JP2012513128A - 端子一体型金属ベースパッケージモジュールおよび金属ベースパッケージモジュールのための端子一体型パッケージ方法 - Google Patents

端子一体型金属ベースパッケージモジュールおよび金属ベースパッケージモジュールのための端子一体型パッケージ方法 Download PDF

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Abstract

【課題】本発明は、外部回路との接続をワイヤボンディングなどを用いて行わないため、短絡や破損などを効果的に防止することが可能な金属ベースパッケージモジュールのための端子一体型パッケージ方法を提供する。
【解決手段】金属ベースパッケージモジュールのための端子一体型パッケージ方法は、導電性の金属材質で形成される金属基板を用意する基板用意ステップと、金属基板の上面を所定の深さまで酸化して酸化物層を形成する酸化ステップと、金属基板の下面で縁に沿って一定の幅で酸化物層まで絶縁溝を形成する絶縁溝形成ステップと、絶縁溝により中央部と断絶された金属基板の縁部分を間隔をおいて縁に沿って除去し、複数の外部接続端子を形成する端子形成ステップと、金属基板または酸化物層に電子部品を実装する実装ステップと、電子部品の電極と外部接続端子とを電気的に接続する端子接続ステップとを含む。
【選択図】図6

Description

本発明は、端子一体型金属ベースパッケージモジュールおよび金属ベースパッケージモジュールのための端子一体型パッケージ方法に関し、より詳細には、金属基板の一部を外部回路と接続する外部接続端子として活用するため、実装が容易で、短絡や破損の危険が少ない金属ベースパッケージモジュールを容易に製造することが可能な端子一体型金属ベースパッケージモジュールおよび金属ベースパッケージモジュールのための端子一体型パッケージ方法に関する。
半導体素子の製造工程において、パッケージング(packaging)工程とは、半導体チップを外部環境から保護し、使用が容易となるように半導体チップを形状化させ、半導体チップに構成された動作機能を保護することにより、半導体素子の信頼性を向上させる作業である。
近年、半導体素子の集積度が向上し、半導体素子の機能が多様化するに伴い、パッケージング工程の傾向は、次第にパッケージピンの少ない工程からパッケージピンの多い工程の多ピン化工程へと移行しており、印刷回路基板(PCB;Printed Circuit Board)にパッケージを挿入する構造から、表面に実装する方式の表面実装型形態(Surface Mounting Device)に転換されている。このような表面実装型形態のパッケージは、SOP(Small Outline Package)、PLCC(Plastic Leaded Chip Carrier)、QFP(Quad Flat Package)、BGA(Ball Grid Array)、およびCSP(Chip Scale Package)など、多くの種類が紹介されている。
このような半導体パッケージに関連するチップキャリアまたは印刷回路基板に使用される基材(base)基板は、熱的、電気的および機械的に安定していなければならない。チップキャリアまたはPCB用基材基板として、従来は、高価なセラミック基板を使用するか、ポリイミド系樹脂、フッ素系樹脂、またはシリコン系樹脂などを素材とする樹脂基板が使用されてきた。セラミック基板や樹脂基板は、その素材が絶縁性であるため、スルーホール(through hole)工程後、絶縁物質を塗布する必要がない。しかし、樹脂基板の場合、材料自体が高価なだけでなく、耐湿性および耐熱性などが不良なため、チップキャリア用基板としては使用することが困難であるという問題があった。また、セラミック基板は、樹脂基板に比べて、耐熱性がやや優れているのは事実であるが、樹脂基板と同様に高価であり、加工上の困難に加えて加工費が多くかかるという欠点があった。
このようなセラミックまたは樹脂基板の欠点を克服するために、金属素材基板の使用が提案された。金属素材基板は、価格が割安なだけでなく、加工が容易で、熱的信頼性が良好であるという利点を有する。しかし、このような金属素材基板は、前記樹脂またはセラミック基板では不要な絶縁処理を別途に実施しなければならず、基板に実装された部品(例えば、光素子、半導体チップ、受動素子またはパッド、PA、LNA、位相シフタ(phase shifter)、ミキサ、オシレータ、VCOなど)と外部回路(例えば、駆動回路)との接続を、ワイヤボンディング(wire bonding)などを用いて行わなければならないという不便さがあった。特に、ワイヤボンディングを行う過程において、短絡が発生したり、破損または損傷が発生する可能性が高い。
近年、紹介および開発されている金属基板を用いたパッケージモジュール技術としては、大韓民国特許第10−0656295号、第10−0656300号、第10−0625196号などが公開されている。これらの技術は、低価格の金属基板に酸化膜を形成して半導体チップを含むモジュールを完成する技術であって、高い高周波特性、半導体工程の互換性および高い熱的信頼性と、EMI、EMC安定性を有するパッケージモジュールを提供する。
一般的なパッケージング方式は、完成した半導体チップを再びパッケージング専門会社を通して完成させる。通常のパッケージング過程は、半導体チップの再分配過程により、再びリードフレームなどにダイボンディング(die bonding)し、外部端子と半導体チップとをワイヤボンディングする基本過程が行われ、最終的な半導体チップの保護のために、EMC(Encapsulated Molding Compound)などでリードフレームと半導体チップを覆って保護する方式を用いる。これを「後工程(Back−End Process)」という。このような後工程は、完成した半導体パッケージの約3割以上のコストを占める高費用工程であり、リードフレームに半導体チップを再配置する装置とワイヤボンディング装置の使用が必須である。
近年は、後工程作業にかかる費用を節減し、半導体チップの大きさを減らすために、ウエハレベルパッケージング(WLP;Wafer Level Packaging)技術が開発されて使用されている。ほとんどのWLP方式は、電極パッドにボール(ball)を形成してフリップチップ(flip chip)方式またはパッドを形成し、ワイヤボンディング方式により外部回路と接続して使用する。しかし、フリップチップ方式は、高価なパッケージ方式であり、高価な装置と素子の信頼性、スループット(through put)などの問題があるため、パッケージ製造業者が避けようとする方式である。
本発明の目的は、上記の問題を解決するためのものであって、金属基板の上面には酸化物層を形成して電子部品を実装し、金属基板の縁部分の一部を外部接続端子として活用することで外部回路との電気的接続を行うため、短絡や破損などを効果的に防止することが可能な端子一体型金属ベースパッケージモジュールを提供することである。
本発明の他の目的は、金属基板の上面には酸化物層を形成し、金属基板の縁部分の一部を内部と絶縁させて、外部接続端子として活用することで外部回路との電気的接続を行うため、半導体パッケージング工程で主に使用する後工程(ダイボンディング、リードフレーム作業、およびワイヤボンディング作業など)作業を別途に行うことなく、直ちに外部接続端子上に形成される形態により、製造コストを画期的に節減することが可能な金属ベースパッケージモジュールのための端子一体型パッケージ方法を提供することである。
