CN109963448B - 电子装置 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种电子装置,其包括第一基板、第二基板、第一静电防护图案以及光固化密封层。第二基板与第一基板相对设置。第一静电防护图案位于第一基板与第二基板之间,第一静电防护图案包括至少一个第一导电条,第一导电条具有第一长边与第一短边,其中,在第一基板的俯视方向上,第一长边垂直于第一基板的边缘,第一短边与第一基板的边缘之间的距离范围为0至150微米,其中,当第一静电防护图案包括多个第一导电条时,任两个相邻的第一导电条之间的距离范围为2微米至4微米。光固化密封层位于第一基板与第二基板之间,第一导电条在第一基板表面的法线向量上至少部分重叠于光固化密封层。

Description

电子装置
技术领域
本发明涉及一种电子装置,特别是涉及一种周边区具有静电防护图案的电子装置。
背景技术
随着现今科技与技术的演进与发展,电子装置在社会中已成为不可或缺的物品,以电子装置中显示器或触控显示器为例,显示器与触控显示器具有外型轻薄、耗电量少以及无辐射污染等特性,因此已被广泛地应用在各式携带式或穿戴式电子产品例如笔记本计算机(notebook)、智能型手机(smart phone)、手表以及车用显示器等,以提供更方便的信息传递与显示。
然而,不可避免地,电子装置在制造或使用的过程中会在其内部储存静电荷而使得发生静电放电,或是透过与外界带有静电的物体接触而发生静电放电,而由于此现象通常伴随着大量的静电荷流动,因此会使得显示器中对于静电敏感的电子组件受到影响或毁损,举例而言,静电放电可导致薄膜晶体管(thin film transistor,TFT)的临界电压(threshold voltage)偏移而影响其开关功能,或可导致线路或连接孔(contact hole)的炸伤。并且,随着电子装置小巧化的需求,使得电子装置的额缘(border)也一并缩减,导致外界的静电荷更容易进入电子产品中而影响内部的电子组件,有鉴于此,改善电子装置的静电防护或抑制显示器的静电放电现象实为相关技术者亟欲改进的课题。
发明内容
本发明提供一种电子装置,其具有设置在周边区的金属静电防护图案,借此避免由外界进入电子装置的静电荷直接对电子装置的内部电子组件进行静电放电,以减少电子装置的内部电子组件的毁损。
本发明的一实施例提供了一种电子装置,其包括第一基板、第二基板、第一静电防护图案以及光固化密封层。第二基板与第一基板相对设置。第一静电防护图案位于第一基板与第二基板之间,第一静电防护图案包括至少一个第一导电条,第一导电条具有第一长边与第一短边,其中,在第一基板的俯视方向上,第一长边垂直于第一基板的边缘,第一短边与第一基板的边缘之间的距离范围为0至150微米,其中,当所述第一静电防护图案包括多个第一导电条时,任两个相邻的第一导电条之间的距离范围为2微米至4微米。光固化密封层位于第一基板与第二基板之间,第一导电条在第一基板表面的法线向量上至少部分重叠于光固化密封层。
本发明的电子装置由于设置有第一静电防护图案,因此在电子装置的制作或使用中,若外界的静电荷由电子装置的侧边进入电子装置时,静电荷会先遇到第一静电防护图案的第一导电条,并对第一导电条进行静电放电,使得静电荷不易对设置在电子装置中较内部的电子组件进行静电放电,借此保护内部的电子组件不被静电放电所破坏,进而提高电子装置制作时的良率或是延长电子装置的使用寿命。
附图说明
图1与图2所示为本发明第一实施例的电子装置的俯视示意图。
图3所示为沿着图2中剖线A-A’的剖面示意图。
图4所示为沿着图2中剖线B-B’的剖面示意图。
图5所示为本发明第一实施例的电子装置的切割工艺的俯视示意图。
图6所示为本发明第一实施例的变化实施例的电子装置的剖面示意图。
图7所示为本发明第二实施例的电子装置的俯视示意图。
图8所示为沿着图7中剖线C-C’的剖面示意图。
图9所示为本发明第三实施例的电子装置的俯视示意图。
图10所示为沿着图9中剖线D-D’的剖面示意图。
图11所示为本发明第四实施例的电子装置的俯视示意图。
