JP2012525502A5 - - Google Patents
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- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 claims description 39
- 239000011244 liquid electrolyte Substances 0.000 claims description 24
- 239000011343 solid material Substances 0.000 claims description 23
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 22
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 13
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 10
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 8
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims description 8
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 6
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 6
- 238000005363 electrowinning Methods 0.000 claims description 5
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 5
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 claims description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 3
- -1 oxygen anions Chemical class 0.000 claims description 3
- 239000012265 solid product Substances 0.000 claims 16
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims 9
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 claims 5
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims 3
- 229910001512 metal fluoride Inorganic materials 0.000 claims 3
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims 3
- 238000003756 stirring Methods 0.000 claims 3
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N al2o3 Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 claims 2
- 210000001787 Dendrites Anatomy 0.000 claims 1
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N Neodymium Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052777 Praseodymium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910001618 alkaline earth metal fluoride Inorganic materials 0.000 claims 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims 1
- 150000001639 boron compounds Chemical class 0.000 claims 1
- 230000005587 bubbling Effects 0.000 claims 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims 1
- 229910001507 metal halide Inorganic materials 0.000 claims 1
- 150000005309 metal halides Chemical class 0.000 claims 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010955 niobium Substances 0.000 claims 1
- PUDIUYLPXJFUGB-UHFFFAOYSA-N praseodymium Chemical compound [Pr] PUDIUYLPXJFUGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000000047 product Substances 0.000 claims 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims 1
