JP2013122951A - 発光素子搭載用配線基板 - Google Patents

発光素子搭載用配線基板 Download PDF

Info

Publication number
JP2013122951A
JP2013122951A JP2011270036A JP2011270036A JP2013122951A JP 2013122951 A JP2013122951 A JP 2013122951A JP 2011270036 A JP2011270036 A JP 2011270036A JP 2011270036 A JP2011270036 A JP 2011270036A JP 2013122951 A JP2013122951 A JP 2013122951A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
emitting element
light emitting
substrate body
substrate
wiring board
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2011270036A
Other languages
English (en)
Other versions
JP5766593B2 (ja
Inventor
Makoto Nagai
誠 永井
Kenzo Kawaguchi
健藏 川口
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Niterra Co Ltd
Original Assignee
NGK Spark Plug Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority to JP2011270036A priority Critical patent/JP5766593B2/ja
Application filed by NGK Spark Plug Co Ltd filed Critical NGK Spark Plug Co Ltd
Priority to KR1020147015451A priority patent/KR20140097322A/ko
Priority to EP12855243.7A priority patent/EP2790235A4/en
Priority to PCT/JP2012/007536 priority patent/WO2013084437A1/ja
Priority to CN201280059725.7A priority patent/CN103959492A/zh
Priority to US14/355,190 priority patent/US20140301054A1/en
Priority to TW101145952A priority patent/TW201334242A/zh
Publication of JP2013122951A publication Critical patent/JP2013122951A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5766593B2 publication Critical patent/JP5766593B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/18—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components
    • H05K1/182—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components associated with components mounted in the printed circuit board, e.g. insert mounted components [IMC]
    • H05K1/184—Components including terminals inserted in holes through the printed circuit board and connected to printed contacts on the walls of the holes or at the edges thereof or protruding over or into the holes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • H01L25/167—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/0213—Electrical arrangements not otherwise provided for
    • H05K1/0254—High voltage adaptations; Electrical insulation details; Overvoltage or electrostatic discharge protection ; Arrangements for regulating voltages or for using plural voltages
    • H05K1/0257—Overvoltage protection
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/46—Manufacturing multilayer circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/30107—Inductance
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/18—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components
    • H05K1/182—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components associated with components mounted in the printed circuit board, e.g. insert mounted components [IMC]
    • H05K1/185—Components encapsulated in the insulating substrate of the printed circuit or incorporated in internal layers of a multilayer circuit
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/09—Shape and layout
    • H05K2201/09209—Shape and layout details of conductors
    • H05K2201/09654—Shape and layout details of conductors covering at least two types of conductors provided for in H05K2201/09218 - H05K2201/095
    • H05K2201/0979—Redundant conductors or connections, i.e. more than one current path between two points
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10007—Types of components
    • H05K2201/10106—Light emitting diode [LED]
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10007—Types of components
    • H05K2201/10174—Diode
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/46—Manufacturing multilayer circuits
    • H05K3/4602—Manufacturing multilayer circuits characterized by a special circuit board as base or central core whereon additional circuit layers are built or additional circuit boards are laminated

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)

Abstract

【課題】表面および裏面を有する基板本体の表面に発光素子の搭載部と、該発光素子に電気的に接続される内蔵部品とを有し、該内蔵部品による発光素子から発光された光路の妨げや光の偏りが生じない発光素子搭載用配線基板を提供する。
【解決手段】表面３および裏面４を有し、少なくとも絶縁性基板２ａを含む基板本体２と、該基板本体２の表面３に形成され、少なくとも１つが上面に発光素子搭載部ｆａを有する複数の素子用端子１３，１４と、を含む発光素子搭載用配線基板１ａであって、上記基板本体２の内部に上記搭載部ｆａに搭載される発光素子２０と電気的に接続され且つ該発光素子２０の過電圧印可を防ぐツェナーダイオード（内蔵部品）１０を埋設することで内蔵している、発光素子搭載用配線基板１ａ。
【選択図】 図１

