JP2012250372A - 光情報記録媒体用記録膜および光情報記録媒体、並びに上記記録膜の形成に用いられるスパッタリングターゲット - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明の光情報記録媒体用記録膜は、レーザー光の照射により記録が行われる光情報記録媒体用記録膜であって、Mnと;Bi、Ag、Co、Cu、In、Sn、およびZnよりなる群(X群)から選択される少なくとも一種の元素(X群元素)と;酸素(O)と、を含み、Mnの少なくとも一部、およびX群元素の少なくとも一部が酸化されている。
【選択図】なし
Description
本発明の光情報記録媒体用記録膜は、Mnを含有し、且つ、Mnの少なくとも一部が酸化されているものである。これにより、記録感度に優れると共に、反射特性も優れた光情報記録媒体が得られる。
本発明の光情報記録媒体用記録膜は、上記Mnと共に、Bi、Ag、Co、Cu、In、Sn、およびZnよりなる群(X群)から選択される少なくとも一種の元素(X群元素)を含み、且つ、X群元素の少なくとも一部が酸化されているものである。これにより、記録感度に優れると共に、反射特性も優れた光情報記録媒体が得られる。
O量(原子%)
=全元素量(原子%)−[Cu量(原子%)+Bi量(原子%)+Mn(原子%)]
光ディスク用基板として、ポリカーボネート基板(厚さ:1.1mm、直径:12cm、トラックピッチ:0.32μm、溝深さ:25nm)を用い、上記基板上に、DCマグネトロンスパッタリング法により、表3に示す種々の組成の記録膜を形成した。記録膜の膜厚は40nmとした。上記記録膜は、Biを含むときはBi酸化物ターゲット、Cuを含むときはCu酸化物ターゲット、Coを含むときはCo金属ターゲット、Mnを含むときはMn金属ターゲット、Inを含むときはIn金属ターゲット、Agを含むときはAg金属ターゲットを用い、同時放電による多元スパッタリングを行って形成した。
上記のようにして作製した光ディスクについて、以下のようにして記録パワー、ジッター値、および変調度を測定した。
変調度(反射率の変化率)
=[(未記録部分の反射率)−(記録部分の反射率)]/(未記録部分の反射率)
・・・ (1)
Claims (12)
- レーザー光の照射により記録が行われる光情報記録媒体用記録膜であって、
Mnと;Bi、Ag、Co、Cu、In、Sn、およびZnよりなる群(X群)から選択される少なくとも一種の元素(X群元素)と;酸素(O)と、を含み、
Mnの少なくとも一部、およびX群元素の少なくとも一部が酸化されていることを特徴とする光情報記録媒体用記録膜。 - 前記X群元素がBiであり、全金属元素(Mn+Bi)に対するMnの原子比(%)が20%超、60%以下である請求項1に記載の光情報記録媒体用記録膜。
- 前記X群元素がInであり、全金属元素(Mn+In)に対するInの原子比(%)が20%超、80%以下である請求項1に記載の光情報記録媒体用記録膜。
- 前記X群元素がCuであり、全金属元素(Mn+Cu)に対するMnの原子比(%)が10%超、80%以下である請求項1に記載の光情報記録媒体用記録膜。
- 前記X群元素がBiおよびCuであり、全金属元素(Mn+Bi+Cu)に対するBiの原子比(%)が10%以上、40%以下であり、且つ、全金属元素(Mn+Bi+Cu)に対するMnの原子比(%)が20%超、40%以下である請求項1に記載の光情報記録媒体用記録膜。
- 前記X群元素がBiおよびInであり、全金属元素(Mn+Bi+In)に対するBiの原子比(%)が20%以上、40%未満であり、且つ、全金属元素(Mn+Bi+In)に対するInの原子比(%)が20%超、40%以下である請求項1に記載の光情報記録媒体用記録膜。
- 前記X群元素がAg、およびInであり、全金属元素(Mn+Ag+In)に対するMnの原子比(%)が30%超、50%以下であり、且つ、全金属元素(Mn+Ag+In)に対するInの原子比(%)が30%以上、50%未満である請求項1に記載の光情報記録媒体用記録膜。
- 前記X群元素がBi、Cu、およびCoであり、全金属元素(Mn+Bi+Cu+Co)に対するMnの原子比(%)が20%以上、40%以下であり、全金属元素(Mn+Bi+Cu+Co)に対するCuの原子比(%)が10%以上、35%以下であり、且つ、全金属元素(Mn+Bi+Cu+Co)に対するBiの原子比(%)が10%以上、30%以下である請求項1に記載の光情報記録媒体用記録膜。
- 請求項1〜8のいずれかに記載の記録膜を備えた光情報記録媒体。
- 請求項1〜8のいずれかに記載の記録膜を備え、且つ、前記記録膜の上および/または下に誘電体層を備えた光情報記録媒体。
- 前記記録膜の膜厚が10〜100nmであり、前記誘電体層の膜厚が2〜30nmである請求項10に記載の光情報記録媒体。
- 請求項1〜8のいずれかに記載の光情報記録媒体用記録膜を形成するためのスパッタリングターゲットであって、
Mnと;Bi、Ag、Co、Cu、In、Sn、およびZnよりなる群(X群)から選択される少なくとも一種の元素(X群元素)と、を含み、残部:不可避的不純物であることを特徴とするスパッタリングターゲット。
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