本発明の他の目的は、WLP方式で完成した素子がリードフレーム方式で形成される金属ベースパッケージモジュールを製造することが可能なため、システムオンリードフレーム(System on Leadframe)構造を新たに提案する金属ベースパッケージモジュールのための端子一体型パッケージ方法を提供することである。
本発明のさらに他の目的は、WLP方式で完成した素子がリードフレーム方式で形成される金属ベースパッケージモジュールを製造することにより、パッケージングされたチップの面積を画期的に減らし、従来最も多く使用していた表面実装技術を直ちに適用することにより、生産性を向上させることが可能な金属ベースパッケージモジュールのための端子一体型パッケージ方法を提供することである。
本発明の実施形態にかかる端子一体型金属ベースパッケージモジュールは、導電性の金属材質で形成される金属基板と、前記金属基板上に形成される酸化物層と、前記金属基板の外郭縁に沿って間隔をおいて導電性の金属材質が残留形成される複数の外部接続端子と、前記外部接続端子を前記金属基板の縁に沿って他の部分と絶縁させるとともに、外部接続端子同士の短絡を防止するように絶縁物質で形成される絶縁層とを含んで構成される。
前記金属基板または酸化物層に実装または製作される電子部品の電極と前記外部接続端子とは、ワイヤボンディングなどにより接続する。
そして、本発明の実施形態にかかる金属ベースパッケージモジュールのための端子一体型パッケージ方法は、導電性の金属材質で形成される金属基板を用意する基板用意ステップと、前記金属基板の一面(上面)を所定の深さまで酸化させて酸化物層を形成する酸化ステップと、前記金属基板の反対面(下面)で縁に沿って一定の幅で前記酸化物層まで絶縁溝を形成する絶縁溝形成ステップと、前記絶縁溝により中央部と断絶された金属基板の縁部分を縁に沿って間隔をおきながら除去し、複数の外部接続端子を形成する端子形成ステップと、前記金属基板または酸化物層に電子部品を実装または製作する実装ステップと、電子部品の電極と外部接続端子とを電気的に接続する端子接続ステップとを含んで構成される。
さらに、本発明の実施形態にかかる金属ベースパッケージモジュールのための端子一体型パッケージ方法は、前記端子形成ステップの後、前記絶縁溝と複数の外部接続端子との間を絶縁物質で満たす絶縁層形成ステップをさらに含むことも可能である。
また、本発明の実施形態にかかる金属ベースパッケージモジュールのための端子一体型パッケージ方法は、前記端子接続ステップの後、モールディング物質を用いてモールディング処理するモールディングステップをさらに含むことも可能である。
前記において、絶縁層形成ステップを別途に行うことなく、モールディングステップで絶縁層を形成するように構成することも可能である。
本発明の実施形態にかかる端子一体型金属ベースパッケージモジュールおよび金属ベースパッケージモジュールのための端子一体型パッケージ方法によれば、金属基板の縁に沿って外部接続端子が形成されるため、ワイヤボンディングを行うことなく、BGA(Ball Grid Array)またはLGA(Land Grid Array)などの方式により直接外部の回路(例えば、駆動回路など)と電気的に接続することが可能であり、モジュールの実装が非常に効率的になる。
そして、本発明の実施形態にかかる端子一体型金属ベースパッケージモジュールおよび金属ベースパッケージモジュールのための端子一体型パッケージ方法によれば、金属基板を使用するため、優れた熱放出性能を維持することが可能である。
本発明の実施形態にかかる金属ベースパッケージモジュールのための端子一体型パッケージ方法によれば、大韓民国特許第10−0656295号、第10−0656300号、第10−0625196号などに公開された技術と結びつけた場合、金属基板の縁部分を外部接続端子として形成することにより、モジュールの形成と同時にパッケージが完成するため、製造工程が非常に効率的になる。
また、本発明の実施形態にかかる金属ベースパッケージモジュールのための端子一体型パッケージ方法によれば、WLPを介して外部接続端子(リードフレーム)が完成し、新たな概念のシステムオンリードフレーム(またはチップオンリードフレーム)技術が確立され、従来の方式である半導体工程によるチップ製作工程の後、他の場所で他の工程を用いた後工程(ダイボンディングおよびワイヤボンディングなど)作業によるパッケージ作業が要らなくなるため、製作工程時間を短縮し、一工程ラインでリードフレーム形態のパッケージングが完了し、製造コストを画期的に節減することが可能であり、安定した半導体工程により高いスループットを有するBGAまたはLGA形態のWLPが可能になる。
本発明の実施形態にかかる金属ベースパッケージモジュールのための端子一体型パッケージ方法によれば、WLPを介して完成したリードフレーム形態のパッケージモジュールは、製品の大きさを画期的に減らすことで標準テープ(tape)とリール(reel)のサイズに合わせることができ、これにより、低価格の汎用表面実装機術(Surface Mount Technology)を直ちに適用することにより、製品製作の作業処理速度と工程コストを画期的に節減することができる。
そして、本発明の実施形態にかかる金属ベースパッケージモジュールのための端子一体型パッケージ方法によれば、半導体素子が基板の内部に実装されて直接接続される方式が開示されている大韓民国特許第10−0656300号などに結びつけた場合、ワイヤボンディングなしにモジュールが完成し、信頼性が増加し、非常に薄いモジュールの製作が可能になる。
本発明の第1実施形態にかかる端子一体型金属ベースパッケージモジュールを示す平面斜視図である。 本発明の第1実施形態にかかる端子一体型金属ベースパッケージモジュールを示す底面斜視図である。 図1のA−A線断面図である。 図1のB−B線断面図である。 本発明の第2実施形態にかかる金属ベースパッケージモジュールのための端子一体型パッケージ方法を示すブロックフローチャートである。 本発明の第2実施形態にかかる金属ベースパッケージモジュールのための端子一体型パッケージ方法を示す工程図である。 本発明の第3実施形態にかかる端子一体型金属ベースパッケージモジュールを示す、図3に対応する断面図である。 本発明の第4実施形態にかかる端子一体型金属ベースパッケージモジュールを示す、図3に対応する断面図である。 本発明の第5実施形態にかかる端子一体型金属ベースパッケージモジュールを示す、図3に対応する断面図である。 本発明の第6実施形態にかかる端子一体型金属ベースパッケージモジュールを示す、図3に対応する断面図である。 本発明の第7実施形態にかかる端子一体型金属ベースパッケージモジュールを示す、図3に対応する断面図である。 本発明の第8実施形態にかかる端子一体型金属ベースパッケージモジュールを示す、図3に対応する断面図である。 本発明の第3実施形態にかかる端子一体型金属ベースパッケージモジュールを製造することのできる、本発明の第9実施形態にかかる金属ベースパッケージモジュールのための端子一体型パッケージ方法を示す工程図である。 本発明の第5実施形態にかかる端子一体型金属ベースパッケージモジュールを製造することのできる、本発明の第10実施形態にかかる金属ベースパッケージモジュールのための端子一体型パッケージ方法を示す工程図である。 