Description

本発明は、基板本体の表面に発光素子を搭載するための配線基板に関する。
例えば、発光ダイオードなどの発光素子の搭載部および前記発光素子の過電圧印可を防ぐ保護素子の搭載部と、かかる２種類の素子間を接続する配線導体とが形成された絶縁基体と、該絶縁基体の表面（一主面）に取着され、内周面が光反射面で且つ上記発光素子の搭載部を囲む反射部材とを備えており、上記保護素子の搭載部は、該保護素子を収納可能な上記絶縁基体の凹部の内側に設けられ、該凹部は、上記保護素子の搭載部側の内側面のうち、開口部側の部位が底面側の部位よりも上記発光素子の搭載部側寄りになるように形成されている発光素子収納用パッケージが提案されている（例えば、特許文献１参照）。
具体的には、特許文献１の図４に示すように、絶縁基体の表面に開口する凹部の底面に前記保護素子の搭載部を設け、上記絶縁基体の表面上に取着された円錐形状の反射部材に囲まれた上記絶縁基体の表面における中心部に発光素子の搭載部を設ける形態の前記発光素子収納用パッケージが開示されている。
ところで、特許文献１における前記絶縁基体のように、板形状を呈する配線基板の同じ表面に発光素子の搭載部と保護素子の搭載部とを併設した場合、搭載された保護素子が発光素子から発光される光の光路の妨げとなったり、半球面状の方向に放射される光の偏りを生じるため、発光効率を低下させる場合があった。
しかも、前記特許文献１の図４に示す形態のように、絶縁基体の表面における周辺部に開口する凹部の底面に前記保護素子の搭載部を設け、上記絶縁基体の表面における中心部に発光素子の搭載部を設けた際にも、上記凹部の真上付近における同様の光路の妨げや、該凹部の真上付近と他の部位との間において光の偏りを生じる場合があった。
特許第４７８９６７３号公報（第１〜２３頁、図１〜２５）
本発明は、背景技術において説明した問題点を解決し、表面および裏面を有する基板本体の表面に発光素子の搭載部と、該発光素子と電気的に接続される内蔵部品とを有し、該内蔵部品による発光素子から発光された光路に妨げや該発光に光の偏りが生じない発光素子搭載用配線基板を確実に提供する、ことを課題とする。
課題を解決するための手段および発明の効果
本発明は、前記課題を解決するため、表面に発光素子の搭載部を有する基板本体の内部に内蔵部品を内蔵する、ことに着想して成されたものである。
即ち、本発明の発光素子搭載用配線基板は、表面および裏面を有し、少なくとも絶縁性基板を含む基板本体と、該基板本体の表面に形成され、少なくとも１つが上面に発光素子搭載部を有する複数の素子用端子と、を含む発光素子搭載用配線基板であって、上記基板本体の内部に上記搭載部に搭載される発光素子部品と電気的に接続される内蔵部品を内蔵している、ことを特徴とする。
これによれば、例えば、発光素子の過電圧印可を防ぐための内蔵部品は、少なくとも絶縁性基板を含む基板本体の内部に内蔵されているので、該基板本体の表面に搭載される発光素子が発光される光の光路の妨げとならず、且つかかる光に光の偏りを生じにくくなる。その結果、追って基板本体の表面に搭載される発光素子から発光される光を、効率良く外部へ放射することが可能となる。
尚、前記内蔵とは、内蔵部品が基板本体の表面、裏面、および各側面に囲まれた直方体の内側に配置され、該内蔵部品が外部に露出していないことである。
尚、前記絶縁性基板には、エポキシ樹脂などの硬質樹脂や、アルミナなどのセラミックの絶縁材のみからなるコア基板のほか、金属板の表・裏面に絶縁材が被覆され、且つ該金属板を貫通するスルーホールの内壁面にも絶縁材が膜状の被覆された銅合金やステンレス鋼などからなるメタルコア基板も含まれる。
また、前記複数の素子用端子には、追って発光素子が跨って搭載される前記発光素子搭載部をほぼ半分ずつ有し、且つ一方および他方の電極となる一対(２個)からなる形態と、上記発光素子搭載部を有する一方の電極となる１個または２個以上と他方の電極となる１個または２個以上とからなる形態が含まれる。
更に、前記発光素子側の複数の接続端子と、前記複数の素子用端子とは、ボールグリッドアレイを介したハンダ付けやロウ付けにより導通され、あるいはボンディングワイヤを介して導通される。
また、前記発光素子は、発光ダイオードや半導体レーザーを含む。
更に、前記内蔵部品には、例えば、搭載される発光素子への過電圧印可を防ぐツェナーダイオード（保護素子）、あるいは、発光素子への電流を種々制御するための抵抗素子、キャパシタ、インダクタンス素子などの素子が含まれ、前記発光素子を電気的に制御する部品が含まれる。
加えて、前記発光素子搭載用配線基板には、平面視で縦横に隣接して複数個が併設された多数個取りの形態も含まれる。
また、本発明には、平面視において、前記発光素子搭載部と、前記内蔵部品との少なくとも一部が重複している、発光素子搭載用配線基板も含まれる。
これによれば、平面視において、前記基板本体の表面に形成された複数の素子用端子の一方あるいは双方に跨って搭載される発光素子と、上記基板本体の内部に内蔵された内蔵部品とが、平面視で少なくとも一部で重複しているので、平面視おける両者の導通経路（回路）を比較的短かくできる。その結果、基板本体に内蔵された内蔵部品によって、追って搭載される発光素子への過電圧印可を確実に防止したり、あるいは該発光素子への電流の制御を確実に行うことができる。
尚、前記発光素子搭載部と前記内蔵部品との少なくとも一部が平面視で重複していると共に、かかる内蔵部品が内蔵される位置が、基板本体の内部において該基板本体の比較的表面側である、発光素子搭載用配線基板とすることも可能である。かかる形態による場合、平面視と側面視との双方において、搭載される発光素子と基板本体に内蔵される内蔵部品との導通経路を短縮することができる。
更に、本発明には、前記内蔵部品は、前記基板本体の内部に充填樹脂を介して埋設されている、発光素子搭載用配線基板も含まれる。
これによれば、内蔵部品は、充填樹脂を介して前記基板本体の内部に埋設されているので、該基板本体が外力によって揺動したり、衝撃を受けた場合でも、当該内蔵部品の部品端子と接続された素子用端子や内部配線との間で、破断や離間により断線する事態を抑制ないし低減することができる。
尚、前記充填樹脂には、例えば、エポキシ樹脂にＳｉＯ2などの無機フィラを約６０質量％以上配合した複合絶縁材料が用いられる。
また、前記「充填樹脂を介して埋設する」とは、例えば、基板本体を構成する絶縁性基板に設けた貫通孔あるいは該絶縁性基板の表面に開口する凹部内に、上記充填樹脂に周囲を囲まれた態様で挿入される形態が挙げられる。
また、本発明には、前記基板本体は、前記絶縁性基板と、該絶縁性基板の表面および裏面の少なくとも一方に積層され、且つ配線層と薄肉絶縁層とを含むビルドアップ層とからなり、前記複数の素子用端子と、前記内蔵部品における一対の部品端子とは、上記ビルドアップ層の薄肉絶縁層を貫通するビア導体を介して個別に接続されている、発光素子搭載用配線基板も含まれる。
これによれば、基板本体を構成する前記絶縁性基板の表面および裏面の少なくとも一方にビルドアップ層を積層しているので、内蔵部品や搭載される発光素子に対する制御用の信号配線や給電用の電源回路などを併設できる。その結果、例えば、搭載される発光素子からの発光量などを精緻に制御することが可能となる。
更に、本発明には、前記基板本体は、前記絶縁性基板と、該絶縁性基板の表面および裏面の少なくとも一方に形成された内部配線層と、該内部配線層の上方で且つ上記絶縁性基板の表面および裏面の少なくとも一方に積層された厚肉絶縁層とからなり、前記内蔵部品は、上記厚肉絶縁層の内部に埋設され、且つ該内蔵部品における一対の部品端子は、互いに離隔した複数の上記内部配線層に個別に接続されている、発光素子搭載用配線基板も含まれる。
これによれば、基板本体を構成する絶縁性基板の表面および裏面の少なくとも一方において、該表面および裏面の少なくとも一方に形成された互いに離隔する内部配線層に一対の部品用端子を個別に接合した状態で、内蔵部品が厚肉絶縁層に埋設されるので、不用意な外力などから該内蔵部品を確実に防護し、且つ搭載される発光素子への過電圧印可を確実に防いだり、あるいは電流の制御を精度良く行うことが可能となる。
加えて、本発明には、前記基板本体の裏面には、一対の外部接続端子が形成され、かかる一対の外部接続端子と前記複数の素子用端子とは、上記基板本体の表面と裏面との間を貫通するスルーホール導体を介して導通されている、発光素子搭載用配線基板も含まれる。
これによれば、一方または双方の素子用端子の搭載部に搭載される発光素子が発する熱を前記スルーホール導体を通じて基板本体の裏面に形成された一対の外部接続端子に伝熱し、該外部接続端子から外部に放熱するサーマルビアの作用を奏し得る。しかも、前記スルーホール導体および外部接続端子を介して、内蔵部品や搭載する発光素子への給電を併せて行える。
尚、前記スルーホール導体は、前記素子用端子と外部接続端子との電気的接続を果たすと共に、前記発光素子が発する熱を基板本体の裏面側に放熱するためのサーマルビアにもなる。
また、前記スルーホール導体には、前記基板本体を貫通するスルーホールの内部全体に円柱形状の導体を充填する形態のほか、上記スルーホールの内壁面に沿った円筒形状を呈し且つ内側に導電性の閉塞樹脂を充填した形態も含まれる。
本発明による一形態の発素子搭載用配線基板を示す垂直断面図。 図１で示した発素子搭載用配線基板の応用形態を示す垂直断面図。 図２で示した発素子搭載用配線基板の応用形態を示す垂直断面図。 異なる形態の発素子搭載用配線基板を示す垂直断面図。 図４で示した発素子搭載用配線基板の応用形態を示す垂直断面図。 更に異なる形態の発素子搭載用配線基板を示す垂直断面図。
以下において、本発明を実施するための形態について説明する。
図１は、本発明による一形態の発素子搭載用配線基板１ａと、これに搭載される発光ダイオード（発光素子）２０とを示す垂直断面図である。
