JP2013012735A - Hemt装置を製造するcmosコンパチブルな方法とそのhemt装置 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 75
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 20
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims abstract description 123
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 66
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims abstract description 63
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 63
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 claims abstract description 45
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 claims abstract description 38
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 21
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 76
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 75
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 75
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 55
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 41
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 33
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 22
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 21
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 20
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 20
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 17
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims description 12
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 5
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 5
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 323
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 38
- 239000000463 material Substances 0.000 description 24
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 23
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 22
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 22
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 17
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 16
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 16
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 16
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 14
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 12
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 12
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 11
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 11
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 10
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 10
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 9
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 9
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 8
- 238000002508 contact lithography Methods 0.000 description 8
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 8
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 5
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000006911 nucleation Effects 0.000 description 5
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 description 5
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 4
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 4
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 4
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 4
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 4
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 4
- 102100032047 Alsin Human genes 0.000 description 3
- 101710187109 Alsin Proteins 0.000 description 3
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 3
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 3
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 3
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 3
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 description 2
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 2
- GNFTZDOKVXKIBK-UHFFFAOYSA-N 3-(2-methoxyethoxy)benzohydrazide Chemical compound COCCOC1=CC=CC(C(=O)NN)=C1 GNFTZDOKVXKIBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017083 AlN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004166 TaN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910008807 WSiN Inorganic materials 0.000 description 1
- LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ge] Chemical compound [Si].[Ge] LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011149 active material Substances 0.000 description 1
- 238000000637 aluminium metallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000032798 delamination Effects 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000001803 electron scattering Methods 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229910003465 moissanite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 nitride compound Chemical class 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005533 two-dimensional electron gas Effects 0.000 description 1
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- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/778—Field effect transistors with two-dimensional charge carrier gas channel, e.g. HEMT ; with two-dimensional charge-carrier layer formed at a heterojunction interface
- H01L29/7786—Field effect transistors with two-dimensional charge carrier gas channel, e.g. HEMT ; with two-dimensional charge-carrier layer formed at a heterojunction interface with direct single heterostructure, i.e. with wide bandgap layer formed on top of active layer, e.g. direct single heterostructure MIS-like HEMT
- H01L29/7787—Field effect transistors with two-dimensional charge carrier gas channel, e.g. HEMT ; with two-dimensional charge-carrier layer formed at a heterojunction interface with direct single heterostructure, i.e. with wide bandgap layer formed on top of active layer, e.g. direct single heterostructure MIS-like HEMT with wide bandgap charge-carrier supplying layer, e.g. direct single heterostructure MODFET
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- H01L23/3171—Partial encapsulation or coating the coating being directly applied to the semiconductor body, e.g. passivation layer
