導電性物質層が、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、チタニウム（Ｔｉ）、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、炭素ナノチューブ（ＣＮＴ）、及び黒鉛よりなる群から選ばれた少なくとも１種であることを特徴とする、請求項１５に記載の有機発光表示装置。
  17. 前記黒鉛層は、
    膨張黒鉛、及び
    粒径１０ｎｍ〜１１０ｎｍの非晶質炭素微粒子を含み、
    前記非晶質炭素微粒子は、前記膨張黒鉛および前記非晶質炭素微粒子の総重量に対して５〜３０ｗｔ％であることを特徴とする、請求項１４に記載の有機発光表示装置。
  18. 前記緩衝層がポリウレタン樹脂であることを特徴とする、請求項１３に記載の有機発光表示装置。
  19. 前記ポリウレタン樹脂が、３ｗｔ％〜５ｗｔ％で黒鉛をさらに含み、７０μｍ〜３５０μｍの厚さを有することを特徴とする、請求項１７に記載の有機発光表示装置。
  20. 前記粘着層が３ｗｔ％〜４０ｗｔ％の黒鉛を含むことを特徴とする、請求項１３に記載の有機発光表示装置。
  21. 前記第１粘着層上に塗布される第１伝導性物質層とは異なる材料からなる第２伝導性物質層と、
    前記第２伝導性物質層上に塗布された第２粘着層とをさらに含む、請求項１５に記載の有機発光表示装置。
  22. 前記収納部は、前記電子素子と前記第１基板とが向かい合うように前記電子素子が貫通する貫通部を含むことを特徴とする、請求項１３に記載の有機発光表示装置。
  23. 前記電磁波遮蔽シートが前記第１基板と前記収納部との間に位置することを特徴とする、請求項１３に記載の有機発光表示装置。
  24. 前記連結部がフレキシブルプリント基板（flexible print circuit board、ＦＰＣＢ）であることを特徴とする、請求項１３に記載の有機発光表示装置。
  25. 前記黒鉛シートが前記連結部の少なくとも一部に付着された、請求項１３に記載の有機発光表示装置。
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CN (2) CN103226920B (ja)

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160058284A (ko) * 2014-11-14 2016-05-25 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조방법
KR20160082082A (ko) * 2014-12-30 2016-07-08 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 기판을 포함하는 표시장치
WO2017065227A1 (ja) * 2015-10-14 2017-04-20 シャープ株式会社 ポータブル表示装置およびその製造方法
JP2018106093A (ja) * 2016-12-28 2018-07-05 日本精機株式会社 表示装置
JP2019077922A (ja) * 2017-10-25 2019-05-23 ダイネン株式会社 精錬又は製錬添加用成型体
US10325966B2 (en) 2015-07-23 2019-06-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device, module, and electronic device
KR20190087631A (ko) * 2017-03-14 2019-07-24 쿤산 뉴 플랫 패널 디스플레이 테크놀로지 센터 씨오., 엘티디. 플렉시블 디스플레이 스크린 및 플렉시블 디스플레이 장치
JP2019125662A (ja) * 2018-01-16 2019-07-25 富士通コンポーネント株式会社 高周波モジュール
JP2022053227A (ja) * 2020-09-24 2022-04-05 レノボ・シンガポール・プライベート・リミテッド 電子機器用ディスプレイパネル
JP2022100351A (ja) * 2019-12-27 2022-07-05 エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド フレキシブル表示装置
KR102718747B1 (ko) * 2022-07-14 2024-10-17 덕산하이메탈(주) 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법

