JP2013065883A5 - - Google Patents
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| JP2008219708A Division JP5399021B2 (ja) | 2008-08-28 | 2008-08-28 | 高周波用半導体素子形成用のエピタキシャル基板および高周波用半導体素子形成用エピタキシャル基板の作製方法 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2013065883A JP2013065883A (ja) | 2013-04-11 |
| JP2013065883A5 true JP2013065883A5 (enExample) | 2013-10-31 |
| JP5616420B2 JP5616420B2 (ja) | 2014-10-29 |
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ID=48189042
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| JP2012269280A Active JP5616420B2 (ja) | 2012-12-10 | 2012-12-10 | 高周波用半導体素子形成用のエピタキシャル基板および高周波用半導体素子形成用エピタキシャル基板の作製方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP5616420B2 (enExample) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6967024B2 (ja) | 2019-02-04 | 2021-11-17 | 株式会社東芝 | 半導体装置及びその製造方法 |
| CN116264251A (zh) * | 2021-12-15 | 2023-06-16 | 苏州能讯高能半导体有限公司 | 半导体器件的外延结构及其制备方法、半导体器件 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3592553B2 (ja) * | 1998-10-15 | 2004-11-24 | 株式会社東芝 | 窒化ガリウム系半導体装置 |
| US6673149B1 (en) * | 2000-09-06 | 2004-01-06 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd | Production of low defect, crack-free epitaxial films on a thermally and/or lattice mismatched substrate |
| JP3760997B2 (ja) * | 2003-05-21 | 2006-03-29 | サンケン電気株式会社 | 半導体基体 |
| JP4449357B2 (ja) * | 2003-07-08 | 2010-04-14 | 日立電線株式会社 | 電界効果トランジスタ用エピタキシャルウェハの製造方法 |
| JP4332720B2 (ja) * | 2003-11-28 | 2009-09-16 | サンケン電気株式会社 | 半導体素子形成用板状基体の製造方法 |
| JP4883931B2 (ja) * | 2005-04-26 | 2012-02-22 | 京セラ株式会社 | 半導体積層基板の製造方法 |
| WO2008012877A1 (fr) * | 2006-07-26 | 2008-01-31 | Fujitsu Limited | DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS COMPOSÉ EMPLOYANT UN SUBSTRAT DE SiC ET PROCÉDÉ POUR PRODUIRE CELUI-CI |
| JP4811376B2 (ja) * | 2007-09-25 | 2011-11-09 | ソニー株式会社 | 窒化物系iii−v族化合物層およびそれを用いた基板 |
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