KR20080086901A - 일체화된 정전기 방전 방지부를 구비한 발광 소자용 패키지 - Google Patents

일체화된 정전기 방전 방지부를 구비한 발광 소자용 패키지 Download PDF

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Abstract

패키지는 발광 소자가 장착된 오목부를 구비한 기판을 포함한다. 기판 표면은 패키지의 외측 표면을 형성한다. 발광 소자가 장착되는 밀봉된 영역을 한정하기 위하여 기판에 뚜껑이 부착될 수 있다. 뚜껑은 발광 소자에 의해 방출된 빛의 파장을 통과시킨다. 기판의 정전기 방전 방지 회로는 발광 소자에 전기적으로 연결된다.
Figure P1020087017700
발광 소자, 정전기 방전 방지, 기판, 패키지

Description

일체화된 정전기 방전 방지부를 구비한 발광 소자용 패키지{PACKAGE FOR A LIGHT EMITTING ELEMENT WITH INTEGRATED ELECTROSTATIC DISCHARGE PROTECTION}
본 발명은 발광 다이오드와 같은 발광 장치용 패키지(package)에 관한 것이다.
발광 다이오드(LED) 패키지 크기를 감소시키는 것은 휴대폰이나 포켓용 컴퓨터와 같은 콤팩트한 디자인이 요구되는 다양한 휴대용 디스플레이 기술의 설계에 있어서 중요한 요소이다. 전통적으로, 발광 다이오드는 발광 다이오드 칩 자체보다 훨씬 큰 영역을 점유하는 다수의 구성요소를 포함하는 패키지에 수용된다. 도 6에 도시된 바와 같이, 발광 다이오드 칩은 발광 다이오드 손상을 방지하는 정전기 방전(electrostatic discharge, ESD) 방지 회로소자를 포함하는 열전도 서브 마운트(sub-mount)에 접합될 수 있다. 또한 발광 다이오드와 서브 마운트는 히트싱크 슬러그(heatsink slug)에 장착되고 사전 성형된 열가소성 렌즈 내에 둘러싸이며 상기 렌즈를 통해서 넓은 금속 리드 프레임(metal lead frame)이 연장한다. 그러나 일부 적용례에 있어서는, 패키지 크기를 감소시키는 것이 바람직할 수 있다.
본 발명은 발광 장치용 패키지의 개선에 관한 것이다. 일 태양에 따르면, 패키지는 발광 소자가 장착되는 오목부를 구비한 기판을 포함할 수 있으며, 상기 기판의 표면은 패키지의 외측 표면을 형성할 수 있다. 일부 실시예에서는, 발광 소자에 의해 방출된 빛의 파장을 통과시키는 뚜껑이 예를 들어 발광 소자가 수용되는 밀봉된 영역을 한정하기 위하여 기판에 부착될 수 있다. 기판의 정전기 방전 방지 회로소자는 발광 소자에 전기적으로 연결될 수 있다.
여러 실시예들은 하나 이상의 이하의 특징을 포함할 수 있다. 패키지 기판은 예를 들어서 실리콘과 같은 반도체 재료를 포함하여 구성될 수 있다. 발광 소자는 발광 다이오드를 포함할 수 있다. 기판 오목부의 측벽은 반사 코팅을 구비할 수 있으며 실질적으로 기판 오목부의 모든 측벽은 반사 코팅으로 덮인다. 반사 코팅은 금속과 같은 반사성이 큰 재료를 포함할 수 있다.
투과성 뚜껑(transparent lid)은 기판에 기밀식으로 밀봉될 수 있으며 발광 소자는 기밀식 밀봉 영역 내에 수용된다. 투과성 뚜껑은 유리를 포함하여 구성될 수 있다.
패키지는 오목부로부터 기판을 지나서 패키지 외측으로 연장하는 전기 전도성 피드-스루 재료(feed-through material)를 포함할 수 있다. 본드 패드(bond pad)가 기판 상에 구비될 수 있으며, 광전자 소자가 상기 본드 패드를 통해서 기판에 장착된다. 또한, 본드 패드는 발광 소자를 피드-스루 재료에 전기적으로 연결할 수 있다. 기판에 제공된 정전기 방전 방지 회로소자는 예를 들어서 다수의 지너 다이오드(Zener diode)를 포함할 수 있고 본드 패드를 통해서 발광 소자와 평행하게 전기적으로 연결될 수 있다.