本発明の第4実施形態にかかる端子一体型金属ベースパッケージモジュールを製造することのできる、本発明の第11実施形態にかかる金属ベースパッケージモジュールのための端子一体型パッケージ方法によって電子部品を実装した状態を示す、図3に対応する断面図である。 本発明の第7実施形態にかかる端子一体型金属ベースパッケージモジュールを製造することのできる、本発明の第12実施形態にかかる金属ベースパッケージモジュールのための端子一体型パッケージ方法を示す工程図である。 本発明の第13実施形態にかかる端子一体型金属ベースパッケージモジュールを示す、図3に対応する断面図である。 本発明の第13実施形態にかかる端子一体型金属ベースパッケージモジュールを製造する過程で酸化物層を形成した状態を示す、図3に対応する断面図である。 本発明の第14実施形態にかかる金属ベースパッケージモジュールのための端子一体型パッケージ方法を示す工程図である。 本発明の第15実施形態にかかる金属ベースパッケージモジュールのための端子一体型パッケージ方法を示す工程図である。 本発明の第16実施形態にかかる金属ベースパッケージモジュールのための端子一体型パッケージ方法を示す工程図である。 本発明の第17実施形態にかかる金属ベースパッケージモジュールのための端子一体型パッケージ方法を示す工程図である。 本発明の第18実施形態にかかる金属ベースパッケージモジュールのための端子一体型パッケージ方法を示す工程図である。 本発明の第19実施形態にかかる金属ベースパッケージモジュールのための端子一体型パッケージ方法を示す工程図である。 本発明の第17実施形態にかかる金属ベースパッケージモジュールのための端子一体型パッケージ方法を適用して製造した端子一体型金属ベースパッケージモジュールの一実施形態を示す、図3に対応する断面図である。 本発明の第20実施形態にかかる金属ベースパッケージモジュールのための端子一体型パッケージ方法を示す工程図である。 本発明の第21実施形態にかかる金属ベースパッケージモジュールのための端子一体型パッケージ方法を示す工程図である。 本発明の第22実施形態にかかる金属ベースパッケージモジュールのための端子一体型パッケージ方法を示す工程図である。
以下、本発明にかかる端子一体型金属ベースパッケージモジュールおよび金属ベースパッケージモジュールのための端子一体型パッケージ方法の好ましい実施形態を、図面を参照して詳細に説明する。
しかし、本発明の実施形態は、様々な多様な形態に変形可能であり、本発明の範囲は、下記に述べる実施形態に限定されるものと解釈されない。本発明の実施形態は、当該技術分野における通常の知識を有する者が本発明を理解できるように説明するものであり、図面に示す要素の形状などは例示にすぎない。そして、図面において、同一の構成は同一の符号で表し、重複的な詳細な説明は省略する。
本発明の第1実施形態にかかる端子一体型金属ベースパッケージモジュールは、図1〜図4に示すように、導電性の金属材質で形成される金属基板10を用いてなる。
前記において、金属基板10の材質としては、アルミニウム(Al)、マグネシウム(Mg)、チタン(Ti)などが挙げられる。
前記金属基板10は、優れた放熱性能を維持しつつ、十分な強度と軽薄短小化が可能な厚さに形成することが好ましい。
例えば、前記金属基板10は、0.1〜5mm程度の厚さに形成し、好ましくは、0.15〜1.0mm程度の薄い厚さに形成する。
前記金属基板10は、板状およびウエハ状などの任意の形状に形成することが可能であり、印刷回路技術および半導体工程などを適用することができる。
前記金属基板10上には酸化物層20が形成される。
前記酸化物層20は、電子部品60が実装される区域を除いて前記金属基板10の縁に沿って形成され、前記金属基板10の縁端面角から一定幅の間隔をおいて形成される。
つまり、前記酸化物層20は、電子部品60が実装される部分を除いた残りの部分に形成し、絶縁溝14と近接して位置する前記外部接続端子18の一部まで位置するように酸化物層20を形成する。
前記酸化物層20は、陽極酸化などの方法を適用して形成することが可能である。
前記のように電子部品60を金属基板10上に直接実装すると、熱の放出がより効率的になるため、発熱量の多い電子部品60の場合に非常に効果的である。
前記において、酸化物層20は、選択酸化方式を用いて必要な箇所にのみ形成されるように制御することが可能である。
前記において、金属基板10としてアルミニウムを使用すると、前記酸化物層20としてはアルミニウム酸化物層が陽極酸化により形成される。
前記金属基板10に実装される電子部品60としては、光素子、半導体チップ、受動素子、PA、LNA、位相シフタ、ミキサ、オシレータ、VCOなどが挙げられる。
前記電子部品60には、銅(Cu)または金(Au)などの導電性金属からなる電極64が上面に形成される。
前記において、電子部品60を実装する方法は、一般的に、半導体工程などで使用する多様な方法を適用して実施することが可能なため、詳細な説明は省略する。
また、前記電子部品60は、金属基板10上に直接製作する方式で設けることも可能である。
本発明は、酸化物層20を形成したり、電子部品60を実装または製作する方式に技術的特徴があるのではなく、酸化物層20の形成と電子部品60の実装または製作は従来公知の多様な方式と構造で実施することが可能である。例えば、大韓民国特許第10−0656295号、第10−0656300号、第10−0625196号などに公開された技術を本発明の実施形態に適用することも可能である。
そして、前記金属基板10の外郭縁に沿って間隔をおいて導電性の金属材質が残留するように、複数の外部接続端子18を形成する。
つまり、前記外部接続端子18は、金属基板10の一部によって形成される。
前記外部接続端子18は、絶縁層30、40により絶縁される。
例えば、前記金属基板10の内部とは、縁に沿って全周にわたって形成される絶縁層30により絶縁され、外部接続端子18同士は、それらの間に形成される絶縁層40により短絡が防止される。
前記絶縁層30、40は、電気が通じない不導体の絶縁物質を用いて形成する。
前記絶縁層30、40は、絶縁材質である合成樹脂や、シリコン、酸化物、セラミックなどを用いて形成する。
前記絶縁層30、40は、必要に応じて、絶縁物質を満たして形成するのではなく、空きスペースから成る空気層で構成することも可能である。しかし、絶縁層30、40を形成すると、機械的安定性がより増大するという効果を得ることができる。
前記絶縁層30、40は、金属基板10の一定の範囲を特定して効果的に制御しながら、選択的に酸化物層を形成することが可能な場合には、酸化物層を金属基板10に一体に形成することによって構成することも可能である。
そして、前記金属基板10に実装される電子部品60の電極64と前記外部接続端子18とをワイヤボンディング66などにより接続する。
前記のように構成される本発明の実施形態にかかる端子一体型金属ベースパッケージモジュールの場合には、外部回路(例えば、駆動回路)と外部接続端子18とを接続することによってモジュールの設置工程が完了するため、実装作業が非常に容易となる。特に、スロットや着脱式でパッケージモジュールを外部回路の実現された基板に装着するだけで、外部接続端子18と外部回路との接続を完了することも可能なため、非常に便利である。
次に、本発明の第2実施形態にかかる金属ベースパッケージモジュールのための端子一体型パッケージ方法を、図5および図6を参照して説明する。
まず、導電性の金属材質で形成される金属基板10を用意する(S10)。
前記において、金属基板10としては、アルミニウム(Al)、マグネシウム(Mg)、チタン(Ti)などが使用可能である。
