JP2007036238A - 保護素子の配置構成を改善した側面型発光ダイオード - Google Patents

保護素子の配置構成を改善した側面型発光ダイオード Download PDF

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Abstract

【課題】バックライト装置に使用される側面型ＬＥＤを提供する。
【解決手段】側面型ＬＥＤは、絶縁体基板１１０と、それぞれ予め定められた間隔に相互分離された第１及び第２領域を有し上記絶縁体基板の両面に覆われた第１及び第２金属層１１２，１１４と、上記第１及び第２金属層の第１領域と上記第１及び第２金属層の第２領域をそれぞれ相互連結する第１及び第２電気連結部１１８と、上記第１金属層に装着され上記第１金属層の第１及び第２領域と電気的に連結された発光ダイオードチップ１０２と、上記発光ダイオードチップの周りに空間を形成するよう上記第１金属層に付着された壁部１２０と、上記発光ダイオードチップを封止するよう上記壁部の空間に提供された透明封止体１３０と、上記第２金属層に装着され、上記発光ダイオードチップを電気的異常から保護する保護素子１０６とを含む。
【選択図】図５

Description

本発明はバックライト装置に使用される側面型発光ダイオード(ＬＥＤ)に関するものであって、さらに具体的には基板の両面に金属層を形成しその上にＬＥＤチップと保護素子をそれぞれ配置することにより、保護素子による光吸収を防止して発光効率を高めＬＥＤチップと保護素子の同一空間配置による作業性低下を克服できる側面型ＬＥＤに関する。
携帯電話とＰＤＡ等の小型ＬＣＤはバックライト装置の光源として側面型発光ダイオード(ＬＥＤ)を使用する。このような側面型ＬＥＤは通常図１に図示した通りバックライト装置に装着される。
図１を参照すると、バックライト装置５０は基板５２上に平坦な導光板５４が配置され、この導光板５４の側面には複数の側面型ＬＥＤ１(一つのみ図示)がアレイ形態で配置される。ＬＥＤ１から導光板５４へ入射された光(Ｌ)は、導光板５４の底面に提供された微細な反射パターンまたは反射シート５６によって上部に反射され導光板５４から出射された後、導光板５４上部のＬＣＤパネル５８にバックライトを提供することとなる。
このようなＬＥＤは静電気、逆電圧または過電圧に弱いものと知られている。特に、側面型ＬＥＤは非常に薄い厚さが要求され、それによって内蔵されたＬＥＤチップもまた小型化されるにつれ、このような所望としない電流/電圧の影響が大きくなるためこれを防止する必要がある。
このために定電圧ダイオードをＬＥＤに提供している。即ち定電圧ダイオードをＬＥＤチップと並列に連結することにより静電気に効率的に対応するようにしている。好ましい定電圧ダイオードの例としてツェナーダイオード(Ｚｅｎｅｒ Ｄｉｏｄｅ)が使用される。
以下、図２及び図３を参照して従来技術によるツェナーダイオードが内蔵された側面型ＬＥＤに対して詳細に説明する。
図２は従来技術によるツェナーダイオードが内蔵された側面型ＬＥＤの正面図で、図３は図２の３−３線に沿って切った断面図である。
図２と図３に図示した通り、従来技術によるＬＥＤ１はパッケージ本体１０、このパッケージ本体１０内に予め定められた間隔に配置された一対のリード２０、２２及びリード２０に装着されたＬＥＤチップ３０を含む。
ＬＥＤチップ３０はワイヤ３２によってリード２０、２２に連結され、周りのカップ形態の凹部１２に提供された透明密封体１４により密封される。
一方、リード２２にはツェナーダイオード４０が装着されワイヤ３４で連結されている。このように、ツェナーダイオード４０はＬＥＤチップ３０と並列連結され静電気、逆電圧または過電圧からＬＥＤチップ３０を保護する。
ツェナーダイオード４０は半導体ＰＮ接合ダイオードの一つとして、ＰＮ接合の降伏(Ｂｒｅａｋｄｏｗｎ)領域で動作特性が表れるよう製作され主に定電圧用として使用される。ツェナーダイオード４０はツェナー回復現象を用いて一定電圧を得、ケイ素のｐ―ｎ接合から電流１０ｍＡで動作し品種によって３〜１２Ｖの定電圧を得ることが出来る。
しかし、従来技術によるＬＥＤ１はツェナーダイオード４０をＬＥＤチップ３０と共に同一面に並列に配置するためＬＥＤチップ３０から発生した光をツェナーダイオード４０が吸収したり散乱させＬＥＤ１の発光効率を低下させる問題がある。
また、狭い凹部１２の中にＬＥＤチップ３０と共にツェナーダイオード４０を装着し、これらのワイヤ３２、３４が相互接触しないよう相互間隔を維持すべく精密かつ慎重な作業が要求される。このような要求事項はＬＥＤ製造の効率を低下させる。
本発明は前述の従来技術の問題を解決するため案出されたものとして、本発明の目的は基板の両面に金属層を形成しその上にＬＥＤチップと保護素子をそれぞれ配置することにより、保護素子による光吸収を防止して発光効率を高めＬＥＤチップと保護素子の同一空間配置による作業性低下を克服できる側面型ＬＥＤを提供することにある。