여러 실시예들은 하나 이상의 이하의 장점들을 가질 수 있다. 기판 내에 정전기 방전 방지 회로소자와 전기 피드-스루 연결부를 병합하는 것은 패키지 크기를 감소시킬 수 있다. 또한, 기판은 얇은 멤브레인(membrane)을 포함할 수 있고 열 전달이 개선되도록 낮은 열 저항을 제공하기 위하여 발광 소자가 상기 멤브레인에 지지된다. 또한, 정전기 방전 방지 회로소자와, 피드-스루 연결부와, 하나의 패키지의 서브 마운트를 조합하는 것은 별도로 조립되는 구성요소의 수를 감소시킬 수 있다.
기판 오목부의 금속 코팅된 측벽은 발광 소자에 의하여 방출된 산란된 빛이 투과성 뚜껑 쪽으로 패키지 밖으로 향하도록 하는 데 도움이 될 수 있다. 보다 산란된 빛이 패키지 밖을 향하도록 함으로써, 장치의 효율성이 개선될 수 있다. 발광 소자를 금속 코팅된 측벽을 포함하는 오목부 내에 장착함으로써 패키지를 발광 소자를 위한 반사기와 용기 모두로 사용할 수 있다.
발광 소자를 기밀식으로 밀봉된 영역 내에 싸이게 함으로써, 그러한 둘러싸인 장치의 신뢰성과 수명이 향상될 수 있다.
예를 들어서 이와 같은 패키지는 모바일 폰이나 장치에 제공되는 카메라용 발광 다이오드 플래시로서 사용될 수 있다. 소형 패키지는 모바일 장치의 크기를 감소시킬 수 있도록 하는 추가적인 가용 공간을 생성한다. 또한, 가시 디스플레이(visible display)를 구비한 모바일 장치는 광소자의 클로즈 패킹(close packing)이 필요한 디스플레이 역광조명(backlighting)으로서 이와 같은 다수의 패키지를 사용할 수 있다. 비슷하게, 고해상도 대형 영역 사인(sign)과 디스플레이를 제공하기 위하여 다수의 패키지가 결합될 수 있다.
다른 적용례는 자동차 브레이크와 헤드 라이트로서 여러 패키지를 사용하는 것을 포함할 수 있다. 클로즈 패킹의 이점이외에도, 얇은 멤브레인은 장치로부터 외부로의 열전달을 개선시킨다.
본 발명의 하나 이상의 실시예들의 상세가 첨부한 도면과 이하의 기술 내용에 개시되어 있다. 본 발명의 다른 특징과 장점들은 명세서의 기재 내용 및 도면, 그리고 청구항으로부터 명백해질 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 광학 패키지의 횡단면도.
도 2 내지 도 4는 도 1의 패키지의 상세도.
도 5는 발광 다이오드와 정전기 방전 회로소자의 개략적 회로도.
도 6은 공지의 패키지 장치.
여러 도면들에서 유사한 도면 부호는 유사한 요소를 가리킨다.
도 1에 도시된 바와 같이, 패키지(20)는 뚜껑(22)과, 오목부(24)와 기판(26)을 포함한다. 하나 이상의 광전자 장치가 기판(26)과 뚜껑(22) 사이에서 오목부(24)에 장착될 수 있다. 상기의 특정 실시예에서, 광전자 장치는 발광 다이오드(LED)(28)이다.
기판(26)은 예를 들어서 실리콘과 같은 반도체 재료를 포함하여 구성될 수 있어서 오목부(24)는 공지의 에칭 공정에 의해 형성될 수 있다. 수산화 칼륨과 같 은 이방성 습식 에칭 용액(anisotropic wet etching solution)은 경사진 측벽(30)을 형성하는 데 사용될 수 있다. 도 1의 실시예에서, 오목부(24)의 측벽(30) 중 적어도 한 측벽은 약 54.7°의 각(β)으로 경사져 있다. 측벽(30)들의 각은 다른 실시예에서는 달라질 수 있다. 에칭 공정은 발광 다이오드(28)가 지지될 수 있는 얇은 멤브레인(25)을 남겨둔다. 측벽(30)들은 발광 다이오드(28)로부터 나온 떠돌이 빛을 다시 뚜껑(22)으로 향하게 하기 위하여 반사 표면(32)으로서 역할 하는 금속과 같은 재료로 코팅될 수 있다.