- 241000894007 species Species 0.000 description 3
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N oxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
Description
図1を参照する。例示的な一態様で、ターゲット元素材料であるシリコンを、原料化合物である二酸化シリコンから直接的に製造するために構成された電解採取システム10が、アノード20、カソード30、及び原料化合物が溶解している介在する液体電解質40を含む。アノード20は、イオン伝導性の膜45によって電解質40から分離されている。電解質40は、蓋部62によって覆われた容器60によって収容されている。外部回路65は、システム10の操作の際に、電子をアノード20から受容して電子をカソード30へ運搬するように構成されている。電解質40並びに電極20及び30は、シリコンの融点(1414℃)未満の操作温度、例えば約900℃〜1300℃に維持されていてよい。
外部回路65は、カソード30とアノード20との間にDC電圧を付与し、それにより、電解質40中の二酸化シリコンの電解を誘導するように操作される。酸素アニオンは、膜45を通ってアノード20へと拡散し、そこで気体酸素が形成され、電子が放出され、当該電子は外部回路65へと移動する。気体酸素は、チューブの開いた端部74を通って容器60を出て行く。同時に、電子は、カソード30へと、そして当該カソード30を通って電解質40との界面へと運搬される。図2を参照すると、電解質40中の種がそれにより還元されて、固体材料92、つまりシリコンを含む生成物が、カソード30の表面33にわたって、移動する生成物−電解質界面93の後ろに堆積している。堆積した固体材料92はその後、カソード30の一部として機能する。
生成回路265が開いている場合には、予備回路275は、電子を予備カソード250へ提供して電子をアノード220から抽出するように操作され、それにより、電解質240中の1つ以上の化合物、例えば構成成分酸化物が電気分解される。化合物が含有している不純物元素材料が、予備カソード250上に堆積する(ステップ302)。同時に、電解質240からの種がアノード220で酸化される。図10を参照すると、電解質240中の、不純物を含有する種が予備カソード250で還元されると、固体材料282が、表面253にわたって、前進するカソード/電解質界面283の後ろに得られ、その後、予備カソード250の一部として機能する。
生成回路265は、電子をアノード220から抽出し、電子を生成カソード230に供給するよう操作され、それにより、電解質240中の原料化合物が電気分解される。ターゲット元素材料が、生成カソード230上に堆積する(ステップ304)。図11を参照すると、固体材料292、つまりターゲット元素材料を含む生成物が、生成カソード230の表面233にわたり、前進するカソード/電解質界面293の後ろに得られ、その後、生成カソード230の一部として機能する。固体材料292は、ターゲット元素材料を所望の高い純度で含む。例示的には、ターゲット元素材料は、固体材料292の少なくとも99重量%、99.9重量%、99.99重量%、99.999重量%又は99.9999重量%を成す。ターゲット元素材料の堆積は、例えば、蓄積された固体材料292が十分な質量となるまで、ターゲット元素材料より電気陰性の小さい不純物が生成カソード230上に、許容できない速度で共堆積し始めるまで、又は電解質240が原料化合物を望ましくない低い濃度で含むまで、続けることができる。
Claims (41)
- 化合物から元素材料を電解採取する方法であって、
前記化合物が溶解している液体電解質を提供し、
前記電解質と電気的に接触する第1のカソードを提供し、
前記電解質と電気的に接触するアノード電解質を提供し、
電子を前記アノードから抽出して電子を前記第1のカソードに供給し、それにより、前記電解質からの不純物を含む固体材料を前記第1のカソード上へ堆積させ、それにより、前記不純物の前記電解質を消費させ、
前記電解質と電気的に接触する第2のカソードを提供し、
電子を前記アノードから抽出して電子を前記第2のカソードへ供給し、それにより、少なくとも99%が前記元素材料である固体生成物を、前記消費された電解質から前記第2のカソード上へ堆積させることを含む、方法。 - 前記固体生成物を前記第2のカソード上へ堆積する際に、前記アノードと前記電解質との間に介在した膜が、アニオンを前記電解質から前記アノードへ運び、
さらに、電子を前記第2のカソードから抽出して電子を前記液体電解質と接触している対向カソードに提供する際に、前記アノードを電気的に隔離することを含み、それにより、前記堆積させた固体生成物の一部を前記第2のカソードから電気溶解し、前記元素材料を含む固体材料が対向カソード上にめっきすることを含む、請求項1に記載の方法。 - 前記固体生成物が前記第2のカソード上へ堆積する前に、前記第1のカソード上への堆積を停止し、
物質が前記第1のカソードから溶解又は前記第1のカソード上に堆積しないように、前記第1のカソードと前記アノードとの間で電位を加えることをさらに含む、請求項1に記載の方法。 - 前記固体生成物を前記第2のカソード上に堆積させる前に、前記第1のカソードを前記電解質から取り除くことをさらに含む、請求項1に記載の方法。
- 前記元素材料が、ニオブ、銅、タンタル、ネオジム及びプラセオジムのうちの1つである、請求項1に記載の方法。
- 前記元素材料がシリコンである、請求項1に記載の方法。
- 不純物を含む前記固体材料が、前記第1のカソード上に、所定の組成を有する表面にわたり堆積され、
前記固体生成物が、前記第2のカソード上に、所定の組成を有する表面にわたり堆積され、
