JP2012525495A - 高圧蒸発による高速コーティングのための方法及び装置 - Google Patents
高圧蒸発による高速コーティングのための方法及び装置 Download PDFInfo
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Abstract
本発明は、高い層厚の均一性及び原料歩留まりにおいて非常に高い堆積速度を持つ真空コーティング方法、並びに斯かるコーティングを実現する装置に関するものである。
【解決手段】
古典的な真空蒸着を縮退させる、一方における層厚の均一性と他方における原料歩留まり及びコーティング速度との間の既存の矛盾を克服するために、基板は、蒸発源により供給される実質的に閉じられたコーティングチェンバの境界を形成する。このコーティングチェンバの壁及びコーティングされるべきでない全ての表面は、蒸気が凝縮することができずに上記コーティングチェンバに散乱して戻されるように、或る温度に維持されるか又は非粘着性コーティングを備える。これにより、上記コーティングチェンバ内には非常に高い蒸気圧が生成され、その結果、基板上での非常に高い凝縮速度及び層厚の均一性が得られる。該基板は、蒸気が凝縮し得る唯一の表面となるので、失われる材料の量は非常に少なく、歩留まりは極めて高くなる。蒸発源のパルス的動作の使用により、短いサイクルのコーティングを実現することができる。
【選択図】
図1
Description
Technol. A5(4),1987年7月/8月の第2239〜2245頁におけるS. Schiller, G. Beister, U. Heisig及びH.
Forsterによる文献「高速気相堆積及びコーティング処理のための大システム」には、高速電子ビーム蒸着及び高速スパッタリングに関する研究が提示されている。
Karl Josten (ed.)第9改訂版 ISBN-1o3-8348-0133-Xに従う。
a.前記コーティングチェンバは少なくとも1つの側が基板により画定され、
b.前記コーティングチェンバの全ての開口の合計断面が前記基板のコーティング表面の10%未満に対応し、
c.コーティングされるべきでない全ての表面は、これら表面上では蒸気が凝縮し得ないように設けられ、
d.前記基板上への凝縮の実効速度が10nm/sより大きい、
ことを特徴とする装置。
2.実施例1による装置において、蒸気の凝縮が防止されるべき全ての表面が、適切な温度に維持されるか、又は非粘着性コーティングを備えることを特徴とする装置。
3.実施例1又は実施例2による装置において、非粘着性コーティングが、室温において10−5Pa未満の蒸気圧を持つペルフルオロポリエーテルからなることを特徴とする装置。
4.実施例1ないし3の何れかによる装置において、非粘着性コーティングが設けられる前記表面が能動的に冷却されることを特徴とする装置。
5.実施例1ないし4の何れかによる装置において、前記コーティングチェンバ内の蒸気圧がコーティングフェーズの間において少なくとも10Paに達することを特徴とする装置。
6.実施例1ないし5の何れかによる装置において、前記コーティングチェンバ内に、金属蒸気を指向させるため、及び/又は前記基板を保護するため、及び/又は前記基板上の層厚を均一化するためにブラインド又はスクリーンが設けられることを特徴とする装置。
7.実施例1ないし6の何れかによる装置において、短いサイクルの動作が可能となるように、数秒内に、好ましくは10秒未満内に当該コーティングに必要な量の材料が蒸発されるよう前記蒸発源がパルスモードで動作されることを特徴とする装置。
8.実施例1ないし7の何れかによる装置において、前記蒸発源が、カバーを用いて開放及び閉塞され得るホット・エフュージョン・セルからなることを特徴とする装置。
9.実施例1ないし7の何れかによる装置において、前記蒸発源が追跡可能な電極を持つアーク蒸発器からなることを特徴とする装置。
10.実施例1ないし7の何れかによる装置において、前記蒸発源が、電力が制御されたレーザ又は電子ビームを用いて蒸発される詰め替え可能な材料供給体を有することを特徴とする装置。
11.高真空における金属の高速コーティングのための方法において、
a.前記コーティングが、少なくとも1つの蒸発源により供給される実質的に閉じられたコーティングチェンバ内で行われ、
b.前記コーティングチェンバは少なくとも1つの側が基板により画定され、
c.蒸気状コーティング材料が前記コーティングチェンバの壁により散乱して戻され、
d.前記コーティングチェンバ内で、10Paより大きな蒸気圧が生成され、
e.前記材料の蒸気が、前記壁を汚染することなく、実質的に前記基板上で凝縮する、
ことを特徴とする方法。
2 チェンバ壁
3 蒸発源
4 基板
5 冷却又は加熱エレメント
6 ブラインド、スクリーン
7 エフュージョンセル
8 エフュージョンセルのカバー
9 アーク
10 追跡可能な金属電極
11 追跡可能な蒸発材料
12 レーザ又は電子ビーム
米国特許第3678889号は、堆積チェンバ内に配置される蒸気反射器装置であって、支持体がコーティングされる薄いフッ素処理された樹脂膜を有すると共に、該膜を高い温度まで加熱する手段を有する蒸気反射器装置を開示している。
ドイツ国特許明細書第69730429T2号は、連続的な運動で支持材料、特には金属ストライプをコーティングするために使用される方法を示している。これは、金属蒸気の助けにより行われ、該金属蒸気は上記支持材料の表面の金属層を形成すると共に、該支持材料に腐食に対する優れた保護を付与し、且つ、良好な深絞り及び溶接特性を付与する。
Claims (10)
- 高真空における金属の高速コーティングのための装置であって、
a.前記高真空内のコーティングチェンバであって、前記高真空に対して少なくとも1つの開口を有するコーティングチェンバと、
b.前記コーティングチェンバ内に金属蒸気粒子を放出するように配置された少なくとも1つの蒸発源と、
を有し、
c.前記コーティングチェンバが少なくとも1つの側において基板により画定されている、
装置において、
d.コーティングされるべきでない全ての表面が、非粘着性コーティングを備え、
e.前記蒸発源のスイッチオン後、前記コーティングチェンバ内に、高真空制約から開始して前記蒸発源から前記基板への前記金属蒸気粒子の粘性流が生成されるように、前記高真空に対する前記コーティングチェンバの全ての開口の合計断面が構成される、
ことを特徴とする装置。 - 請求項1に記載の装置において、前記非粘着性コーティングが、室温において10−5Pa未満の蒸気圧を持つペルフルオロポリエーテルからなることを特徴とする装置。
- 請求項1又は請求項2に記載の装置において、前記非粘着性コーティングを備える前記表面が能動的に冷却されることを特徴とする装置。