뚜껑(22)은 유리 또는 실리콘과 같은 재료, 즉 발광 다이오드(28)에 의해 방출된 빛의 적어도 특정 파장(또는 파장대역)을 투과시키는 재료를 포함하여 구성되어야 한다. 바람직하게는, 뚜껑(22)은 오목부(24) 전체 위에 위치되어 오목부 전체를 덮는다. 도 2에 도시된 바와 같이, 오목부(24)를 에두르는 금속 고리(34)는 기판(26)의 표면에 형성될 수 있다. 오목부(24) 전체 위에 위치된 뚜껑(22)이 예를 들어 솔더 리플로우 공정(solder reflow process)을 이용하여 금속 고리(34)에 융합될 때 기밀식 밀봉(hermetic seal)이 형성될 수 있다.
예를 들어 발광 다이오드(28)는 상기 장치를 본드 패드(35a, 35b)에 납땜함으로써 오목부(24)에 장착될 수 있으며, 상기 본드 패드는 오목부(24)의 바닥에 적층되고 패턴형성된다(도 1 내지 도 2 참조). 바람직하게는, 본드 패드(35a, 35b)는 금속과 같은 전기 전도성 재료를 포함하여 구성된다. 도 1에 도시된 바와 같이, 본드 패드(35a, 35b)는 얇은 멤브레인(25)에 형성된 전기 전도성 피드-스루 재료(38)를 포함하는 얇은 멤브레인(25)의 표면 부분에 제공될 수 있다. 전기 전도성 피드- 스루 재료(38)는 발광 다이오드(28)와 본드 패드(35a, 35b)로부터 기판(26)을 지나 패키지 외측으로 전기 접촉을 제공한다. 선택적으로는, 발광 다이오드(28)를 전도성 피드-스루 재료(38)로 연결하기 위하여 본드 와이어 또는 다른 전기 연결부들이 제공될 수 있다. 전도성 피드-스루 재료(38)는 예를 들어 전기 도금된 피드-스루 금속화 공정을 이용하여 제공될 수 있고 발광 다이오드(28)가 패키지 내에서 기밀식으로 밀봉된 채로 유지될 수 있게 한다. 특정 실시예에서, 관통 구멍을 기밀식 밀봉하는 것은 접착 레이어, 플레이팅 베이스(plating base), 피드-스루 금속화, 확산 배리어(diffusion barrier), 웨팅 레이어(wetting layer), 및 예를 들어 귀금속(noble metal)을 포함하는 항산화 배리어(anti-oxidation barrier)를 제공하는 것을 포함한다. 패키지와 외부 지지부 사이의 열 전달이 개선될 필요가 있는 적용례에서는, 금속 패드(39a)가 오목부(24) 반대 측의 패키지 외측에 제공될 수 있다(도 4 참조). 추가적으로, 금속 패드(39b)는 외측 지지부로의 열 전달을 개선시킬 뿐만 아니라 전도성 피드-스루 재료(38)를 덮고 상기 재료로 전기적으로 연결할 수 있다.
과도한 전기 충전의 결과로서 발생할 수 있는 발광 다이오드(28)의 손상을 방지하기 위하여, 정전기 방전(ESD) 방지 회로소자(40)가 예를 들어서 인 및 붕소 확산 공정(phosphorous and boron diffusion process)에 의해서 기판(26)의 얇은 멤브레인(25) 영역에 형성될 수 있다(도 2 참조). 바람직하게는, 정전기 방전 회로소자(40)는 본드 패드(35a, 35b)를 통해서 발광 다이오드(28)와 평행하게 연결된다. 본 실시예에서, 예를 들어 정전기 방전 회로소자(40)는 뒤를 맞대고 구성된 두 개의 지너 다이오드(40a, 40b)를 포함한다. 도 5는 발광 다이오드(28)와 외부 전압 공급부(42)에 연결된 정전기 방전 회로소자 회로의 계략도이다. 과도한 전기 충전이 발광 다이오드(28)에 걸쳐서 역치 전압을 초과하는 전압(V)을 생성할 때, 정전기 방전 회로소자(40)는 클램프 전압(clamp voltage)으로 전압(V)을 클램핑(clamping)하고 발광 다이오드(28)로부터 전류(IS)를 디버팅(diverting)한다. 역치 전압과 클램프 전압은 역 바이어스 하의 지너 다이오드의 파괴 전압(breakdown voltage)과 순 바이어스 하의 지너 다이오드의 역치 전압에 의해서 결정된다.
본 발명의 다수 실시예들이 개시되었다. 그렇지만 본 발명의 사상과 범위를 벗어나지 않는다면 다양한 수정이 가능하다는 것은 당연하다. 따라서 다른 실시예들도 이하 청구항의 범위 내에 있다.