前記第2のカソードの前記表面の前記組成が、前記第1のカソードの表面の前記組成と異なる、請求項1に記載の方法。 - 前記元素材料が、不純物を含む前記固体材料が堆積される表面で、前記第1のカソードの50%未満を構成する、請求項1に記載の方法。
- 前記第1及び第2のカソード上への各堆積の際に、前記アノードと前記電解質との間に介在する膜が、アニオンを前記電解質から前記アノードへと運ぶ、請求項1に記載の方法。
- 前記固体生成物を前記第2のカソード上に堆積させた後、
前記第2のカソード上への堆積を停止し、
前記電解質中の前記化合物の増分を溶解し、
不純物を含む固体材料の、前記第1のカソード上への堆積を再開することをさらに含む、請求項1に記載の方法。 - 二酸化シリコンからシリコンを電解採取する方法であって、
少なくとも2つの金属フッ化物の液体電解質を提供し、当該金属フッ化物が、前記液体電解質、二酸化シリコン及びアルミニウム酸化物の少なくとも60重量%を構成し、
カソードを前記液体電解質中に配置し、
酸素アニオンを誘導可能な膜によって前記液体電解質から分離したアノードを提供し、
電子を前記アノードから抽出して電子を前記カソードへ供給し、それにより、固体材料を前記電解質から前記カソード上へ堆積させ、シリコンが前記固体材料の50重量%を超える量を成す、方法。 - 二酸化シリコンが、前記液体電解質の5重量%〜15%を構成する、請求項11に記載の方法。
- アルミニウム酸化物が、前記液体電解質の10重量%を超える量を成す、請求項11に記載の方法。
- 前記カソードが予備カソードであり、前記固体材料が、シリコンより電気陰性の大きい不純物を含み、
前記予備カソード上への堆積を停止し、
生成カソードを前記液体電解質内に配置し、
電子を前記アノードから抽出して電子を前記生成カソードへ供給し、それにより、前記生成カソード上に前記固体生成物を形成し、シリコンが、前記固体生成物の少なくとも99.999重量%を成すことをさらに含む、請求項11に記載の方法。 - 前記液体電解質が構成成分酸化物を含み、前記固体材料の前記電解質からの前記予備カソード上への堆積において、前記構成成分酸化物の約1%までが電気分解される、請求項14に記載の方法。
- 前記固体材料が、前記予備カソード上に50%以下のシリコンの組成を有する表面にわたり堆積され、前記固体生成物が、前記生成カソード上に、前記予備カソードの前記表面の前記組成とは異なる組成を有する表面にわたり堆積されている、請求項14に記載の方法。
- 不活性気体を前記電解質に通過させ、ホウ素化合物が、前記不活性気体により前記電解質を出て行き、ホウ素が、前記固体材料の0.001重量%未満を成すことをさらに含む、請求項11に記載の方法。
- 前記膜が、前記電解質から前記アノードへイオンを運び、
電子を前記カソードから抽出して電子を前記液体電解質と接触している対向カソードに供給する間、前記アノードを電気的に隔離し、それにより、前記堆積させた固体材料の一部を前記カソードから電気溶解し、シリコンを前記対向カソード上にめっきすることをさらに含む、請求項11に記載の方法。 - 化合物から元素材料を電解採取する方法であって、
前記化合物が溶解している液体電解質を提供し、
前記液体電解質と接触するカソードを提供し、
イオンを前記電解質から誘導する膜によって前記液体電解質から隔離されているアノードを提供し、
堆積−溶解サイクルを実施することを含み、当該堆積−溶解サイクルが、
第1のインターバルの際に、電子を前記アノードから抽出して電子を前記カソードへ供給し、それにより、固体生成物を堆積させ、前記元素材料が、前記カソード上に堆積させた前記固体生成物の少なくとも99%を構成し、
第2のインターバルの際、電子を前記カソードから抽出して電子を前記液体電解質と接触している対向カソードへ供給する際に、前記アノードを電気的に隔離しており、それにより、前記堆積させた固体生成物の一部を前記カソードから電気溶解し、前記元素材料を前記対向カソード上に含む固体材料をめっきすることを含む、方法。 - 前記第2のインターバルの際に、樹状突起が、前記カソード上に堆積させた前記固体生成物から除去される、請求項19に記載の方法。
- 前記対向カソードが、前記カソードと前記膜との間に介在している、請求項19に記載の方法。
- 追加的な堆積−溶解サイクルを実施することをさらに含む、請求項19に記載の方法。
- 前記追加的な堆積−溶解サイクルを実施する前に、前記対向カソードを、前記液体電解質との接触から取り除くことをさらに含む、請求項19に記載の方法。
- 前記堆積−溶解サイクルが、前記第2のインターバル後、前記カソードと前記対向カソードとの間に印加された前記電位差の前記極性を逆にし、それにより、めっきされた固体材料を前記対向カソードから電気溶解することをさらに含む、請求項19に記載の方法。
- 前記第1のインターバルの長さが、前記第2のインターバルの長さの2〜200倍である、請求項19に記載の方法。
- 化合物から元素材料を電解採取する方法であって、
前記化合物が溶解している液体電解質を提供し、
軸線及び電解質と電気的に接触している表面を有するアノードを提供し、
複数のカソードを前記アノードの周りに、等しい角度間隔で且つそれぞれ前記アノードから等しい距離で配置し、この場合、
前記カソードが、各軸線及び電解質と電気的に接触している各表面を有し、
前記カソードの前記表面の前記各面積の合計が、前記アノードの前記表面の前記面積の少なくとも4倍であり、
前記アノード及びカソードがゾーンを画定しており、
前記液体電解質を前記各カソードの周りで同時に撹拌し、同時に電子を前記アノードから抽出して電子を前記カソードに提供し、それにより、前記元素材料を含む固体材料を各カソードの前記表面上に堆積させることを含む、方法。 - 前記液体電解質を撹拌することが、前記カソードを、その各軸線の周りで回転させることによって達成される、請求項26に記載の方法。
