JP2013130615A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2013130615A5 JP2013130615A5 JP2011278266A JP2011278266A JP2013130615A5 JP 2013130615 A5 JP2013130615 A5 JP 2013130615A5 JP 2011278266 A JP2011278266 A JP 2011278266A JP 2011278266 A JP2011278266 A JP 2011278266A JP 2013130615 A5 JP2013130615 A5 JP 2013130615A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- insulating film
- display device
- transistor
- film
- oxide semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 16
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 9
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 claims description 8
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims description 7
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 6
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 5
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 3
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 claims 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 29
- 238000000034 method Methods 0.000 description 9
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 6
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 3
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000583 Nd alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Images
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2011278266A JP6111398B2 (ja) | 2011-12-20 | 2011-12-20 | 表示装置および電子機器 |
| TW101146739A TWI497725B (zh) | 2011-12-20 | 2012-12-11 | 顯示器及電子單元 |
| CN201210555624.0A CN103178057B (zh) | 2011-12-20 | 2012-12-19 | 显示器及电子单元 |
| US13/722,339 US9698164B2 (en) | 2011-12-20 | 2012-12-20 | Display and electronic unit |
| US15/478,685 US20170207254A1 (en) | 2011-12-20 | 2017-04-04 | Display and electronic unit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2011278266A JP6111398B2 (ja) | 2011-12-20 | 2011-12-20 | 表示装置および電子機器 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2013130615A JP2013130615A (ja) | 2013-07-04 |
| JP2013130615A5 true JP2013130615A5 (enExample) | 2014-12-18 |
| JP6111398B2 JP6111398B2 (ja) | 2017-04-12 |
Family
ID=48609211
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2011278266A Active JP6111398B2 (ja) | 2011-12-20 | 2011-12-20 | 表示装置および電子機器 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US9698164B2 (enExample) |
| JP (1) | JP6111398B2 (enExample) |
| CN (1) | CN103178057B (enExample) |
| TW (1) | TWI497725B (enExample) |
Families Citing this family (30)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011004723A1 (en) * | 2009-07-10 | 2011-01-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method the same |
| JP6400961B2 (ja) | 2013-07-12 | 2018-10-03 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
| JP6345544B2 (ja) * | 2013-09-05 | 2018-06-20 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
| US10008513B2 (en) * | 2013-09-05 | 2018-06-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| KR102110226B1 (ko) * | 2013-09-11 | 2020-05-14 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시패널 및 그 제조방법 |
| TWI653755B (zh) * | 2013-09-12 | 2019-03-11 | 日商新力股份有限公司 | 顯示裝置、其製造方法及電子機器 |
| JP6625796B2 (ja) * | 2013-10-25 | 2019-12-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
| JP6506545B2 (ja) | 2013-12-27 | 2019-04-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| WO2015132694A1 (en) * | 2014-03-07 | 2015-09-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Touch sensor, touch panel, and manufacturing method of touch panel |
| JP6333377B2 (ja) * | 2014-07-16 | 2018-05-30 | 株式会社Joled | トランジスタ、表示装置および電子機器 |
| US9384985B2 (en) * | 2014-07-18 | 2016-07-05 | United Microelectronics Corp. | Semiconductor structure including silicon and oxygen-containing metal layer and process thereof |
| JP6500196B2 (ja) * | 2014-10-10 | 2019-04-17 | 株式会社Joled | 表示装置および電子機器 |
| JP2016100585A (ja) * | 2014-11-26 | 2016-05-30 | 株式会社Joled | 半導体装置およびその製造方法、ならびに表示装置および電子機器 |
| JP6801969B2 (ja) * | 2015-03-03 | 2020-12-16 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、表示装置、および電子機器 |
| JP6577224B2 (ja) * | 2015-04-23 | 2019-09-18 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
| KR102367245B1 (ko) * | 2015-07-21 | 2022-02-25 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| JP2017117594A (ja) * | 2015-12-22 | 2017-06-29 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 有機el表示装置 |
| JP6539873B2 (ja) * | 2016-03-16 | 2019-07-10 | 株式会社Joled | 薄膜トランジスタ、及び薄膜トランジスタを備えた表示装置 |
| KR20170119801A (ko) * | 2016-04-19 | 2017-10-30 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 |