Claims (21)

  1. 패키지에 있어서,
    오목부를 포함하는 기판과,
    오목부 내에서 기판에 장착되는 발광 소자로서, 기판의 표면이 패키지의 외측 표면을 형성하는 발광 소자와,
    상기 발광 소자에 전기적으로 연결되는, 기판의 정전기 방전 방지 회로소자 (circuitry)를 포함하는 것을 특징으로 하는 패키지.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 발광 소자가 수용되는 영역을 한정하기 위하여 뚜껑이 기판에 부착되고,
    상기 뚜껑의 적어도 일부가 발광 소자가 방출하도록 되어 있는 빛의 파장을 투과시키는 것을 특징으로 하는 패키지.
  3. 제2항에 있어서,
    투과성 뚜껑은 기판에 기밀식 밀봉(hermetical seal)되는 것을 특징으로 하는 패키지.
  4. 제2항에 있어서,
    투과성 뚜껑은 유리를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 패키지.
  5. 제2항에 있어서,
    상기 발광 소자는 패키지 내에 기밀식으로 밀봉되는 것을 특징으로 하는 패키지.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 발광 소자는 발광 다이오드를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 패키지.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 오목부의 측벽은 반사 코팅을 포함하는 것을 특징으로 하는 패키지.
  8. 제7항에 있어서,
    반사 코팅은 실질적으로 측벽의 모든 표면을 덮는 것을 특징으로 하는 패키지.
  9. 제7항에 있어서,
    반사 코팅은 금속을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 패키지.
  10. 제1항에 있어서,
    전기 전도성 피드-스루(feed-through) 재료는 상기 오목부로부터 기판을 지나서 패키지의 외측으로 연장하는 것을 특징으로 하는 패키지.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 피드-스루 재료는 발광 소자에 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 패키지.
  12. 제10항에 있어서,
    기판 외측 표면의, 피드-스루 재료에 전기적으로 연결되는 금속 패드를 포함하는 것을 특징으로 하는 패키지.
  13. 제1항에 있어서,
    정전기 방전 방지 회로소자는 다수의 지너 다이오드(Zener diode)를 포함하는 것을 특징으로 하는 패키지.
  14. 제1항에 있어서,
    기판은 반도체 재료를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 패키지.
  15. 제1항에 있어서,
    기판은 실리콘을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 패키지.
  16. 제1항에 있어서,
    기판의 본드 패드를 포함하고,
    발광 소자가 본드 패드를 통해서 기판에 장착되는 것을 특징으로 하는 패키지.
  17. 제1항에 있어서,
    정전기 방전 방지 회로소자는 본드 패드를 통해서 발광 소자에 평행하게 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 패키지.
  18. 제1항에 있어서,
    발광 소자는 얇은 멤브레인에 지지되는 것을 특징으로 하는 패키지.
  19. 패키지에 있어서,
    오목부를 포함하는 기판으로서, 기판이 반도체 재료를 포함하여 구성되고 오목부의 측벽이 반사 코팅을 포함하는 기판과,
    오목부 내에서 기판에 장착되는 발광 소자로서, 기판의 표면이 패키지의 외측 표면을 형성하는 발광 소자와,
    발광 소자가 수용되는 기밀식으로 밀봉된 영역을 한정하기 위하여 기판에 부 착된 뚜껑으로서, 뚜껑의 적어도 일부가 발광 소자가 방출하도록 되어 있는 빛의 파장을 투과시키도록 구성된 뚜껑과,
    발광 소자에 전기적으로 연결되는, 기판의 정전기 방전 방지 회로소자를 포함하는 것을 특징으로 하는 패키지.
  20. 제19항에 있어서,
    정전기 방전 방지 회로소자는 다수의 지너 다이오드를 포함하는 것을 특징으로 하는 패키지.
  21. 제19항에 있어서,
    기판은 실리콘을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 패키지.
KR1020087017700A 2006-01-20 2008-07-18 일체화된 정전기 방전 방지부를 구비한 발광 소자용 패키지 KR101262314B1 (ko)

