JP2017017173A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】第1の窒化物半導体の電子走行層1及び第2の窒化物半導体の電子供給層2を備える半導体基板と、半導体基板上に酸素を含む金属膜5と、酸素を含む金属膜5上に直接に接するタングステン、モリブデン、又はこれらのいずれかの化合物の中から少なくとも1つ選択された金属膜を含むゲート電極6と、を備える。
【選択図】図1
Description
本発明の半導体装置は、第1の窒化物半導体の電子走行層および第2の窒化物半導体の電子供給層を備える半導体基板と、半導体基板上に酸素を含む金属膜と、酸素を含む金属膜上に直接に接するタングステン、モリブデン、又はこれらのいずれかの化合物の中から少なくとも1つ選択された金属膜と、を含むゲート構造と、を備える。
また、本発明の別の半導体装置は、窒化物半導体の半導体基板と、半導体基板の表面に形成された絶縁膜およびゲート電極と、を備える高電子移動度トランジスタにおいて、 ゲート電極は、絶縁膜に形成された開口内に配置された第1の部分と、絶縁膜の表面に配置された第2の部分とを有し、絶縁膜の開口側の表面は、酸素を含む金属膜を介してタングステン、モリブデン、又はこれらのいずれかの化合物からなるゲート電極により被覆されていることを特徴とする。
本実施形態の半導体装置(半導体素子)では、第1の窒化物半導体材料(例えばGaN)からなる電子走行層1上に、第1の窒化物半導体材料とは異なる格子定数を有する第2の窒化物半導体材料(例えばAlGaN)からなる電子供給層2と、第2の窒化物半導体材料とは格子定数の異なる第3の窒化物半導体材料(例えばGaN)からなるキャップ層3が順次積層されている。本願明細書では、便宜上、この電子走行層1と電子供給層2とキャップ層3とを合わせて半導体基板と総称する。
酸素を含む金属膜5の第1の部分は、その厚みが150〜300nmであり、図示のように、その中央側はリセス部の底面と側面に形成されており、その外周側はゲート開口を構成する酸化膜4の側面を被覆している。
すなわち、酸素を含む金属膜5の第1の部分は、リセス部の底面に露出した電子供給層2の表面と、リセス部の側面に露出した電子供給層2の表面とキャップ層3の表面、リセス部の外側に露出した半導体基板の表面、およびゲート開口の側面(酸化膜4の側面)を被覆している。
ゲート電極6の第1の部分は、タングステンからなる金属膜が酸素を含む金属膜5に直接接触している。タングステンからなる金属膜は酸素を含む金属膜5よりも薄く形成されており、その厚みは50−150nmである。タングステンからなる金属膜上には、タングステンからなる金属膜よりも厚く形成されたTiNからなる金属膜が形成されている。ゲート電極6は、タングステンからなる金属膜とTiNからなる金属膜の積層体で構成される。
図示のように、ゲート電極6の中央側はリセス部の底面と側面に形成されており、その外周側はゲート開口を構成する酸化膜4の側面を被覆している。すなわち、ゲート電極6の第1の部分は、リセス部の底面に露出した電子供給層2の表面と、リセス部の側面に露出した電子供給層2の表面とキャップ層3の表面、リセス部の外側に露出した半導体基板の表面、およびゲート開口の側面(酸化膜4の側面)に酸素を含む金属膜5を介して被覆している。
特に、タングステンの線膨張係数は4.2×10-6[m/m・K]はGaNの線膨張係数と近い。窒化物系化合物半導体と比較的線膨張係数の近いタングステン膜との間に酸素を含む金属膜5を直接挟むことによって、酸素を含む金属膜5に亀裂が生じることを抑制し、信頼性の高い半導体装置を提供することができる。
また、窒化物半導体を用いたHEMTは、電子供給層2を構成する窒化物半導体と電子走行層1を構成する窒化物半導体のピエゾ分極と、電子走行層1及び電子供給層2を構成する窒化物半導体の自発分極とによって、電子供給層2と電子走行層1との界面近傍に2次元電子ガスを生じさせる。ゲート電極としてタングステンの金属膜を設けることによって、ゲート下及びその近傍における電子供給層2へ働く力を抑制することができる。その結果、環境温度が変化した際に、ゲート下及びその近傍における2次元電子ガスの変化を抑制することができる。
2、電子供給層
3、GaNキャップ層
4、酸化膜
5、酸素を含む金属膜
6、ゲート電極
Claims (4)
- 第1の窒化物半導体の電子走行層および第2の窒化物半導体の電子供給層を備える半導体基板と
前記半導体基板上に酸素を含む金属膜と、
前記酸素を含む金属膜上に直接に接するタングステン、モリブデン、又はこれらのいずれかの化合物の中から少なくとも1つ選択された金属膜と、を含むゲート構造と、
を備える半導体装置。 - 窒化物半導体の半導体基板と、
該半導体基板の表面に形成された絶縁膜およびゲート電極と、を備える高電子移動度トランジスタにおいて、
前記ゲート電極は、前記絶縁膜に形成された開口内に配置された第1の部分と、前記絶縁膜の表面に配置された第2の部分とを有し、
前記絶縁膜の前記開口側の表面は、酸素を含む金属膜を介してタングステン、モリブデン、又はこれらのいずれかの化合物からなる前記ゲート電極により被覆されていることを特徴とする半導体装置。 - 前記酸素を含む金属膜はNiOX膜であることを特徴とする請求項1又は2の半導体装置。
- 前記ゲート電極はタングステン、モリブデン、又はこれらのいずれかの化合物からなる膜の上にTiN膜を備えることを特徴とする請求項1〜3何れか1項に記載の半導体装置。
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