かかる発素子搭載用配線基板１ａは、図１に示すように、表面３および裏面４を有し且つ全体が板状を呈する基板本体２と、該基板本体２の表面３に形成された一対（複数）の素子用端子１３，１４と、上記基板本体２の裏面４に形成された一対の外部接続端子７，７と、上記基板本体２の内部に内蔵されたツェナーダイオード（内蔵部品）１０とを備えている。
前記基板本体２は、硬質樹脂製またはセラミック製で且つ厚みが約３０〜１０００μｍのコア基板（絶縁性基板）２ａからなる。上記樹脂には、エポキシ系などの硬質樹脂が適用され、上記セラミックには、アルミナなどが適用される。かかる基板本体２の中央付近には、打ち抜き加工などによって、表面３と裏面４との間を貫通する平面視が矩形状の貫通孔５が形成されている。
また、図１に示すように、前記基板本体２の平面視における貫通孔５の周囲には、内径が約５０〜３００μｍである複数のスルーホールｖの内側に沿ってスルーホール導体８が複数貫通し、全体が円筒形状を呈する各スルーホール導体８の内側には、エポキシ樹脂などからなる円柱形状で且つ導電性の閉塞樹脂９が挿入されている。各スルーホール導体８は、上端で前記素子用端子１３，１７の何れかと接続され、且つ下端で互いに異極となる外部接続端子７，７の何れかと接続されている。
更に、前記一対の素子用端子１３，１４は、互いに対の電極であって、基板本体２の表面３における中心側部分１３ａ，１４ａの上面にそれぞれ発光素子搭載部ｆａを有しており、該一対の発光素子搭載部ｆａに跨って、追って発光ダイオード（発光素子）２０が搭載される。即ち、図１に示すように、発光ダイオード２０の底面２１に形成された複数の外部端子２３には、ハンダバンプ２４が個別に予め接合されている。各ハンダバンプ２４を素子用端子１３，１４の中心側部分１３ａ，１４ａにハンダ付けして接合することで、発光ダイオード２０を上記素子用端子１３，１４上に搭載することができる。そして、図１に示すように、一対の発光素子搭載部ｆａ，ｆａ（の外郭線）と前記ツェナーダイオード１０とは、平面視において重複している。
加えて、上記ツェナーダイオード１０は、搭載される発光ダイオード２０への過電圧印可を防止するものであり、基板本体２の貫通孔５の内側において充填樹脂６に埋設された状態で基板本体２の内部に内蔵されている。該ツェナーダイオード１０の上面には、一対の部品端子１１，１２が形成されており、かかる部品端子１１，１２は、基板本体２の表面３に形成された形成された素子用端子１３，１４の前記中心側部分１３ａ，１４ａと個別に接続されている。
尚、前記外部接続端子７、スルーホール導体８、素子用端子１３，１４は、例えば、Ｃｕ、Ａｇ、Ｎｉ、あるいはＡｕなどの金属メッキからなる。
前記のような発光素子搭載用配線基板１ａを得るには、前記コア基板２ａに打ち抜き加工あるいはルータ加工を施して貫通孔５を形成し、且つその周囲にドリル加工あるいはレーザ加工によりスルーホールｖを複数個穿設した後、上記貫通孔５内にツェナーダイオード１０を挿入した状態でその周囲に前記充填樹脂６を充填し、且つ各スルーホールｖの内壁面に沿って公知の銅メッキ技術によりスルーホール導体８を形成し、その内側に前記閉塞樹脂９を充填した。そして、コア基板２ａの表面３に露出する充填樹脂６を平坦に整面（研磨）して前記ツェナーダイオード１０の部品端子１１，１２を露出させた後、コア基板２ａの表面３と裏面４とに対して公知のフォトリソグラフィー技術を施し、前記素子用端子１３，１４および外部接続端子７，７をパターニングにて形成することにより、容易に製造することができる。
尚、前記コア基板２ａを多数個取り用の大判サイズとして、複数の前記配線基板１ａを縦横に隣接して併有する多数個取りの配線基板とするこも可能である。
前記のような発光素子搭載用配線基板１ａによれば、発光ダイオード２０の過電圧印可を防ぐツェナーダイオード（内蔵部品）１０は、コア基板２ａからなる基板本体２の貫通孔５に充填樹脂６を介して埋設されることで内蔵されている。その結果、基板本体２の表面３に搭載される発光ダイオード２０から発光される光の光路の妨げとならず、且つかかる光に光の偏りが生じにくくなる。従って、追って基板本体２の表面３側に搭載される発光ダイオード２０から発光される光を、効率良く基板本体２の外部へ放射することが可能となる。
更に、発光ダイオード２０を搭載する素子用端子１３，１４は、比較的太径である複数のスルーホール導体８を介して、基板本体２の裏面４に位置する一対の外部接続端子７，７に接続されているため、上記発光ダイオード２０が発する熱をサーマルビアを兼ねる複数のスルーホール導体８を通じて、各外部接続端子７から基板本体２の外部に効果的に放熱することも可能である。
しかも、素子用端子１３，１４の各発光素子搭載部ｆａとツェナーダイオード１０とは、平面視で後者の全体が前者の中央付近と重複し、且つツェナーダイオード１０は、側面視において各発光素子搭載部ｆａに比較的近接した基板本体２の表面３側の中央付近に内蔵されるため、両者間の導通経路が短かくなっている。そのため、ツェナーダイオード１０による追って搭載される発光ダイオード２０への過電圧印可の防止を確実に果たすことも可能となる。
図２は、前記配線基板１ａの応用形態である発光素子搭載用配線基板１ｂと、これに搭載される発光ダイオード２０とを示す垂直断面図である。
かかる発光素子搭載用配線基板１ｂは、図２に示すように、前記コア基板２ａを含む基板本体２と、該基板本体２の表面３に前記同様に形成された一対の素子用端子１３，１４と、上記基板本体２の裏面４に前記同様に形成された一対の外部接続端子７，７と、上記基板本体２の内部に前記同様に内蔵されたツェナーダイオード１０とを備えている。
上記基板本体２は、図２に示すように、下層側のコア基板２ａと、該コア基板２ａの表面（上層）側に積層されたビルドアップ層ｂｕ１とからなる。該ビルドアップ層ｂｕ１は、コア基板２ａの表面に離れて形成された一対の配線層１５と、エポキシ系樹脂からなり且つ厚みが約１００μｍの薄肉絶縁層１６とからなる。該薄肉絶縁層１６には、素子用端子１３，１４と各配線層１５とを個別に導通する複数のビア導体（フィルドビア）１７が貫通して形成されている。尚、上記配線層１５も、Ｃｕ、Ａｇ、Ｎｉ、あるいはＡｕなどの金属メッキからなる。
更に、素子用端子１３，１４の中央側部分１３ａ，１４ａと、コア基板２ａの貫通孔５内に充填樹脂６により埋設されて内蔵されたツェナーダイオード１０の部品用端子１１，１２との間の薄肉絶縁層１６にも、上記同様のビア導体１７が貫通し、素子用端子１３，１４と部品用端子１１，１２との導通を確保している。かかる配線基板１ｂの平面視においても、ツェナーダイオード１０の全体が、素子用端子１３，１４の発光素子搭載部ｆａ，ｆａ（の外郭線）と重複している。
以上のような発光素子搭載用配線基板１ｂを得るには、前記配線基板１ａの製造方法に対し、更に、コア基板２ａの表面側に配線層１５のパターニング、薄肉絶縁層１６の形成、ビア導体１７の形成、および素子用端子１３，１４のパターニングをフォトグラフィー技術を含めて適用することで、容易に製造できる。
以上のような発光素子搭載用配線基板１ｂによれば、前記配線基板１ａによる効果に加え、配線層１５を含むビルドアップｂｕ１を更に有しているので、基板本体２に内蔵されるツェナーダイオード１０や搭載される発光ダイオード２０に対する制御用の信号配線や給電用の電源回路などを併設できる。従って、搭載すべき発光ダイオード２０からの発光量などを精緻に制御することが可能となる。
図３は、前記配線基板１ｂの応用形態である発光素子搭載用配線基板１ｃと、これに搭載される比較的小型の発光ダイオード３０とを示す垂直断面図である。
かかる発光素子搭載用配線基板１ｃは、図３に示すように、前記コア基板２ａを含む基板本体２と、該基板本体２の表面３に形成された一対の素子用端子１３，１４と、上記基板本体２の裏面４に前記同様に形成された一対の外部接続端子７，７と、上記基板本体２の内部に前記同様に内蔵されたツェナーダイオード１０とを備えている。
上記基板本体２は、図３に示すように、中層のコア基板２ａと、該コア基板２ａの表面（上層）側および裏面（下層）側に個別に積層された一対のビルドアップ層ｂｕ１，ｂｕ２とからなる。該ビルドアップ層ｂｕ２も前記ビルドアップ層ｂｕ１と同様に、コア基板２ａの裏面において離間して形成された一対の配線層１８と、エポキシ系樹脂からなり且つ厚みが約１００μｍの薄肉絶縁層１９とからなる。該薄肉絶縁層１９には、裏面４の各外部接続端子７と各配線層１８とを個別に導通する複数のビア導体（フィルドビア）１７が貫通して形成されている。尚、上記配線層１８も、Ｃｕ、Ａｇ、Ｎｉ、Ａｕなどの金属メッキからなる。
更に、基板本体２の表面３に形成された一対の素子用端子１３，１４のうち、図３で右側に位置する素子用端子１４の上面のみに発光素子搭載部ｆａが位置し、図３で左側に位置する素子用端子１３は、発光素子搭載部ｆａを有していない。上記右側の素子用端子１４の中央側部分１４ａにおける上面の上記搭載部ｆａには、ロウ材３３あるいは接着剤を介して、比較的小型の発光ダイオード３０が追って搭載可能とされている。該発光ダイオード３０の上面に位置する一対の外部端子３１，３１は、一対のボンディングワイヤｗを介して、右側の素子用端子１４の外周側部分および左側の素子用端子１３の中央側部分１３ａと、個別に導通可能にして接続される。
図３に示すように、平面視において、上記発光素子搭載部ｆａと、基板本体２に内蔵されたツェナーダイオード１０とは、互いの一部において重複している。
以上のような発光素子搭載用配線基板１ｃを得るには、前記配線基板１ｂの製造方法に対し、更に、コア基板２ａの裏面側にも配線層１８のパターニング、樹脂フィルムの貼り付けによる薄肉絶縁層１９の形成、ビア導体１７の形成、および外部接続端子７，７のパターニングをフォトグラフィー技術を含めて適用することによって、容易に製造することが可能である。
