JP2013057124A - ZnO蒸着材及び該ZnO蒸着材を用いてZnO膜を形成する方法 - Google Patents
ZnO蒸着材及び該ZnO蒸着材を用いてZnO膜を形成する方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2013057124A JP2013057124A JP2012225579A JP2012225579A JP2013057124A JP 2013057124 A JP2013057124 A JP 2013057124A JP 2012225579 A JP2012225579 A JP 2012225579A JP 2012225579 A JP2012225579 A JP 2012225579A JP 2013057124 A JP2013057124 A JP 2013057124A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- zno
- vapor deposition
- deposition material
- film
- porosity
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract description 76
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 title claims abstract description 69
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 21
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title abstract description 16
- 239000011148 porous material Substances 0.000 claims description 38
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 10
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 abstract 1
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 182
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 91
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 47
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 30
- 239000008188 pellet Substances 0.000 description 23
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 18
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 16
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 13
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 12
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 10
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 9
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 8
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 8
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 8
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 8
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 7
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 7
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 6
- 239000002612 dispersion medium Substances 0.000 description 6
- 238000005469 granulation Methods 0.000 description 6
- 230000003179 granulation Effects 0.000 description 6
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 5
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 5
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 5
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 4
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 4
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 4
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 3
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 210000000988 bone and bone Anatomy 0.000 description 2
- 238000005238 degreasing Methods 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 2
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 2