- 前記カソードが、それらの各軸線の周りを同時に毎秒1〜20回転する、請求項27に記載の方法。
- 前記液体電解質を撹拌することが、前記カソードの周りで不活性気体を発泡させることによって達成される、請求項26に記載の方法。
- 前記アノードと前記カソードとの間に複数の対向カソードを堆積し、前記対向カソードが、前記アノードの周りに等しい角度間隔で且つ前記アノードからのそれぞれ等しい距離で配置されており、
前記固体材料を前記カソード上に堆積させた後、電子を前記カソードから抽出して電子を前記対向カソードに供給する際に、前記アノードを電気的に隔離し、それにより、堆積させた物質を前記カソードから電気溶解させることをさらに含む、請求項26に記載の方法。 - 前記液体電解質を撹拌することが、前記アノードの前記軸線に平行なDC磁界によって達成される、請求項26に記載の方法。
- 前記元素材料が、第2のカソード上に堆積させた前記固体生成物の少なくとも99.99%を構成する、請求項1に記載の方法。
- 前記電解質が、導電性の容器内に収容されており、前記第2のカソード上への堆積の際に、前記アノードと前記容器との間に電位を付与することをさらに含む、請求項1に記載の方法。
- 前記金属フッ化物が、フッ化アルカリ土類金属である、請求項11に記載の方法。
- 前記電解質が、前記液体電解質及び二酸化シリコンの少なくとも60重量%を構成する少なくとも2つの金属ハロゲン化物を含み、前記アノードが、前記電解質から、酸素アニオンを誘導することができる膜によって隔離されている、請求項6に記載の方法。
- 電子を前記アノードから抽出して電子を前記第1のカソードに提供することが、外部回路内において前記アノード及び前記第1のカソードを接続するDC定電流源によって達成される、請求項1に記載の方法。
- 電子を前記第1のカソードに供給すると共に電子を前記アノードから抽出することが、外部回路における前記アノード及び前記第1のカソードを接続するDC定電圧源によって達成される、請求項1に記載の方法。
- 前記電解質に溶解している前記化合物の少なくとも約90%が、固体生成物を前記生成物カソード上に堆積させる際に電気分解される、請求項32に記載の方法。
- 前記第1のカソードでの、その上での堆積の際の第1の電流密度が、前記第2のカソードでの、その上での堆積の際の第2の電流密度の25%以下である、請求項1に記載の方法。
- 前記第1のカソードが、スパイン及び当該スパインから前記液体電解質内へ延びる羽根を有する、請求項1に記載の方法。
- 前記固体生成物がエピタキシャル堆積物を形成する、請求項32に記載の方法。
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US17439509P | 2009-04-30 | 2009-04-30 | |
US61/174,395 | 2009-04-30 | ||
US12/764,637 | 2010-04-21 | ||
US12/764,637 US8460535B2 (en) | 2009-04-30 | 2010-04-21 | Primary production of elements |
PCT/US2010/001263 WO2010126597A1 (en) | 2009-04-30 | 2010-04-29 | Primary production of elements |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012525502A JP2012525502A (ja) | 2012-10-22 |
JP2012525502A5 true JP2012525502A5 (ja) | 2015-07-02 |
JP5791083B2 JP5791083B2 (ja) | 2015-10-07 |
Family
ID=43029597
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012508481A Active JP5791083B2 (ja) | 2009-04-30 | 2010-04-29 | 元素材料の一次的な製造 |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US8460535B2 (ja) |
EP (1) | EP2425042A1 (ja) |
JP (1) | JP5791083B2 (ja) |
KR (1) | KR20120024671A (ja) |
CN (1) | CN102575364B (ja) |
CA (1) | CA2759805C (ja) |
HK (1) | HK1173197A1 (ja) |
TW (1) | TWI479051B (ja) |
WO (1) | WO2010126597A1 (ja) |
Families Citing this family (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8460535B2 (en) | 2009-04-30 | 2013-06-11 | Infinium, Inc. | Primary production of elements |
WO2012083480A1 (en) * | 2010-12-20 | 2012-06-28 | Epro Development Limited | Method and apparatus for producing pure silicon |
US9388498B2 (en) | 2011-07-22 | 2016-07-12 | The Regents Of The University Of Michigan | Electrochemical liquid-liquid-solid deposition processes for production of group IV semiconductor materials |
US9206516B2 (en) * | 2011-08-22 | 2015-12-08 | Infinium, Inc. | Liquid anodes and fuels for production of metals from their oxides by molten salt electrolysis with a solid electrolyte |
JP2014526611A (ja) | 2011-09-01 | 2014-10-06 | インフィニウム,インク. | 酸素および液体金属環境における高温で高電流の導体 |
WO2013052753A1 (en) | 2011-10-07 | 2013-04-11 | Metal Oxygen Separation Technologies, Inc. | Methods and apparatuses for efficient metals production and distillation with oxide electrolysis |
WO2013181528A1 (en) * | 2012-05-31 | 2013-12-05 | Board Of Regents, The University Of Texas System | Production of thin film solar grade silicon on metals by electrodeposition from silicon dioxide in a molten salt |
CN102691077A (zh) * | 2012-06-15 | 2012-09-26 | 徐州金石彭源稀土材料厂 | 一种从稀土中提取镨的工艺 |
WO2014004610A1 (en) * | 2012-06-27 | 2014-01-03 | Arizona Board Of Regents, A Body Corporate Of The State Of Arizona, Acting For And On Behalf Of Arizona State University | System and method for electrorefining of silicon |
WO2014085467A1 (en) * | 2012-11-28 | 2014-06-05 | Trustees Of Boston University | Method and apparatus for producing solar grade silicon using a som electrolysis process |
KR101438126B1 (ko) * | 2013-03-12 | 2014-09-04 | 한국원자력연구원 | 리튬 재순환형 금속산화물 전해환원 장치 |
WO2014165937A1 (en) * | 2013-04-12 | 2014-10-16 | Ventseatech Pty Ltd | Apparatus and method for recovery of metals from a body of fluid by electrodeposition |
WO2014201274A1 (en) * | 2013-06-12 | 2014-12-18 | Adam Clayton Powell | Improved liquid metal electrodes for gas separation |
WO2014201207A2 (en) | 2013-06-14 | 2014-12-18 | Arizona Board Of Regents, A Body Corporate Of The State Of Arizona, Acting For And On Behalf Of Arizona State University | System and method for purification of electrolytic salt |
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- 2010-04-29 EP EP10718749A patent/EP2425042A1/en not_active Withdrawn
- 2010-04-29 JP JP2012508481A patent/JP5791083B2/ja active Active
- 2010-04-29 CA CA2759805A patent/CA2759805C/en active Active
- 2010-04-29 CN CN201080030066.5A patent/CN102575364B/zh active Active
- 2010-04-29 WO PCT/US2010/001263 patent/WO2010126597A1/en active Application Filing
- 2010-04-29 KR KR1020117028462A patent/KR20120024671A/ko not_active Application Discontinuation
-
2013
- 2013-01-10 HK HK13100426.9A patent/HK1173197A1/xx unknown
- 2013-06-10 US US13/913,745 patent/US8795506B2/en active Active
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