以上のような発光素子搭載用配線基板１ｃによれば、前記配線基板１ａによる効果に加え、配線層１５，１８を含むビルドアップｂｕ１，ｂｕ２を更に有しているので、搭載すべき発光ダイオード３０からの発光量などを一層精緻に制御することなどが容易となる。
図４は、異なる形態の発光素子搭載用配線基板１ｄと、これに搭載される前記発光ダイオード２０とを示す垂直断面図である。
かかる発光素子搭載用配線基板１ｄは、図４に示すように、表面３および裏面４を有し、且つ全体が板形状を呈する基板本体２と、該基板本体２の表面３に形成された一対の素子用端子１３，１４と、上記基板本体２の内部に内蔵されたツェナーダイオード１０と、基板本体２の裏面４に形成された一対の外部接続端子７，７とを備えている。
上記基板本体２は、図４に示すように、下層側に位置する前記同様のコア基板２ａと、該コア基板２ａの上層（表面）側に積層された厚肉絶縁層６ａとからなる。コア基板２ａの表面には、互いに離間した一対の内部配線層２５，２６が形成され、該内部配線層２５，２６は、コア基板２ａと厚肉絶縁層６ａとを貫通する前記同様の複数のスルーホール導体８を介して、基板本体２の表面３に形成された素子用端子１３，１４、および裏面４に形成された外部接続端子７に個別に接続されている。尚、内部配線層２５，２６も、ＣｕまたはＡｇなどの金属メッキからなる。
前記コア基板２ａの表面上には、内部配線層２５，２６の中央側部分に跨ってハンダバンプ２４を介して、ツェナーダイオード１０が配置され、該ツェナーダイオード１０を包囲するように、エポキシ系樹脂に対してＳｉＯ2フィラを約５０〜７０質量％を配合した厚肉樹脂６ａがモールド操作あるいは複数回の塗布作業により形成されている。該厚肉樹脂６ａには、下端で前記内部配線層２５，２６と個別に接続された前記スルーホール導体８が複数貫通している。また、基板本体２の表面３でもある厚肉樹脂６ａの表面には、前記同様の一対の素子用端子１３，１４が形成されており、これらは、上記厚肉樹脂６ａやコア基板２ａを貫通する前記スルーホール導体８を介して、内部配線層２５，２６、ツェナーダイオード１０、および外部接続端子７，７と個別に導通可能とされている。
前記配線基板１ｄの平面視においても、ツェナーダイオード１０の全体が、素子用端子１３，１４の発光素子搭載部ｆａ，ｆａ（の外郭線）と重複している。
以上のような発光素子搭載用配線基板１ｄによれば、前記配線基板１ａによる効果に加え、コア基板２ａの表面に形成された互いに離間する内部配線層２５，２６に一対の部品用端子１１，１２を個別に接合した状態で、ツェナーダイオード１０が厚肉絶縁層６ａ内に埋設されるので、当該ダイオード１０を確実に外力などから防護できると共に、前記発光素子搭載部ｆａ，ｆａに搭載される発光ダイオード２０の過電圧印可を確実に防ぐことが可能となる。
図５は、前記配線基板１ｄの応用形態である発光素子搭載用配線基板１ｅと、これに搭載される前記同様の発光ダイオード３０とを示す垂直断面図である。
かかる発光素子搭載用配線基板１ｅは、図５に示すように、表面３および裏面４を有し、且つ全体が厚板形状を呈する基板本体２と、該基板本体２の表面３に形成された一対の素子用端子１３，１４と、上記基板本体２の内部に内蔵されたツェナーダイオード１０と、基板本体２の裏面４に形成された一対の外部接続端子７，７とを備えている。
上記基板本体２は、図５に示すように、中層に位置する前記同様のコア基板２ａと、該コア基板２ａの上層側および下層側に積層された厚肉絶縁層６ａ，６ｂとからなる。上記コア基板２ａの表面には、前記同様に離間した内部配線層２５，２６が形成されている。また、コア基板２ａおよび厚肉絶縁層６ａ，６ｂの厚み方向に沿った複数のビアホールｖ内には、Ｃｕメッキからなる円柱形状のビア導体８が個別に形成されている。該ビア導体８は、直径が約１００〜２００μｍと比較的太径で、前記素子用端子１３，１４、内部配線層２５，２６、ツェナーダイオード１０、および外部接続端子７，７の相互間を導通可能としていると共に、発光ダイオード３０の熱を裏面４側に放熱するサーマルビアも兼ねている。
更に、図５に示すように、図示で左側の素子用端子１３は、比較的小面積であり、その中心側部分１３ａに次述する一方のボンディングワイヤｗの一端が接続されている。一方、図５で右側の素子用端子１４は、比較的大面積であり、その中心部分１４ａの上面に位置する発光素子搭載部ｆａには、追ってロウ材３３を介して発光ダイオード３０が搭載可能とされている。該発光ダイオード３０の上面に位置する一対の外部端子３１，３１は、一対のボンディングワイヤｗを介して、上記素子用端子１３の中心側部分１３ａおよび右側の素子用端子１４の中央付近と、個別に導通可能とされる。
以上の本配線基板１ｅの平面視においても、素子用端子１４の発光素子搭載部ｆａの全体が、基板本体２に内蔵されたツェナーダイオード１０と重複している。
以上のような発光素子搭載用配線基板１ｅによれば、前記配線基板１ａ，１ｄによる効果に加え、発光素子３０が発する熱を、金属（ＣｕまたはＡｇ）のみからなり、サーマルビアも兼ねる複数のビア導体８を介して、裏面４側の外部接続端子７から外部に効果的に放熱することが可能となる。
図６は、更に異なる形態の発光素子搭載用配線基板１ｆと、これに搭載される前記同様の発光ダイオード３０とを示す垂直断面図である。
かかる発光素子搭載用配線基板１ｆは、図６に示すように、コア基板２ａのみからなる基板本体２と、該基板本体２の表面３に形成された一対の素子用端子１３，１４と、上記基板本体２の裏面４に形成された一対の外部接続端子７，７と、上記基板本体２の内部に内蔵されたツェナーダイオード１０とを備えている。
基板本体２を構成するコア基板２ａには、前記同様の貫通孔５が形成され、該貫通孔５内には、充填樹脂６を介してツェナーダイオード１０が埋設されて内蔵され、該ツェナーダイオード１０の上面に位置する部品端子１１，１２は、基板本体２の表面３と同じ平面に位置する充填樹脂６の表面において、素子用端子１３，１４の中心側部分１３ａ，１４ａと個別に接続されている。
更に、図６に示すように、基板本体２を構成するコア基板２ａの表面３における左側には、中心側部分１３ａが前記貫通孔５に充填された充填樹脂６の上に達する比較的大面積の素子用端子１３が形成され、その上面の中間に位置する発光素子搭載部ｆａには、追ってロウ材３３を介して発光ダイオード３０が搭載される。該発光ダイオード３０の上面に位置する一対の外部端子３１，３１は、一対のボンディングワイヤｗを介して、右側の素子用端子１４の中心側部分１４ａおよび左側の素子用端子１３の外周側部分に個別に導通可能とされる。
尚、本配線基板１ｆでは、図６に示すように、発光素子搭載部ｆａと基板本体２に内蔵されたツェナーダイオード１０とが平面視で重複していない。
但し、図６に示すように、発光素子搭載部ｆａを有する素子用端子１３と、基板本体２の裏面４に位置する一方（図６で左側）の外部接続端子７との間には、前記同様の金属のみからなる比較的太径のビア導体８が複数接続されている。
以上の発光素子搭載用配線基板１ｆによれば、発光ダイオード３０が放射する光の光路がツェナーダイオード１０によって妨げられず、且つ該光に光の偏りを生じないと共に、上記発光ダイオード３０が発する熱を裏面４側の外部接続端子７から効果的に外部に放熱することが可能となる。
尚、本配線基板１ｆは、前記配線基板１ａと同様な工程によって製造することが可能である。
本発明は、以上において説明した各形態に限定されるものではない。
例えば、前記基板本体を構成する絶縁性基板には、金属板からなり、導体部分ごとに絶縁材を配設したメタルコア基板を適用しても良い。
また、前記コア基板（絶縁性基板）２ａに形成した前記貫通孔５に替えて、該コア基板２ａの表面にのみ開口する凹部を座ぐり加工により形成し、該凹部内に充填樹脂６を介して内蔵部品(１０)を埋設して内蔵するようにしても良い。
更に、前記発光ダイオードに替えて、半導体レーザーを発光素子搭載部に搭載することも可能である。
また、前記発光素子搭載部ｆａに発光ダイオードを搭載した後に、これらの上方に封止用樹脂をドーム形状にして形成するようにしても良い。
更に、前記で配線基板１ａ〜１ｆは、発光素子と内蔵部品との数を１：１としていたが、例えば、１個の内蔵部品により２個以上の発光素子のへ過電圧印可を並列で防止などを行えるようにしたり、１個の発光素子に対して２個（予備を含む）以上の内蔵部品を並列で導通可能とした構成としても良い。
また、前記内蔵部品は、前記ツェナーダイオードに替えて、発光素子への電流を制御すめための抵抗素子、キャパシタ、インダクタンス素子などにして良い。
加えて、前記配線基板１ａ〜１ｆは、それぞれが同じ配線基板を平面視で縦横に隣接して併設した多数個取りの発光素子搭載用配線基板集合体としても良い。
本発明によれば、基板本体の表面に位置する発光素子の搭載部と、該発光素子と電気的に接続される内蔵素子とを有すると共に、該内蔵素子による上記発光素子から発光された光路に妨げや光の偏りが生じない発光素子搭載用配線基板を確実に提供することが可能となる。
１ａ〜１ｆ………発光素子搭載用配線基板
２…………………基板本体
２ａ………………コア基板（絶縁性基板）
３…………………表面
４…………………裏面
５…………………貫通孔
６…………………充填樹脂
６ａ，６ｂ………厚肉絶縁層
７…………………外部接続端子
８…………………ビア導体
１０………………ツェナーダイオード（内蔵部品）
１１，１２………部品端子
１３，１４………素子用端子
１５，１８………配線層
１６，１９………薄肉絶縁層
２０，３０………発光ダイオード（発光素子）
２５，２６………内部配線層
ｆａ………………発光素子搭載部
ｂｕ１，ｂｕ２…ビルドアップ層