图12所示为沿着图11中剖线E-E’的剖面示意图。
图13所示为本发明第四实施例的变化实施例的电子装置的剖面示意图。
图14所示为本发明第五实施例的电子装置的俯视示意图。
图15所示为本发明第六实施例的电子装置的俯视示意图。
图16A到图16C所示为本发明第六实施例的静电防护电路的示意图。
其中,附图标记说明如下:
100、100’、200、300、400、400’、500、600 电子装置
110 第一基板
120 第一静电防护图案
122 第一导电条
122a 第一长边
122b 第一短边
130 光固化密封层
140 第二基板
320 第二静电防护图案
322 第二导电条
322a 第二长边
322b 第二短边
510 导电走线
610 静电防护电路
612 二极管
AR 主动区
CP 连接垫
CW 轮刀
D1 第一方向
D2 第二方向
DC 驱动电路
DS1、DS2 距离
IC 集成电路
IL 绝缘层
M1 第一金属层
M2 第二金属层
PR 周边区
S1 第一间距
S2 第二间距
S3 第三间距
T1、T2 薄膜晶体管
TCL 透明导电层
具体实施方式
为使本领域技术人员能更进一步了解本发明,以下特列举本发明的实施例,并配合附图详细说明本发明的构成内容及所欲达成的功效。须注意的是,附图均为简化的示意图,因此,仅显示与本发明有关之组件与组合关系,以对本发明的基本架构或实施方法提供更清楚的描述,而实际的组件与布局可能更为复杂。另外,为了方便说明,本发明的各附图中所示之组件并非以实际实施的数目、形状、尺寸做等比例绘制,其详细的比例可依照设计的需求进行调整。
请参考图1到图4,图1与图2所示为本发明第一实施例的电子装置的俯视示意图,图3所示为沿着图2中剖线A-A’的剖面示意图,图4所示为沿着图2中剖线B-B’的剖面示意图,其中本文的电子装置100以显示面板为例,但不以此为限,电子装置100可为触控面板、显示面板、触控显示面板或是其他适合的电子装置100,而图1所绘示的电子装置100并未组立第二基板140,且并未设置连接垫CP上的集成电路IC。如图1到图4所示,电子装置100可具有主动区AR以及周边区PR,主动区AR中例如设置有显示组件、薄膜晶体管、数据线、扫描线或触控单元等组件,周边区PR位于主动区AR的外侧,设置有例如用以驱动主动区AR内部组件的驱动电路DC(例如栅极驱动电路(integrated gate driver IGD))、连接垫CP、设置在连接垫CP上的集成电路(intergrated circuit)IC等电子组件或触控感测信号线等,须说明的是,图1与图2中的主动区AR仅绘示其区域范围,并未绘示其内部组件。在图1到图4中,电子装置100包括第一基板110、第二基板140、第一静电防护图案120以及光固化密封层130。第二基板140与第一基板110相对设置,而上述主动区AR与周边区PR中的组件可设置在第一基板110或第二基板140上,第一基板110与第二基板140可为硬质基板例如玻璃基板、塑料基板、石英基板或蓝宝石基板,也可例如包含聚亚酰胺材料(polyimide,PI)或聚对苯二甲酸乙二酯材料(polyethylene terephthalate,PET)的可挠式基板,但不以此为限。须说明的是,图2所绘示的第二基板140仅显示其俯视的设置位置,并以透视第二基板140的方式绘示位于第一基板110与第二基板140之间的组件,并且,所绘示的第二基板140的尺寸可小于第一基板110的尺寸,但不以此为限,第二基板140的尺寸也可等于第一基板110的尺寸。