前述の本発明の目的を達成するため本発明は、側面型発光ダイオードを提供し、本発明の側面型発光ダイオードは絶縁体基板と、それぞれ予め定められた間隔に相互分離された第１及び第２領域を有し上記絶縁体基板の両面に覆われた第１及び第２金属層と、上記第１及び第２金属層の第１領域を相互連結するよう上記絶縁体基板の厚さ方向に形成された第１電気連結部と、上記第１及び第２金属層の第２領域を相互連結するよう上記絶縁体基板の厚さ方向に形成された第２電気連結部と、上記第１金属層に装着され上記第１金属層の第１及び第２領域と電気的に連結された発光ダイオードチップと、上記発光ダイオードチップの周りに空間を形成するよう上記第１金属層に付着された壁部と、上記発光ダイオードチップを封止するよう上記壁部の空間に提供された透明封止体と、上記第２金属層に装着され、上記発光ダイオードチップを電気的異常から保護するよう上記第２金属層の第１及び第２領域と電気的に連結された保護素子と、上記保護素子を封止するよう上記第２金属層に付着された封止体とを含むことを特徴とする。
本発明の側面型ＬＥＤにおいて、上記壁部と上記第１金属層との間に介在された接着層をさらに含むことを特徴とする。
本発明の側面型ＬＥＤにおいて、上記壁部は上記第１金属層の表面に射出成形された樹脂からなることを特徴とする。
本発明の側面型ＬＥＤにおいて、上記保護素子の周りに空間を形成しながら上記第２金属層に積層された絶縁体の第２基板をさらに含み、上記封止体は上記保護素子を封止するよう上記第２基板の空間に提供されることを特徴とする。この際、上記第２基板と上記第２金属層との間に介在された接着層をさらに含むことが出来る。
本発明の側面型ＬＥＤにおいて、上記第１または第２連結部は円筒を長さ方向に切った形態で、円筒内面に該当する部分が外部に露出されることを特徴とする。
本発明の側面型ＬＥＤにおいて、上記保護素子の封止体は透明、半透明または不透明樹脂からなることを特徴とする。
また、本発明の側面型ＬＥＤにおいて、上記第１または第２連結部はビア形態であることを特徴とし、上記第１または第２連結部は金属粉末の充填と後続きの焼結またはリフローによって形成され得る。
また、本発明の側面型ＬＥＤにおいて、上記第１及び第２金属層は外部電源を上記発光ダイオードチップに供給するよう少なくとも一部が外部に露出されたことを特徴とする。
本発明のＬＥＤによると、第１金属層が反射器の役割をするのでＬＥＤチップから発生した光を効果的に放出することが出来る。尚、保護素子がＬＥＤチップの反対側に配置されるため、光吸収が無く発光効率を高めることが出来る。
また、保護素子をＬＥＤチップとは異なる空間に配置すると作業の複雑性が低減され製造が容易になる。尚、幾重の基板を使用してＬＥＤを製造するため樹脂成形に比べ製造工程が容易になり、大量生産が可能である。
以下図４と図５を参照に本発明の実施例による側面型ＬＥＤに対して説明する。これら図面において、図４は本発明の実施例による側面型ＬＥＤの正面図で、図５は図４の５−５線に沿って切った断面図で、図６は図４の６−６線に沿って切った断面図である。
本発明の実施例による側面型ＬＥＤ１００は３層構造を有する。即ち中間層には第１基板１１０があり、第１基板１１０の上側には壁部１２０と透明封止体１３０があり、第１基板の下側には第２基板１４０と封止体１５０がある。
第１基板１１０は絶縁体からなり、両面に第１及び第２金属層１１２、１１４がコーティングされている。第１金属層１１２は間隔１１６により相互分離され、図面左側の第１領域１１２ａと右側の第２領域１１２ｂを形成している。また、第２金属層１１４は間隔１１６により分離され、図面の左側の第１領域１１４ａと右側の第２領域１１４ｂを形成している。第１及び第２金属層１１２、１１４の第１領域１１２ａ、１１４ａを相互連結するよう第１基板１１０の予め定められた位置には厚さ方向に電気連結部１１８が形成されている。また、第１及び第２金属層１１２、１１４の第２領域１１２ｂ、１１４ｂもまた電気連結部１１８により同一に連結される。これら電気連結部１１８は第１基板１１０に通孔を開けた後その中に伝導体、例えば金属粉末を満たしリフローまたは焼結するかメッキを通じて形成したものである。
一方、図６に図示した通り、第１及び第２金属層１１２、１１４は第１基板１１０と共に側面型ＬＥＤ１００の側面(装着した形態では上面と底面になる)まで延長され外部に露出される。従って、本発明のＬＥＤ１００を図１のように装着すると、例えば第１及び第２金属層１１２、１１４の第１領域１１２ａ、１１４ａは入力端子になり、これらの第２領域１１２ｂ、１１４ｂは出力端子となってバックライト装置基板５２に形成された配線(図示省略)と連結され得る。勿論、その逆も可能である。
第１金属層１１２にはＬＥＤチップ１０２が装着されワイヤ１０４によって第１金属層の第１及び第２領域１１２ａ，１１２ｂと電気的に連結される。
壁部１２０はＬＥＤチップ１０２の周りに空間１２２を形成するよう配置され、この空間１２２には透明樹脂からなっている封止体１３０が提供されＬＥＤチップ１０２を封止する。