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 2
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 2
- 238000003826 uniaxial pressing Methods 0.000 description 2
- ZTQSAGDEMFDKMZ-UHFFFAOYSA-N Butyraldehyde Chemical compound CCCC=O ZTQSAGDEMFDKMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical group [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000009694 cold isostatic pressing Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000000313 electron-beam-induced deposition Methods 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010849 ion bombardment Methods 0.000 description 1
- 238000007561 laser diffraction method Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 1
- 238000012805 post-processing Methods 0.000 description 1
- BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N propan-1-ol Chemical compound CCCO BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 1
- 238000000790 scattering method Methods 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 238000001694 spray drying Methods 0.000 description 1
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 1
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Gas-Filled Discharge Tubes (AREA)
- Porous Artificial Stone Or Porous Ceramic Products (AREA)
- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
Abstract
【解決手段】ZnO蒸着材は、ZnOの多孔質焼結体からなり、その焼結体が0.2以上3.0%未満の気孔率とすることで、内部に存在するガスを著しく減少させることができ、0.1〜300μmの範囲の平均気孔径をとすることで、蒸発速度を高くすることが可能となり、製造コストを低減することができる。ZnO膜は、上記ZnO蒸着材を用いて形成される。
【選択図】なし
Description
本発明の目的は、ZnO膜の成膜時にスプラッシュの発生を防止することができる、ZnO蒸着材及びこのZnO蒸着材を用いてZnO膜を形成する方法を提供することにある。
この請求項1に記載されたZnO蒸着材では、気孔率を0.2以上3.0%未満とするので、ZnO蒸着材の内部に存在するガスを著しく減少させることができる。このため、ZnO膜を成膜するためにその蒸着材を加熱しても、多孔質内部のガスが膨張することに起因する応力は従来よりも減少する。これによりZnO蒸着材にクラックが生じるようなことはなく、クラックに起因するスプラッシュの発生を有効に防止することができる。
この請求項2に記載されたZnO蒸着材では、気孔の平均気孔径を0.1〜300μmとすることによって、蒸発速度を高くすることが可能となり、ZnO膜の成膜速度を大きくして製造コストを低減することができる。
本実施形態のZnO蒸着材は、気孔率が0.2以上3.0%未満、好ましくは0.2以上1.5%未満の多結晶ZnOの焼結体ペレットからなる。この実施の形態では、多結晶ZnOの焼結体ペレットからなる蒸着材10を示す。この焼結体ペレットからなるZnO蒸着材は、円板状又は球状に形成される。このZnO蒸着材が球状である場合には、その直径は5〜30mm、好ましくは5〜15mmに形成される。この直径を5〜30mmに限定したのは、直径が5mm未満では小さすぎてスプラッシュの発生原因となり、直径が30mmを越えると実際の製造工程において取り扱いが困難となるからである。このZnO蒸着材が円板状である場合には、その直径は5〜40mm、好ましくは5〜20mmであって、高さが1〜20mm、好ましくは2〜10mmに形成される。この直径を5〜40mmに限定し、高さを1〜20mmに限定したのは、直径が5mm未満又は高さが1mm未満では小さすぎてスプラッシュの発生原因となり、直径が40mmを越えるか又は高さが20mmを越えると実際の製造工程において取り扱いが困難となるからである。
まず、純度が99.0%以上のZnO粉末とバインダと有機溶媒とを減圧下において混合して濃度が45〜75質量%のスラリーを調製する。スラリーの濃度を45〜75質量%に限定したのは、75質量%を越えると上記スラリーが非水系であるため、安定した造粒が難しい問題点があり、45質量%未満では均一な組織を有する緻密なZnO焼結体が得られないからである。即ち、スラリー濃度を上記範囲に限定すると、スラリーの粘度が200〜1000cpsとなり、スプレードライヤによる粉末の造粒を安定して行うことができる。そして、この混合を減圧下において行うことによりスラリーに含まれるガスを減少させることにより、後述する成形体の密度が高くなって緻密な焼結体の製造が可能になる。