第一静电防护图案120位于第一基板110与第二基板140之间,并设置在周边区PR中邻近于第一基板110的边缘的位置,亦即第一静电防护图案120可设置在电子装置100中的电子组件的外围,用以对电子装置100内部的电子组件进行静电防护,在图1中,第一静电防护图案120可位于第一基板110的边缘与驱动电路DC之间,但不以此为限。第一静电防护图案120包括至少一个第一导电条122,本实施例的第一静电防护图案120包括多个第一导电条122,部份第一导电条122互相平行并排,但不以此为限。在结构上,第一导电条122可由设置在第一基板110上的导电膜层所形成,例如金属层或是透明导电层。在本实施例中,电子装置100可包括第一金属层M1与绝缘层IL,其中第一金属层M1设置在第一基板110上,绝缘层IL设置在第一金属层M1上,可选择性的,电子装置100还可包括第二金属层M2,甚至包括更多的金属层或透明导电层,其中第二金属层M2设置在第一金属层M1上,并位于绝缘层IL中,第一金属层M1与第二金属层M2可透过绝缘层IL彼此分隔,而第一静电防护图案120的第一导电条122可形成在第一金属层M1、第二金属层M2或其他的导电层中,亦即第一导电条122可由第一金属层M1、第二金属层M2或其他的导电层所构成。图1与图2所绘示的第一导电条122由第一金属层M1所构成作为例子。本实施例的主动区AR中的部分电子组件以及周边区PR中的部分电子组件可通过第一金属层M1、绝缘层IL以及第二金属层M2所形成,举例而言,在主动区AR内的薄膜晶体管中,栅极电极可由第一金属层M1所形成,源极电极与漏级电极可由第二金属层M2所形成,以形成底栅型薄膜晶体管(bottom gate transistor),而周边区PR内的驱动电路DC也可通过上述膜层所构成,但都不以此为限。此外,第一基板110与第二基板140之间还可选择性的包括其他膜层,例如半导体层、显示介质层(例如液晶层)、遮蔽层或触控感测电极层等,但不以此为限。
关于第一导电条122的图案,第一导电条122具有第一长边122a与第一短边122b,其中在第一基板110的俯视方向上,第一长边122a垂直于所邻近的第一基板110的边缘,而第一短边122b与邻近的第一基板110的边缘之间的距离范围为0至150微米,在本实施例中,第一短边122b与第一基板110的边缘之间的距离为0微米,也就是第一导电条122直接与第一基板110的其中一个边缘切齐,但不以此为限。另外,任两相邻的第一导电条122之间的距离范围(第一间距S1)为2微米至4微米之间,借此以多个的第一导电条122来防护内部的电子组件,并同时符合光刻工艺的金属间距的限制。另一方面,第一导电条122可沿着所邻近的第一基板110的边缘的平行方向排列,也就是说,在第一基板110的俯视方向上,图1与图2中位于第一基板110左右两侧的第一导电条122可沿着第一方向D1排列并沿第二方向D2延伸,而图1与图2中位于第一基板110上侧的第一导电条122可沿着第二方向D2排列并沿第一方向D1延伸,但不以此为限。须说明的是,在第一基板110的俯视方向上,本实施例的第一导电条122以设置在第一基板110的左侧、右侧以及上侧为例,但不以此为限,在变化实施例中,可在第一基板110的四侧(左侧、右侧、上侧与下侧)都设置第一导电条122,在另一变化实施例中,可仅设置在第一基板110的其中一侧或两侧。
光固化密封层130位于第一基板110与第二基板140之间,用以贴合上述两片基板,并使其密封而防止水气渗入第一基板110与第二基板140之间,借此避免电子组件被水气侵蚀而受损。光固化密封层130在第一基板110表面的法线向量上至少部分重叠于第一导电条122,而在本实施例中,光固化密封层130在第一基板110表面的法线向量上完全重叠于第一导电条122,也就是说第一导电条122完全被光固化密封层130所覆盖,但不以此为限。另外,在光固化密封层130的设置上,本实施例的光固化密封层130可切齐于第一基板110的边缘,并在第一基板110表面的法线向量上可部分重叠于电子装置100内部的电子组件,例如部分光固化密封层130可重叠于驱动电路DC,但不以此为限,光固化密封层130的设置可依需求设计,例如在变化实施例中,光固化密封层130可不重叠于驱动电路DC。此外,在本实施例中,在第一基板110的俯视方向上,光固化密封层130的宽度可为500~600微米,但不以此为限。