Families Citing this family (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101940761B1 (ko) * 2012-10-16 2019-04-10 엘지디스플레이 주식회사 유기발광소자표시장치
KR102053411B1 (ko) * 2013-03-07 2019-12-09 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR20140141330A (ko) * 2013-05-31 2014-12-10 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 모듈 및 이를 포함한 표시 장치
KR102089246B1 (ko) 2013-07-19 2020-03-16 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 디스플레이 장치 및 플렉서블 디스플레이 장치의 제조방법
KR102195276B1 (ko) * 2014-05-21 2020-12-24 엘지디스플레이 주식회사 유기발광소자
KR102249768B1 (ko) * 2014-09-10 2021-05-11 삼성디스플레이 주식회사 유기발광표시장치
KR102274142B1 (ko) * 2015-03-10 2021-07-09 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 휴대용 단말기
KR102396840B1 (ko) * 2015-06-10 2022-05-12 삼성디스플레이 주식회사 표시장치
KR102426715B1 (ko) * 2015-07-23 2022-08-01 삼성디스플레이 주식회사 유기전계발광 표시장치
KR20180002123A (ko) 2016-06-28 2018-01-08 삼성디스플레이 주식회사 표시장치
KR102604018B1 (ko) * 2016-07-07 2023-11-22 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN106131983A (zh) * 2016-08-10 2016-11-16 陈庚 一种供热膜及其制备方法和供热装置
KR101841583B1 (ko) 2016-12-05 2018-03-26 삼성전자주식회사 전자 장치의 모듈 배치 구조
CN107390780B (zh) * 2016-12-05 2021-01-01 三星电子株式会社 电子装置及其模块的布置结构
KR102319372B1 (ko) 2017-04-11 2021-11-01 삼성전자주식회사 생체 센서를 포함하는 전자 장치
KR101910518B1 (ko) 2017-04-11 2018-10-22 삼성전자주식회사 생체 센서 및 생체 센서를 포함하는 장치
CN107393905B (zh) 2017-07-28 2019-07-09 天马微电子股份有限公司 柔性显示面板及柔性显示装置
CN109963448B (zh) * 2017-12-26 2020-08-07 瀚宇彩晶股份有限公司 电子装置
US10571758B2 (en) * 2018-01-05 2020-02-25 Innolux Corporation Display device
JP7256647B2 (ja) * 2019-01-29 2023-04-12 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
KR20200100899A (ko) * 2019-02-18 2020-08-27 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN111128026A (zh) * 2019-12-30 2020-05-08 业成科技（成都）有限公司 耐弯折结构及显示面板
JP2023540099A (ja) * 2020-09-02 2023-09-21 エルジー・ケム・リミテッド 緩衝フィルム

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08152647A (ja) * 1994-11-25 1996-06-11 Kokusai Electric Co Ltd 液晶表示装置
JPH10161550A (ja) * 1996-11-29 1998-06-19 Kyodo Printing Co Ltd 光学フィルター用電磁波シールドパターンおよびその製造方法
WO1999025157A1 (fr) * 1997-11-12 1999-05-20 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Dispositif electroluminescent et structure destinee au blindage de celui-ci
JP2002076559A (ja) * 2000-08-28 2002-03-15 Sharp Corp 半導体装置及びそれを用いた液晶モジュール並びに液晶モジュールの製造方法
JP2003330001A (ja) * 2002-05-10 2003-11-19 Alps Electric Co Ltd 液晶表示装置
JP2006154132A (ja) * 2004-11-26 2006-06-15 Sanyo Electric Co Ltd 表示装置、表示装置を含む携帯電話および表示装置の製造方法
JP2009008810A (ja) * 2007-06-27 2009-01-15 Sony Corp 表示装置及び電子機器
KR20110051611A (ko) * 2009-11-10 2011-05-18 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1072702A (zh) * 1991-11-22 1993-06-02 尹维平 一种掺合型无机导电涂层
JP2000323633A (ja) * 1999-05-10 2000-11-24 Mitsubishi Pencil Co Ltd 炭素放熱体及びその製造方法
JP2001242795A (ja) * 2000-02-28 2001-09-07 Sharp Corp Ｌｅｄ表示装置およびｌｅｄ情報表示板
CN1278587C (zh) * 2003-06-09 2006-10-04 陈贤斌 一种多层管状加热膜及其制造方法
CN100379706C (zh) * 2003-08-26 2008-04-09 松下电器产业株式会社 高导热性部件及其制造方法和使用该部件的散热系统
US20060020100A1 (en) * 2004-07-20 2006-01-26 Shirley Lee Conductive agents for polyurethane
JP3691836B1 (ja) * 2004-08-27 2005-09-07 東洋炭素株式会社 膨張黒鉛シート
US7306847B2 (en) * 2005-01-28 2007-12-11 Graftech International Holdings Inc. Heat spreader for display device
KR101422249B1 (ko) 2007-03-09 2014-08-13 삼성전자주식회사 소자 방열 장치
TW200902282A (en) * 2007-07-02 2009-01-16 Asustek Comp Inc In-mold decoration injection molding case and method thereof
KR20090043633A (ko) * 2007-10-30 2009-05-07 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 캄파니 열전도성 점착제 및 이를 이용하는 점착테이프
US20090153989A1 (en) * 2007-12-14 2009-06-18 Samsung Corning Precision Glass Co., Ltd. Optical filter for display device
CN101466252B (zh) * 2007-12-21 2011-11-30 清华大学 电磁屏蔽层及其制备方法
KR20090129333A (ko) * 2008-06-11 2009-12-16 삼성코닝정밀유리 주식회사 디스플레이장치용 필터 및 그 필터를 구비하는 디스플레이장치
KR100971780B1 (ko) * 2009-09-01 2010-07-21 지씨에스커뮤니케이션(주) 비정질 탄소 미립자를 포함하는 흑연 방열재 및 그의 제조방법
KR101034046B1 (ko) 2010-04-21 2011-05-11 주식회사 지앤씨에스 팽창 그라파이트 시트를 포함하는 전자부품용 기판 및 이를 포함하는 발광다이오드 조명등
KR101015166B1 (ko) 2010-11-26 2011-02-17 (주)비전테크 광학적, 열적 특성을 위한 엘이디 모듈구조 및 그 제조방법
CN102093691A (zh) * 2011-01-06 2011-06-15 黄柱联 一种混合有散热石墨粉体的塑胶材料
CN102262313B (zh) * 2011-08-02 2014-03-05 深超光电（深圳）有限公司 一种液晶显示装置及其制造方法

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08152647A (ja) * 1994-11-25 1996-06-11 Kokusai Electric Co Ltd 液晶表示装置
JPH10161550A (ja) * 1996-11-29 1998-06-19 Kyodo Printing Co Ltd 光学フィルター用電磁波シールドパターンおよびその製造方法
WO1999025157A1 (fr) * 1997-11-12 1999-05-20 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Dispositif electroluminescent et structure destinee au blindage de celui-ci
JP2002076559A (ja) * 2000-08-28 2002-03-15 Sharp Corp 半導体装置及びそれを用いた液晶モジュール並びに液晶モジュールの製造方法
JP2003330001A (ja) * 2002-05-10 2003-11-19 Alps Electric Co Ltd 液晶表示装置
JP2006154132A (ja) * 2004-11-26 2006-06-15 Sanyo Electric Co Ltd 表示装置、表示装置を含む携帯電話および表示装置の製造方法
JP2009008810A (ja) * 2007-06-27 2009-01-15 Sony Corp 表示装置及び電子機器
KR20110051611A (ko) * 2009-11-10 2011-05-18 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치

Cited By (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102314403B1 (ko) * 2014-11-14 2021-10-19 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조방법
KR20160058284A (ko) * 2014-11-14 2016-05-25 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조방법
KR20160082082A (ko) * 2014-12-30 2016-07-08 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 기판을 포함하는 표시장치
KR102350858B1 (ko) * 2014-12-30 2022-01-12 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 기판을 포함하는 표시장치
JP7511064B2 (ja) 2015-07-23 2024-07-04 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
US10325966B2 (en) 2015-07-23 2019-06-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device, module, and electronic device
US11696481B2 (en) 2015-07-23 2023-07-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device, module, and electronic device
JP6994063B2 (ja) 2015-07-23 2022-01-14 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置、モジュール、及び電子機器
JP2020109521A (ja) * 2015-07-23 2020-07-16 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置、モジュール、及び電子機器
US11101333B2 (en) 2015-07-23 2021-08-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device, module, and electronic device
WO2017065227A1 (ja) * 2015-10-14 2017-04-20 シャープ株式会社 ポータブル表示装置およびその製造方法
JP2018106093A (ja) * 2016-12-28 2018-07-05 日本精機株式会社 表示装置
KR102272886B1 (ko) 2017-03-14 2021-07-05 쿤산 뉴 플랫 패널 디스플레이 테크놀로지 센터 씨오., 엘티디. 플렉시블 디스플레이 스크린 및 플렉시블 디스플레이 장치
JP2020504844A (ja) * 2017-03-14 2020-02-13 昆山工研院新型平板顕示技術中心有限公司Ｋｕｎｓｈａｎ Ｎｅｗ Ｆｌａｔ Ｐａｎｅｌ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｃｅｎｔｅｒ Ｃｏ．， Ｌｔｄ． 可撓性表示パネル及び可撓性表示装置
US11233208B2 (en) 2017-03-14 2022-01-25 Kunshan New Flat Panel Display Technology Center Co., Ltd. Flexible display screen with groove to accommodate a chip
KR20190087631A (ko) * 2017-03-14 2019-07-24 쿤산 뉴 플랫 패널 디스플레이 테크놀로지 센터 씨오., 엘티디. 플렉시블 디스플레이 스크린 및 플렉시블 디스플레이 장치
JP2019077922A (ja) * 2017-10-25 2019-05-23 ダイネン株式会社 精錬又は製錬添加用成型体
JP2019125662A (ja) * 2018-01-16 2019-07-25 富士通コンポーネント株式会社 高周波モジュール
JP2022100351A (ja) * 2019-12-27 2022-07-05 エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド フレキシブル表示装置
US11798928B2 (en) 2019-12-27 2023-10-24 Lg Display Co., Ltd. Flexible display device
JP2022053227A (ja) * 2020-09-24 2022-04-05 レノボ・シンガポール・プライベート・リミテッド 電子機器用ディスプレイパネル
KR102718747B1 (ko) * 2022-07-14 2024-10-17 덕산하이메탈(주) 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법

Also Published As

Publication number Publication date
US20130193415A1 (en) 2013-08-01
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