- 請求項1ないし3の何れか一項に記載の装置において、前記コーティングチェンバ内の金属蒸気圧がコーティングフェーズの間において少なくとも10Paに達することを特徴とする装置。
- 請求項1ないし4の何れか一項に記載の装置において、前記コーティングチェンバ内に、前記金属蒸気を指向させるため、及び/又は前記基板を保護するため、及び/又は前記基板上の層厚を均一化するためにブラインド又はスクリーンが設けられることを特徴とする装置。
- 請求項1ないし5の何れか一項に記載の装置において、短いサイクルの動作が可能となるように、数秒内に、好ましくは10秒未満内に当該コーティングに必要な量の材料が蒸発されるよう前記蒸発源がパルスモードで動作されることを特徴とする装置。
- 請求項1ないし6の何れか一項に記載の装置において、前記蒸発源が、カバーを用いて開放及び閉塞され得るホット・エフュージョン・セルからなることを特徴とする装置。
- 請求項1ないし6の何れか一項に記載の装置において、前記蒸発源が追跡可能な電極を持つアーク蒸発器からなることを特徴とする装置。
- 請求項1ないし6の何れか一項に記載の装置において、前記蒸発源が、電力が制御されたレーザ又は電子ビームを用いて蒸発される詰め替え可能な材料供給体を有することを特徴とする装置。
- 請求項1ないし9の何れか一項に記載の装置を用いて高真空内で金属を高速コーティングする方法。
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KR20140136594A (ko) * | 2013-05-20 | 2014-12-01 | 삼성전자주식회사 | 배기 장치 및 이를 구비하는 박막 증착 설비 |
DE102013108403B4 (de) * | 2013-08-05 | 2017-08-24 | Von Ardenne Gmbh | Durchlauf-Substratbehandlungsanlage |
DE102013108411B4 (de) * | 2013-08-05 | 2017-08-24 | Von Ardenne Gmbh | Durchlauf-Substratbehandlungsanlage |
DE102013109663A1 (de) * | 2013-09-04 | 2015-03-05 | Fhr Anlagenbau Gmbh | Bedampfungseinrichtung zum Beschichten flächenförmiger Substrate |
US9857027B2 (en) * | 2014-07-03 | 2018-01-02 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for self-regulating fluid chemical delivery |
CN104233228A (zh) * | 2014-07-18 | 2014-12-24 | 许昌学院 | 一种全自动非接触式真空镀膜方法与设备 |
EP3786311A1 (de) * | 2019-08-30 | 2021-03-03 | Theva Dünnschichttechnik GmbH | Vorrichtung, verfahren und system zur beschichtung eines substrats, insbesondere eines supraleitenden bandleiter sowie beschichteter supraleitender bandleiter |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS4815154B1 (ja) * | 1970-02-06 | 1973-05-12 | ||
JPH06172973A (ja) * | 1992-12-04 | 1994-06-21 | Toyota Motor Corp | 薄膜形成装置 |
JPH0762527A (ja) * | 1993-08-23 | 1995-03-07 | Toyota Motor Corp | レーザpvd装置 |
JPH11278996A (ja) * | 1998-03-27 | 1999-10-12 | Agency Of Ind Science & Technol | 酸化物薄膜の結晶成長方法 |
JP2001011600A (ja) * | 1999-07-01 | 2001-01-16 | Komatsu Ltd | 成膜装置及び方法 |
JP2005281773A (ja) * | 2004-03-30 | 2005-10-13 | Hiroshi Takigawa | 防着カバー、物質生成装置、及び被処理物 |
WO2006100968A1 (ja) * | 2005-03-18 | 2006-09-28 | Ulvac, Inc. | 成膜方法及び成膜装置並びに永久磁石及び永久磁石の製造方法 |
JP2008082872A (ja) * | 2006-09-27 | 2008-04-10 | Fujifilm Corp | 放射線検出器の製造方法 |
JP2008156726A (ja) * | 2006-12-25 | 2008-07-10 | Matsushita Electric Works Ltd | 真空蒸着装置 |
Family Cites Families (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
NL144992C (ja) * | 1966-11-23 | |||
US3667424A (en) * | 1969-04-14 | 1972-06-06 | Stanford Research Inst | Multi-station vacuum apparatus |
US3678889A (en) * | 1970-02-06 | 1972-07-25 | Tokyo Shibaura Electric Co | Reflector assembly for reflecting the vapors of high temperature volatile materials |
US3925146A (en) * | 1970-12-09 | 1975-12-09 | Minnesota Mining & Mfg | Method for producing epitaxial thin-film fabry-perot cavity suitable for use as a laser crystal by vacuum evaporation and product thereof |
US4022928A (en) * | 1975-05-22 | 1977-05-10 | Piwcyzk Bernhard P | Vacuum deposition methods and masking structure |
CH593347A5 (ja) * | 1976-03-03 | 1977-11-30 | Bbc Brown Boveri & Cie | |
US4351855A (en) * | 1981-02-24 | 1982-09-28 | Eduard Pinkhasov | Noncrucible method of and apparatus for the vapor deposition of material upon a substrate using voltaic arc in vacuum |
CH645137A5 (de) * | 1981-03-13 | 1984-09-14 | Balzers Hochvakuum | Verfahren und vorrichtung zum verdampfen von material unter vakuum. |
US5296274A (en) * | 1989-05-10 | 1994-03-22 | Movchan Boris A | Method of producing carbon-containing materials by electron beam vacuum evaporation of graphite and subsequent condensation |
JPH069297A (ja) * | 1991-12-09 | 1994-01-18 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 成膜装置 |
DE19610012B4 (de) * | 1996-03-14 | 2005-02-10 | Unaxis Deutschland Holding Gmbh | Verfahren zur Stabilisierung eines Arbeitspunkts beim reaktiven Zerstäuben in einer Sauerstoff enthaltenden Atmosphäre |
BE1010351A6 (fr) * | 1996-06-13 | 1998-06-02 | Centre Rech Metallurgique | Procede et dispositif pour revetir en continu un substrat en mouvement au moyen d'une vapeur metallique. |
US6011904A (en) * | 1997-06-10 | 2000-01-04 | Board Of Regents, University Of Texas | Molecular beam epitaxy effusion cell |
CN1117174C (zh) * | 2001-05-29 | 2003-08-06 | 深圳市坦达尼真空表面技术有限公司 | 有机泡沫导电化处理的真空蒸镀法及设备 |
DE10153760A1 (de) * | 2001-10-31 | 2003-05-22 | Fraunhofer Ges Forschung | Verfahren zur Herstellung einer UV-absorbierenden transparenten Abriebschutzschicht |
US20040144321A1 (en) * | 2003-01-28 | 2004-07-29 | Eastman Kodak Company | Method of designing a thermal physical vapor deposition system |
JP2005158571A (ja) * | 2003-11-27 | 2005-06-16 | Seiko Epson Corp | 有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法、有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造装置及び有機エレクトロルミネッセンスパネル |
JP4844867B2 (ja) * | 2005-11-15 | 2011-12-28 | 住友電気工業株式会社 | 真空蒸着装置の運転方法および真空蒸着装置 |
JP2007305439A (ja) * | 2006-05-12 | 2007-11-22 | Canon Inc | 有機電界発光表示装置の製造方法 |
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Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS4815154B1 (ja) * | 1970-02-06 | 1973-05-12 | ||
JPH06172973A (ja) * | 1992-12-04 | 1994-06-21 | Toyota Motor Corp | 薄膜形成装置 |
JPH0762527A (ja) * | 1993-08-23 | 1995-03-07 | Toyota Motor Corp | レーザpvd装置 |
JPH11278996A (ja) * | 1998-03-27 | 1999-10-12 | Agency Of Ind Science & Technol | 酸化物薄膜の結晶成長方法 |
JP2001011600A (ja) * | 1999-07-01 | 2001-01-16 | Komatsu Ltd | 成膜装置及び方法 |
JP2005281773A (ja) * | 2004-03-30 | 2005-10-13 | Hiroshi Takigawa | 防着カバー、物質生成装置、及び被処理物 |
WO2006100968A1 (ja) * | 2005-03-18 | 2006-09-28 | Ulvac, Inc. | 成膜方法及び成膜装置並びに永久磁石及び永久磁石の製造方法 |
JP2008082872A (ja) * | 2006-09-27 | 2008-04-10 | Fujifilm Corp | 放射線検出器の製造方法 |
JP2008156726A (ja) * | 2006-12-25 | 2008-07-10 | Matsushita Electric Works Ltd | 真空蒸着装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2010133426A1 (de) | 2010-11-25 |
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