Claims (6)

  1. 表面および裏面を有し、少なくとも絶縁性基板を含む基板本体と、
    上記基板本体の表面に形成され、少なくとも１つが上面に発光素子搭載部を有する複数の素子用端子と、を含む発光素子搭載用配線基板であって、
    上記基板本体の内部に上記搭載部に搭載される発光素子と電気的に接続される内蔵部品を内蔵している、
    ことを特徴とする発光素子搭載用配線基板。
  2. 平面視において、前記発光素子搭載部と、前記内蔵部品との少なくとも一部が重複している、
    ことを特徴とする請求項１に記載の発光素子搭載用配線基板。
  3. 前記内蔵部品は、前記基板本体の内部に充填樹脂を介して埋設されている、
    ことを特徴とする請求項１または２に記載の発光素子搭載用配線基板。
  4. 前記基板本体は、前記絶縁性基板と、該絶縁性基板の表面および裏面の少なくとも一方に積層され、且つ配線層と薄肉絶縁層とを含むビルドアップ層とからなり、
    前記複数の素子用端子と、前記内蔵部品における一対の部品端子とは、上記ビルドアップ層の薄肉絶縁層を貫通するビア導体を介して個別に接続されている、
    ことを特徴とする請求項１乃至３の何れか一項に記載の発光素子搭載用配線基板。
  5. 前記基板本体は、前記絶縁性基板と、該絶縁性基板の表面および裏面の少なくとも一方に形成された内部配線層と、該内部配線層の上方で且つ上記絶縁性基板の表面および裏面の少なくとも一方に積層された厚肉絶縁層とからなり、
    前記内蔵部品は、上記厚肉絶縁層の内部に埋設され、且つ該内蔵部品における一対の部品端子は、互いに離隔した複数の上記内部配線層に個別に接続されている、
    ことを特徴とする請求項１または２に記載の発光素子搭載用配線基板。
  6. 前記基板本体の裏面には、一対の外部接続端子が形成され、かかる一対の外部接続端子と前記複数の素子用端子とは、上記基板本体の表面と裏面との間を貫通するスルーホール導体を介して導通されている、
    ことを特徴とする請求項１乃至５の何れか一項に記載の発光素子搭載用配線基板。
JP2011270036A 2011-12-09 2011-12-09 発光素子搭載用配線基板 Expired - Fee Related JP5766593B2 (ja)

