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  1. 誘電体膜を修復する方法であって:
    前記誘電体膜をチャンバに導入する工程と;
    式R3SiLを有する修復剤をチャンバに導入する工程であって、ここで、各Rが、H、メチル、およびエチルからなる群より独立して選択され;Lは、1,2,3−トリアゾール、ピペリジン、1−メチルピペラジン、ピロリジン、およびピラゾールからなる群より選択される窒素含有環であり;前記窒素含有環中の1つの窒素がSi原子に直接結合している工程と;
    前記修復剤と前記誘電体膜とを接触させる工程と
    を含む方法。
  2. 前記チャンバへの導入後であって前記修復剤の導入前に、前記誘電体膜を加熱することをさらに含む請求項1に記載の方法。
  3. 接触工程に続いて好適な期間にわたって前記修復剤と前記絶縁膜とを反応させることをさらに含む請求項1または2に記載の方法。
  4. 前記修復剤反応工程に続いて、前記誘電体膜をアニールすることをさらに含む請求項1ないし3のいずれか1項に記載の方法。
  5. 前記修復剤は、トリメチルシリルピロリジン、トリメチルシリルピラゾール、トリメチルシリル−1,2,3−トリアゾール、トリメチルシリルピペリジン、およびトリメチルシリル−4−メチルピペラジンからなる群より選択される請求項1ないし4のいずれか1項に記載の方法。
  6. 前記修復剤は金属汚染物の全濃度が10ppmw未満である請求項1ないし5のいずれか1項に記載の方法。
  7. 前記修復剤は、トリメチルシリルピロリジン、トリメチルシリルピラゾール、トリメチルシリルピペリジン、およびこれらの組み合わせからなる群より選択される請求項1ないし6のいずれか1項に記載の方法。
  8. トリメチルシリルピロリジン、トリメチルシリルピラゾール、トリメチルシリル−1,2,3−トリアゾール、トリメチルシリルピペリジン、およびトリメチルシリル−4−メチルピペラジンからなる群より選択されるシリル化化合物であって、前記化合物中の金属汚染物の全濃度が10ppmw未満であるシリル化化合物。
  9. トリメチルシリルピロリジン、トリメチルシリルピラゾール、トリメチルシリルピペリジン、およびこれらの組み合わせからなる群より選択される請求項8に記載のシリル化化合物。
  10. 前記金属汚染物の全濃度は1ppmw未満である請求項8または9に記載のシリル化化合物。
  11. シリル化薬品配送デバイスであって:
    入口コンジットおよび出口コンジットを有し、トリメチルシリルピロリジン、トリメチルシリルピラゾール、トリメチルシリル−1,2,3−トリアゾール、トリメチルシリルピペリジン、およびトリメチルシリル−4−メチルピペラジンからなる群より選択されるシリル化剤を収容するキャニスタを具備するシリル化薬品配送デバイス。
  12. 前記シリル化剤は金属汚染物の全濃度が10ppmw未満である請求項11に記載のシリル化薬品配送デバイス。
  13. 前記シリル化剤は、トリメチルシリルピロリジン、トリメチルシリルピラゾール、トリメチルシリルピペリジン、およびこれらの組み合わせからなる群より選択される請求項11または12に記載のシリル化薬品配送デバイス。
  14. 前記入口コンジット端の端部は前記シリル化剤の表面の上方に位置し、前記出口コンジットの端部は前記シリル化剤の前記表面の下方に位置している請求項11ないし13のいずれか1項に記載のシリル化薬品配送デバイス。
  15. 前記入口コンジット端の端部は前記シリル化剤の表面の下方に位置し、前記出口コンジットの端部は前記シリル化剤の前記表面の上方に位置している請求項11ないし13のいずれか1項に記載のシリル化薬品配送デバイス。
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