壁部１２０は第１基板１１０のように絶縁体基板に空間１２２となる孔を開け、これを第１金属層１１２に接着剤で結合して形成する。これとは異なり、樹脂を第１金属層１１２に射出成形して壁部１２０を形成することが出来る。どの場合であれ、壁部１２０は好ましくは不透明な材料で作り、さらに好ましくは反射率の高い材料で作る。勿論、壁部１２０を透明な材料で作り空間１２２側の内壁に不透明であるか反射率の高い材料を塗布またはコーティングすることも出来る。
透明封止体１３０は多様な樹脂で形成することが出来る。例えば、エポキシまたはシリコンを使用することが可能で、ＬＥＤチップ１０２から発生する紫外線を吸収する紫外線吸収剤または単色光を白色光に変換させる蛍光物質などを含有することが出来る。
ＬＥＤチップ１０２の反対側、即ち第２金属層１１４には保護素子１０６が装着され、ワイヤ１０８によって第２金属層１１４の第２領域１１４ｂと連結される。この際、保護素子１０６の他の電極は第２金属層１１４の第１領域１１４ａと直接連結されている。このように、保護素子１０６はＬＥＤチップ１０２と並列連結され、ＬＥＤチップ１０２を電気的異常即ち静電気、逆電圧及び過電圧から保護する。一方、保護素子１０６の例としてツェナーダイオードのような定電圧ダイオードがある。
第２基板１４０は保護素子１０６の周りに空間が形成されるよう第２金属層１１４に付着され、第２基板１４０の空間には保護素子１０６を封止するよう樹脂が満たされ封止体１５０を形成する。封止体１５０は前述の透明封止体１３０とは異なり必ずしも透明である必要はない。
このように構成すると、第１金属層１１２が反射器の役割をするので、ＬＥＤチップ１０２から発生した光を効果的に放出することが出来る。尚、保護素子１０６がＬＥＤチップ１０２の反対側に配置されるため、光吸収が無く発光効率を高めることが出来る。また、保護素子１０６をＬＥＤチップ１０２と異なる空間に配置すると作業の複雑性が軽減され製造が容易になる。また、幾重の基板を使用してＬＥＤを製造するので樹脂成形に比べ製造工程が容易になり、大量生産が可能となる。
以下、図７と図８を参照に本発明の実施例による側面型ＬＥＤの製造工程を説明する。
先ず、図７の(ａ)に図示した通り、両面に金属層１１２，１１４が形成された絶縁体からなっている第１基板１１０を準備する。勿論、絶縁体基板の両面に第１及び第２金属層を形成してこの構造を得ることも可能である。
次いで、図７の(ｂ)に図示した通り、予め定められた位置に第１及び第２金属層１１２、１１４と第１基板１１０を貫通する通孔１１７を開ける。穿孔はドリルまたはパンチング等を通じ行われ得る。次いで、通孔１１７の間の予め定められた位置から第１及び第２金属層１１２、１１４のみを部分的に除去して間隔１１６を形成する。除去作業は好ましくは蝕刻により遂行される。一方、穿孔作業と間隔形成作業はその手順を変えることが出来る。
次に、通孔１１７に金属粉末を満たしリフローまたは焼結などを通じ第１金属層１１２の左側部分、即ち第１金属層の第１領域１１２ａと第２金属層１１４の左側部分、即ち第２金属層の第２領域１１４ａを相互連結する電気連結部１１８を形成し、第１金属層の第２領域１１２ｂと第２金属層の第２領域１１４ｂもまた電気連結部１１８を形成して相互連結する。
その後、図７の(ｃ)に図示した通り、予め定められた厚さの第２絶縁体基板１４０に予め定められた大きさの孔１４２を開けた後、第１基板１１０に矢印(Ａ)方向で付着する。この際、第２基板１４０とくっつき合うこととなる第２金属層の第１及び第２領域１１４ａ、１１４ｂには予め接着剤を塗って第１及び第２基板１１０、１４０を円滑に結合されるようにする。
次に、図８の(ｄ)に図示した通り、予め定められた大きさと形態の孔が開けられた基板を準備するか、基板に予め定められた大きさと形態の孔を開けた後これを第１金属層１１２ａ、１１２ｂの上に付着する。付着された基板は空間１２２を有する壁部１２０を形成する。勿論、基板の底面には予め接着剤を塗って第１金属層１１２ａ、１１２ｂに効果的に結合されるようにする。これとは異なって、樹脂を射出して壁部１２０を形成することも出来る。どの場合であれ、壁部１２０は好ましくは不透明な樹脂、さらに好ましくは反射率が高い樹脂で作る。
次いで、図８の(ｅ)に図示した通り、壁部１２０の空間１２２内の第１金属層の第１領域１１２ａにＬＥＤチップ１０２を装着させ、ワイヤ１０４で第１金属層の第１及び第２領域１１２ａ、１１２ｂに連結する。その後、第２基板１４０の空間１４２内の第２金属層の第１領域１１４ａに保護素子１０６を装着し、ワイヤ１０４で第２金属層の第２領域１１４ｂに連結する。一方、保護素子１０６の他の電極は直接第２金属層の第１領域１１４ａと連結される。このようにすると、保護素子１０６がＬＥＤチップ１０２の反対側に並列連結される。
勿論、ＬＥＤチップ１０２と保護素子１０６を装着する手順は相互変えても良い。また、ＬＥＤチップ１０２をフリップチップタイプで第１金属層の第１及び第２領域１１２ａ、１１２ｂに連結することも出来る。