在电子装置100的制作或使用中,若外界的静电荷由电子装置100的侧边进入电子装置100时,静电荷会先遇到第一静电防护图案120的第一导电条122,并对第一导电条122进行静电放电,使得静电荷较不易对设置在电子装置100中较内部的电子组件进行静电放电,也就是说,第一静电防护图案120的第一导电条122是用来释放或导引静电荷的结构,借此保护内部的电子组件不被电子装置100的外部静电放电所破坏,进而提高电子装置100制作时的良率或是延长电子装置100的使用寿命。举例来说,请参考图5,图5所示为本发明第一实施例的电子装置100的切割工艺的俯视示意图,其中图5尚未装配集成电路IC。如图5所示,在电子装置100的制作工艺中,可先在一个第一基板110上制作多个电子装置100中的电子组件、结构以及第一静电防护图案120,再将第一基板110与第二基板140组立,接着,进行切割工艺将多个电子装置100分离,借此以一次大量制造电子装置100。在进行切割工艺时,可利用轮刀CW将电子装置100切割而分离,然而在切割时轮刀CW会不可避免地在切割道(如虚线所示)产生静电荷,而此静电荷有可能会由电子装置100的侧边进入电子装置100中,在本实施例中,由于第一基板110上设置有第一静电防护图案120的第一导电条122,因此,静电荷会先对第一静电防护图案120的第一导电条122进行静电放电,借此减少静电荷影响或损害内部的电子组件的可能性。须说明的是,若静电荷对第一导电条122进行静电放电后,第一导电条122在结构上可能会有损伤或毁损,但即使如此,电子装置100中的其他电子组件并未毁损,故电子装置100仍可正常的运作。在本实施例中,第一导电条122的第一长边122a的长度可大于50微米或小于等于光固化密封层130的宽度的1/3,第一静电防护图案120与电子组件(例如驱动电路DC、内部走线)之间的距离DS1(标示在图3)可大于或等于10微米,例如20~30微米,以提高静电荷对第一导电条122静电放电的机率,并与电子组件有一定的距离间隔,进而提升第一静电防护图案120在静电上的保护能力,但不以此为限。另外,本实施例的第一静电防护图案120可为浮接(floating),因此当第一静电防护图案120的第一导电条122遭受到静电放电时,也较不易影响其他电子组件,但不以此为限。
本发明的电子装置并不以上述实施例为限。下文将继续揭示本发明的其它实施例与变化实施例,然为了简化说明并突显各实施例与变化实施例之间的差异,下文中使用相同标号标注相同组件,并不再对重复部分作赘述。
请参考图6,图6所示为本发明第一实施例的变化实施例的电子装置的剖面示意图。如图6所示,本变化实施例与第一实施例的差异在于本变化实施例的电子装置100’的光固化密封层130不切齐于第一基板110的边缘,在第一基板110的俯视方向上,本变化实施例的光固化密封层130位于第一基板110边缘的内侧。此外,在本变化实施例中,第一导电条122在第一基板110表面的法线向量上部分重叠于光固化密封层130,也就是在俯视方向上,光固化密封层130不会完全覆盖第一导电条122,但不以此为限。
请参考图7与图8,图7所示为本发明第二实施例的电子装置的俯视示意图,图8所示为沿着图7中剖线C-C’的剖面示意图。如图7与图8所示,本实施例与第一实施例的差异在于本实施例的电子装置200的第一静电防护图案120的第一导电条122的第一短边122b与第一基板110的边缘之间的距离DS2大于0但小于或等于150微米,也就是说,第一导电条122并不切齐于第一基板110的邻近边缘。另外,本实施例的电子装置200的光固化密封层130亦不切齐于第一基板110的边缘,且第一导电条122在第一基板110表面的法线向量上可部分重叠于光固化密封层130,但不以此为限,在变化实施例中,光固化密封层130在第一基板110表面的法线向量上可完全重叠于第一导电条122,在另一变化实施例中,光固化密封层130切齐于第一基板110的边缘,并且在第一基板110表面的法线向量上可完全重叠覆盖第一导电条122。