このように用意された金属基板10の一面(上面)を所定の深さまで酸化して酸化物層20を形成する(S20)。
前記金属基板10の上面に酸化物層20を形成する場合には、下面側では酸化が行われないように酸化防止マスキングパターンを形成するか、金属基板10の下面部を他の機器や機構を用いて保護することが好ましい。
前記酸化物層20は、前記金属基板10に実装される電子部品60の高さに対応する厚さに形成することも可能である。
前記酸化物層20は、電子部品60が実装される区域を除いて前記金属基板10の縁に沿って形成され、前記金属基板10の縁端面角から一定幅の間隔をおいて形成される。
前記酸化物層20は、陽極酸化などの方法を適用して形成することが可能である。
前記において、金属基板10としてアルミニウムを使用すると、前記酸化物層20としてはアルミニウム酸化物層が陽極酸化により形成される。
前記金属基板10の反対面(下面)で縁に沿って一定の幅で前記酸化物層20まで絶縁溝14を形成する(S30)。
前記において、絶縁溝14は、前記酸化物層20を貫通しないように前記金属基板10を十分に除去しながら、前記酸化物層20の内面と接する部分までの深さに形成する。
前記絶縁溝14は、絶縁物質が満たされる場合、十分に絶縁されるように幅を設定して形成することが好ましい。例えば、前記絶縁溝14は、0.05〜0.5mm程度の範囲の幅(厚さ)に形成することが可能である。
前記において、金属基板10を接地(ground)電極として活用する場合には、少なくとも1つの外部接続端子18が金属基板10と接続するように絶縁溝14を形成する。
つまり、絶縁溝14を金属基板10の縁に沿って全周にわたって閉曲線状に形成するのではなく、金属基板10の縁の一部が内部と接続する一部断絶された開曲線状に絶縁溝14を形成することも可能である。
そして、前記絶縁溝14により中央部と断絶された金属基板10の縁部分を、縁に沿って間隔をおきながら除去して分離溝16を形成することにより、複数の外部接続端子18を形成する(S40)。
つまり、前記外部接続端子18は、金属基板10の縁の一部を切断して形成される分離溝16を介して配列されて形成される。
前記では、絶縁溝14と分離溝16を2つのステップに分けて形成するものと説明したが、絶縁溝14と分離溝16を同時に併せて形成することも可能である。
例えば、前記絶縁溝14と分離溝16は、金属基板10の底面にパターニングした後、1回のエッチング工程により同時に形成することも可能である。特に、金属体と金属酸化物との間の高い選択的化学エッチング特性を利用すると、パターニングされていない金属のみがエッチングされ、金属酸化物はエッチングされないため、容易に絶縁溝14と分離溝16を同時に形成することが可能である。
さらに、化学エッチング工程のほか、ドライエッチング工程や機械的加工方式などを用いて絶縁溝14と分離溝16を形成することも可能である。
前記絶縁溝14および分離溝16は、絶縁物質が満たされる場合、十分に絶縁されるように幅を設定して形成することが好ましい。例えば、前記絶縁溝14および分離溝16は、0.05〜0.5mm程度の範囲の幅(厚さ)に形成することが可能である。
前記絶縁溝14および分離溝16は、必要に応じて、0.5mm以上の幅に形成することも可能である。例えば、十分な空間の確保や加工などの観点から必要な場合には、前記絶縁溝14および分離溝16の幅は、前記範囲に限定されず、多様な幅に形成することが可能である。さらに、前記絶縁溝14および分離溝16は、絶縁が可能であれば、前記範囲より小さい幅を有するように形成することも可能である。
そして、前記のように形成される絶縁溝14と分離溝16を絶縁物質で満たして絶縁層30、40を形成する(S50)。
前記において、絶縁物質としては、電気が通じない不導体である合成樹脂や、シリコン、酸化物、セラミックなどが使用可能である。
前記絶縁層30、40は、必要に応じて、絶縁物質を満たして形成するのではなく、空きスペースから成る空気層で構成することも可能である。
前記酸化物層20が形成されていない金属基板10部分の該当区域に電子部品60を実装する(S60)。
前記電子部品60の電極64に、対応する外部接続端子18を電気的に接続する(S70)。
前記電子部品60としては、光素子、半導体チップ、受動素子、PA、LNA、位相シフタなどが使用可能である。
前記電子部品60の上部に電極64を設け、前記電極64に、対応する外部接続端子18をワイヤボンディング66などを用いて電気的に接続する。
そして、本発明の第3実施形態にかかる端子一体型金属ベースパッケージモジュールは、図7に示すように、電子部品60を金属基板10上に直接実装し、酸化物層20は、金属基板10と外部接続端子18とが互いに短絡するのを防止するために、絶縁溝14の周囲に形成して絶縁するように構成し、電子部品60の電極64と外部接続端子18とをワイヤボンディング66で接続した後、モールディング材料(例えば、EMC(Encapsulated Molding Compound)など)を用いて電子部品60とワイヤボンディング66を保護するためのモールディング層90を形成する。
前記モールディング層90は、金属基板10の全面に対して形成することも可能であり、前記電子部品60およびワイヤボンディング66の部分を取り囲むように、一部にのみ形成することも可能である。
そして、必要に応じて、モールディング材料を用いて前記モールディング層90を形成する代わりに、メタルキャップ、セラミックキャップ、プラスチックキャップなどをかぶせる方式などの多様な方法を用いて保護膜を形成することも可能である。例えば、LEDの場合、シリコンなどを用いて蛍光体の塗布と同時に回路を保護することも可能である。
また、前記外部接続端子18には、BGAまたはLGAなどを接合するための接合パッド80を設ける。前記接合パッド80は、外部接続端子18の底面に形成し、導電性の接着物質を用いて形成する。
そして、本発明の第4実施形態にかかる端子一体型金属ベースパッケージモジュールは、図8に示すように、外部接続端子18および酸化物層20の上に外部配線84を形成し、前記外部配線84と電子部品60の電極64とをワイヤボンディング66で接続するように構成する。
前記において、外部配線84は、シルクスクリーンなどの方式を利用して形成することが可能である。
このように構成すると、電子部品60は、外部配線84を介して外部接続端子18に電気的に接続される。
本発明の第5実施形態にかかる端子一体型金属ベースパッケージモジュールは、図9に示すように、内部配線86や受動素子68などを酸化物層20上に形成し、電子部品60の電極64と内部配線86とをワイヤボンディング66で接続し、内部配線86と接続するように酸化物層20および外部接続端子18の上に外部配線84を形成してなる。
前記において、内部配線86や受動素子68は、シルクスクリーンなどの方式や薄膜フィルム工程などを利用して形成することが可能である。
前記受動素子68は、表面実装部品(SMD)などで構成することも可能である。
このように構成すると、電子部品60は、内部配線86および外部配線84を介して外部接続端子18に電気的に接続される。
前記のような本発明の実施形態にかかる端子一体型金属ベースパッケージモジュールの技術を適用することで多様な機能を果たすパッケージモジュールを、必要に応じて多様に構成することが可能である。