その後、図８の(ｆ)に図示した通り、壁部１２０の空間１２２内に透明な樹脂を注いで硬化させ、ＬＥＤチップ１０２を封止する透明封止体１３０を形成する。透明封止体１３０の材料には透明なシリコンまたはエポキシがある。また、第２基板１４０の空間１４２内に樹脂を注いで硬化させ、保護素子１０６を封止する封止体１５０を形成する。封止体１５０は透明封止体１３０とは異なり、透明、不透明、半透明などの様々な樹脂を使用することが出来る。
この状態で図８(ｆ)の構造を切断線(ＬＴ)に沿って切ると図５に図示したような単位ＬＥＤ１００が得られる。
以下、図９を参照に本発明の他の実施例による側面型ＬＥＤに対して説明する。ここで、図９は本実施例の側面型ＬＥＤ（１００−１）の図５に対応する断面図である。
図９に図示した側面型ＬＥＤ１００−１は、第１金属層の第１領域１１２ａと第２金属層の第１領域１１４ａがビア形態の電気連結部の変わりに１/４円筒形態の電気連結部１１８−１により相互連結され、電気連結部１１８−１の外側には１/４円筒形態の溝１１９が形成された点を除いては前述の側面型ＬＥＤ１００と実質的に同一である。従って、同一であるか対応する構成要素には同一図面符号を付与しており、その説明は省略する。
電気連結部１１８−１と溝１１９の機能をみてみると次の通りである。即ち、側面型ＬＥＤ１００−１はバックライトに使用される時、図１のような形態で装着される。一方、ここで孔１１７は電気連結部１１８−１と溝１１９を形成する領域に該当する。この際、メッキ、蒸着などを通じ孔１１７の内壁に金属層を形成することにより、電気連結部１１８−１を得ることが出来る。
このようにすると、電気連結部１１８−１と溝１１９は底面に結合されるバックライト基板５２に向かうこととなり、電気連結部１１８−１の付近でソルダリングを行うことにより、第１領域１１２ａ、１１４ａまたは第２領域１１２ｂ、１１４ｂはバックライト基板５２の配線に連結される。このようにすると、溝１１９はソルダリングから生じるソルダの一部を収容することにより、ＬＥＤ１００−１とバックライト基板５２との間の結合力を向上させることが出来る。
これは本実施例によるＬＥＤ１００−１に固有の特徴及び長所である。また、本実施例のＬＥＤ１００−１はこれを除いては前述のＬＥＤ１００と実質的に同一構成であるため、前述のＬＥＤ１００の長所と効果もまた有する。
以下、ＬＥＤ１００−１の製造工程を図１０と１１及び１２を参照に説明する。
先ず、図１０の(ａ)に図示した通り、両面に金属層１１２、１１４が形成された絶縁体からなる第１基板１１０を準備する。勿論、絶縁体基板の両面に第１及び第２金属層を形成してこの構造を得ることも出来る。
次に、図１０の(ｂ)に図示した通り、予め定められた位置に第１及び第２金属層１１２、１１４と第１基板１１０を貫通する孔１１７を開ける。穿孔はドリルまたはパンチング等を通じ行われることができ、後続の蒸着またはメッキ作業のために充分大きい直径で開ける。次いで、孔１１７の間の予め定められた位置で第１及び第２金属層１１２、１１４のみを部分的に除去して間隔１１６を形成する。除去作業は好ましくは蝕刻により遂行される。このように、孔１１７と間隔１１６が形成された基板を上から見た形態は図１２に図示される。図１２において、便宜上最終ＬＥＤ１００−１の領域を太い線で示しており、ＬＥＤチップ１０２の位置を点線で表示した。一方、穿孔作業と間隔形成作業はその手順を変えることが出来る。
次いで、図１０の(ｃ)に図示した通り、蒸着またはメッキを通じ孔１１７の内壁に金属層を形成して円筒形の電気連結部１１８−１を形成する。以下の段階で孔１１７の表示は１１９に代替する。
第１金属層１１２の左側部分、即ち第１金属層の第１領域１１２ａと、第２金属層１１４の左側部分、即ち第２金属層の第２領域１１４ａは、電気連結部１１８−１で相互連結され、第１金属層の第２領域１１２ｂと第２金属層の第２領域１１４ｂもまた電気連結部１１８−１により相互連結される。
その後、予め定められた厚さの第２絶縁体基板１４０に予め定められた大きさの孔１４２を開けた後、第２基板１４０を矢印(Ｂ)方向に第１基板１１０に付着する。この際、第２基板１４０とくっつき合うこととなる第２金属層の第１及び第２領域１１４ａ、１１４ｂには予め接着剤を塗って第１及び第２基板１１０、１４０が円滑に結合されるようにする。
次いで、予め定められた大きさと形態の孔が開けられた基板を準備するか、または基板に予め定められた大きさと形態の孔を開けた後、これを矢印(Ａ)方向に第１金属層１１２ａ、１１２ｂの上に付着する。付着された基板は空間１２２を有する壁部１２０を形成する。勿論、基板の底面には予め接着剤を塗って第１金属層１１２ａ、１１２ｂに効果的に結合されるようにする。これとは異なり、樹脂を射出して壁部１２０を形成することも出来る。
ここで、第２基板１４０の付着作業と壁部１２０の形成作業は、その手順を相互変えても構わない。
このように第２基板１４０が付着され壁部１２０が形成された構成が図１１の(ｄ)に図示される。
一方、後続の図１１の(ｅ)の作業段階は前述の図８(ｅ)の段階と実質的に同一である。