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US11/336,094 2006-01-20
PCT/IB2007/000543 WO2007083244A2 (en) 2006-01-20 2007-01-16 Package for a light emitting diode with integrated electrostatic discharge protection

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WO (1) WO2007083244A2 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101012936B1 (ko) * 2008-09-29 2011-02-08 한국광기술원 광투과성 기판을 사용하여 봉지된 발광다이오드 패키지 및 그의 제조방법

Families Citing this family (57)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9070850B2 (en) 2007-10-31 2015-06-30 Cree, Inc. Light emitting diode package and method for fabricating same
US8044412B2 (en) 2006-01-20 2011-10-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd Package for a light emitting element
TWI303872B (en) * 2006-03-13 2008-12-01 Ind Tech Res Inst High power light emitting device assembly with esd preotection ability and the method of manufacturing the same
EP1848042A1 (en) * 2006-04-21 2007-10-24 LEXEDIS Lighting GmbH LED package with submount
US7889421B2 (en) * 2006-11-17 2011-02-15 Rensselaer Polytechnic Institute High-power white LEDs and manufacturing method thereof
KR100845856B1 (ko) * 2006-12-21 2008-07-14 엘지전자 주식회사 발광 소자 패키지 및 그 제조방법
US20100181590A1 (en) * 2007-06-25 2010-07-22 Jen-Shyan Chen Light-emitting diode illuminating apparatus
DE102007044198A1 (de) * 2007-09-17 2009-03-19 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement, Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements und optoelektronisches Modul
US8866169B2 (en) * 2007-10-31 2014-10-21 Cree, Inc. LED package with increased feature sizes
US10256385B2 (en) 2007-10-31 2019-04-09 Cree, Inc. Light emitting die (LED) packages and related methods
US7732829B2 (en) * 2008-02-05 2010-06-08 Hymite A/S Optoelectronic device submount
JP5104385B2 (ja) * 2008-02-20 2012-12-19 豊田合成株式会社 Ledランプモジュール
US8188595B2 (en) * 2008-08-13 2012-05-29 Progressive Cooling Solutions, Inc. Two-phase cooling for light-emitting devices
TW201034256A (en) * 2008-12-11 2010-09-16 Illumitex Inc Systems and methods for packaging light-emitting diode devices
US20100176507A1 (en) * 2009-01-14 2010-07-15 Hymite A/S Semiconductor-based submount with electrically conductive feed-throughs
US8729591B2 (en) 2009-02-13 2014-05-20 Tsmc Solid State Lighting Ltd. Opto-electronic device package with a semiconductor-based sub-mount having SMD metal contacts
US9000466B1 (en) 2010-08-23 2015-04-07 Soraa, Inc. Methods and devices for light extraction from a group III-nitride volumetric LED using surface and sidewall roughening
US8400064B2 (en) * 2009-09-09 2013-03-19 Koninklijke Philips Electronics N.V. Zener diode protection network in submount for LEDs connected in series
US8207554B2 (en) 2009-09-11 2012-06-26 Soraa, Inc. System and method for LED packaging
US8933644B2 (en) 2009-09-18 2015-01-13 Soraa, Inc. LED lamps with improved quality of light
US8575642B1 (en) 2009-10-30 2013-11-05 Soraa, Inc. Optical devices having reflection mode wavelength material
US8586963B2 (en) * 2009-12-08 2013-11-19 Lehigh University Semiconductor light-emitting devices having concave microstructures providing improved light extraction efficiency and method for producing same
US8905588B2 (en) 2010-02-03 2014-12-09 Sorra, Inc. System and method for providing color light sources in proximity to predetermined wavelength conversion structures
US10147850B1 (en) 2010-02-03 2018-12-04 Soraa, Inc. System and method for providing color light sources in proximity to predetermined wavelength conversion structures
WO2011109442A2 (en) * 2010-03-02 2011-09-09 Oliver Steven D Led packaging with integrated optics and methods of manufacturing the same