例えば、図10〜図12に示す本発明の第6実施形態〜第8実施形態にかかる端子一体型金属ベースパッケージモジュールのように、大韓民国特許第10−0656295号、第10−0656300号、第10−0625196号などに公開された技術であるパッケージモジュールに、本発明の実施形態にかかる端子一体型金属ベースパッケージモジュールの技術を適用して実現することも可能である。
前記第3実施形態〜第8実施形態においても、前記構成以外は、前記第1実施形態と同様の構成で実施することが可能なため、詳細な説明は省略する。
以下、このように構成される第3実施形態〜第8実施形態の製造過程である、本発明の実施形態にかかる金属ベースパッケージモジュールのための端子一体型パッケージ方法を、図面を参照して説明する。
まず、本発明の第9実施形態にかかる金属ベースパッケージモジュールのための端子一体型パッケージ方法は、図13に示すように、前記第3実施形態にかかる端子一体型金属ベースパッケージモジュールの場合において、導電性の金属材質で形成される金属基板10を用意し(S10)、前記金属基板10の一面に酸化物層20を形成し(S20)、前記金属基板10の反対面(下面)で縁に沿って一定の幅で前記酸化物層20まで絶縁溝14と分離溝16を形成することにより、外部接続端子18を形成し(S30、S40)、前記絶縁溝14と分離溝16を絶縁物質で満たして絶縁層30、40を形成し(S50)、前記酸化物層20に電子部品60を実装し(S60)、前記電子部品60の電極64に対応する外部接続端子18をワイヤボンディング66で接続し(S70)、前記電子部品60やワイヤボンディング66などに対するモールディング処理を行うことにより、モールディング層90を形成(S80)する過程からなる。
前記において、絶縁層30、40を形成(S50)した後、金属基板10の底面を所望の高さに研磨(grinding)およびラッピング(lapping)し(S52)、BGAやLGAなどを接合するための接合パッド80を外部接続端子18に形成(S54)し、電子部品60を実装(S60)する過程で進行することも可能である。
前記において、ラッピングは、必要に応じて選択的に実施することが可能である。
前記のように金属基板10の底面に対する研磨およびラッピングを行う時に、金属基板10の側面に対しても併せて表面処理を行った方が、半田ボール(solder ball)またはマザーボード(mother board)との付着のための半田付け(soldering)が効果的に行われ、生産性が向上し、信頼性が増加するため好ましい。
前記酸化物層20を形成するステップ(S20)において、電子部品60を設けるための部分には、酸化物層20が形成されないように選択的陽極酸化を行う。
前記モールディング層90を形成するステップ(S80)では、モールディング材料を用いてモールディング層90を形成する代わりに、キャップをかぶせる工程などにより上部を保護する保護膜を形成することも可能である。
そして、本発明の第10実施形態にかかる金属ベースパッケージモジュールのための端子一体型パッケージ方法は、図14に示すように、前記本発明の第5実施形態にかかる端子一体型金属ベースパッケージモジュールの場合(図9参照)において、外部接続端子18にBGAやLGAなどを接合するための接合パッド80を形成(S54)した後、酸化物層20および外部接続端子18の上に、シルクスクリーンなどの方式により外部配線84および内部配線86を形成し(S62)、電子部品60と受動素子68などを実装し(S64)、電子部品60の電極64と内部配線86とをワイヤボンディング66で接続し(S70)、電子部品60と受動素子68、ワイヤボンディング66の部分をモールディング層90でモールディング処理(S80)する過程からなる。
前記モールディング層90を形成するステップ(S80)では、モールディング材料を用いてモールディング層90を形成する代わりに、キャップをかぶせる工程などにより上部を保護する保護膜を形成することも可能である。以下の他の実施形態においても、モールディング層90の代わりに、キャップをかぶせる保護膜を形成することが可能である。
そして、本発明の第11実施形態にかかる金属ベースパッケージモジュールのための端子一体型パッケージ方法は、図15に示すように、前記本発明の第4実施形態にかかる端子一体型金属ベースパッケージモジュールの場合(図8参照)において、電子部品60を実装し(S64)、電子部品60の電極64と外部配線84とを直接ワイヤボンディング66で接続(S70)する過程を除いて、前記第10実施形態と同様の過程からなる。
さらに、図10〜図12に示すように、特許第10−0656295号および第10−0656300号、第10−0625196号などに公開された技術であるパッケージモジュールの技術に、本発明の実施形態にかかる端子一体型金属ベースパッケージモジュールを適用する場合には、図16に示すような本発明の第12実施形態にかかる金属ベースパッケージモジュールのための端子一体型パッケージ方法による過程で製造することが可能である。
例えば、本発明の第12実施形態にかかる金属ベースパッケージモジュールのための端子一体型パッケージ方法は、図16に示すように、前記本発明の第7実施形態にかかる端子一体型金属ベースパッケージモジュールの場合において、導電性の金属材質で形成される金属基板10を用意し(S10)、前記金属基板10の一面に酸化物層20を形成し(S20)、前記酸化物層20にモジュールを構成する受動素子68(例えば、レジスタ、インダクタ、キャパシタ、伝送線など)と外部配線84および内部配線86を半導体薄膜フィルム工程やシルクスクリーン方式などで形成した後、電子部品60を実装し、電子部品60の電極64に対応する内部配線86をワイヤボンディング66で接続し(S91)、前記電子部品60とワイヤボンディング66、外部配線84、内部配線86などに対するモールディング処理を行うことにより、モールディング層90を形成し(S92)、前記金属基板10の反対面(下面)で縁に沿って一定の幅で前記酸化物層20まで絶縁溝14と分離溝16を形成することにより、外部接続端子18を形成し(S93)、前記絶縁溝14と分離溝16を絶縁物質で満たして絶縁層30、40を形成し(S94)、金属基板10の底面を所望の高さに研磨およびラッピングし(S95)、BGAやLGAなどを接合するための接合パッド80を外部接続端子18に形成(S96)する過程からなる。
前記モールディング層90を形成するステップ(S92)では、モールディング材料を用いてモールディング層90を形成する代わりに、キャップをかぶせる工程などにより上部を保護する保護膜を形成するモールディング処理を行うことも可能である。
前記すべての工程は、半導体製造工程またはシルクスクリーン方式などにより実現することが可能である。
図9に示す前記本発明の第5実施形態にかかる端子一体型金属ベースパッケージモジュールにおいても、電子部品60と受動素子68(例えば、レジスタ、キャパシタ、インダクタ、伝送線など)などのシステムを金属基板10上に形成および実装し、モールディング処理またはキャップでかぶせて上部を保護する保護膜を形成した後、外部接続端子18を形成する工程を実施することも可能である。つまり、前記本発明の第12実施形態にかかる金属ベースパッケージモジュールのための端子一体型パッケージ方法の工程を適用して実施することも可能である。この場合には、同じ工程上でパッケージが完成するため、外部接続端子を先に形成して実装することに比べて、工程効率が向上し、費用が節減する。