请参考图9与图10,图9所示为本发明第三实施例的电子装置的俯视示意图,其中图10所示为沿着图9中剖线D-D’的剖面示意图。如图9与图10所示,本实施例与第一实施例的差异在于本实施例的电子装置300还可包括第二静电防护图案320,第二静电防护图案320位于第一基板110与第二基板140之间,其中第二静电防护图案320与第一基板110之间的距离不同于第一静电防护图案120与第一基板110之间的距离。举例而言,在本实施例中,第一静电防护图案120与第二静电防护图案320都包括金属材料,第一静电防护图案120由第一金属层M1所构成,而第二静电防护图案320由第二金属层M2所构成,也就是说,在第一基板110表面的法线向量上,第一静电防护图案120与第一基板110之间的距离小于第二静电防护图案320与第一基板110之间的距离,但不以此为限。第二静电防护图案320可包括至少一个第二导电条322,且光固化密封层130在第一基板110表面的法线向量上可至少部分重叠于第二导电条322,在本实施例中,光固化密封层130完全重叠于第一导电条122与第二导电条322,但不以此为限。类似于第一静电防护图案120的第一导电条122,第二导电条322具有第二长边322a与第二短边322b,其中在第一基板110的俯视方向上,第二长边322a垂直于邻近的第一基板110边缘,第二长边322a的长度可大于50微米或小于等于光固化密封层130的宽度的1/3,第二短边322b与邻近的第一基板110边缘之间的距离范围可为0至150微米,当第二静电防护图案320包括多个第二导电条322时,任两相邻的第二导电条322之间的距离范围可为2微米至4微米(亦即第二间距S2),而在本实施例中,第一导电条122的第一短边122b与邻近的第一基板110边缘之间的距离以及第二导电条322的第二短边322b与邻近的第一基板110边缘之间的距离都为0微米,亦即第一导电条122与第二导电条322直接与第一基板110的其中一个边缘切齐,但不以此为限,在变化实施例中,第一导电条122可直接与第一基板110的其中一个边缘切齐,而第二导电条322的第二短边322b与邻近的第一基板110边缘之间的距离大于0微米,也就是第二导电条322并不切齐于第一基板110的其中一个边缘,在另一变化实施例中,第一导电条122与第二导电条322可都不切齐于第一基板110的其中一个边缘。
此外,在本实施例中,第一静电防护图案120与第二静电防护图案320在第一基板110表面的法线向量上不重叠,但不以此为限,在变化实施例中,第一静电防护图案120与第二静电防护图案320亦可重叠。另外,在本实施例中,在第一基板110的俯视方向上,第一导电条122与第二导电条322在沿着第一基板110边缘的方向彼此交替设置,也就是说,在电子装置300左右两侧的第一导电条122与第二导电条322可沿着第一方向D1平行排列,在电子装置300上侧的第一导电条122与第二导电条322可沿着第二方向D2平行排列,但不以此为限。由于光刻工艺的工艺限制,由同一膜层所形成的导电条之间至少需一固定间隔,但本实施例的第一导电条122与第二导电条322是由不同膜层所形成,故第一导电条122与第二导电条322之间的间隔可小于相邻第一导电条122之间的间隔以及相邻第二导电条322之间的间隔,也就是说,相较于第一实施例,本实施例静电防护图案的导电条在第一基板110的俯视方向上更为密集,以提供更好的静电防护效果。须说明的是,在组装第一基板110与第二基板140时,一般是从第一基板110相反于第二基板140的一侧提供光线来固化光固化密封层130,也就是在图10中由下而上提供光线来固化光固化密封层130,因此,在第一基板110的俯视方向上,第一导电条122与相邻的第二导电条322之间具有一第三间距S3,此第三间距S3的范围为0.1微米至0.5微米,以避免金属的第一导电条122与第二导电条322的不透光性影响光固化密封层130的固化,并使电子装置300的导电条有适合的密集程度,但不以此为限。