Priority Applications (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011270036A JP5766593B2 (ja) 2011-12-09 2011-12-09 発光素子搭載用配線基板
EP12855243.7A EP2790235A4 (en) 2011-12-09 2012-11-22 CONDUCTOR PLATE FOR ASSEMBLING A LIGHT-EMITTING ELEMENT TO THIS
PCT/JP2012/007536 WO2013084437A1 (ja) 2011-12-09 2012-11-22 発光素子搭載用配線基板
CN201280059725.7A CN103959492A (zh) 2011-12-09 2012-11-22 发光元件安装用布线基板
KR1020147015451A KR20140097322A (ko) 2011-12-09 2012-11-22 발광 소자 탑재용 배선 기판
US14/355,190 US20140301054A1 (en) 2011-12-09 2012-11-22 Wiring board for having light emitting element mounted thereon
TW101145952A TW201334242A (zh) 2011-12-09 2012-12-06 發光元件搭載用配線基板

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011270036A JP5766593B2 (ja) 2011-12-09 2011-12-09 発光素子搭載用配線基板

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2013122951A true JP2013122951A (ja) 2013-06-20
JP5766593B2 JP5766593B2 (ja) 2015-08-19

Family

ID=48573829

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2011270036A Expired - Fee Related JP5766593B2 (ja) 2011-12-09 2011-12-09 発光素子搭載用配線基板

Country Status (7)

Country Link
US (1) US20140301054A1 (ja)
EP (1) EP2790235A4 (ja)
JP (1) JP5766593B2 (ja)
KR (1) KR20140097322A (ja)
CN (1) CN103959492A (ja)
TW (1) TW201334242A (ja)
WO (1) WO2013084437A1 (ja)