前記のような本発明の実施形態にかかる端子一体型金属ベースパッケージモジュールおよび金属ベースパッケージモジュールのための端子一体型パッケージ方法によれば、システムを金属基板10上に半導体工程により形成し、外部接続端子18も半導体工程により形成することが可能なため、ウエハレベルパッケージング(WLP)を従来のフリップチップ用ボールの形成方式ではない、リードフレーム形態で実現することが可能である。つまり、新たな概念のシステムオンリードフレーム方式で半導体チップがパッケージングされる技術の実現が可能である。
例えば、図11に示すように、半導体工程によりワイヤボンディングなしにシステムが完成し、リードフレーム形態のパッケージモジュールが完成するため、非常に薄い形態のパッケージモジュールの製造が可能である。さらに、ワイヤボンディングがないため、信頼性が高く、工程コストを大きく節減することが可能である。また、パッケージの厚さをSMDのような厚さまで実現することが可能なため、パッケージングされたチップの実装をSMD実装方式の装置を用いてマザーボード全体に組み立てることも可能である。
そして、本発明の第13実施形態にかかる端子一体型金属ベースパッケージモジュールは、図17に示すように、酸化物層20上に電子部品60を実装し、電子部品60の電極64と外部接続端子18とをワイヤボンディング66で接続した後、モールディング材料(例えば、EMC(Encapsulated Molding Compound)など)を用いて電子部品60とワイヤボンディング66を保護するためのモールディング層90を形成する。
前記において、モールディング材料を用いたモールディング層90を形成する代わりに、メタルキャップ、プラスチックキャップ、セラミックキャップなどを用いて上部を保護する保護膜を形成することも可能である。
前記第13実施形態の場合には、図18に示すように、酸化物層20を形成するステップ(S20)で電子部品60を設けるための部分まで酸化物層20を形成し、それ以外は、前記第3実施形態と同様の過程で製造することが可能である。
そして、本発明の第14実施形態にかかる金属ベースパッケージモジュールのための端子一体型パッケージ方法は、図19に示すように、導電性の金属材質で形成される金属基板10を用意し(S10)、前記金属基板10の一面にマスキングパターン22を形成した後、選択的陽極酸化を行って酸化物層20を形成し(S20)、前記酸化物層20に化学的エッチングによりビアホール27を形成し(S22)、前記ビアホール27に導電性物質を満たしてビア電極28を形成し(S23)、電子部品60を実装し、電子部品60の電極64に対応するビア電極28をワイヤボンディング66で接続し(S91)、前記電子部品60とワイヤボンディング66などに対するモールディング処理を行うことにより、モールディング層90を形成し(S92)、前記金属基板10の反対面(下面)で縁に沿って一定の幅で前記酸化物層20まで絶縁溝14と分離溝16を形成することにより、外部接続端子18を形成し(S93)、前記絶縁溝14と分離溝16を絶縁物質で満たして絶縁層30、40を形成し(S94)、BGAやLGAなどを接合するための接合パッド80を外部接続端子18に形成(S96)する過程からなる。
前記において、工程順序を変更して、前記外部接続端子18を形成する工程(S93)と、絶縁層30、40を形成する工程(S94)を先に行い、電子部品60を実装し、ワイヤボンディング66で接続する工程(S91)と、モールディング層90を形成する工程(S92)をその後に行うことも可能である。
そして、前記絶縁層30、40は、不要な場合には形成しないことも可能である。
前記のように酸化物層20にビア電極28を形成し、これにより、外部接続端子18と電子部品60とを電気的に接続すると、外部配線84を形成して接続する方式に比べて、全体的なモジュールの大きさをより小さく構成することが可能である。
図20および図21には、本発明の第14実施形態にかかる金属ベースパッケージモジュールのための端子一体型パッケージ方法を、大韓民国特許第10−0656295号および第10−0656300号にそれぞれ適用してなる本発明の第15実施形態および第16実施形態にかかる金属ベースパッケージモジュールのための端子一体型パッケージ方法を示す。
そして、図22に示すように、本発明の第17実施形態にかかる金属ベースパッケージモジュールのための端子一体型パッケージ方法は、酸化物層20を形成するための選択的陽極酸化を行う工程(S20)において、外部接続端子18が形成される部分に位置する金属基板10の一部を酸化させないことにより、酸化物層20にビア電極28が直ちに形成されるように構成し、ビア電極28の上面に内部配線86を形成して、電子部品60の電極64とワイヤボンディング66で接続するように構成する。
このように構成すると、酸化物層20の形成工程(S20)で外部接続端子18と接続するビア電極28が同時に形成されるため、ビア電極28を非常に簡単に構成することが可能であり、より低価格のパッケージモジュールを製造することが可能である。
図23および図24には、本発明の第17実施形態にかかる金属ベースパッケージモジュールのための端子一体型パッケージ方法を、大韓民国特許第10−0656295号および第10−0656300号にそれぞれ適用してなる本発明にかかる金属ベースパッケージモジュールのための端子一体型パッケージ方法の第18実施形態および第19実施形態を示す。
また、図25には、本発明の第17実施形態にかかる金属ベースパッケージモジュールのための端子一体型パッケージ方法を、大韓民国特許出願第10−2007−0076676号の技術に適用して製造した端子一体型金属ベースパッケージモジュールの一実施形態を示す。
そして、図26に示すように、本発明の第20実施形態にかかる金属ベースパッケージモジュールのための端子一体型パッケージ方法は、絶縁溝14を形成する工程(S30)で酸化物層20に貫通ホール25を形成し、絶縁層30、40およびモールディング層90を形成する時に、貫通ホール25を介して上面と下面に同時に満たされて形成されるように構成する。
前記において、貫通ホール25の形成は、化学的エッチング方式や機械加工方式などを利用することが可能である。
前記のように貫通ホール25を形成してモールディング層90を形成しながら、貫通ホール25を介して絶縁層30、40が同時に形成されるように構成すると、工程費用の節減が可能であり、モールディング層90を構成するEMCなどのモールディング物質の接着強度が増加(モールディング層90と絶縁層30、40とが互いに釘のように打たれるようになって接着強度が増加)し、全体的なパッケージモジュールの耐久性が向上する。
前記第20実施形態の方法は、前記第2実施形態、第9実施形態〜第12実施形態、第14実施形態〜第19実施形態にすべて適用することが可能である。
そして、本発明の第12実施形態、第14実施形態〜第20実施形態にかかる金属ベースパッケージモジュールのための端子一体型パッケージ方法において、図27および図28に示すように、ウエハレベルパッケージで製作したチップを各単位モジュールに切断する工程を、前記絶縁溝14と分離溝16を形成する過程(S93)で併せて行うように構成することも可能である。