DE112010005894T5 (de) 2010-09-21 2013-07-18 Kuo-Kuang Chang Herstellungsverfahren für Leuchtdioden mit Gehäuse
US8610161B2 (en) * 2010-10-28 2013-12-17 Tsmc Solid State Lighting Ltd. Light emitting diode optical emitter with transparent electrical connectors
US8896235B1 (en) 2010-11-17 2014-11-25 Soraa, Inc. High temperature LED system using an AC power source
DE202010016958U1 (de) * 2010-12-23 2011-06-27 Automotive Lighting Reutlingen GmbH, 72762 Leuchtmodul für eine Beleuchtungseinrichtung eines Kraftfahrzeugs mit auf einem Silizium-Substrat angeordneten Halbleiterlichtquellen
US8349628B2 (en) * 2011-03-22 2013-01-08 Tsmc Solid State Lighting Ltd. Methods of fabricating light emitting diode devices
KR101850432B1 (ko) * 2011-07-11 2018-04-19 엘지이노텍 주식회사 발광 모듈
US20140159061A1 (en) * 2011-08-25 2014-06-12 Panasonic Corporation Protection element and light emitting device using same
US9490239B2 (en) 2011-08-31 2016-11-08 Micron Technology, Inc. Solid state transducers with state detection, and associated systems and methods
US8809897B2 (en) 2011-08-31 2014-08-19 Micron Technology, Inc. Solid state transducer devices, including devices having integrated electrostatic discharge protection, and associated systems and methods
US9488324B2 (en) 2011-09-02 2016-11-08 Soraa, Inc. Accessories for LED lamp systems
KR101920211B1 (ko) 2011-12-19 2018-11-21 엘지이노텍 주식회사 발광소자 어레이
US8985794B1 (en) 2012-04-17 2015-03-24 Soraa, Inc. Providing remote blue phosphors in an LED lamp
DE102012108627B4 (de) 2012-09-14 2021-06-10 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronische Halbleitervorrichtung und Trägerverbund
US9978904B2 (en) 2012-10-16 2018-05-22 Soraa, Inc. Indium gallium nitride light emitting devices
US9761763B2 (en) 2012-12-21 2017-09-12 Soraa, Inc. Dense-luminescent-materials-coated violet LEDs
KR102071424B1 (ko) * 2013-01-08 2020-01-30 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지
US8994033B2 (en) 2013-07-09 2015-03-31 Soraa, Inc. Contacts for an n-type gallium and nitrogen substrate for optical devices
US9419189B1 (en) 2013-11-04 2016-08-16 Soraa, Inc. Small LED source with high brightness and high efficiency
CN104752579A (zh) * 2013-12-25 2015-07-01 常州欧密格光电科技有限公司 超薄高效能Flash LED元件及其制备工艺
US9209141B2 (en) 2014-02-26 2015-12-08 International Business Machines Corporation Shielded package assemblies with integrated capacitor
US9722145B2 (en) 2015-06-24 2017-08-01 Sharp Laboratories Of America, Inc. Light emitting device and fluidic manufacture thereof
US9892944B2 (en) 2016-06-23 2018-02-13 Sharp Kabushiki Kaisha Diodes offering asymmetric stability during fluidic assembly
US9985190B2 (en) 2016-05-18 2018-05-29 eLux Inc. Formation and structure of post enhanced diodes for orientation control
US10249599B2 (en) 2016-06-29 2019-04-02 eLux, Inc. Laminated printed color conversion phosphor sheets
US9917226B1 (en) 2016-09-15 2018-03-13 Sharp Kabushiki Kaisha Substrate features for enhanced fluidic assembly of electronic devices
US9755110B1 (en) 2016-07-27 2017-09-05 Sharp Laboratories Of America, Inc. Substrate with topological features for steering fluidic assembly LED disks
DE102016100585A1 (de) 2016-01-14 2017-07-20 Epcos Ag Bauelementsubstrat mit Schutzfunktion und Verfahren zur Herstellung
US9627437B1 (en) 2016-06-30 2017-04-18 Sharp Laboratories Of America, Inc. Patterned phosphors in through hole via (THV) glass
US10243097B2 (en) 2016-09-09 2019-03-26 eLux Inc. Fluidic assembly using tunable suspension flow
US9837390B1 (en) 2016-11-07 2017-12-05 Corning Incorporated Systems and methods for creating fluidic assembly structures on a substrate
JP7233304B2 (ja) * 2019-05-30 2023-03-06 スタンレー電気株式会社 発光装置、および、その製造方法
CN113394320B (zh) 2020-03-11 2023-04-07 隆达电子股份有限公司 发光二极管封装结构

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6489544A (en) * 1987-09-30 1989-04-04 Nec Corp Cap for photosemiconductor device case
JPH02125345U (ko) * 1989-03-27 1990-10-16
JPH11161197A (ja) * 1997-11-25 1999-06-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd 画像表示装置
JPH11251644A (ja) 1998-02-27 1999-09-17 Matsushita Electron Corp 半導体発光装置
US5914501A (en) * 1998-08-27 1999-06-22 Hewlett-Packard Company Light emitting diode assembly having integrated electrostatic discharge protection
US6274924B1 (en) * 1998-11-05 2001-08-14 Lumileds Lighting, U.S. Llc Surface mountable LED package
JP2001015815A (ja) 1999-04-28 2001-01-19 Sanken Electric Co Ltd 半導体発光装置
DE10035564B4 (de) * 2000-07-21 2006-03-30 Conti Temic Microelectronic Gmbh Mikromechanisches Gehäuse
JP5110744B2 (ja) * 2000-12-21 2012-12-26 フィリップス ルミレッズ ライティング カンパニー リミテッド ライアビリティ カンパニー 発光装置及びその製造方法
US6531328B1 (en) 2001-10-11 2003-03-11 Solidlite Corporation Packaging of light-emitting diode
US6818464B2 (en) * 2001-10-17 2004-11-16 Hymite A/S Double-sided etching technique for providing a semiconductor structure with through-holes, and a feed-through metalization process for sealing the through-holes
JP2003158301A (ja) * 2001-11-22 2003-05-30 Citizen Electronics Co Ltd 発光ダイオード
US7244965B2 (en) * 2002-09-04 2007-07-17 Cree Inc, Power surface mount light emitting die package
US6969204B2 (en) * 2002-11-26 2005-11-29 Hymite A/S Optical package with an integrated lens and optical assemblies incorporating the package
US6856717B2 (en) * 2003-03-24 2005-02-15 Hymite A/S Package with a light emitting device
US7095053B2 (en) * 2003-05-05 2006-08-22 Lamina Ceramics, Inc. Light emitting diodes packaged for high temperature operation
US6876008B2 (en) * 2003-07-31 2005-04-05 Lumileds Lighting U.S., Llc Mount for semiconductor light emitting device
US7518158B2 (en) * 2003-12-09 2009-04-14 Cree, Inc. Semiconductor light emitting devices and submounts
TWI227570B (en) * 2003-12-11 2005-02-01 South Epitaxy Corp Light-emitting diode packaging structure
US7165896B2 (en) * 2004-02-12 2007-01-23 Hymite A/S Light transmitting modules with optical power monitoring
TW200529465A (en) * 2004-02-27 2005-09-01 Opto Tech Corp Light-emitting device with power supply substrate having reflective layer
US20050269688A1 (en) * 2004-06-03 2005-12-08 Lior Shiv Microelectromechanical systems (MEMS) devices integrated in a hermetically sealed package
KR100623024B1 (ko) * 2004-06-10 2006-09-19 엘지전자 주식회사 고출력 led 패키지
US6881980B1 (en) 2004-06-17 2005-04-19 Chunghwa Picture Tubes, Ltd. Package structure of light emitting diode
US7329905B2 (en) * 2004-06-30 2008-02-12 Cree, Inc. Chip-scale methods for packaging light emitting devices and chip-scale packaged light emitting devices
CN2720645Y (zh) * 2004-07-29 2005-08-24 亿光电子工业股份有限公司 发光二极管防静电封装结构

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101012936B1 (ko) * 2008-09-29 2011-02-08 한국광기술원 광투과성 기판을 사용하여 봉지된 발광다이오드 패키지 및 그의 제조방법

Also Published As

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CN101371358B (zh) 2010-06-23
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