次の図１１の(ｆ)の段階もまた透明封止体１３０と封止体１５０を形成する部分では前述の図８(ｆ)と実質的に同一である。但し、得られた構造を切断線(ＬＴ)に沿って切ると、円筒形の連結部１１８が図１２のように４個に分離され、図９の１/４円筒形態の連結部１１８−１を得られることが異なる。
以下、図１３を参照に本発明のまた異なる実施例による側面型ＬＥＤを説明する。
図１３に図示した側面型ＬＥＤ２００は保護素子２０６を封止する封止体２５０が第２金属層２１４ａ、２１４ｂの全体表面に形成されたことを除いては前述の側面型ＬＥＤ１００と実質的に同一である。従って、同一であるか対応する構成要素には１００ずつ増加した図面符号を付与しており、その説明は省略する。
封止体２５０は透明、不透明または半透明樹脂で射出成形して形成することができ、図１３の形状とは異なり保護素子２０６とワイヤ２０８のみを封止するようドーム、半球または半楕円体の形態に形成することが出来る。
次いで、ＬＥＤ２００の製造工程を図１４と１５を参照して説明する。
先ず、図１４の(ａ)と(ｂ)の作業段階は前述の図７(ａ)と７(ｂ)の作業段階と実質的に同一である。
次に、図１４の(ｃ)に図示した通り、予め定められた大きさと形態の孔が開けられた基板を準備するか、または基板に予め定められた大きさと形態の孔を開けた後、これを矢印(Ａ)方向に第１金属層２１２ａ、２１２ｂの上に付着する。付着された基板は空間２２２を有する壁部２２０を形成する。勿論、基板の底面には予め接着剤を塗って第１金属層２１２ａ、２１２ｂに効果的に結合されるようにする。これとは異なり、樹脂を射出して壁部２２０を形成することも出来る。
その後、図１５の(ｄ)に図示した通り、壁部２２０の空間２２２内の第１金属層の第１領域２１２ａにＬＥＤチップ２０２を装着し、ワイヤ２０４で第１金属層の第１及び第２領域２１２ａ、２１２ｂに連結する。その後、ＬＥＤチップ２０２の反対側にある第２金属層の第１領域２１４ａに保護素子２０６を装着し、ワイヤ２０８で第２金属層の第２領域２１４ｂに連結する。一方、保護素子２０６の他の電極は直接第２金属層の第１領域２１４ａと連結される。このようにすると、保護素子２０６がＬＥＤチップ２０２の反対側に並列連結される。勿論、ＬＥＤチップ２０２と保護素子２０６を装着する手順は相互変えても良い。また、ＬＥＤチップ２０２をフリップチップタイプで第１金属層の第１及び第２領域２１２ａ、２１２ｂに連結することも出来る。
図１５の(ｅ)に図示した通り、壁部２２０の空間２２２内に透明な樹脂を注いで硬化させ、ＬＥＤチップ２０２を封止する透明封止体２３０を形成する。透明封止体２３０の材料としては透明なシリコンまたはエポキシがある。また、モールドを用いた射出成形を実施して保護素子２０６を封止する封止体２５０を形成する。封止体２５０は透明封止体２３０とは異なり、透明、不透明、半透明などの様々な樹脂を使用することが出来る。また、図示した形態とは異なり保護素子２０６とワイヤ２０８のみを封止するようドーム、半球または半楕円体形態に形成することが出来る。
この状態で図１５(ｅ)の構造を切断線(ＬＴ)に沿って切ると図１３に図示したような単位ＬＥＤ２００が得られる。
上記では本発明の好ましい実施例を参照に説明したが、該当技術分野における通常の知識を有している者であれば、特許請求の範囲に記載された本発明の思想及び領域から外れない範囲内で本発明を様々に修正及び変更できることが分かる。
側面型ＬＥＤを採用したバックライト装置の側面図である。 従来技術によるツェナーダイオードが内蔵された側面型ＬＥＤの正面図である。 図２の３−３線に沿って切った断面図である。 本発明の実施例による側面型ＬＥＤの正面図である。 図４の５−５線に沿って切った断面図である。 図４の６−６線に沿って切った断面図である。 （ａ）から（ｃ）は、本発明の実施例による側面型ＬＥＤの製造工程を示す断面図である。 （ｄ）から（ｆ）は、図７に続き、本発明の実施例による側面型ＬＥＤの製造工程を示す断面図である。 本発明の他の実施例による側面型ＬＥＤの図５に対応する断面図である。 （ａ）から（ｃ）は、本発明の他の実施例による側面型ＬＥＤの製造工程を示す断面図である。 （ｄ）から（ｆ）は、図１０に続き、本発明の他の実施例による側面型ＬＥＤの製造工程を示す断面図である。 図１０の（ｂ）に対応する平面図である。 本発明のまた異なる実施例による側面型ＬＥＤの図５に対応する断面図である。 （ａ）から（ｃ）は、本発明のまた異なる実施例による側面型ＬＥＤの製造工程を示す断面図である。 （ｄ）および（ｅ）は、図１４に続き、本発明のまた異なる実施例による側面型ＬＥＤの製造工程を示す断面図である。

Claims (10)

  1. 絶縁体基板と、
    それぞれ予め定められた間隔に相互分離された第１及び第２領域を有し前記絶縁体基板の両面に覆われた第１及び第２金属層と、
    前記第１及び第２金属層の第１領域を相互連結するよう前記絶縁体基板の厚さ方向に形成された第１電気連結部と、
    前記第１及び第２金属層の第２領域を相互連結するよう前記絶縁体基板の厚さ方向に形成された第２電気連結部と、
    前記第１金属層に装着され前記第１金属層の第１及び第２領域と電気的に連結された発光ダイオードチップと、
    前記発光ダイオードチップの周りに空間を形成するよう前記第１金属層に付着された壁部と、
    前記発光ダイオードチップを封止するよう前記壁部の空間に提供された透明封止体と、
    前記第２金属層に装着され、前記発光ダイオードチップを電気的異常から保護するよう前記第２金属層の第１及び第２領域と電気的に連結された保護素子と、
    前記保護素子を封止するよう前記第２金属層に付着された封止体と
    を含むことを特徴とする側面型発光ダイオード。
  2. 前記壁部と前記第１金属層との間に介在された接着層をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の側面型発光ダイオード。
  3. 前記壁部は前記第１金属層の表面に射出成形された樹脂からなることを特徴とする請求項１に記載の側面型発光ダイオード。
  4. 前記保護素子の周りに空間を形成すると共に前記第２金属層に積層された絶縁体の第２基板をさらに含み、
    前記封止体は前記保護素子を封止するよう前記第２基板の空間に提供されたことを特徴とする請求項１に記載の側面型発光ダイオード。
  5. 前記第２基板と前記第２金属層との間に介在された接着層をさらに含むことを特徴とする請求項４に記載の側面型発光ダイオード。
  6. 前記第１または第２連結部は円筒を長さ方向に切った形態で、円筒内面に該当する部分が外部に露出されたことを特徴とする請求項１に記載の側面型発光ダイオード。
  7. 前記保護素子の封止体は透明、半透明または不透明樹脂からなることを特徴とする請求項１に記載の側面型発光ダイオード。
  8. 前記第１または第２連結部はビア形態であることを特徴とする請求項１に記載の側面型発光ダイオード。
  9. 前記第１または第２連結部は金属粉末の充填と後続の焼結またはリフローにより形成されたことを特徴とする請求項８に記載の側面型発光ダイオード。
  10. 前記第１及び第２金属層は外部電源を前記発光ダイオードチップに供給するよう少なくとも一部が外部に露出されたことを特徴とする請求項１に記載の側面型発光ダイオード。
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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009027129A (ja) * 2007-07-23 2009-02-05 Novalite Optronics Corp 超薄型サイドビュー発光ダイオード（ｌｅｄ）パッケージおよびその製造方法
JP2010226091A (ja) * 2009-02-24 2010-10-07 Nichia Corp 発光装置
JP2012169624A (ja) * 2011-02-10 2012-09-06 Samsung Electronics Co Ltd 発光ダイオードパッケージ及びこれを具備するバックライトユニット
JP2012529164A (ja) * 2009-06-04 2012-11-15 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング オプトエレクトロニクス半導体素子
WO2013084437A1 (ja) * 2011-12-09 2013-06-13 日本特殊陶業株式会社 発光素子搭載用配線基板
WO2013187318A1 (ja) 2012-06-12 2013-12-19 株式会社村田製作所 発光装置
JP2017157687A (ja) * 2016-03-02 2017-09-07 ローム株式会社 Ｌｅｄ発光装置

Families Citing this family (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100769720B1 (ko) 2006-10-16 2007-10-24 삼성전기주식회사 정전기 방전 충격에 대한 보호 기능이 내장된 고휘도 발광다이오드
TW200820463A (en) * 2006-10-25 2008-05-01 Lighthouse Technology Co Ltd Light-improving SMD diode holder and package thereof
TWM318795U (en) * 2006-12-18 2007-09-11 Lighthouse Technology Co Ltd Package structure
CN101392896A (zh) * 2007-09-21 2009-03-25 富士迈半导体精密工业（上海）有限公司 发光二极管
CN101409320B (zh) * 2007-10-09 2010-06-23 富士迈半导体精密工业（上海）有限公司 基板制作方法
KR200448847Y1 (ko) 2008-03-20 2010-05-27 주식회사 파워라이텍 측면발광형 발광다이오드 패키지