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015050342A (ja) * 2013-09-02 2015-03-16 新光電気工業株式会社 配線基板、発光装置及び配線基板の製造方法
CN104715921A (zh) * 2013-12-17 2015-06-17 三星电机株式会社 电容器内嵌基板及其制造方法
JP2016127056A (ja) * 2014-12-26 2016-07-11 日亜化学工業株式会社 発光装置
KR20170004724A (ko) * 2015-07-03 2017-01-11 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 및 발광 모듈
KR20170045338A (ko) * 2014-09-03 2017-04-26 에프코스 아게 발광 다이오드 장치
US9666567B2 (en) 2014-02-13 2017-05-30 Nichia Corporation Light emitting device having underlying protective element
JP2018519669A (ja) * 2015-07-15 2018-07-19 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングＯｓｒａｍ Ｏｐｔｏ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ ＧｍｂＨ オプトエレクトロニクス半導体装置
JP2018530161A (ja) * 2015-10-01 2018-10-11 エルジー イノテック カンパニー リミテッド 発光素子、発光素子の製造方法及び発光モジュール
US10217792B2 (en) 2015-07-15 2019-02-26 Osram Opto Semiconductors Gmbh Method for producing an optoelectronic semiconductor chip and optoelectronic semiconductor chip
JP2019508884A (ja) * 2016-01-14 2019-03-28 ティーディーケイ・エレクトロニクス・アクチェンゲゼルシャフトＴｄｋ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ａｇ 保護機能を有するデバイス基板とその製造のための方法
JP2019515507A (ja) * 2016-05-06 2019-06-06 テーデーカー エレクトロニクス アーゲー マルチｌｅｄシステム
JP2019192800A (ja) * 2018-04-25 2019-10-31 シャープ株式会社 発光素子モジュール
WO2023234411A1 (ja) * 2022-06-03 2023-12-07 株式会社小糸製作所 車両用光源ユニット

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102013202904A1 (de) * 2013-02-22 2014-08-28 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauteil und Verfahren zu seiner Herstellung
DE102013112549B4 (de) * 2013-11-14 2021-08-05 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauelementen und optoelektronisches Halbleiterbauelement
EP2911486A1 (en) 2014-02-19 2015-08-26 AT & S Austria Technologie & Systemtechnik Aktiengesellschaft PCB-based connector device
WO2015125621A1 (ja) * 2014-02-24 2015-08-27 株式会社村田製作所 電子装置
KR101596580B1 (ko) * 2014-06-09 2016-02-23 삼성디스플레이 주식회사 스트레처블 디스플레이 및 그의 제조방법
CN104377297A (zh) * 2014-11-05 2015-02-25 共青城超群科技股份有限公司 一种铜柱型高散热led基板
TW201626604A (zh) * 2015-01-14 2016-07-16 億光電子工業股份有限公司 發光二極體封裝結構
DE102015104185A1 (de) * 2015-03-20 2016-09-22 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
US9852974B2 (en) * 2015-07-03 2017-12-26 Citizen Electronics Co., Ltd. Substrate, light-emitting device with substrate, method of manufacturing substrate assembly and method of manufacturing light-emitting device with substrate
FR3041148A1 (fr) * 2015-09-14 2017-03-17 Valeo Vision Source lumineuse led comprenant un circuit electronique
JP6563122B2 (ja) * 2016-04-27 2019-08-21 三菱電機株式会社 非可逆回路素子およびその製造方法
WO2018097071A1 (ja) * 2016-11-28 2018-05-31 京セラ株式会社 センサ用配線基板、センサ用パッケージおよびセンサ装置
CN106783834A (zh) * 2017-01-09 2017-05-31 丽智电子(昆山)有限公司 一种模组化的光电二极管封装制造方法
CN106711135A (zh) * 2017-01-09 2017-05-24 丽智电子(昆山)有限公司 一种模组化的光电二极管封装器件
JP2019067858A (ja) * 2017-09-29 2019-04-25 イビデン株式会社 プリント配線板及びその製造方法
JP7307874B2 (ja) * 2019-04-26 2023-07-13 日亜化学工業株式会社 発光装置及び発光モジュール
CN110798975B (zh) * 2019-10-22 2024-05-07 江门市华浦照明有限公司 一种表贴器件
KR20210077373A (ko) 2019-12-17 2021-06-25 삼성전기주식회사 전자부품　내장기판
US20230403826A1 (en) * 2022-06-10 2023-12-14 Subtron Technology Co., Ltd. Heat dissipation substrate

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003304004A (ja) * 2002-04-11 2003-10-24 Citizen Electronics Co Ltd 光伝送チップ及び取付構造
JP2007036238A (ja) * 2005-07-22 2007-02-08 Samsung Electro-Mechanics Co Ltd 保護素子の配置構成を改善した側面型発光ダイオード
JP2007150229A (ja) * 2005-10-27 2007-06-14 Kyocera Corp 発光素子収納用パッケージならびにこれを用いた光源および発光装置
JP2007273852A (ja) * 2006-03-31 2007-10-18 Ngk Spark Plug Co Ltd 発光素子収納用パッケージ
US20090090926A1 (en) * 2007-10-09 2009-04-09 Foxsemicon Integrated Technology, Inc. Solid state light emitting device
WO2011081428A2 (ko) * 2009-12-29 2011-07-07 하나마이크론㈜ Ｐｏｐ 패키지 및 그 제조 방법
JP2011525702A (ja) * 2008-06-24 2011-09-22 エルジー イノテック カンパニー リミテッド 発光素子パッケージ

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8194305B2 (en) * 2003-11-01 2012-06-05 Silicon Quest Kabushiki-Kaisha Package for micromirror device
JP4513389B2 (ja) * 2004-04-09 2010-07-28 株式会社村田製作所 多層配線基板及びその製造方法
TW200820463A (en) * 2006-10-25 2008-05-01 Lighthouse Technology Co Ltd Light-improving SMD diode holder and package thereof
TWI384649B (zh) * 2008-06-18 2013-02-01 Harvatek Corp Light emitting diode chip encapsulation structure with embedded electrostatic protection function and its making method
JP2010114434A (ja) * 2008-10-08 2010-05-20 Ngk Spark Plug Co Ltd 部品内蔵配線基板及びその製造方法
JP5488783B2 (ja) * 2009-01-30 2014-05-14 Ｔｄｋ株式会社 電子部品内蔵基板及びその製造方法
JP2011100649A (ja) * 2009-11-06 2011-05-19 Murata Mfg Co Ltd 電子部品内蔵基板および電子モジュール。
KR101048717B1 (ko) * 2010-01-19 2011-07-14 삼성전기주식회사 인쇄회로기판 스트립 및 전자소자 내장형 인쇄회로기판 제조방법
JP4764519B1 (ja) * 2010-01-29 2011-09-07 株式会社東芝 Ｌｅｄパッケージ
CN102237353B (zh) * 2010-05-05 2016-07-06 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管封装结构及其制造方法

