JP2011525702A - 発光素子パッケージ - Google Patents

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JP2011525702A JP2011514501A JP2011514501A JP2011525702A JP 2011525702 A JP2011525702 A JP 2011525702A JP 2011514501 A JP2011514501 A JP 2011514501A JP 2011514501 A JP2011514501 A JP 2011514501A JP 2011525702 A JP2011525702 A JP 2011525702A
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Abstract

本発明は発光素子パッケージに関するものである。本発明による発光素子パッケージは、複数の電極を備えたパッケージボディと、前記複数の電極に電気的に連結された発光素子と、前記複数の電極に電気的に連結された過電圧抑制ダイオードと、を含む。

Description

本発明は発光素子パッケージに関するものである。
III‐V族窒化物半導体は、物理的、化学的特性により、発光ダイオード(LED)またはレーザーダイオード(LD)等の発光素子の核心素材として注目されている。III‐V族窒化物半導体は通常、InAlGa1−x−yN(0≦x≦1、0≦y≦1、0≦x+y≦1)の組成式を有する半導体物質からなる。
発光ダイオード(LED)は、化合物半導体の特性を用いることで電気を赤外線または光に変換して、信号を送受信、または光源として使われる半導体素子の一種である。
このような窒化物半導体材料を利用したLEDあるいはLDは、光を得るための発光素子に多く用いられており、例えば、携帯電話のキーパットの発光部、電光掲示板、照明装置等各種製品の光源として応用されている。
本発明は過電圧抑制(TVS: transient voltage suppress)ダイオードを含む発光素子パッケージを提供する。
本発明はパッケージボディ内に過電圧抑制ダイオードを備えた発光素子パッケージを提供する。
本発明は複数の電極に並列連結された発光素子と過電圧抑制ダイオードを含む発光素子パッケージを提供する。
本発明はパッケージボディ内において複数の電極にフリップボンディングされる過電圧抑制ダイオードを含む発光素子パッケージを提供する。
本発明による発光素子パッケージは複数の電極を備えたパッケージボディと、前記複数の電極に電気的に連結された発光素子と、前記複数の電極に電気的に連結された過電圧抑制ダイオードと、を含む。
本発明による発光素子パッケージはキャビティを有するパッケージボディと、前記キャビティに配置された複数の電極と、前記複数の電極に電気的に連結された発光素子と、前記パッケージボディ内において前記複数の電極に電気的に連結された過電圧抑制ダイオードと、を含む。
本発明は発光素子を保護するために過電圧抑制ダイオードを用いることで、発光素子パッケージの信頼性を改善することができる。
本発明は過電圧から発光素子を保護することができる。
本発明は過電圧抑制ダイオードをパッケージボディ内の複数の電極にフリップボンディングすることで、発光素子パッケージの電気的信頼性を改善することができる。
本発明は過電圧抑制ダイオードを発光素子と並列に連結することで、過電圧や電気的衝撃(例えば、ESD)から発光素子を保護することができる。
本発明は迅速な応答特性を有する過電圧抑制ダイオードを発光素子に並列に連結することで、短時間に入ってくる過度電流から発光素子を保護することができる。
第1実施例による発光素子パッケージの側断面図。 図1の別の側断面図。 図1の回路構成図。 図1の過電圧抑制ダイオードの動作特性を示すグラフ。 図1の過電圧抑制ダイオードの別の例を示す回路構成図。 第2実施例による発光素子パッケージの側断面図。 第3実施例による発光素子パッケージの側断面図である。 第4実施例による発光素子パッケージの側断面図。 図1の発光素子パッケージ利用した面光源装置の側断面図。
以下、添付された図面を参照して本発明を説明する。
図1は第1実施例による発光素子パッケージの側断面図で、図2は図1の別の方向から見た断面図で、図3は図1の発光素子と過電圧抑制ダイオードの回路構成図で、図4は過電圧抑制ダイオードの動作電圧を示すグラフである。
図1及び図2に示すように、発光素子パッケージ100はキャビティ115を有するパッケージボディ110、複数の電極131、132、発光素子120、過電圧抑制ダイオード140を含む。
前記発光素子パッケージ100はエッジ型または直下型に具現され、ライトユニット、電光掲示板、照明装置等の光源として適用される。以下では説明の便宜をはかり、エッジ型を例にして説明する。
前記パッケージボディ110はポリフタルアミド(PPA)、液晶ポリマー(LCP)、シンジオタクチックポリスチレン(SPS)中のいずれか1つの材質により射出成型される。
前記パッケージボディ110の上部112には所定深さのキャビティ115が形成される。前記キャビティ115はカップ形状、凹溝形状、バスタブ(bathtub)形状等の形状からなることができるが、これに限定されない。前記キャビティ115の外形は円形または多角形形状に形成することができる。
前記キャビティ115の側面114はその底面に対して垂直、または傾斜するように形成することができ、光反射のために反射物質をコーティングすることができる。
ここで、前記パッケージボディ110とその上部112は一体に射出成型、または別途に結合した構造からなることができる。また、前記パッケージボディ110に前記キャビティ115を形成しないことができる。
前記パッケージボディ110には水平方向に複数の電極131、132が貫通され、前記電極131、132はリードフレームからなることができ、その材料はアルミニウム、銀、金、銅、パラジウム、イリジウム、ロジウム等の金属中から選択することができる。
前記複数の電極131、132の一端は前記キャビティ115に相互に離隔されるように配置される。ここで、前記複数の電極131、132の少なくとも1つはビアホール構造を採用することができるが、これに限定されない。
前記複数の電極131、132の他端は前記パッケージボディ110の側面または背面に延長され、外部電極の働きをすることができる。
前記電極131、132は前記パッケージボディ110と一緒に射出成型することができる。前記過電圧抑制ダイオード140は前記パッケージボディ110の射出成型の前に前記複数の電極131、132に搭載される。前記過電圧抑制ダイオード140は前記複数の電極131、132の下に搭載され、その搭載方式は例えばフリップ方式によりボンディングされる。
前記過電圧抑制ダイオード140と前記電極131、132は導電性接着剤、はんだボール、Agペースト等を選択的に含む連結部材145により連結させることができる。
前記過電圧抑制ダイオード140はワイヤを利用せず、前記パッケージボディ110の射出成型の前に前記複数の電極131、132の下に搭載される。ここで、前記過電圧抑制ダイオード140のサイズは、前記パッケージボディ110に影響を与えない程度で、前記パッケージボディ110内に配置される。
前記パッケージボディ110の射出成型過程は、前記過電圧抑制ダイオード140を前記複数の電極131、132に搭載した後、射出型に液状の材料を注入して形成する。この場合、液状の材料が射出型内に注入されても、前記過電圧抑制ダイオード140は電気的に損害を受けない。即ち、前記パッケージボディ110を射出成型しても、前記過電圧抑制ダイオード140がワイヤを使わないため、ワイヤ使用による電気的問題を解決することができる。
前記キャビティ115には前記複数の電極131、132及び前記発光素子120が配置される。前記発光素子120は前記複数の電極131、132中の第1電極131に付着され、前記第1電極131及び第2電極132にワイヤ125により連結される。
前記発光素子120は青色LEDチップ、緑色LEDチップ、赤色LEDチップ、黄緑LEDチップ等の有色LEDチップとUV-LEDチップ中のいずれか1つまたは組合により構成することができる。前記発光素子120はチップの種類によって少なくとも1つのワイヤまたはフリップ方式により搭載されるが、これに限定されない。
前記キャビティ115には樹脂物質135が形成される。前記樹脂物質135はシリコンまたはエポキシ等のような透明樹脂を用いてモールディングし、前記樹脂物質135には少なくとも一種類の蛍光体を添加することができる。前記発光素子120が青色LEDチップである場合、前記蛍光体は黄色蛍光体を用いることができ、UV-LEDチップである場合は赤色蛍光体、青色蛍光体、緑色蛍光体を用いることができる。このような発光素子と蛍光体の組合は目標の光によって変更することができる。
前記過電圧抑制ダイオード140は前記発光素子120に逆並列に連結される。例えば、前記第1電極131には前記発光素子120の第1電極パッド(図示しない)及び前記過電圧抑制ダイオード140の第2電極パッド(図示しない)が連結され、前記第2電極132には前記発光素子120の第2電極パッド(図示しない)及び前記過電圧抑制ダイオード140の第1電極パッド(図示しない)が連結される。
前記過電圧抑制ダイオード140は単方向アバランシェダイオードまたはツェナーダイオードとして、電気的衝撃から前記発光素子120を回路的に保護する保護用素子である。前記過電圧抑制ダイオード140は前記発光素子120から入力される過電圧吸収用として、例えば、落雷から発生する大電流/高電圧の雷サージや周辺の高圧線等から誘導されたサージから前記発光素子120を保護することができる。
前記過電圧抑制ダイオード140は前記発光素子120に損傷をあたえる電圧が流入すると、その電圧を前記発光素子120を損傷しないレベルに減少させるPN接合のアバランシェ動作や制限電圧(Clamping Voltage)によって制限することになる。また、過度現象が発生すると、前記過電圧抑制ダイオード140は制限電圧である安全電圧を制限すると共に、潜在的な回路損傷電流を伝導させる。
一方、前記パッケージボディ110はシリコンウェハにより具現することができ、前記シリコンウェハはN型またはP型基板として、前記シリコンウェハに不純物を拡散させ、過電圧抑制ダイオード140を集積することができる。例えば、前記シリコンウェハがN型基板である場合、P型不純物を拡散させてPN接合の過電圧抑制ダイオード140に具現し、複数の電極(例えば、メッキ層)及び発光素子に電気的に連結させることができる。また、シリコンウェハの下に収納空間を形成し、前記複数の電極に前記過電圧抑制ダイオードを搭載することができる。このような変形例は本発明の技術的範囲内において具現することができる。
図3及び図4に示すように、前記過電圧抑制ダイオード140は前記発光素子120と逆並列に連結され、外部から流入するESDまたは過電圧を抑制し、前記発光素子120を保護する。
前記過電圧抑制ダイオード140は前記パッケージボディ110内において前記発光素子120と並列に接続され、前記発光素子120の両端に掛かる臨界電圧(V3:Threshold voltage)が過大になると入力電流を迂回させ、前記発光素子120の両端にかかる電圧を低いクランプ電圧Vcに制限し、前記発光素子120を保護する。
ここで、前記過電圧抑制ダイオード140は迅速な応答特性を有しており、このような超高速応答時間は1nsに過ぎないESDパルスの上昇時間に反応し、短時間内により大きい電流を処理することができる。また、前記過電圧抑制ダイオード140は前記発光素子120が損傷しないように、流入する過電流を十分に低いレベルに抑制する。
図5は図1の過電圧抑制ダイオードの別の例を示す回路構成図である。図5に示すように、過電圧抑制ダイオード141は前記発光素子120に並列に連結され、双方向アバランシェダイオードに具現することができる。前記過電圧抑制ダイオード141の臨界電圧とクルレプ電圧特性は、前記過電圧抑制ダイオード141の逆方向スタンドオフ電圧によって決定される。前記過電圧抑制ダイオード141は前記発光素子120の両電極に流入する過電圧または過電流から前記発光素子120を保護する。
図6は第2実施例による発光ダイオードパッケージの側断面図である。第2実施例の説明において、前記第1実施例と同一な部分に対しては、その詳しい説明は省略する。
図6に示すように、発光ダイオードパッケージ100Aはパッケージボディ110の上に複数の電極131、132が配置され、前記複数の電極131、132には発光素子120Aがフリップ方式で搭載される。前記発光素子120Aは水平型LEDチップにより具現することができ、Auバンプ等により前記複数の電極131、132に電気的に連結される。
前記過電圧抑制ダイオード140は前記複数の電極131、132の下にフリップ方式で搭載され、前記パッケージボディ110内に内蔵される。これによって、前記発光素子120Aは前記過電圧抑制ダイオード140に対応され、相互に並列回路を構成することになる。
図7は第3実施例による発光ダイオードパッケージの側断面図である。前記第3実施例の説明において、前記第1実施例と同一な部分に対しては、その詳しい説明は省略する。
図7に示すように、発光ダイオードパッケージ100Bはパッケージボディ110の上に複数の電極131、132が配置され、発光素子120Bは第1電極131に導電性接着剤によりダイボンディングされ、第2電極132にワイヤ125により連結される。前記発光素子120Bは垂直型LEDチップから具現することができる。
前記過電圧抑制ダイオード140は前記複数の電極131、132の下にフリップ方式で搭載され、前記パッケージボディ110内に内蔵される。これによって、前記発光素子120Bは前記過電圧抑制ダイオード140に対応し、相互に並列回路を構成することになる。
図8は第4実施例による発光ダイオードパッケージの側断面図である。前記第4実施例の説明において、前記第1実施例と同一な部分に対しては、その詳しい説明は省略する。
図8に示すように、前記発光ダイオードパッケージ100Cは複数の発光素子121、122、123及び複数の過電圧抑制ダイオード142、143、144を含む。
前記パッケージボディ110のキャビティ115には複数の電極131、132、133、134が配置され、前記複数の電極131、132、133、134にはワイヤ122により複数の発光素子121、122、123が直列に連結される。前記発光素子121、122、123はチップの種類によって少なくとも1つのワイヤまたはフリップ方式により搭載され、これに限定されない。
前記複数の電極131、132、133、134は発光素子121、122、123の個数によって変更される。例えば、3つの発光素子121、122、123の直列連結は4つの電極131、132、133、134によって連結される。前記パッケージボディ110の外部には第1電極131及び第2電極132の他端が延長される。ここで、前記複数の発光素子121、122、123は相互に並列に連結することができ、これによって電極パターンも異なるようになる。前記複数の電極131、132、133、134は前記キャビティ115内に所定間隔で一列に配置することができる。
前記複数の電極131、132、133、134の下には過電圧抑制ダイオード142、143、144がフリップ方式で搭載され、それぞれの発光素子121、122、123と並列回路を構成することになる。例えば、前記第1電極及び第2A電極131、133には第1発光素子121及び第1過電圧抑制ダイオード142が並列に連結され、前記第2A電極及び第1A電極133、134には第2発光素子122及び第2過電圧抑制ダイオード143が並列に連結され、前記第1A電極及び第2電極133、132には第3発光素子123及び第3過電圧抑制ダイオード143が並列に連結される。
前記複数の過電圧抑制ダイオード142、143、144は前記パッケージボディ110内に内蔵される。ここで、前記複数の発光素子121、122、123が並列に配置された場合、1つの過電圧抑制ダイオードに配置することができる。
図9は図1の発光素子パッケージ利用した面光源装置を示す図面である。図9に示すように、面光源装置200は発光ダイオードパッケージ100、光ガイドプレート160、反射板170、印刷回路基板150を含む。前記印刷回路基板150には少なくとも1つの発光ダイオードパッケージ100がアレイされ、前記発光ダイオードパッケージ100の光出射面には前記光ガイドプレート160が配置される。前記光ガイドプレート160はPMMA、PC材質からなることができ、前記発光ダイオードパッケージ100から出射された点光源を面光源として照射する。
前記光ガイドプレート160の上面または/及び下面には反射パターン(図示しない)が形成されており、前記反射パターンは前記光ガイドプレート160の内部に入射される光を効果的に反射させる。
前記反射板170は前記光ガイドプレート160の出射面の反対側に配置されており、前記光ガイドプレート160から漏れる光を反射させる。
また、前記光ガイドプレート160から出射された面光源は少なくとも1つの光学シート、例えば、拡散シート、プリズムシート等を用いて光を拡散及び集光させることができる。本発明による面発光装置を利用して携帯端末機、コンピュータ等の液晶表示装置のフロントライトまたは/及びバックライト等の光源、照明分野等の発光装置として構成することができる。
以上、本発明を実施例を中心に説明したが、これらの実施例は本発明を限定するものではない。本発明の精神と範囲を離脱することなく、多様な変形と応用が可能であることは、当業者によって自明である。例えば、本発明の実施例に具体的に示された各構成要素は変形して実施することができるものであり、このような変形と応用に係る差異点は、添付の特許請求の範囲で規定する本発明の範囲に含まれるものと解釈されるべきである。
本発明は表示装置、照明分野等の光源である発光素子パッケージを提供する。
本発明は過電圧保護素子を有する発光素子パッケージを提供する。
100 発光素子パッケージ
110 パッケージボディ
112 上部
114 側面
115 キャビティ
120 発光素子
125 ワイヤ
131 第1電極
132 第2電極
135 樹脂物質
140 過電圧抑制ダイオード
145 連結部材
150 印刷回路基板
160 光ガイドプレート
170 反射板
200 面光源装置

Claims (15)

  1. 複数の電極を備えたパッケージボディと、
    前記複数の電極に電気的に連結された発光素子と、
    前記複数の電極に電気的に連結された過電圧抑制ダイオードと、を含む発光素子パッケージ。
  2. 前記複数の電極は前記パッケージボディの上に形成されたリードフレームを含む請求項1に記載の発光素子パッケージ。
  3. 前記過電圧抑制ダイオードは前記パッケージボディ内に配置される請求項1に記載の発光素子パッケージ。
  4. 前記過電圧抑制ダイオードは前記複数の電極の下にフリップボンディングされる請求項3に記載の発光素子パッケージ。
  5. 前記発光素子と前記過電圧抑制ダイオードは逆並列に連結される請求項1に記載の発光素子パッケージ。
  6. 前記過電圧抑制ダイオードは前記複数の電極にはんだボール、Agペースト、及び伝導性接着剤中のいずれか1つにより搭載される請求項4に記載の発光素子パッケージ。
  7. 前記パッケージボディはポリフタルアミド(PPA)、液晶ポリマー(LCP)、シンジオタクチックポリスチレン(SPS)、シリコンウェハ中のいずれか1つの材質を含む請求項1に記載の発光素子パッケージ。
  8. 前記過電圧抑制ダイオードは単方向アバランシェダイオードまたは双方向アバランシェダイオードを含む請求項1に記載の発光素子パッケージ。
  9. 前記発光素子は少なくとも1つの有色LEDチップまたはUV-LEDチップを含む請求項1に記載の発光素子パッケージ。
  10. 前記発光素子は複数のLEDチップを含み、前記複数のLEDチップは相互に直列または並列に連結される請求項1に記載の発光素子パッケージ。
  11. 複数の過電圧抑制ダイオードは相互に直列に連結されたそれぞれのLEDチップに並列に連結される請求項10に記載の発光素子パッケージ。
  12. キャビティを有するパッケージボディと、
    前記キャビティに配置された複数の電極と、
    前記複数の電極に電気的に連結された発光素子と、
    前記パッケージボディ内において前記複数の電極に電気的に連結された過電圧抑制ダイオードと、を含む発光素子パッケージ。
  13. 前記過電圧抑制ダイオードは前記複数の電極の下にフリップボンディングされる請求項12に記載の発光素子パッケージ。
  14. 前記キャビティに形成された透光性樹脂または蛍光体が添加された樹脂を含む請求項12に記載の発光素子パッケージ。
  15. 前記発光素子は少なくとも1つのLEDチップを含み、前記複数の電極に少なくとも1つのワイヤまたはフリップ方式によりボンディングされる請求項15に記載の発光素子パッケージ。
JP2011514501A 2008-06-24 2009-06-23 発光素子パッケージ Pending JP2011525702A (ja)

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