以下に示す各実施例及び比較例において、市販のZnO粉末(純度99%以上、平均粒径0.3μm)を使用した。何れの場合にもスラリーの調製には湿式ボールミル(直径5〜20mmのZrO2 製ボール使用)を用い、24時間混合した。更に、何れの場合にも、成形装置として一軸成形プレス装置を用い、100kgf/cm2(9.8MPa)の圧力で、外径6.7mmφ、厚さ2.0mmに成形した。この成形体を電気炉に入れ、大気中1300℃で3時間焼成し、焼結体ペレットにした。また、実施例及び比較例において、気孔率は置換法によって測定した。平均気孔径及び結晶粒径の測定はSEM(走査電子顕微鏡)により行った。また、以下に示す各実施例及び比較例において、「常圧」とは1気圧(1013hPa)の圧力下を意味し、「減圧」とは常圧である1013hPaより低い100kgf/cm2(9.8MPa)の圧力下を意味するものとする。
ZnO粉末からなる原料粉末100gに、バインダとしてポリビニルブラチールを1質量%添加し、更に分散媒としてメタノール変性アルコールを加えて、湿式ボールミルを用い減圧下において混合して濃度30質量%のスラリーとした。次いで、このスラリーを減圧下において噴霧乾燥して平均粒径が約200μmの多孔質造粒粉末を得た。この造粒粉末を減圧下において加圧成形し、この成形体を焼成して多孔質焼結体ペレット(ZnO蒸着材)を製造した。この焼結体を実施例1とし、その気孔率を表1に示す。
スラリーの調製を減圧せずに常圧下において行ったことを除き、実施例1と同一の条件及び手順により多孔質焼結体ペレット(ZnO蒸着材)を製造した。即ち、実施例1と同一のZnO粉末からなる原料粉末100gに、バインダとしてポリビニルブラチールを1質量%添加し、更に分散媒としてメタノール変性アルコールを加えて、湿式ボールミルを用い常圧下において混合して濃度30質量%のスラリーとした。次いで、このスラリーを減圧下において噴霧乾燥して平均粒径が約200μmの多孔質造粒粉末を得た。この造粒粉末を減圧下において加圧成形し、この成形体を焼成して多孔質焼結体ペレット(ZnO蒸着材)を製造した。この焼結体を実施例2とし、その気孔率を表1に示す。
スラリーの調製と造粒を減圧せずに常圧下において行ったことを除き、実施例1と同一の条件及び手順により多孔質焼結体ペレット(ZnO蒸着材)を製造した。即ち、実施例1と同一のZnO粉末からなる原料粉末100gに、バインダとしてポリビニルブラチールを1質量%添加し、更に分散媒としてメタノール変性アルコールを加えて、湿式ボールミルを用い常圧下において混合して濃度30質量%のスラリーとした。次いで、このスラリーを常圧下において噴霧乾燥して平均粒径が約200μmの多孔質造粒粉末を得た。この造粒粉末を減圧下において加圧成形し、この成形体を焼成して多孔質焼結体ペレット(ZnO蒸着材)を製造した。この焼結体を実施例3とし、その気孔率を表1に示す。
スラリーの調製と造粒と加圧成形のいずれも減圧せずに常圧下において行ったことを除き、実施例1と同一の条件及び手順により多孔質焼結体ペレット(ZnO蒸着材)を製造した。即ち、実施例1と同一のZnO粉末からなる原料粉末100gに、バインダとしてポリビニルブラチールを1質量%添加し、更に分散媒としてメタノール変性アルコールを加えて、湿式ボールミルを用い常圧下において混合して濃度30質量%のスラリーとした。次いで、このスラリーを常圧下において噴霧乾燥して平均粒径が約200μmの多孔質造粒粉末を得た。この造粒粉末を常圧下において加圧成形し、この成形体を焼成して多孔質焼結体ペレット(ZnO蒸着材)を製造した。この焼結体を比較例1とし、その気孔率を表1に示す。
ZnO粉末からなる原料粉末100gに、バインダとしてポリビニルブラチールを1質量%添加し、さらに分散媒としてメタノール変性アルコールを加えて、濃度30質量%のスラリーとした。次いで、このスラリーをボールミルに入れ、空気を吹き込んで湿式混合し、ガス含有スラリーとした。このスラリーを真空乾燥機にて80℃で分散媒を気化させ、引き続き乾式解砕して、平均粒径200μmの多孔質造粒粉末を得た。この造粒粉末を常圧下において加圧成形し、この成形体を焼成して多孔質焼結体ペレット(ZnO蒸着材)を製造した。この焼結体を比較例2とし、その気孔率を表1に示す。
実施例1で用いた原料粉末であるZnO粉末を篩い分けし、平均粒径60μmおよび粒度分布が55〜65μmの範囲内に含まれるZnO粉末を得た。このZnO粉末を含む原料粉末に、バインダとしてポリビニルブチラールを1質量%添加し、有機溶媒としてメタノール変性アルコールを30質量%添加し、それらを混合してZnO粉末の濃度が30質量%のスラリーを調製した。次いで、このスラリーを常圧下において噴霧乾燥して平均粒径が約200μmの多孔質造粒粉末を得た。この造粒粉末を常圧下において加圧成形し、この成形体を焼成して多孔質焼結体ペレット(ZnO蒸着材)を製造した。この焼結体を比較例3とし、その気孔率を表1に示す。
実施例1〜3のZnO蒸着材、比較例1〜3のZnO蒸着材を用い、電子ビーム蒸着法により、膜厚200nmのZnO膜を成膜した。即ち、電子ビーム蒸着装置のハース(直径50mm、深さ25mm)にサンプルの蒸着材を仕込み、到達真空度2.66×10-4Pa(2.0×10-6Torr)、O2分圧1.33×10-2Pa(1.0×10-4Torr)の雰囲気に調整し、加速電圧10kV、ビームスキャンエリア約40mmφの電子ビームを照射してZnO蒸着材を加熱し、ZnO膜を形成した。
Claims (3)
- ZnOの多孔質焼結体からなり、前記焼結体が0.2以上3.0%未満の気孔率を有するZnO蒸着材。
- ZnOの多孔質焼結体が0.1〜300μmの範囲の平均気孔径を有する請求項1記載のZnO蒸着材。
- 請求項1又は2記載のZnO蒸着材を用いてZnO膜を形成する方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012225579A JP5532102B2 (ja) | 2007-03-09 | 2012-10-11 | ZnO蒸着材の製造方法及び該ZnO蒸着材を用いてZnO膜を形成する方法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007059833 | 2007-03-09 | ||
JP2007059833 | 2007-03-09 | ||