DE102008021014A1 (de) * 2008-04-25 2009-10-29 Alcan Technology & Management Ag Vorrichtung mit einer Mehrschichtplatte sowie Licht emittierenden Dioden
TWI384649B (zh) * 2008-06-18 2013-02-01 Harvatek Corp Light emitting diode chip encapsulation structure with embedded electrostatic protection function and its making method
KR20100003320A (ko) * 2008-06-24 2010-01-08 엘지이노텍 주식회사 발광 다이오드 패키지
US9583413B2 (en) * 2009-02-13 2017-02-28 Infineon Technologies Ag Semiconductor device
US20100237379A1 (en) * 2009-03-19 2010-09-23 Wu-Cheng Kuo Light emitting device
TWM370182U (en) * 2009-06-09 2009-12-01 Advanced Connectek Inc LED chip holder structure
KR101186648B1 (ko) * 2009-12-21 2012-09-28 서울반도체 주식회사 Ｌｅｄ 패키지 및 그의 제조 방법
TWI390703B (zh) * 2010-01-28 2013-03-21 Advanced Optoelectronic Tech 正向發光之發光二極體封裝結構及製程
JP2011165833A (ja) * 2010-02-08 2011-08-25 Toshiba Corp Ｌｅｄモジュール
CN102194962A (zh) * 2010-03-04 2011-09-21 展晶科技(深圳)有限公司 侧向发光之半导体组件封装结构
TWI397197B (zh) * 2010-05-11 2013-05-21 Advanced Optoelectronic Tech 發光二極體封裝結構及其製造方法
KR101124816B1 (ko) * 2010-09-24 2012-03-26 서울옵토디바이스주식회사 발광다이오드 패키지 및 그 제조방법
US20120112237A1 (en) * 2010-11-05 2012-05-10 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co. Ltd. Led package structure
TWI449154B (zh) * 2011-06-17 2014-08-11 Advanced Optoelectronic Tech 發光二極體燈條及其製造方法
DE102012101560B4 (de) * 2011-10-27 2016-02-04 Epcos Ag Leuchtdiodenvorrichtung
CN102518964A (zh) * 2011-12-11 2012-06-27 深圳市光峰光电技术有限公司 光源和照明装置
CN102569287A (zh) * 2012-01-19 2012-07-11 日月光半导体制造股份有限公司 半导体光源模块及其制造方法
CN102623593A (zh) * 2012-04-19 2012-08-01 日月光半导体制造股份有限公司 半导体光源模块、其制造方法及其基板结构
DE102012104494A1 (de) * 2012-05-24 2013-11-28 Epcos Ag Leuchtdiodenvorrichtung
CN102790145A (zh) * 2012-08-21 2012-11-21 日月光半导体制造股份有限公司 半导体光源模块、其制造方法及其基板结构
US20140196922A1 (en) * 2013-01-17 2014-07-17 Black & Decker Inc. Electric power tool with improved visibility in darkness
TWI570352B (zh) * 2014-11-28 2017-02-11 宏齊科技股份有限公司 發光二極體裝置與應用其之發光裝置
KR102412600B1 (ko) * 2015-07-03 2022-06-23 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 발광 소자 및 발광 모듈
TR201514689A2 (tr) * 2015-11-20 2017-06-21 Farba Otomotiv Aydinlatma Ve Plastik Fabrikalari Anonim Sirketi Led esaslı aydınlatma sistemlerinde tercih edilen ışık motoru sistemi.