请参考图11与图12,图11所示为本发明第四实施例的电子装置的俯视示意图,图12所示为沿着图11中剖线E-E’的剖面示意图。如图11与图12所示,本实施例与第三实施例的差异在于本实施例的电子装置400的第一静电防护图案120或第二静电防护图案320的材料是透明导电材料所形成,而本实施例以第二静电防护图案320的材料是透明导电材料为例,也就是说,本实施例的电子装置400可包括透明导电层TCL,位于绝缘层IL中,其中主动区AR中的共同电极或像素电极可由透明导电层TCL所构成,且本实施例的第二静电防护图案320亦由透明导电层TCL所构成。须说明的是,由于透明导电材料具有透光性,因此即使第一导电条122与相邻的第二导电条322在第一基板110的俯视方向上不具有间距,也不会影响光固化密封层130的固化。因此,在本实施例中,在第一基板110的俯视方向上,第一导电条122与相邻的第二导电条322之间的间距可为0微米,相邻第一导电条122之间的间距S1相当于第二导电条322的宽度,也就是第二短边322b的长度,而相邻第二导电条322之间的间距S2相当于第一导电条122的宽度,也就是第一短边122b的长度,但不以此为限。
请参考图13,图13所示为本发明第四实施例的变化实施例的电子装置的剖面示意图,其所绘示位置对应于图12。如图13所示,本变化实施例与第四实施例的差异在于本变化实施例的电子装置400’的第二静电防护图案320可在第一基板110表面的法线向量上与第一静电防护图案120重叠,也就是在第一基板110表面的法线向量上第二静电防护图案320完全覆盖第一静电防护图案120,而另一差异在于第二静电防护图案320的第二导电条322的长边可平行于所邻近的第一基板110的边缘,亦即第二导电条322的长边会平行于位在同一侧的第一导电条122的第一短边122b。第二导电条322可重叠于第一静电防护图案120的多个第一导电条122,在本实施例中,一个第二导电条322可重叠于电子装置400’一侧的所有第一导电条122,也就是说,各第二导电条322会沿着平行于第一基板110的其中一个边缘的方向设置,但不以此为限。另外,本实施例的第二导电条322可切齐于第一基板110的其中一个边缘,但不以此为限,在另一变化实施例中,第二导电条322可同时切齐于第一基板110的多个边缘,例如切齐第一基板110的三个边缘而形成ㄇ形图案。
请参考图14,图14所示为本发明第五实施例的电子装置的俯视示意图。如图14所示,本实施例与第一实施例的差异在于本实施例的电子装置500的第一静电防护图案120还包括导电走线510,导电走线510与第一导电条122电连接,且导电走线510电连接到共同电压或接地,借此将第一导电条122所接收到的静电荷释放。在本实施例中,第一导电条122与导电走线510可由同一膜层所形成,而第一导电条122的第一长边122a举例可垂直于所接触连接的导电走线510,但都不以此为限,在变化实施例中,第一导电条122与导电走线510可由不同的膜层所形成,例如第一导电条122由第一金属层M1所构成,导电走线510由第二金属层M2所构成。另外,在本实施例中,导电走线510邻设于第一基板110的三个边缘,但不以此为限,导电走线510的设置可依需求而设计。
请参考图15到图16C,图15所示为本发明第六实施例的电子装置的俯视示意图,图16A到图16C所示为本发明第六实施例的静电防护电路的示意图。如图15所示,本实施例与第五实施例的差异在于本实施例的电子装置600的第一静电防护图案120还可包括至少一静电防护电路610,各静电防护电路610可分别设置在其中一条第一导电条122的两端之间并与第一导电条122电连接,且静电防护电路610可通过第一导电条122电连接于导电走线510,而静电防护电路610可由一个或多个膜层所构成,例如由金属层、透明导电层、绝缘层与半导体层的其中至少一个所构成。在本实施例中,各静电防护电路610可包括至少一个二极管612,也就是说,二极管612可通过第一导电条122电连接于导电走线510,举例而言,如图16A所示,各静电防护电路610可包括一个二极管612,而二极管612的设置方向可由第一基板110的边缘朝向导电走线510或由导电走线510朝向第一基板110的边缘,也就是用来提供静电防护的二极管612的设置方向可为上述设置方式的其中一种或为两种设置方式的搭配。再举例而言,如图16B所示,各静电防护电路610可包括两个二极管612,此两个二极管612的设置方向彼此相反而形成双向二极管,但静电防护电路610并不以此为限,静电防护电路610可依实际需求设计。另外,本实施例的二极管612可利用薄膜晶体管所形成,以双向二极管为例,如图16C所示,双向二极管可由两薄膜晶体管组成,例如由薄膜晶体管T1与薄膜晶体管T2组成,其中薄膜晶体管T1的控制端与第一端电连接以及薄膜晶体管T2的第二端彼此相连接,薄膜晶体管T1的第二端以及薄膜晶体管T2的控制端与第一端电连接彼此相连接,但不以此为限。
综上所述,本发明的电子装置由于设置有静电防护图案,因此在电子装置的制作或使用中,若外界的静电荷由电子装置的侧边进入电子装置时,静电荷会先遇到静电防护图案的导电条,并对导电条进行静电放电,使得静电荷不易对设置在电子装置中较内部的电子组件进行静电放电,借此保护内部的电子组件不被静电放电所破坏,进而提高电子装置制作时的良率或是延长电子装置的使用寿命。
以上所述仅为本发明的优选实施例而已,并不用于限制本发明,对于本领域的技术人员来说,本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种电子装置,其特征在于,包括:
一第一基板;
一第二基板,与所述第一基板相对设置;
一第一静电防护图案,位于所述第一基板与所述第二基板之间,所述第一静电防护图案包括至少一个第一导电条,所述第一导电条具有一第一长边与一第一短边,其中,在所述第一基板的俯视方向上,所述第一长边垂直于所述第一基板的边缘,所述第一短边与所述第一基板的边缘之间的距离范围为0至150微米,其中,当所述第一静电防护图案包括多个第一导电条时,任两个相邻的所述第一导电条之间的距离范围为2微米至4微米;以及
一光固化密封层,位于所述第一基板与所述第二基板之间,所述第一导电条在所述第一基板表面的法线向量上至少部分重叠于所述光固化密封层,
其中所述电子装置具有一主动区以及一周边区,所述周边区位于所述主动区的外侧,所述第一静电防护图案设置在所述周边区中。
2.如权利要求1所述的电子装置,其特征在于,还包括一第二静电防护图案,位于所述第一基板与所述第二基板之间,所述第二静电防护图案与所述第一基板之间的距离不同于所述第一静电防护图案与所述第一基板之间的距离,所述第二静电防护图案包括至少一个第二导电条,所述第二导电条具有一第二长边与一第二短边,其中,在所述第一基板的俯视方向上,所述第二长边垂直于所述第一基板的边缘,所述第二短边与所述第一基板的边缘之间的距离范围为0至150微米,其中,当所述第一静电防护图案包括多个第二导电条时,任两个相邻的所述第二导电条之间的距离范围为2微米至4微米,所述第二导电条在所述第一基板表面的法线向量上至少部分重叠于所述光固化密封层。
3.如权利要求2所述的电子装置,其特征在于,在所述第一基板表面的法线向量上,所述第一静电防护图案与所述第一基板之间的距离小于所述第二静电防护图案与所述第一基板之间的距离。
4.如权利要求2所述的电子装置,其特征在于,在所述第一基板的俯视方向上,所述第一导电条与所述第二导电条沿所述第一基板边缘的方向彼此交替设置。
5.如权利要求2所述的电子装置,其特征在于,在所述第一基板的俯视方向上,所述第一导电条与相邻的所述第二导电条之间具有一间距,该间距的范围为0.1微米至0.5微米。
6.如权利要求2所述的电子装置,其特征在于,在所述第一基板的俯视方向上,所述第一导电条与相邻的所述第二导电条之间的间距为0微米,且所述第一导电条或所述第二导电条的材料是透明导电材料。
7.如权利要求1所述的电子装置,其特征在于,所述第一静电防护图案还包括一导电走线,与所述第一导电条电连接,其中,所述导电走线电连接到一共同电压或接地。
8.如权利要求7所述的电子装置,其特征在于,所述第一静电防护图案还包括至少一二极管,电连接于所述导电走线。
9.如权利要求1所述的电子装置,其特征在于,所述第一长边的长度大于50微米或小于等于所述光固化密封层宽度的1/3。
10.如权利要求1所述的电子装置,其特征在于,还包括一电子组件,所述第一静电防护图案与所述电子组件之间的距离大于或等于10微米。
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