JP2012225579A JP5532102B2 (ja) | 2007-03-09 | 2012-10-11 | ZnO蒸着材の製造方法及び該ZnO蒸着材を用いてZnO膜を形成する方法 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008057102A Division JP5417720B2 (ja) | 2007-03-09 | 2008-03-07 | ZnO蒸着材の製造方法及び該方法により製造された蒸着材を用いて蒸着膜を形成する方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013057124A true JP2013057124A (ja) | 2013-03-28 |
JP5532102B2 JP5532102B2 (ja) | 2014-06-25 |
Family
ID=39979353
Family Applications (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008057102A Expired - Fee Related JP5417720B2 (ja) | 2007-03-09 | 2008-03-07 | ZnO蒸着材の製造方法及び該方法により製造された蒸着材を用いて蒸着膜を形成する方法 |
JP2012105573A Expired - Fee Related JP5500202B2 (ja) | 2007-03-09 | 2012-05-07 | 蒸着材の製造方法 |
JP2012225579A Expired - Fee Related JP5532102B2 (ja) | 2007-03-09 | 2012-10-11 | ZnO蒸着材の製造方法及び該ZnO蒸着材を用いてZnO膜を形成する方法 |
Family Applications Before (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008057102A Expired - Fee Related JP5417720B2 (ja) | 2007-03-09 | 2008-03-07 | ZnO蒸着材の製造方法及び該方法により製造された蒸着材を用いて蒸着膜を形成する方法 |
JP2012105573A Expired - Fee Related JP5500202B2 (ja) | 2007-03-09 | 2012-05-07 | 蒸着材の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (3) | JP5417720B2 (ja) |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10291854A (ja) * | 1997-04-22 | 1998-11-04 | Mitsubishi Materials Corp | 多結晶MgO蒸着材及びその製造方法 |
JP2005097724A (ja) * | 2003-08-29 | 2005-04-14 | Mitsubishi Materials Corp | MgO蒸着材およびMgO膜、その製造方法 |
WO2007141994A1 (ja) * | 2006-06-08 | 2007-12-13 | Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. | 酸化物焼結体、ターゲット、およびそれを用いて得られる透明導電膜、並びに透明導電性基材 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06144918A (ja) * | 1992-11-11 | 1994-05-24 | Toshiba Corp | セラミックス造粒粉の製造方法およびセラミックス焼結体の製造方法 |
JPH08193263A (ja) * | 1995-01-13 | 1996-07-30 | Hitachi Metals Ltd | 透明導電膜形成用インジウム酸化物系焼結体 |
JPH08277168A (ja) * | 1995-04-05 | 1996-10-22 | Nippon Steel Corp | 酸化物系セラミックス成形体およびその製造方法 |
JPH10226572A (ja) * | 1996-12-09 | 1998-08-25 | Tosoh Corp | ビスマス系層状ペロブスカイト焼結体およびその製造法並びにその用途 |
JPH10297955A (ja) * | 1997-04-23 | 1998-11-10 | Mitsubishi Materials Corp | MgO蒸着材及びその製造方法 |
JP3470633B2 (ja) * | 1998-03-16 | 2003-11-25 | 三菱マテリアル株式会社 | MgOを主成分とする蒸着材及びその製造方法 |
JP3314728B2 (ja) * | 1998-08-11 | 2002-08-12 | 三菱マテリアル株式会社 | 多結晶MgO蒸着材 |
JP2000061917A (ja) * | 1998-08-24 | 2000-02-29 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | Ito成形体およびその製造方法並びにito焼結体の製造方法 |
JP3893793B2 (ja) * | 1999-04-05 | 2007-03-14 | 三菱マテリアル株式会社 | MgO蒸着材及びその製造方法 |
JP2005187919A (ja) * | 2003-12-26 | 2005-07-14 | Mitsubishi Materials Corp | MgO蒸着材及びその製造方法 |
JP2006193797A (ja) * | 2005-01-14 | 2006-07-27 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | スパッタリングターゲット用の成形体を製造するための成形型およびスパッタリングターゲットの製造方法 |
-
2008
- 2008-03-07 JP JP2008057102A patent/JP5417720B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2012
- 2012-05-07 JP JP2012105573A patent/JP5500202B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2012-10-11 JP JP2012225579A patent/JP5532102B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10291854A (ja) * | 1997-04-22 | 1998-11-04 | Mitsubishi Materials Corp | 多結晶MgO蒸着材及びその製造方法 |
JP2005097724A (ja) * | 2003-08-29 | 2005-04-14 | Mitsubishi Materials Corp | MgO蒸着材およびMgO膜、その製造方法 |
WO2007141994A1 (ja) * | 2006-06-08 | 2007-12-13 | Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. | 酸化物焼結体、ターゲット、およびそれを用いて得られる透明導電膜、並びに透明導電性基材 |
Non-Patent Citations (4)
Title |
---|
JPN6013007086; 木原茂文、外4名: 'レ-ザ照射時のZnO焼結品割れ評価のための均質化法による熱応力解析' 粉体および粉末冶金 Vol.53, No.12, 20061215, pp.915-920 * |
JPN6013007087; 福島英沖、外3名: '機能性セラミックスのマイクロ波焼結' 豊田中央研究所R&Dレビュー Vol.30, NO.4, 199512, p.25-34 * |
JPN6014002019; 白井孝、外3名: '鋳込み成形体への急速マイクロ波乾燥' Journal of the Ceramic Society of Japan Vol.114, No.2, 2006, pp.217-219 * |
JPN6014002021; 木原茂文、外3名: 'ZnO焼結品へのレーザ照射時の割れに及ぼす相対密度の影響' 第56回塑性加工連合講演会 , 20051118, 第429〜430頁 * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2012149353A (ja) | 2012-08-09 |
JP2008255480A (ja) | 2008-10-23 |
JP5417720B2 (ja) | 2014-02-19 |
JP5500202B2 (ja) | 2014-05-21 |
JP5532102B2 (ja) | 2014-06-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5764828B2 (ja) | 酸化物焼結体およびそれを加工したタブレット | |
JP5224073B2 (ja) | 酸化物蒸着材とその製造方法 | |
JP5418751B2 (ja) | ZnO蒸着材とその製造方法、およびそのZnO膜形成方法 | |
EP1482068A1 (en) | MgO VAPOR DEPOSITION MATERIAL AND METHOD FOR PREPARATION THEREOF | |
JP5418747B2 (ja) | ZnO蒸着材とその製造方法、およびそのZnO膜形成方法 | |
JP5418752B2 (ja) | ZnO蒸着材とその製造方法、およびそのZnO膜形成方法 | |
KR20140138614A (ko) | 스퍼터링 타깃 및 고저항 투명막 그리고 그 제조 방법 | |
WO2017158928A1 (ja) | 酸化物焼結体 | |
JP5418749B2 (ja) | ZnO蒸着材とその製造方法、およびそのZnO膜形成方法 | |
JP5516838B2 (ja) | ZnO蒸着材の製造方法 | |
JP5418748B2 (ja) | ZnO蒸着材とその製造方法、およびそのZnO膜形成方法 | |
TWI431135B (zh) | ZnO蒸鍍材及其製造方法,與ZnO膜 | |
JP5499453B2 (ja) | ZnO蒸着材とその製造方法、およびそのZnO膜形成方法 | |
JP5418750B2 (ja) | ZnO蒸着材とその製造方法、およびそのZnO膜形成方法 | |
CN104039737B (zh) | 氧化锡质耐火物及其制造方法 | |
JP4813182B2 (ja) | Itoスパッタリングターゲット | |
JP5549918B2 (ja) | DCスパッタリング用ZnOターゲットおよびその製造方法 | |
JP5532102B2 (ja) | ZnO蒸着材の製造方法及び該ZnO蒸着材を用いてZnO膜を形成する方法 | |
JP5115249B2 (ja) | 蒸着材及び該蒸着材を用いて蒸着膜を形成する方法 | |
JP4991096B2 (ja) | MgO蒸着材 | |
JP5239222B2 (ja) | ZnO蒸着材の製造方法及びZnO膜の製造方法 | |
JP5029431B2 (ja) | 蒸着材及び該蒸着材を用いて蒸着膜を形成する方法 | |
JP5392342B2 (ja) | ZnO蒸着材の製造方法及びZnO膜の製造方法 | |
JP4955916B2 (ja) | 単結晶酸化マグネシウム焼結体及びその製造方法並びにプラズマディスプレイパネル用保護膜 | |
JP5203113B2 (ja) | 特殊な構造の酸化マグネシウム焼結体及びpdp保護膜用蒸着材 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140121 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140210 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140304 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140305 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140325 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140407 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5532102 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |