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1. Technisches Gebiet und
Problemstellung
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Die
Erfindung umfasst ein Verfahren zur kontinuierlichen oder gepulsten
Hochratenbeschichtung von Substraten und beschreibt beispielhafte
Vorrichtungen, wie dieses Verfahren umgesetzt werden kann. Das Verfahren
stellt eine Form der Vakuumbedampfung dar, die sehr hohe Abscheideraten
bei hoher Schichtdickenhomogenität und Materialausbeute erlaubt.
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Viele
Beschichtungsmaterialien weisen eine hohe chemische Reaktivität
auf, die sie mit Atmosphärenbestandteilen wie Sauerstoff
und Wasser reagieren lässt, so dass sie nur unter geeigneten
Hochvakuumbedingungen abgeschieden werden können, um eine
zumindest partielle Oxidation zu verhindern. Zu diesen Materialien
zählen generell die Elemente der ersten drei Hauptgruppen
des Periodensystems, von denen Aluminimum und Magnesium besonders hohe
technische Bedeutung zukommt. Aber auch viele Übergangsmetalle
der Nebengruppen oder seltenen Erden weisen eine sehr hohe Affinität
zu Sauerstoff auf und haben in atomarer Form ein sehr hohes Reduktionspotenzial. Über
die reinen Elemente hinaus, gibt es zudem eine unüberschaubare
Vielzahl anorganischer und organischer chemischer Verbindungen,
die bei Kontakt mit Sauerstoff, Wasserdampf oder anderen sauerstoffhaltigen
Agenzien chemisch reagieren und verändert werden.
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Auf
Grund dieser hohen Reaktivität scheiden viele gängige
Hochraten-Beschichtungsverfahren wie die Spraypyrolyse, chemische
Gasphasenabscheidung (CVD) oder Sol-Gel Prozesse für die
Beschichtung aus. Sputtertechniken (Katodenzerstäubung)
sind zumindest für viele Metalle verfügbar, arbeiten
jedoch mit einem hochreaktiven Prozessgasplasma, in dem selbst Spuren
von Sauerstoff mit dem Beschichtungsmaterial reagieren. Aus diesem
Grund ist auch beim Sputtern nur ein geringer Restgasdruck (< 10–5 Pa)
zulässig und es müssen sehr reine Prozessgase
verwendet werden. Zudem kommt es durch das Plasma unmittelbar vor
der zu beschichtenden Oberfläche zu einem hohen Wärmeeintrag ins
Substrat, der in vielen Fällen unerwünscht ist.
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Der
extreme Hochratenbereich > 100
nm/s ist selbst bei Metallen mit Sputtern nicht zugänglich.
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Eine
hervorragende Alternative stellt deshalb in vielen Fällen
das Hochratenverdampfen im Hochvakuum dar. Dabei wird das Beschichtungsmaterial durch
Energieeintrag so stark aufgeheizt, dass es in die Dampfphase übergeht.
Gemäß dem Stand der Technik kann das Erhitzen
beispielsweise durch thermischen Kontakt mit einem beheizten Tiegel,
direkten Stromfluss, Strahlung, Induktion oder einen Elektronenstrahl
oder Lichtbogen erfolgen. Der Dampf breitet sich im Hochvakuum (< 10–3 Pa)
ballistisch aus, da es aufgrund der großen freien Weglänge kaum
zu Stoßprozessen mit dem Restgas kommt.
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Mit
dem Vakuumverdampfen können sehr hohe Abscheideraten am
Substrat erreicht werden und selbst große Flächen
lassen sich bei entsprechendem Abstand zur Quelle homogen beschichten. Bei
ballistischer Dampfausbreitung verhält sich die effektive
Beschichtungsrate R am Substrat umgekehrt proportional zum Quadrat
des Abstandes d zur Quelle, d. h. R ∝ d–2.
Die Raten- und Schichtdickenverteilung auf dem Substrat folgt damit
rein geometrischen Gesetzmäßigkeiten und wird üblicherweise durch
ein cosnφ – Gesetz beschrieben.
Bei niedrigen Raten und im Falle einer planen Substrat und Quellenfläche
ist n = 4. Bei hohen Raten befindet man sich bereits im Bereich
der Knudsenströmung und es kommt aufgrund der in den oberen
Halbraum gerichteten Geschwindigkeitsverteilung und von Stößen der
Dampfmoleküle untereinander zu einem Jeteffekt, der die
Dampfverteilung zusätzlich bündelt, so dass n > 4 beobachtet wird.
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Die
Winkelverteilung und die Forderung nach Schichtdickenhomogenität
innerhalb einer tolerierbaren Schwankungsbreite, legen den nutzbaren Winkelbereich
fest. Zusammen mit der Substratgröße folgt damit
der Mindestabstand, der zwischen Quelle und Substrat eingehalten
werden muss. Alles Material das in den nicht akzeptablen Winkelbereich hineindampft,
geht der Beschichtung verloren, reduziert die Ausbeute und stellt
eine unerwünschte Verschmutzung dar. Die Forderung nach
Homogenität läuft also der nach hoher Abscheiderate
und Materialausbeute zuwider.
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Die
Erfindung löst diesen Widerspruch dadurch, dass das verdampfte
Beschichtungsmaterial, das zunächst nicht auf die Substratoberfläche
gerichtet ist, wieder in den Beschichtungsbereich zurückgestreut
und damit die Verlustrate gering gehalten wird. Der Raum vor dem
Substrat ist so gestaltet, dass sich ein hoher Dampfdruck aufbauen
kann, so dass die mittlere freie Weglänge deutlich kleiner
wird, als die geometrischen Dimensionen des Beschichtungsraums und
intensive Streuung zur Homogenisierung der Richtungsverteilung im
Dampf führt. Für die Hochratenbeschichtung werden
typischerweise Dampfdrücke > 10 Pa und damit mittlere freie Weglängen
im Millimeterbereich angestrebt. Dies kann zumindest kurzzeitig
durch gepulstes Verdampfen einer gewünschten Materialmenge
erreicht werden.
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2. Beschreibung der Erfindung
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Beim
klassischen Hochvakuumverdampfen arbeitet man im Bereich der Molekularströmung
unterhalb 10–2 Pa, d. h. die mittlere
freie Weglänge f der Dampfmoleküle ist groß oder
vergleichbar mit der geometrischen Dimension L des Behälters
bzw. der Vakuumkammer. In diesem Bereich breitet sich der Dampf
ballistisch aus und die Dampfverteilung gehorcht rein geometrischen
Gesetzmäßigkeiten. Im darüber liegenden
Druckbereich bis ca. 1 Pa schließt sich die Knudsenströmung
an, in der die mittlere freie Weglänge f bei 0,01 L bis
0,1 L liegt. Sie stellt den Übergangsbereich dar, in dem
bereits Streuprozesse die Dynamik des Dampfes beeinflussen. Im Bereich der
Hochratenbeschichtung mit Kondensationsraten oberhalb 10–100
nm/s verlässt man den Bereich der klassischen physikalischen
Beschichtung und gelangt in den Bereich der viskosen Strömung
oberhalb 1 Pa, in dem sich der Dampf wie ein strömendes
Fluid verhält und sich durch makroskopische Zustandsgrößen
beschreiben lässt. Die Klassifizierung folgt dabei "Wutz
Handbuch Vakuumtechnik", Karl Jousten (Hrsg.) 9. überarbeitete
Auflage ISBN-10 3-8348-0133-X.
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Das
grundsätzliche, technische Problem der Hochratenbeschichtung
besteht demnach darin, eine viskose Strömung innerhalb
einer Hochvakuumumgebung bereitzustellen.
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Erfindungsgemäß wird
dies dadurch gelöst, dass die Beschichtung innerhalb einer
Art Druckkammer in der Hochvakuumkammer stattfindet. Das Volumen
innerhalb dieser Druckkammer definiert den Beschichtungsraum.
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Die
Vorrichtung zur Hochratenbedampfung im Hochvakuum umfasst einen
im wesentlichen geschlossenen Beschichtungsraum, der durch mindestens
eine Verdampferquelle mit dem Dampf eines Beschichtungsmaterials
gespeist wird. Der Beschichtungsraum wird zumindest einseitig durch
das zu beschichtende Substrat begrenzt. Um im Beschichtungsraum
einen möglichst hohen Dampfdruck von vorzugsweise > 10 Pa aufbauen zu
können, muss der Materialverlust aus diesem Raum möglichst
gering gehalten werden. Der Begriff „im wesentlichen geschlossen” bedeutet
deshalb in diesem Zusammenhang, dass der Gesamtquerschnitt aller Öffnungen
des Beschichtungsraums, durch die Dampf entweichen, kann weniger
als 10% der Beschichtungsfläche des Substrats ausmacht.
Zudem müssen alle Flächen, die nicht beschichtet
werden sollen so beschaffen sein, dass der Dampf auf ihnen nicht
kondensieren kann und in den Beschichtungsraum hinein zurückgestreut
wird.
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Diese
Anordnung ist schematisch in
1 skizziert.
Innerhalb des Beschichtungsraums oder an diesen angeflanscht, befindet
sich ein Dampferzeuger, der das Beschichtungsmaterial vom festen
oder flüssigen Zustand in die Dampfphase überführt.
Möglichkeiten zur Verdampfung sind aus dem Stand der Technik
hinlänglich bekannt, z. B. Heizung durch Strahlung, Stromfluss,
Lichtbogen, Elektronenstrahl oder elektromagnetische Wechselfelder.
Die Wände der Beschichtungskammer und alle Ein- bzw. Anbauten,
die den Dampf zurückstreuen und auf denen die Kondensation
des Dampfes verhindert werden soll, werden entweder mit einer Anti-Haftbeschichtung versehen
oder geeignet temperiert. In letzterem Fall wird die Oberfläche
auf einer Temperatur gehalten, bei der der Dampfdruck des Beschichtungsmaterials oberhalb
von dem im Beschichtungsraum liegt. Dies erscheint allerdings nur
dann praktikabel, wenn das Beschichtungsmaterial bereits bei geringer
Temperatur einen hohen Dampfdruck entwickelt. Die beheizten Wände
stellen aufgrund der geschlossenen Anordnung einen heißen
Halbraum vor dem Substrat dar, dessen Strahlung einen zusätzlichen
Wärmeeintrag auf das Substrat darstellt. Deshalb muss in
jedem Fall abgeschätzt werden, ob dieser Wärmeeintrag
tolerierbar ist oder gegebenenfalls über eine aktive Substratkühlung
abgeführt werden muss. Die zweckmäßigere
und elegantere Lösung des Problems besteht in einer Anti-Haftbeschichtung,
die auch bei niedrigen Temperaturen die Kondensation bzw. das Anhaften
des Beschichtungsmaterials verhindert. Solche Anti-Haftbeschichtungen
sind z. B. aus der
US 4,022,928 bekannt.
Dort verhindern langkettigen Perfluorpolyether (PFPE) die Kondensation diverser
Metalle auf den behandelten Oberflächen. Um eine Kontamination
der Beschichtung durch das Anti-Haftmaterial zu vermeiden, empfiehlt
sich eine Anti-Haftbeschichtung aus einem Perfluorpolyether, dessen
Dampfdruck bei Raumtemperatur unterhalb von 10
–5 Pa
liegt. Besonders bevorzugt sollte der Dampfdruck unter 10
–8 Pa liegen. Da der Dampfdruck mit
der Temperatur ansteigt, sind in einer bevorzugten Ausführungsform
alle mit dem Anti-Haftmittel beschichteten Oberflächen
aktiv gekühlt.
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In
dieser Anordnung kondensiert das Beschichtungsmaterial wunschgemäß im
wesentlichen nur noch auf der Substratoberfläche, die die
einzige Materialsenke im Beschichtungsraum darstellt, ohne die Wände
zu kontaminieren. Dadurch lässt sich eine sehr hohe Materialausbeute
und geringe Verschmutzung umliegender Teile gewährleisten.
Der Materialverlust entspricht dem Flächenverhältnis
von parasitär beschichteten Teilen und Öffnungen
zu Substratoberfläche.
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Der
dynamische Dampfdruckverlauf im Beschichtungsraum lässt
sich klassisch wie bei jeder Gasströmung durch Materialzufluss
(Quelle) und -abfluss (Kondensation auf dem Substrat) berechnen. Die
Obergrenze des Drucks im Beschichtungsraum ist gegeben durch den
Dampfdruck bei Quellentemperatur. Dieser kann problemlos im Bereich
von 10–100 Pa liegen. Die Kondensationsrate auf dem Substrat
hängt naturgemäß ebenfalls von dessen Temperatur
ab. Typischerweise ist das Substrat deutlich kälter als
die Verdampferquelle. Da die Kondensationsrate exponentiell mit
dem Temperaturabstand wächst, stellt das Substrat eine
sehr effektive Materialsenke dar und saugt das Material praktisch
wie ein Schwamm aus dem Beschichtungsraum auf. Dadurch lassen sich
auf dem Substrat sehr hohe Kondensationsraten > 10 nm/s bzw. extrem hohe Raten > 100 nm/s und extrem
kurze Prozesszeiten Bereich einiger Sekunden erzielen.
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Die
beschichteten Substrate müssen bei dieser Prozessführung
mit kurzer Taktzeit gegen neue ausgewechselt werden. Da das Substrat
den Beschichtungsraum verschießt, entweicht beim Wechsel
in kontinuierlichem Betrieb dampfförmiges Beschichtungsmaterial.
Ist die Wechselzeit kurz (< 10%)
gegenüber der Beschichtungszeit, ist der Verlust gegebenenfalls
akzeptabel. Wird ein Kurztaktbetrieb angestrebt, so empfiehlt sich
der gepulste Betrieb der Verdampferquelle. Durch gepulste Freisetzung
von Dampf lässt sich innerhalb des Beschichtungsraums zumindest
kurzzeitig ein Dampfdruckniveau > 10
Pa aufrecht erhalten, das um mehrere Größenordnungen über
dem des umgebenden Vakuums liegt und extrem hohe Dampfkondensationsraten > 100 nm/s auf dem Substrat
ermöglicht.
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Innerhalb
weniger Sekunden, bevorzugt in weniger als zehn Sekunden, wird dabei
die gesamte für die Beschichtung nötige Materialmenge
verdampft. Um die Zeitkonstanten, die durch die thermische Trägheit
des Verdampfers gegeben sind möglichst gering zu halten,
wird dabei bevorzugt nur das notwendige Beschichtungsmaterial erhitzt.
Dazu eigenen sich z. B. besonders Lichtbogenentladungen, elektromagnetische
Hochfrequenz- oder Laserpulse, oder ein modulierter Elektronenstrahl.
Das Beschichtungsmaterial muss in diesem Fall immer wieder nachgeführt
werden. Besteht die Materialquelle aus einer kontinuierlich operierenden
Effusionszelle, so kann diese durch einen Deckel periodisch geöffnet und
verschlossen werden, um einen getakteten Betrieb zu realisieren.
Allerdings müssen in diesem Falle auch ähnliche
Maßnahmen (Beheizung, Anti-Haftbeschichtung) wie bei den
Kammerwänden ergriffen werden, um eine Bedampfung des Deckels
zu verhindern.
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Obwohl
das Verfahren eine echte Hochvakuumbeschichtung darstellt, denn
der Restgasdruck im System liegt unter 10–3 Pa,
ist der Beschichtungsraum während der Beschichtungsphase
mit einer relativ dichten Dampfwolke gefüllt. Durch die
häufigen Kollisionen der Dampfmoleküle untereinander
und mit den Wänden, geht die ursprüngliche Richtungsinformation
bei Emission aus der Quelle sehr schnell verloren und es kommt zu
einer weitestgehend isotropen Richtungsverteilung im Dampf. Die
Schichtdickenvariationen über die Substratoberfläche
sind entsprechend geringer. Zudem können innerhalb des Beschichtungsraums
Blenden oder Schirme zur Führung des Dampfes und/oder zum
Schutz des Substrats und/oder zur Homogenisierung der Schichtdicke auf
dem Substrat vorgesehen werden. So kann man z. B. durch einen Schirm
verhindern, dass Material auf der direkten Sichtlinie von der Quelle
zum Substrat gelangt (vgl. 2). Sollten
beim schnellen Verdampfen aus der Quelle Spritzer oder größere
Partikel entweichen, kann dieser Schirm auch einer unerwünschten
Verschmutzung des Substrats durch diese Partikel vorbeugen oder
zur Abschirmung der thermischer Strahlung aus der Verdampferquelle
dienen. Selbstverständlich müssen für
diese Abschirmungen oder Blenden dieselben Vorkehrungen getroffen
werden, wie für alle anderen Oberflächen, die nicht
beschichtet werden sollen. Entweder müssen sie auf entsprechend
hoher Temperatur gehalten werden oder vollständig mit einer
Anti-Haftschicht überzogen und aktiv gekühlt werden.
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3. Kurze Beschreibung der Zeichnungen
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Im
Folgenden werden bevorzugte Ausführungsbeispiele der Erfindung
unter Bezugnahme auf die folgende begleitenden Figuren näher
erläutert:
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1:
Schematischer Aufbau der Anordnung zum Hochdruckverdampfen
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2:
Hochdruckverdampfer mit Abschirmblech zum Ausblenden der direkten
Sichtlinie von der Quelle zum Substrat
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3:
Hochdruckverdampfer mit angeflanschter Effusionszelle
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4:
Lichtbogenverdampfer mit Elektrodenmaterialzuführung als
Quelle im Hochdruckverdampfer
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5:
Hochdruckverdampferanordnung mit Laser- oder E-Strahl beheizter
Quelle mit Materialnachfüllung
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4. Detaillierte Beschreibung
der Zeichnungen und bevorzugter Ausführungsformen
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Im
folgenden sollen einige bevorzugte Ausführungsformen des
Hochdruckverdampfers detaillierter beschreiben werden.
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1 zeigt
eine Schemaskizze des Hochdruckverdampfers. Der Beschichtungsraum
(1) wird durch Wände (2) und zumindest
einseitig durch das zu beschichtende Substrat (4) begrenzt.
Diese Anordnung kann sich ihrerseits innerhalb einer Hochvakuumkammer
befinden, die über geeignete Pumpen auf einen angemessenen
Hintergrundsdruck < 10–3 Pa abgepumpt werden kann, so
dass sich vor der Beschichtung nur noch Spuren von Sauerstoff oder Wasserdampf
in der Kammer befinden. Innerhalb des Beschichtungsraums oder mit
diesem verbunden befindet sich mindestens eine Verdampferquelle
(3), die das Beschichtungsmaterial in die Dampfphase überführt.
Alle Flächen, die nicht beschichtet werden sollen, müssen
einen sehr geringen Haftkoeffizienten für den Dampf aufweisen.
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Für
Beschichtungsmaterialien, die bereits bei moderaten Temperaturen
einen hohen Dampfdruck entwickeln, kann die Kondensation dadurch unterbunden
werden, dass man diese Flächen so temperiert, dass der
Dampfdruck dort höher liegt, als der innerhalb des Beschichtungsraums.
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In
einem konkreten Beispiel soll Magnesium als Metall auf einem Halbleitersubstrat
als elektrisch leitfähige Kontaktierungsschicht abgeschieden
werden. Die Wände der Beschichtungskammer (2)
werden dazu mittels Heizelementen (5) auf einer Temperatur
oberhalb von 550°C gehalten, während die Temperatur
des Substrates während des Prozesses nicht über
250°C steigt. Dadurch scheidet sich der Magnesiumdampf
praktisch quantitativ auf der Substratoberfläche ab. Die
Wände werden nicht beschichtet. Ganz analog kann man beispielsweise
für viele organische Substanzen vorgehen, solange sie an
den beheizten Wänden nicht thermisch zerfallen (Pyrolyse).
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Die
meisten technisch interessanten Metalle wie Aluminium, Chrom, Kupfer
oder Edelmetalle weisen jedoch erst bei Temperaturen oberhalb 1000°C einen
Dampfdruck > 10 Pa
auf. In diesen Fällen ist das Beheizen der Wände
nicht praktikabel. Es empfiehlt sich deshalb, den Haftungskoeffizienten
durch eine Anti-Haftbeschichtung herabzusetzen. Geeignete Beschichtungen
bestehen vorzugsweise aus langkettigen PFPE-Verbindungen (Handelsname
z. B. Fomblin). Um den Dampfdruck der PFPE-Beschichtung niedrig
zu halten und die Wärmestrahlung aus der Verdampferquelle
abzuführen, werden die damit beschichteten Teile vorzugsweise
aktiv gekühlt. Bei der Wandtemperierung (5) kann
es sich also auch um Kühlelemente, z. B. wasserdurchflossenen
Leitungen handeln. Das Wandmaterial (2) sollte in diesem Fall
aus einem Material bestehen, das die Wärme gut leitet.
Bevorzugt werden Materialien mit einem Wärmeleitungskoeffizienten λ > 80 W/(m·K),
wie Aluminium, Kupfer und Legierungen dieser Metalle.
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Um
die Schichtdickenverteilung auf dem Substrat zu homogenisieren,
kann es zweckmäßig sein, im Beschichtungsraum
Blenden oder Schirme (6) anzubringen. Dies ist beispielhaft
in 2 gezeigt, in der ein Schirm die direkte Sichtlinie
von der Quelle zum Substrat ausblendet. Das Beschichtungsmaterial
kann also nur durch Streuung auf indirektem Weg zum Substrat gelangen.
Eine solche Blende kann ebenfalls die Verschmutzung des Substrats
oder Wärmeeintrag aus der Quelle verhindern. Blenden können
in beliebigen geometrischen Formen, z. B. auch als Lochbleche ausgebildet
sein. Da sie nicht beschichtet werden sollen, sind sie wie die Kammerwand
je nach Prozessführung mit einer Heizung oder mit einer
Anti-Haftschicht und einer Kühlung (nicht gezeigt) versehen.
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Da Öffnungen
des Beschichtungsraums mit dem Substrat um das Beschichtungsmaterial
konkurrieren und zu einer Verringerung der Ausbeute führen,
sollten sich die Verdampferquellen bevorzugt innerhalb des Beschichtungsraums
befinden oder unmittelbar an diesen angeschlossen sein. Um einen langfristigen
Betrieb zu gewährleisten, müssen diese Verdampfer
zudem entweder ein großes Materialvolumen aufweisen, oder
von außen beschickt werden. Im folgenden sind beispielhaft
einige bevorzugte Konfigurationen beschrieben. 3 zeigt
eine handelsübliche, beheizte Effusionszelle mit begrenztem Materialvolumen
(7), die direkt an den Beschichtungsraum angeflanscht ist.
Sie wird auf hoher Temperatur gehalten und gibt das Material mit
hohem Dampfdruck ab. Um einen gepulsten Betrieb zu realisieren,
kann die heiße Effusionszelle (7) mit einem Deckel
(8) geöffnet und geschlossen werden. Um die Beschichtung
des Deckels zu vermeiden, muss dieser wie die Kammerwände
oder Schirme auf hoher Temperatur gehalten oder mit einer Anti-Haftschicht versehen
werden.
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Zum
Verdampfen von Metallen innerhalb des Beschichtungsraums kann auch
ein Lichtbogenverdampfer (9) eingesetzt werden, dessen
Elektroden nachgeführt werden können. Dies ist
beispielhaft in 4 dargestellt. Das Beschichtungsmaterial
wird in Form von zwei Drähten oder Stäben (10)
durch Buchsen in der Kammerwand in den Beschichtungsraum eingeführt,
die bis auf einen schmalen Schlitz aneinander angenähert
werden. Durch Anlegen einer Hochspannung bzw. eines Hochspannungspulses wird
ein Überschlag gezündet an dessen Fußpunkten
Elektrodenmaterial verdampft und damit einen leitfähigen
Gaskanal erzeugt. Dieser ermöglicht einen hohen Stromfluss
zwischen den Elektroden und der entstehende Lichtbogen sorgt für
ein gleichmäßiges Abdampfen des Elektrodenmaterials.
Die Elektroden (10) werden nachgeführt bis die
gewünschte Materialmenge verdampft wurde und der Lichtbogen z.
B. durch Unterbrechung der Stromzufuhr oder Vergrößerung
des Elektrodenabstandes gelöscht wird. In dieser Anordnung
befinden sich außer dem Beschichtungsmaterial in Form der
Elektroden, keine weiteren Komponenten der Quelle im Beschichtungsraum.
Das Material wird durch den Stromfluss selektiv an der Spitze der
Elektroden erhitzt und sehr effizient verdampft. Eine weitere beispielhafte
Anordnung ist in 5 abgebildet. In diesem Fall
wird das Beschichtungsmaterial (11) durch eine Buchse in
der Wand des Beschichtungsraums zugeführt. Zum Aufheizen
und Verdampfen des nachfüllbaren Materialvorrats dient
ein leistungsgeregelter, energiereicher Laser- oder Elektronenstrahl
(12), der außerhalb des Beschichtungsraums erzeugt
wird und durch eine möglichst kleine Öffnung in
der Kammerwand auf das Beschichtungsmaterial gelenkt wird. Auch
in dieser Anordnung ist durch Modulation der Strahlleistung ein
gepulster Betrieb möglich.
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- 1
- Beschichtungsraum
- 2
- Kammerwand
- 3
- Verdampfungsquelle
- 4
- Substrat
- 5
- Kühl-
oder Heizelemente
- 6
- Blende,
Schirm
- 7
- Effusionszelle
- 8
- Deckel
der Effusionszelle
- 9
- Lichtbogen
- 10
- Nachführbare
Metallelektroden
- 11
- Nachfüllbares
Verdampfungsmaterial
- 12
- Laser-
oder Elektronenstrahl
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ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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Zitierte Patentliteratur
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Zitierte Nicht-Patentliteratur
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- - ”Wutz
Handbuch Vakuumtechnik”, Karl Jousten (Hrsg.) 9. überarbeitete
Auflage ISBN-10 3-8348-0133-X [0009]