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003304004A (ja) * 2002-04-11 2003-10-24 Citizen Electronics Co Ltd 光伝送チップ及び取付構造
JP2007036238A (ja) * 2005-07-22 2007-02-08 Samsung Electro-Mechanics Co Ltd 保護素子の配置構成を改善した側面型発光ダイオード
JP2007150229A (ja) * 2005-10-27 2007-06-14 Kyocera Corp 発光素子収納用パッケージならびにこれを用いた光源および発光装置
JP2007273852A (ja) * 2006-03-31 2007-10-18 Ngk Spark Plug Co Ltd 発光素子収納用パッケージ
US20090090926A1 (en) * 2007-10-09 2009-04-09 Foxsemicon Integrated Technology, Inc. Solid state light emitting device
JP2011525702A (ja) * 2008-06-24 2011-09-22 エルジー イノテック カンパニー リミテッド 発光素子パッケージ
WO2011081428A2 (ko) * 2009-12-29 2011-07-07 하나마이크론㈜ Ｐｏｐ 패키지 및 그 제조 방법

Cited By (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015050342A (ja) * 2013-09-02 2015-03-16 新光電気工業株式会社 配線基板、発光装置及び配線基板の製造方法
CN104715921A (zh) * 2013-12-17 2015-06-17 三星电机株式会社 电容器内嵌基板及其制造方法
US20150173196A1 (en) * 2013-12-17 2015-06-18 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Capacitor embedded substrate and manufacturing method thereof
JP2015119159A (ja) * 2013-12-17 2015-06-25 サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド． コンデンサ内蔵基板及びその製造方法
US9666567B2 (en) 2014-02-13 2017-05-30 Nichia Corporation Light emitting device having underlying protective element
JP2017527998A (ja) * 2014-09-03 2017-09-21 エプコス アクチエンゲゼルシャフトＥｐｃｏｓ Ａｇ 発光ダイオード装置
KR20170045338A (ko) * 2014-09-03 2017-04-26 에프코스 아게 발광 다이오드 장치
US10014459B2 (en) 2014-09-03 2018-07-03 Epcos Ag Light-emitting diode device
KR102412777B1 (ko) * 2014-09-03 2022-06-27 티디케이 일렉트로닉스 아게 발광 다이오드 장치
JP2016127056A (ja) * 2014-12-26 2016-07-11 日亜化学工業株式会社 発光装置
WO2017007181A1 (ko) * 2015-07-03 2017-01-12 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 및 발광 모듈
KR20170004724A (ko) * 2015-07-03 2017-01-11 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 및 발광 모듈
US10270006B2 (en) 2015-07-03 2019-04-23 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device and light emitting module
KR102412600B1 (ko) 2015-07-03 2022-06-23 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 발광 소자 및 발광 모듈
US10559556B2 (en) 2015-07-15 2020-02-11 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelectronic semiconductor component
US10217792B2 (en) 2015-07-15 2019-02-26 Osram Opto Semiconductors Gmbh Method for producing an optoelectronic semiconductor chip and optoelectronic semiconductor chip
JP2018519669A (ja) * 2015-07-15 2018-07-19 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングＯｓｒａｍ Ｏｐｔｏ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ ＧｍｂＨ オプトエレクトロニクス半導体装置
JP2018530161A (ja) * 2015-10-01 2018-10-11 エルジー イノテック カンパニー リミテッド 発光素子、発光素子の製造方法及び発光モジュール
JP2019508884A (ja) * 2016-01-14 2019-03-28 ティーディーケイ・エレクトロニクス・アクチェンゲゼルシャフトＴｄｋ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ａｇ 保護機能を有するデバイス基板とその製造のための方法
US11239010B2 (en) 2016-01-14 2022-02-01 Epcos Ag Component substrate having a protective function
JP2019515507A (ja) * 2016-05-06 2019-06-06 テーデーカー エレクトロニクス アーゲー マルチｌｅｄシステム
JP2019192800A (ja) * 2018-04-25 2019-10-31 シャープ株式会社 発光素子モジュール
JP7267683B2 (ja) 2018-04-25 2023-05-02 シャープ株式会社 発光素子モジュール
WO2023234411A1 (ja) * 2022-06-03 2023-12-07 株式会社小糸製作所 車両用光源ユニット

Also Published As

Publication number Publication date
WO2013084437A1 (ja) 2013-06-13
TW201334242A (zh) 2013-08-16
JP5766593B2 (ja) 2015-08-19
EP2790235A1 (en) 2014-10-15
EP2790235A4 (en) 2015-02-25
KR20140097322A (ko) 2014-08-06
US20140301054A1 (en) 2014-10-09
CN103959492A (zh) 2014-07-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5766593B2 (ja) 発光素子搭載用配線基板
CN102448247B (zh) 其内嵌有电子组件的印刷电路板
TWI692122B (zh) 發光二極體封裝結構及其製作方法
TWI355050B (en) Thin double-sided package substrate and manufactur
KR102210072B1 (ko) 발광 소자 패키지 및 발광 소자 탑재용 패키지
JP5132404B2 (ja) 半導体発光装置
US10470307B2 (en) Circuit substrate with embedded heat sink
CN107852811B (zh) 印刷电路板以及用于制造印刷电路板的方法
KR20160015980A (ko) 인쇄회로기판 및 그 제조방법
US20160021737A1 (en) Electric device module and method of manufacturing the same
JP4913099B2 (ja) 発光装置
JP2015050342A (ja) 配線基板、発光装置及び配線基板の製造方法
JP4880927B2 (ja) 配線基板
JP4854738B2 (ja) 電子部品
US20210265812A1 (en) Semiconductor laser device
KR101115403B1 (ko) 발광 장치
JP4630041B2 (ja) 配線基板の製造方法
KR101163893B1 (ko) 방열회로기판 및 그의 제조 방법
JP5913432B2 (ja) チップ型発光素子
JP2001102517A (ja) 回路装置
CN114450788A (zh) 用于电子构件的接触装置以及用于制造电子构件的方法
CN108109974B (zh) 具有电磁屏蔽及散热特性的半导体组件及制作方法
JP4880928B2 (ja) 配線基板
KR20160010246A (ko) 전자 소자 모듈 및 그 제조 방법
JP2015153830A (ja) 紫外線発光装置及びそれに用いるインタポーザ

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20140617

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20150303

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20150429

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20150609

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20150617

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5766593

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees