JP2013137513A5 - - Google Patents

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Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20130302735A1 (en) * 2011-11-03 2013-11-14 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Monomers, polymers and photoresist compositions
KR102233875B1 (ko) * 2013-12-30 2021-03-30 롬엔드하스전자재료코리아유한회사 광산 발생제를 포함하는 반사방지 코팅 조성물을 이용한 패턴 형성 방법
WO2015122468A1 (ja) * 2014-02-14 2015-08-20 三菱瓦斯化学株式会社 (メタ)アクリル酸エステル化合物およびその製造方法
JP6267533B2 (ja) 2014-02-14 2018-01-24 信越化学工業株式会社 パターン形成方法
US9472448B2 (en) * 2014-03-14 2016-10-18 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Contact plug without seam hole and methods of forming the same
KR102245135B1 (ko) 2014-05-20 2021-04-28 삼성전자 주식회사 패턴 형성 방법 및 이를 이용한 집적회로 소자의 제조 방법
CN106662816B (zh) * 2014-07-08 2020-10-23 东京毅力科创株式会社 负性显影剂相容性的光致抗蚀剂组合物及使用方法
US11092894B2 (en) 2014-12-31 2021-08-17 Rohm And Haas Electronic Materials Korea Ltd. Method for forming pattern using anti-reflective coating composition comprising photoacid generator
KR102374049B1 (ko) 2015-06-02 2022-03-14 삼성전자주식회사 포토레지스트를 이용한 패턴 형성 방법
US10061199B2 (en) * 2015-06-24 2018-08-28 Tokyo Electron Limited Methods of forming a mask for substrate patterning
US9685507B2 (en) 2015-06-25 2017-06-20 International Business Machines Corporation FinFET devices
US10211051B2 (en) * 2015-11-13 2019-02-19 Canon Kabushiki Kaisha Method of reverse tone patterning
TWI587093B (zh) * 2016-04-11 2017-06-11 台灣積體電路製造股份有限公司 三層型光阻結構和其製造方法
CN106784398B (zh) * 2016-12-15 2019-12-03 武汉华星光电技术有限公司 Oled封装方法与oled封装结构
US10727055B2 (en) * 2017-02-10 2020-07-28 International Business Machines Corporation Method to increase the lithographic process window of extreme ultra violet negative tone development resists
JP6937648B2 (ja) * 2017-09-28 2021-09-22 東京応化工業株式会社 レジスト組成物及びレジストパターン形成方法
CN107799402A (zh) * 2017-10-24 2018-03-13 德淮半导体有限公司 二次图形的形成方法
CN109679020B (zh) * 2018-12-28 2020-12-29 厦门恒坤新材料科技股份有限公司 含立方烷的丙烯酸酯系成膜树脂和ArF光刻胶及其制备方法和光刻方法
JP7456023B2 (ja) * 2020-07-02 2024-03-26 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド リソグラフィ用途のフォトレジスト層上への炭素の選択的堆積
CN112129237B (zh) * 2020-08-17 2022-05-20 江苏大学 基于石英晶体微天平评估光刻胶光刻效率的方法
US11656550B2 (en) * 2020-09-01 2023-05-23 Tokyo Electron Limited Controlling semiconductor film thickness
CN115729046B (zh) * 2021-08-30 2025-06-13 长鑫存储技术有限公司 关键尺寸的控制方法与控制系统

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2715881B2 (ja) 1993-12-28 1998-02-18 日本電気株式会社 感光性樹脂組成物およびパターン形成方法
JP2002193895A (ja) 2000-12-27 2002-07-10 Daicel Chem Ind Ltd 環式骨格を有する3−アクリロイルオキシプロピオン酸エステル誘導体、及びアクリル酸エステル混合物
JP2002221796A (ja) 2001-01-26 2002-08-09 Fuji Photo Film Co Ltd ポジ型感光性樹脂組成物
JP4474246B2 (ja) 2003-09-19 2010-06-02 富士フイルム株式会社 ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
JP4622579B2 (ja) * 2004-04-23 2011-02-02 住友化学株式会社 化学増幅型ポジ型レジスト組成物及び(メタ)アクリル酸誘導体とその製法
WO2005108343A1 (ja) 2004-05-10 2005-11-17 Idemitsu Kosan Co., Ltd. アダマンタン誘導体、その製造方法及びフォトレジスト用感光材料
JP4991326B2 (ja) * 2006-01-24 2012-08-01 富士フイルム株式会社 ポジ型感光性組成物及びそれを用いたパターン形成方法
US8034547B2 (en) 2007-04-13 2011-10-11 Fujifilm Corporation Pattern forming method, resist composition to be used in the pattern forming method, negative developing solution to be used in the pattern forming method and rinsing solution for negative development to be used in the pattern forming method
JP4982288B2 (ja) * 2007-04-13 2012-07-25 富士フイルム株式会社 パターン形成方法
JP5337579B2 (ja) * 2008-12-04 2013-11-06 東京応化工業株式会社 ポジ型レジスト組成物、レジストパターン形成方法
WO2011026036A1 (en) 2009-08-28 2011-03-03 Inova Diagnostics, Inc. Detecting circulating cartilage oligomeric matrix protein in liver cirrhosis
JPWO2011034007A1 (ja) 2009-09-16 2013-02-14 Jsr株式会社 感放射線性樹脂組成物及びレジストパターン形成方法
JP5440468B2 (ja) * 2010-01-20 2014-03-12 信越化学工業株式会社 パターン形成方法
JP5775701B2 (ja) 2010-02-26 2015-09-09 富士フイルム株式会社 パターン形成方法及びレジスト組成物
EP2363749B1 (en) 2010-03-05 2015-08-19 Rohm and Haas Electronic Materials, L.L.C. Methods of forming photolithographic patterns
WO2011122336A1 (ja) * 2010-03-30 2011-10-06 Jsr株式会社 感放射線性樹脂組成物およびパターン形成方法
JP2011227463A (ja) * 2010-03-30 2011-11-10 Jsr Corp 感放射線性樹脂組成物およびパターン形成方法
JP5557625B2 (ja) * 2010-06-30 2014-07-23 富士フイルム株式会社 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物並びに該組成物を用いたレジスト膜及びパターン形成方法
JP5685919B2 (ja) * 2010-12-13 2015-03-18 Jsr株式会社 感放射線性樹脂組成物及びレジストパターン形成方法
US20130302735A1 (en) 2011-11-03 2013-11-14 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Monomers, polymers and photoresist compositions

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