| US20180182294A1 (en) * | 2016-12-22 | 2018-06-28 | Intel Corporation | Low power dissipation pixel for display |
| US10909933B2 (en) | 2016-12-22 | 2021-02-02 | Intel Corporation | Digital driver for displays |
| US10330993B2 (en) * | 2016-12-23 | 2019-06-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
| WO2018167591A1 (ja) | 2017-03-13 | 2018-09-20 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、および半導体装置の作製方法 |
| WO2018169024A1 (en) | 2017-03-17 | 2018-09-20 | Ricoh Company, Ltd. | Field-effect transistor, method for producing same, display element, display device, and system |
| KR102824388B1 (ko) * | 2017-05-19 | 2025-06-23 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치, 표시 장치, 및 반도체 장치의 제작 방법 |
| CN107248516B (zh) * | 2017-07-21 | 2020-04-03 | 上海天马微电子有限公司 | 阵列基板、阵列基板的制造方法、显示面板和显示装置 |
| JP6993809B2 (ja) * | 2017-08-04 | 2022-01-14 | キヤノン株式会社 | 表示装置およびその製造方法ならびに電子機器 |
| CN110224003B (zh) * | 2018-03-01 | 2023-06-09 | 天马日本株式会社 | 显示装置 |
| CN208738252U (zh) * | 2018-09-07 | 2019-04-12 | 北京京东方技术开发有限公司 | 像素结构以及阵列基板 |
| JP2023005744A (ja) * | 2021-06-29 | 2023-01-18 | 大日本印刷株式会社 | 測定システム、表示端末、撮影端末、サーバ、測定方法、測定プログラム |
Family Cites Families (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3602279B2 (ja) * | 1996-11-04 | 2004-12-15 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | アクティブマトリクス型表示回路およびその作製方法 |
| TWI360702B (en) * | 2003-03-07 | 2012-03-21 | Semiconductor Energy Lab | Liquid crystal display device and method for manuf |
| JP4954447B2 (ja) * | 2003-03-07 | 2012-06-13 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置およびその作製方法 |
| JP5015471B2 (ja) | 2006-02-15 | 2012-08-29 | 財団法人高知県産業振興センター | 薄膜トランジスタ及びその製法 |
| KR100964227B1 (ko) * | 2008-05-06 | 2010-06-17 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 평판 표시 장치용 박막 트랜지스터 어레이 기판, 이를포함하는 유기 발광 표시 장치, 및 이들의 제조 방법 |
| US20120126376A1 (en) * | 2008-09-30 | 2012-05-24 | Tokyo Electron Limited | Silicon dioxide film and process for production thereof, computer-readable storage medium, and plasma cvd device |
| JP5491833B2 (ja) | 2008-12-05 | 2014-05-14 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| US8441007B2 (en) * | 2008-12-25 | 2013-05-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and manufacturing method thereof |
| US8461582B2 (en) * | 2009-03-05 | 2013-06-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| WO2011027664A1 (en) * | 2009-09-04 | 2011-03-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device and method for manufacturing the same |
| WO2011046003A1 (en) * | 2009-10-14 | 2011-04-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| JP5708910B2 (ja) * | 2010-03-30 | 2015-04-30 | ソニー株式会社 | 薄膜トランジスタおよびその製造方法、並びに表示装置 |
| TW202320146A (zh) * | 2011-01-26 | 2023-05-16 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置及其製造方法 |
| US9478668B2 (en) * | 2011-04-13 | 2016-10-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Oxide semiconductor film and semiconductor device |
| TW201322341A (zh) * | 2011-11-21 | 2013-06-01 | Ind Tech Res Inst | 半導體元件以及其製造方法 |
-
2011
- 2011-12-20 JP JP2011278266A patent/JP6111398B2/ja active Active
-
2012
- 2012-12-11 TW TW101146739A patent/TWI497725B/zh active
- 2012-12-19 CN CN201210555624.0A patent/CN103178057B/zh active Active
- 2012-12-20 US US13/722,339 patent/US9698164B2/en active Active
-
2017
- 2017-04-04 US US15/478,685 patent/US20170207254A1/en not_active Abandoned
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2013130615A5 (enExample) | ||
| JP6600761B1 (ja) | 表示装置 | |
| JP6408529B2 (ja) | 表示装置 | |
| JP2022068248A (ja) | 表示装置 | |
| JP5685805B2 (ja) | 半導体装置、半導体装置の製造方法、および電子機器 | |
| JP2012212077A5 (enExample) | ||
| CN104183647B (zh) | 薄膜晶体管、显示单元、以及电子设备 | |
| JP2012208151A5 (enExample) | ||
| CN104078511A (zh) | 半导体器件、显示单元以及电子装置 | |
| CN105518845A (zh) | 一种薄膜晶体管阵列基板及其制备方法、显示装置 | |
| JP2018180436A5 (enExample) | ||
| CN103367460A (zh) | 薄膜晶体管、其制造方法、显示单元和电子设备 | |
| JP6853770B2 (ja) | 半導体装置および表示装置 | |
| US10797080B2 (en) | Thin film transistor, array substrate and display device | |
| JP2017212360A (ja) | 薄膜トランジスタ、表示装置および電子機器 | |
| JP2021197416A (ja) | 半導体装置の製造方法、及び、半導体装置 | |
| JP6732713B2 (ja) | 半導体装置および表示装置 | |
| JP2018113369A (ja) | 半導体装置、表示装置および電子機器 | |
| JP2022092396A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2020136505A (ja) | 半導体装置および表示装置 | |
| JP2016076541A (ja) | 薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタの製造方法および表示装置 | |
| CN103682101A (zh) | 晶体管、其制造方法、半导体装置的制造方法和显示装置的制造方法 |