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- H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
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- H01L29/205—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only AIIIBV compounds including two or more compounds, e.g. alloys in different semiconductor regions, e.g. heterojunctions
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- H01L29/51—Insulating materials associated therewith
- H01L29/511—Insulating materials associated therewith with a compositional variation, e.g. multilayer structures
- H01L29/513—Insulating materials associated therewith with a compositional variation, e.g. multilayer structures the variation being perpendicular to the channel plane
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Abstract
【解決手段】基板101を提供するステップと、III族窒化物層のスタックを基板上に形成するステップと、窒化シリコンからなり、スタックの上方層に対して上に位置すると共に当接する第1パッシベーション層301を形成し、第1パッシベーション層が、現場でスタックに堆積されるステップと、第1パッシベーション層に対して上に位置すると共に当接する誘電体層を形成するステップと、窒化シリコンからなり、誘電体層に対して上に位置すると共に当接する第2パッシベーション層303を形成し、第2パッシベーション層が、LPCVD、MOCVD又は同等の手法によって450℃より高い温度で堆積されるステップと、ソースドレイン・オーミック接触とゲート電極601を形成するステップとを備える。
【選択図】図2
Description
エネルギー差を指す。一般に、広バンドギャップ(WBG)半導体は、1eVより大きい、好ましくは、2eVより大きい電子バンドギャップを有する半導体材料である。一般に、狭バンドギャップ(NBG)半導体は、1eVより小さい、好ましくは、0.6eVより小さい電子バンドギャップを有する半導体材料である。しかしながら、全開示を通じて、装置の良好な動作を決定するのは、バンドギャップの実際の絶対値よりも、むしろWBGとNGBの間の相対差であるので、上記の絶対的な範囲は情報を与えるだけである。
a)基板101を提供するステップと、
b)各層がIII族窒化物材料を備える層のスタック(I)を、エピタキシャル成長によって基板上に形成するステップと、
c)スタック(I)の上方層203、204に対して上に位置すると共に当接する窒化シリコンからなる第1パッシベーション層301を形成するステップであって、第1パッシベーション層301が、現場でスタック(I)に堆積されるステップと、
d)第1パッシベーション層301に対して上に位置すると共に当接する誘電体層302を形成するステップと、
e)誘電体層302に対して上に位置すると共に当接する窒化シリコンからなる第2パッシベーション層303を形成し、第2パッシベーション層303が、低圧化学気相成長(LPCVD)又は有機金属化学気相成長(MOCVD)又は同等の手法によって450℃より高い温度で堆積されるステップと、
f)ソースドレイン・オーミック接触とゲート電極601を形成するステップと
を備える方法を開示する。
a)第2パッシベーション層303、誘電体層302と第1パッシベーション層301を選択的にエッチングすることによって、ソースドレイン・オーミック接触領域をパターニングするステップと、
b)メタル層401を堆積及びパターニングすると共に、オーミック合金形成のために熱処理することによって、オーミック接触を形成するステップと
で形成される。
a)第2パッシベーション層303を誘電体層302に向けて選択的にエッチングすることによって、ゲートトレンチをパターニングするステップと、
b)メタルゲート層を堆積及びパターニングすることによって、少なくともゲートトレンチにおいてゲート電極601を形成するステップと
を更に備える。
a)基板101と、
b)基板上で各層がIII族窒化物材料からなる層のスタック(I)(「III族窒化物層のスタック」とも呼ぶ)と、
c)窒化シリコンからなり、III族窒化物層のスタックの上方層に対して上に位置すると共に当接する第1パッシベーション層301と、
d)高k誘電体材料からなり、第1パッシベーション層301に対して上に位置すると共に当接する誘電体層302と、
e)窒化シリコンからなり、誘電体層に対して上に位置すると共に当接する第2パッシベーション層303と
を備える工学基板を開示する。
a)基板101と、
b)基板上で各層がIII族窒化物材料からなる層のスタック(I)(「III族窒化物層のスタック」とも呼ぶ)と、
c)ソースドレイン接点の下を除く活性領域の全てにおいて、スタックの上方層203、204に対して上に位置すると共に当接し、更に、窒化シリコンからなる第1パッシベーション層301と、
d)ソースドレイン接点の下を除く活性領域の全てにおいて、第1パッシベーション層301に対して上に位置すると共に当接し、更に、高k誘電体材料からなる誘電体層302、302’と、
e)ゲート電極の下とソースドレイン接点の下を除く活性領域の全てにおいて、誘電体層に対して上に位置すると共に当接し、更に、LPCVD窒化シリコンからなる第2パッシベーション層303と
を更に備えるIII族窒化物HEMTを開示する。
a)AlN核形成層と、それに後続する2.5μm厚さのAlGaNバッファ層、150nm厚さのGaNチャネル層と10nm厚さの35%AlGaNバリア層からなるシリコン(111)基板の頂部に成長するように、AlGaN/GaNエピ層スタックを形成するステップと、
b)120nmの現場窒化シリコンパッシベーションを形成するステップと、
c)コンタクトリソグラフィ、SF6プラズマを用いた120nm現場窒化物の乾式エッチング、Ti/Al/Mo/Auメタルスタックの堆積、リフトオフと合金、好ましくは、合金形成でオーミック領域を画定することによって、オーミック接触を形成するステップと、
d)素子分離のステップと、
e)コンタクトリソグラフィを用いたゲートトレンチエッチングと、後続のSF6プラズマを用いた120nm現場窒化物の乾式エッチングのステップと、
f)HCl/TMAH溶液内のウエハクリーニングと、その直後の10nmのAl2O3膜の堆積及び700℃ポスト堆積アニールのステップと、
g)コンタクトリソグラフィを用いたゲートメタル堆積と、Mo/Auメタルスタックの堆積及びリフトオフのステップと
を備える。
a)AlN核形成層と、それに後続する2.5μm厚さのAlGaNバッファ層、150nm厚さのGaNチャネル層と10nm厚さの25%AlGaNバリア層からなるシリコン(111)基板の頂部に成長するように、AlGaN/GaNエピ層を形成するステップと、
b)5nmの現場窒化シリコンパッシベーションを形成するステップと、
c)HCl/TMAH溶液内のウエハクリーニングと、その直後の10nmのAl2O3膜の堆積及び700℃ポスト堆積アニールのステップと、
d)120nmのLPCVD窒化物の800℃における堆積のステップと、
e)コンタクトリソグラフィ、SF6プラズマを用いた120nmLPCVD窒化物の乾式エッチング、稀釈BHF(緩衝HF)内のAl2O3・ALD膜の湿式エッチングと、SF6プラズマを用いた5nm現場窒化物の乾式エッチング及び後続のTi/Al/Mo/Auメタルスタックの堆積、リフトオフと合金でオーミック領域を画定することによって、オーミック接触を形成するステップと、
f)素子分離のステップと、
g)コンタクトリソグラフィを用いたゲートトレンチエッチングと、後続のSF6プラズマを用いた120nmLPCVD窒化物の乾式エッチングのステップと、
h)コンタクトリソグラフィを用いたゲートメタル堆積と、Mo/Auメタルスタックの堆積及びリフトオフのステップと
を備える。
a)AlN核形成層と、それに後続する2.5μm厚さのAlGaNバッファ層、150nm厚さのGaNチャネル層と10nm厚さの25%AlGaNバリア層からなるシリコン(111)基板の頂部に成長するように、AlGaN/GaNエピ層スタックを形成するステップと、
b)120nmの現場窒化シリコンパッシベーションを形成するステップと、
c)ステッパーリソグラフィ及びSF6プラズマを用いた120nm現場窒化物の乾式エッチング、Ti/Al/Wメタルスタックの堆積、ステッパーリソグラフィ、乾式メタルエッチングと600℃における合金でオーミック領域を画定することによって、オーミック接触を形成するステップと、
d)PECVD窒化物堆積、ステッパーリソグラフィと現場窒化物に向けたPECVD窒化物の選択的エッチングで、オーミック領域の頂部に誘電体キャップを形成するステップと、
e)素子分離のステップと、
f)ステッパーリソグラフィを用いたゲートトレンチエッチングと、後続のSF6プラズマを用いた120nm現場窒化物の乾式エッチングのステップと、
g)HCl/TMAH溶液内のウエハクリーニングと、その直後の15nmのAl2O3膜の堆積及び600℃ポスト堆積アニールのステップと、
h)W/Ti/Al堆積によるゲートメタル形成、後続のステッパーリソグラフィっと乾式メタルエッチングのステップと
を備える。
a)AlN核形成層と、それに後続する2.5μm厚さのAlGaNバッファ層、150nm厚さのGaNチャネル層と10nm厚さの25%AlGaNバリア層からなるシリコン(111)基板の頂部に成長するように、AlGaN/GaNエピ層を形成するステップと、
b)10nmの現場窒化シリコンパッシベーションを形成するステップと、
c)HCl/TMAH溶液内のウエハクリーニングと、その直後の5nmのAl2O3膜の堆積及び700℃ポスト堆積アニールのステップと、
d)120nmのLPCVD窒化物の800℃における堆積のステップと、
e)ステッパーリソグラフィ、SF6プラズマを用いた120nmLPCVD窒化物の乾式エッチング、1%HF内のAl2O3・ALD膜の湿式エッチングとSF6プラズマを用いた5nm現場窒化物の乾式エッチングでオーミック領域を画定することによって、オーミック接触を形成するステップと、
f)PECVD窒化物堆積、ステッパーリソグラフィとLPCVD窒化物に向けたPECVD窒化物の選択的エッチングで、オーミック領域の頂部に誘電体キャップを形成するステップと、
g)素子分離のステップと、
h)コンタクトリソグラフィを用いたゲートトレンチエッチングと、後続のSF6プラズマを用いた120nmLPCVD窒化物の乾式エッチングのステップと
を備える。
201 バッファ層
202 チャネル層
203 バリア層
301 第1パッシベーション層
302 誘電体層
303 第2パッシベーション層
401 メタル層
501 誘電体キャップ層
601 ゲート電極
Claims (21)
- ゲート電極とソースドレイン・オーミック接触を有するIII族窒化物HEMTを製造する方法において、
a)基板(101)を提供するステップと、
b)III族窒化物層のスタック(I)を基板(101)上に形成するステップと、
c)窒化シリコン、好ましくは、Si3N4からなり、スタック(I)の上方層(203、204)に対して上に位置すると共に当接する第1パッシベーション層(301)を形成するステップと、
d)第1パッシベーション層(301)に対して上に位置すると共に当接する誘電体層(302)を形成するステップと、
e)窒化シリコン、好ましくは、Si3N4からなり、誘電体層(302)に対して上に位置すると共に当接する第2パッシベーション層(303)を形成し、第2パッシベーション層(303)が、低圧化学気相成長法及び/又は有機金属化学気相成長法等の化学気相成長法によって450℃より高い温度で堆積されるステップと、
f)第1パッシベーション層(301)と誘電体層(302)の少なくとも一部を含むゲート誘電体が形成されるように、ソースドレイン・オーミック接触とゲート電極(601)を形成するステップと
を備える方法。 - 第1パッシベーション層(301)が、現場でスタック(I)に堆積される請求項1に記載の方法。
- ステップc)、d)とe)が、現場で有機金属化学気相成長法によって行われる請求項1又は2に記載の方法。
- ソースドレイン・オーミック接触を形成することが、
第2パッシベーション層(303)、誘電体層(302)と第1パッシベーション層(301)を選択的にエッチングすることによって、ソースドレイン・オーミック接触領域をパターニングするステップと、
メタル層(401)を堆積及びパターニングすると共に、オーミック合金を形成することによって、オーミック接触を形成するステップと
を更に備える請求項1乃至3のいずれかに記載の方法。 - メタル層をパターニングすることが、メタル層の乾式エッチングプロセスを備え、メタル層の乾式エッチングプロセスが、第2パッシベーション層を部分的に消費する請求項4に記載の方法。
- ゲート電極を形成することが、
第2パッシベーション層(303)を誘電体層に向けて選択的にエッチングすることによって、ゲートトレンチをパターニングするステップと、
メタルゲート層を堆積及びパターニングすることによって、少なくともゲートトレンチにおいてゲート電極(601)を形成するステップと
を更に備える請求項1乃至5のいずれかに記載の方法。 - メタルゲート層をパターニングすることが、メタルゲート層の乾式エッチングプロセスを備え、メタルゲート層の乾式エッチングプロセスが、第2パッシベーション層(303)を部分的に消費する請求項6に記載の方法。
- ゲートトレンチを形成することが、誘電体層を少なくとも部分的にエッチングするステップと、ゲート電極を形成する前に第2誘電体層を再堆積するステップとを更に備える請求項6又は7に記載の方法。
- ソースドレイン・オーミック接触とゲート電極のどちらが最初に形成されるかに応じて、誘電体キャップ層(501)をソースドレイン・オーミック接触又はゲート電極に形成して、後のメタル層の堆積又はメタルゲート層の堆積中の、夫々の、ソースドレイン・オーミック接触又はゲート電極を保護するステップを更に備える請求項1乃至8のいずれかに記載の方法。
- 誘電体層(302)が、Al、好ましくは、Al2O3及び/又はAlNからなる請求項1乃至9のいずれかに記載の方法。
- 第1パッシベーション層(301)が、少なくとも0.5nmの厚さを有する請求項1乃至10のいずれかに記載の方法。
- 第2パッシベーション層(303)が、少なくとも50nmの厚さを有する請求項1乃至11のいずれかに記載の方法。
- III族窒化物HEMT装置を製作用の工学基板において、
a)基板(101)と、
b)基板(101)上のIII族窒化物層のスタック(I)と、
c)窒化シリコン、好ましくは、Si3N4からなり、III族窒化物層のスタック(I)の上方層(203、204)に対して上に位置すると共に当接する第1パッシベーション層(301)と、
d)高k誘電体材料からなり、第1パッシベーション層(301)に対して上に位置すると共に当接する誘電体層(302)と、
e)窒化シリコン、好ましくは、Si3N4からなり、誘電体層(302)に対して上に位置すると共に当接する第2パッシベーション層(303)と
を備える工学基板。 - 窒化シリコンが、低圧化学気相成長法及び/又は有機金属化学気相成長法等の化学気相成長法によって450℃より高い温度で堆積される請求項13に記載の工作基板。
- 請求項1乃至12のいずれかに記載の方法で得られて、基板の活性領域上に形成されると共に、ゲート電極とソースドレイン接点を備えるIII族窒化物HEMT装置において、
a)基板(101)と、
b)基板(101)上のIII族窒化物層のスタック(I)と、
c)ソースドレイン接点の下を除く活性領域の全てにおいて、スタック(I)の上方層に対して上に位置すると共に当接し、更に、窒化シリコン、好ましくは、Si3N4からなる第1パッシベーション層(301)と、
d)ソースドレイン接点の下を除く活性領域の全てにおいて、第1パッシベーション層(301)に対して上に位置すると共に当接し、更に、高k誘電体材料からなる誘電体層(302、302’)と、
e)ゲート電極の少なくとも一部の下とソースドレイン接点の下を除く活性領域の全てにおいて、誘電体層に対して上に位置すると共に当接し、更に、窒化シリコン、好ましくは、Si3N4からなる第2パッシベーション層(303)と
を更に備えるIII族窒化物HEMT装置。 - 窒化シリコンが、低圧化学気相成長法及び/又は有機金属化学気相成長法等の化学気相成長法によって450℃より高い温度で堆積される請求項15に記載のIII族窒化物HEMT装置。
- 第2パッシベーション層の窒化シリコンが、3−8%の水素を含有すると共に、約2.9−3.1g/cm3の密度を有する請求項15又は16に記載のIII族窒化物HEMT装置。
- 誘電体層が、複数の層を備える請求項15乃至17のいずれかに記載のIII族窒化物HEMT装置。
- 誘電体層が、Al、好ましくは、Al2O3及び/又はAlNからなる請求項15乃至18のいずれかに記載のIII族窒化物HEMT装置。
- 第1パッシベーション層が、少なくとも0.5nmの厚さを有する請求項15乃至19のいずれかに記載のIII族窒化物HEMT装置。
- 第2パッシベーション層が、少なくとも50nmの厚さを有する請求項15乃至20のいずれかに記載のIII族窒化物HEMT装置。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201161498951P | 2011-06-20 | 2011-06-20 | |
US61/498,951 | 2011-06-20 | ||
US201161526107P | 2011-08-22 | 2011-08-22 | |
US61/526,107 | 2011-08-22 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013012735A true JP2013012735A (ja) | 2013-01-17 |
JP2013012735A5 JP2013012735A5 (ja) | 2015-05-28 |
JP6054070B2 JP6054070B2 (ja) | 2016-12-27 |
Family
ID=46419896
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012138007A Active JP6054070B2 (ja) | 2011-06-20 | 2012-06-19 | Hemt装置を製造するcmosコンパチブルな方法とそのhemt装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US9070758B2 (ja) |
EP (1) | EP2541605A1 (ja) |
JP (1) | JP6054070B2 (ja) |
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US20120319169A1 (en) | 2012-12-20 |
US9252258B2 (en) | 2016-02-02 |
US20150295076A1 (en) | 2015-10-15 |
JP6054070B2 (ja) | 2016-12-27 |
EP2541605A1 (en) | 2013-01-02 |
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