例えば、図27に示すように、本発明の第21実施形態にかかる金属ベースパッケージモジュールのための端子一体型パッケージ方法は、前記電子部品60とワイヤボンディング66、外部配線84、内部配線86などに対するモールディング処理を行うことにより、モールディング層90を形成(S92)した後、前記モールディング層90の表面に変形や破損などを防止することができるように保護膜100を付着し(S100)、前記金属基板10の下面で前記酸化物層20まで絶縁溝14と分離溝16を形成しながら、各単位モジュールごとに分離する切断溝114を形成し(S93)、前記保護膜100を除去して各単位モジュールに分離(S110)する過程をさらに含んで構成することも可能である。
前記保護膜100としては、例えば、テープ、ダミーウエハ(低価格の再使用ウエハ)、フィルムなどで構成することが可能である。
前記第21実施形態においても、それぞれ分離された単位モジュールの場合には、必要に応じて、前記絶縁溝14と分離溝16を絶縁物質で満たして絶縁層30、40を形成(S94)する過程などをさらに行うことも可能である。
一般的に、半導体製造工程によりウエハにチップが完成すると、それぞれのチップをいちいち切断するためにソーイング(sawing)工程を行う。ソーイング工程は、小さいダイヤモンドブレード(diamond blade)を用いて切断する工程であり、アルミニウムウエハの場合にも、ソーカッティング(saw cutting)が可能である。
そして、ソーイング工程では、切断作業のためにモールドフレームを必要とするが、モールドフレームの製作時に非常に高い製作コストがかかり、各チップの大きさによりそれぞれ異なるモールドフレームの製作が必要なため、経済性の面で困難がある。
前記のような本発明によれば、外部接続端子18を形成する過程で、容易に化学的エッチング工程により各単位モジュール(例えば、チップ)ごとに切断して分離することが可能なため、切断工程が非常に容易になり、生産性および経済性が大きく向上する。
そして、図28に示すように、本発明の第22実施形態にかかる金属ベースパッケージモジュールのための端子一体型パッケージ方法は、前記電子部品60とワイヤボンディング66、外部配線84、内部配線86などに対するモールディング処理を行うことにより、モールディング層90を形成(S92)した後、前記モールディング層90の表面に変形や破損などを防止することができるように保護膜100を付着し(S100)、前記金属基板10の下面で前記酸化物層20まで絶縁溝14と分離溝16を形成しながら、各単位モジュールごとに分離する切断溝114を形成し(S93)、前記切断溝114が形成された部分のモールディング層90をソーカッティングして各単位モジュールごとに分離し(S105)、前記保護膜100を除去(S110)する過程をさらに含んで構成することも可能である。
前記第22実施形態においても、切断溝114を形成することにより、ソーカッティングを行うためのモールドフレームを必要としないため、生産性および経済性が従来の切断工程に比べて大きく向上する。
前記第22実施形態においても、それぞれ分離された単位モジュールの場合には、必要に応じて、前記絶縁溝14と分離溝16を絶縁物質で満たして絶縁層30、40を形成する過程(S94)などをさらに行うことも可能である。
前記第12実施形態、第14実施形態〜第22実施形態において、モールディング処理時に、一般的な注入方式以外にも、スピンコーティング方式を用いることも可能であり、モールディング物質を半硬化して付着するか、モールディング用パウダーを直接上板に塗布した後、熱を加えてモールディング物質を溶かして全面に塗布することも可能である。
そして、前記第12実施形態、第14実施形態〜第22実施形態において、モールディング処理時に、メタルキャップ、セラミックキャップ、プラスチックキャップなどを用いて上部を保護する保護膜を形成することも可能である。
以上、本発明にかかる端子一体型金属ベースパッケージモジュールおよび金属ベースパッケージモジュールのための端子一体型パッケージ方法の好ましい実施形態について説明したが、本発明は、これに限定されるのではなく、特許請求の範囲と発明の詳細な説明および添付した図面の範囲内で様々に変形して実施することが可能であり、これもまた、本発明の範囲に属する。

Claims (27)

  1. 導電性の金属材質で形成される金属基板と、
    前記金属基板上に形成される酸化物層と、
    前記金属基板の外郭縁に沿って間隔をおいて導電性の金属材質が残留形成される複数の外部接続端子とを含むことを特徴とする端子一体型金属ベースパッケージモジュール。
  2. 前記外部接続端子を前記金属基板の縁に沿って他の部分と絶縁させるとともに、外部接続端子同士の短絡を防止するように絶縁物質で形成される絶縁層をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の端子一体型金属ベースパッケージモジュール。
  3. 前記金属基板または酸化物層に実装または製作される電子部品の電極に、対応する外部接続端子をワイヤボンディングにより電気的に接続することを特徴とする請求項1または2に記載の端子一体型金属ベースパッケージモジュール。
  4. キャップを用いて電子部品とワイヤボンディングを保護するために、酸化物層および金属基板の上に形成する保護膜をさらに含むことを特徴とする請求項3に記載の端子一体型金属ベースパッケージモジュール。
  5. モールディング材料を用いて電子部品とワイヤボンディングを保護するために、酸化物層および金属基板の上に形成するモールディング層をさらに含むことを特徴とする請求項3に記載の端子一体型金属ベースパッケージモジュール。
  6. 前記酸化物層に貫通ホールを形成し、
    前記モールディング層と絶縁層が貫通ホールを介して一体に接続することを特徴とする請求項5に記載の端子一体型金属ベースパッケージモジュール。
  7. 前記外部接続端子の底面に形成する接合パッドをさらに含むことを特徴とする請求項1または2に記載の端子一体型金属ベースパッケージモジュール。
  8. 前記電子部品を金属基板上に直接実装し、前記酸化物層は、電子部品の実装される部分を除いて形成されることを特徴とする請求項1または2に記載の端子一体型金属ベースパッケージモジュール。
  9. 前記外部接続端子および酸化物層の上に外部配線を形成し、前記外部配線と電子部品の電極とをワイヤボンディングで接続することを特徴とする請求項1または2に記載の端子一体型金属ベースパッケージモジュール。
  10. 前記酸化物層上に内部配線や受動素子を形成し、前記電子部品の電極と内部配線とをワイヤボンディングで接続し、前記内部配線と接続するように酸化物層および外部接続端子の上に外部配線を形成することを特徴とする請求項1または2に記載の端子一体型金属ベースパッケージモジュール。
  11. 前記酸化物層に外部接続端子と接続するビアホールを形成し、
    前記ビアホールに導電性物質を満たしてビア電極を形成し、
    前記外部接続端子および前記酸化物層の上に形成する内部配線または受動素子間の電気的接続を、ビア電極を介して行うことを特徴とする請求項1または2に記載の端子一体型金属ベースパッケージモジュール。
  12. 前記外部接続端子が形成される部分に位置する金属基板の一部を酸化させないことにより、酸化物層にビア電極を直ちに形成し、
    前記外部接続端子および前記酸化物層の上に形成する内部配線または受動素子間の電気的接続を、ビア電極を介して行うことを特徴とする請求項1または2に記載の端子一体型金属ベースパッケージモジュール。
  13. 導電性の金属材質で形成される金属基板を用意するステップと、
    前記金属基板の一面を所定の深さまで酸化させて酸化物層を形成するステップと、