CN107452860A (zh) * 2016-05-30 2017-12-08 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极体封装基板及发光二极体封装元件
DE102018100946A1 (de) * 2018-01-17 2019-07-18 Osram Opto Semiconductors Gmbh Bauteil und verfahren zur herstellung eines bauteils
CN113597528B (zh) * 2019-09-19 2023-09-29 京东方科技集团股份有限公司 灯条、背光组件和显示装置
CN111969096A (zh) * 2020-08-31 2020-11-20 福建天电光电有限公司 芯片封装结构

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000124506A (ja) * 1998-10-15 2000-04-28 Rohm Co Ltd 半導体発光素子
JP2000196000A (ja) * 1998-12-25 2000-07-14 Rohm Co Ltd チップ電子部品及びその製造方法
JP2001036140A (ja) * 1999-07-16 2001-02-09 Stanley Electric Co Ltd 静電対策表面実装型ｌｅｄ
JP2001215899A (ja) * 2000-01-31 2001-08-10 Rohm Co Ltd 発光表示装置およびその製法
JP2002009349A (ja) * 2000-06-26 2002-01-11 Koha Co Ltd Ｌｅｄ面発光装置およびその製造方法
JP2004186322A (ja) * 2002-12-02 2004-07-02 Ricoh Co Ltd 半導体レーザ装置

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08167691A (ja) * 1994-12-13 1996-06-25 Toshiba Corp 半導体装置
JP3642823B2 (ja) * 1995-03-27 2005-04-27 ローム株式会社 側面発光装置
JPH10172345A (ja) * 1996-12-04 1998-06-26 Murata Mfg Co Ltd 導電ペースト及びそれを用いたセラミック基板の製造方法
US6674096B2 (en) * 2001-06-08 2004-01-06 Gelcore Llc Light-emitting diode (LED) package and packaging method for shaping the external light intensity distribution
TW546857B (en) * 2001-07-03 2003-08-11 Semiconductor Energy Lab Light-emitting device, method of manufacturing a light-emitting device, and electronic equipment
JP2003304004A (ja) 2002-04-11 2003-10-24 Citizen Electronics Co Ltd 光伝送チップ及び取付構造
US6642550B1 (en) * 2002-08-26 2003-11-04 California Micro Devices Silicon sub-mount capable of single wire bonding and of providing ESD protection for light emitting diode devices
JP2004152952A (ja) * 2002-10-30 2004-05-27 Kyocera Corp 発光素子収納用パッケージおよび発光装置
JP3878579B2 (ja) * 2003-06-11 2007-02-07 ローム株式会社 光半導体装置
WO2005020288A2 (en) * 2003-08-19 2005-03-03 Vectron International Multiple cavity/compartment package
JP2006156668A (ja) * 2004-11-29 2006-06-15 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置及びその製造方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000124506A (ja) * 1998-10-15 2000-04-28 Rohm Co Ltd 半導体発光素子
JP2000196000A (ja) * 1998-12-25 2000-07-14 Rohm Co Ltd チップ電子部品及びその製造方法
JP2001036140A (ja) * 1999-07-16 2001-02-09 Stanley Electric Co Ltd 静電対策表面実装型ｌｅｄ
JP2001215899A (ja) * 2000-01-31 2001-08-10 Rohm Co Ltd 発光表示装置およびその製法
JP2002009349A (ja) * 2000-06-26 2002-01-11 Koha Co Ltd Ｌｅｄ面発光装置およびその製造方法
JP2004186322A (ja) * 2002-12-02 2004-07-02 Ricoh Co Ltd 半導体レーザ装置

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009027129A (ja) * 2007-07-23 2009-02-05 Novalite Optronics Corp 超薄型サイドビュー発光ダイオード（ｌｅｄ）パッケージおよびその製造方法
JP2010226091A (ja) * 2009-02-24 2010-10-07 Nichia Corp 発光装置
JP2012529164A (ja) * 2009-06-04 2012-11-15 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング オプトエレクトロニクス半導体素子
JP2012169624A (ja) * 2011-02-10 2012-09-06 Samsung Electronics Co Ltd 発光ダイオードパッケージ及びこれを具備するバックライトユニット
WO2013084437A1 (ja) * 2011-12-09 2013-06-13 日本特殊陶業株式会社 発光素子搭載用配線基板
JP2013122951A (ja) * 2011-12-09 2013-06-20 Ngk Spark Plug Co Ltd 発光素子搭載用配線基板
WO2013187318A1 (ja) 2012-06-12 2013-12-19 株式会社村田製作所 発光装置
JP2017157687A (ja) * 2016-03-02 2017-09-07 ローム株式会社 Ｌｅｄ発光装置

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