    前記金属基板の反対面で縁に沿って一定の幅で前記酸化物層まで金属基板の一部を除去して絶縁溝を形成するステップと、
    前記絶縁溝により中央部と断絶された金属基板の縁部分を、縁に沿って間隔をおきながら除去して分離溝を形成することにより、複数の外部接続端子を形成するステップと、
    前記金属基板または酸化物層に電子部品を実装または製作するステップと、
    前記電子部品の電極と外部接続端子とを電気的に接続するステップとを含むことを特徴とする金属ベースパッケージモジュールのための端子一体型パッケージ方法。
  14. 導電性の金属材質で形成される金属基板を用意するステップと、
    前記金属基板の一面を所定の深さまで酸化させて酸化物層を形成するステップと、
    前記金属基板または酸化物層に電子部品を実装または製作するステップと、
    前記金属基板の反対面で縁に沿って一定の幅で前記酸化物層まで金属基板の一部を除去して絶縁溝を形成するステップと、
    前記絶縁溝により中央部と断絶された金属基板の縁部分を、縁に沿って間隔をおきながら除去して分離溝を形成することにより、複数の外部接続端子を形成するステップと、
    前記電子部品の電極と外部接続端子とを電気的に接続するステップとを含むことを特徴とする金属ベースパッケージモジュールのための端子一体型パッケージ方法。
  15. 前記電子部品と外部接続端子との接続部分を取り囲むようにモールディング処理を行うことにより、モールディング層を形成するステップをさらに含むことを特徴とする請求項13または14に記載の金属ベースパッケージモジュールのための端子一体型パッケージ方法。
  16. 前記電子部品と外部接続端子との接続部分を保護するように、上部にキャップを設けて保護膜を形成するステップをさらに含むことを特徴とする請求項13または14に記載の金属ベースパッケージモジュールのための端子一体型パッケージ方法。
  17. 前記絶縁溝と分離溝を絶縁物質で満たすステップをさらに含むことを特徴とする請求項13または14に記載の金属ベースパッケージモジュールのための端子一体型パッケージ方法。
  18. 前記外部接続端子の底面に接合パッドを形成するステップをさらに含むことを特徴とする請求項13または14に記載の金属ベースパッケージモジュールのための端子一体型パッケージ方法。
  19. 前記酸化物層および外部接続端子の上に外部配線および内部配線を形成し、前記電子部品の電極と内部配線とをワイヤボンディングで接続するステップをさらに含むことを特徴とする請求項13または14に記載の金属ベースパッケージモジュールのための端子一体型パッケージ方法。
  20. 前記酸化物層に外部接続端子と接続するようにビア電極を形成し、
    前記電子部品とビア電極とを電気的に接続するステップをさらに含むことを特徴とする請求項13または14に記載の金属ベースパッケージモジュールのための端子一体型パッケージ方法。
  21. 前記酸化物層を形成するための酸化を行う工程において、外部接続端子が形成される部分に位置する金属基板の一部を酸化させないことにより、酸化物層にビア電極を直ちに形成し、
    前記電子部品とビア電極とを電気的に接続するステップをさらに含むことを特徴とする請求項13または14に記載の金属ベースパッケージモジュールのための端子一体型パッケージ方法。
  22. 前記酸化物層に絶縁溝と接続する貫通ホールを形成し、
    前記電子部品と外部接続端子との接続部分を取り囲むようにモールディング材料を用いてモールディング層を形成しながら、貫通ホールを介して前記絶縁溝と分離溝をモールディング材料で満たして絶縁層を形成するステップをさらに含むことを特徴とする請求項13または14に記載の金属ベースパッケージモジュールのための端子一体型パッケージ方法。
  23. 導電性の金属材質で形成される金属基板を用意するステップと、
    前記金属基板の一面を所定の深さまで酸化させて酸化物層を形成するステップと、
    前記酸化物層に内部配線および外部配線を形成した後、電子部品を実装し、電子部品の電極に対応する内部配線をワイヤボンディングで接続するステップと、
    前記電子部品とワイヤボンディング、内部配線、外部配線に対するモールディング処理を行うことにより、モールディング層を形成するステップと、
    前記金属基板の反対面で縁に沿って一定の幅で前記酸化物層まで絶縁溝と分離溝を形成することにより、外部接続端子を形成するステップと、
    前記絶縁溝と分離溝を絶縁物質で満たして絶縁層を形成するステップと、
    前記外部接続端子の底面に接合パッドを形成するステップとを含むことを特徴とする金属ベースパッケージモジュールのための端子一体型パッケージ方法。
  24. 導電性の金属材質で形成される金属基板を用意するステップと、
    前記金属基板の一面を所定の深さまで酸化させて酸化物層を形成するステップと、
    前記金属基板または酸化物層に電子部品を実装または製作するステップと、
    前記電子部品の電極と内部配線または外部配線とをワイヤボンディングで接続するステップと、
    前記電子部品とワイヤボンディング、内部配線、外部配線に対するモールディング処理を行うことにより、モールディング層を形成するステップと、
    前記モールディング層の表面に保護膜を付着するステップと、
    前記金属基板の反対面で前記酸化物層まで絶縁溝と分離溝を形成しながら、各単位モジュールごとに分離する切断溝を形成するステップと、
    前記保護膜を除去して各単位モジュールに分離するステップとを含むことを特徴とする金属ベースパッケージモジュールのための端子一体型パッケージ方法。
  25. 導電性の金属材質で形成される金属基板を用意するステップと、
    前記金属基板の一面を所定の深さまで酸化させて酸化物層を形成するステップと、
    前記金属基板または酸化物層に電子部品を実装または製作するステップと、
    前記電子部品の電極と内部配線または外部配線とをワイヤボンディングで接続するステップと、
    前記電子部品とワイヤボンディング、内部配線、外部配線に対するモールディング処理を行うことにより、モールディング層を形成するステップと、
    前記モールディング層の表面に保護膜を付着するステップと、
    前記金属基板の反対面で前記酸化物層まで絶縁溝と分離溝を形成しながら、各単位モジュールごとに分離する切断溝を形成するステップと、
    前記切断溝が形成された部分のモールディング層をソーカッティングして各単位モジュールごとに分離するステップと、
    前記保護膜を除去するステップとを含むことを特徴とする金属ベースパッケージモジュールのための端子一体型パッケージ方法。
  26. 前記保護膜は、テープ、ダミーウエハ、フィルムの中から選択して使用することを特徴とする請求項24または25に記載の金属ベースパッケージモジュールのための端子一体型パッケージ方法。
  27. 前記モールディング層を形成するステップでは、モールディング処理を、注入方式、スピンコーティング方式、モールディング物質を半硬化して付着する方式、モールディング用パウダーを塗布した後、熱を加えてモールディング物質を溶かして全面に塗布する方式の中から選択して行うことを特徴とする請求項23〜25のいずれか一項に記載の金属ベースパッケージモジュールのための端子一体型パッケージ方法。
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